PL175120B1 - Sproszkowany związek metaloorganiczny do tworzenia warstwy tlenku cynowego na podłożu oraz przezroczyste podłoże - Google Patents
Sproszkowany związek metaloorganiczny do tworzenia warstwy tlenku cynowego na podłożu oraz przezroczyste podłożeInfo
- Publication number
- PL175120B1 PL175120B1 PL94303841A PL30384194A PL175120B1 PL 175120 B1 PL175120 B1 PL 175120B1 PL 94303841 A PL94303841 A PL 94303841A PL 30384194 A PL30384194 A PL 30384194A PL 175120 B1 PL175120 B1 PL 175120B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- tin oxide
- doped
- coated substrate
- substrate according
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 39
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 7
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 65
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 2
- UTLYKVGGKZYRRQ-UHFFFAOYSA-L dibutyltin(2+);difluoride Chemical compound CCCC[Sn](F)(F)CCCC UTLYKVGGKZYRRQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- -1 oxide Chemical class 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- WPWHSFAFEBZWBB-UHFFFAOYSA-N 1-butyl radical Chemical compound [CH2]CCC WPWHSFAFEBZWBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- BMYGFCKZBYHESQ-UHFFFAOYSA-N [Sn].FC(C(=O)OCCC)(F)F.FC(C(=O)OCCC)(F)F Chemical compound [Sn].FC(C(=O)OCCC)(F)F.FC(C(=O)OCCC)(F)F BMYGFCKZBYHESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMDJAHKUWSCNQJ-UHFFFAOYSA-N [Sn].FC(C(=O)OCCCC)(F)F.FC(C(=O)OCCCC)(F)F Chemical compound [Sn].FC(C(=O)OCCCC)(F)F.FC(C(=O)OCCCC)(F)F MMDJAHKUWSCNQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- JGFBRKRYDCGYKD-UHFFFAOYSA-N dibutyl(oxo)tin Chemical compound CCCC[Sn](=O)CCCC JGFBRKRYDCGYKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C21/00—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/22—Tin compounds
- C07F7/2208—Compounds having tin linked only to carbon, hydrogen and/or halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/211—SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
- C03C2217/241—Doped oxides with halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/17—Deposition methods from a solid phase
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
1. Sproszkowany zwiazek metaloorganiczny do tworzenia warstwy tlenku cynowego na podlozu zawierajacy cyne i chlorowiec, zwlaszcza fluor, przeznaczony do pirolizowania pod wplywem ciepla na powierzchni przezroczystego podloza, zwlaszcza szkla, w celu utworzenia na nim warstwy tlenku cynowego domieszkowanego chlorowcem o wlasciwo- sciach zwiazanych z promieniowaniem podczerwonym i/lub elektrycznych, znamienny tym, ze jego uziarnienie jest tak dobrane, aby srednica czastek d9 0 miescila sie miedzy 40 a 200 µm, zwlaszcza miedzy 50 a 150 µm, a korzystnie miedzy 60 a 100 µm. PL PL
Description
Przedmiotem wynalazku jest sproszkowany związek metaloorganiczny, przeznaczony do tworzenia warstwy tlenku cynowego na przezroczystym podłożu, zwłaszcza szkle, metodą pirolizy. Przedmiotem wynalazku jest również przezroczyste podłoże powlekane.
Znane jest powlekanie podłoży szklanych cienkimi warstwami tlenku metalu domieszkowanego, zwłaszcza warstwami tlenku cynowego domieszkowanego chlorowcem typu fluoru, w celu nadania im pewnych właściwości, takich jak właściwości związane z promieniowaniem podczerwonym i właściwości przewodzenia elektryczności. Można w ten sposób otrzymać oszklenia zwane nisko-emisyjnymi lub oszklenia grzewcze.
Istnieją różne metody nanoszenia takich warstw na podłoże, a wśród nich metoda zwana proszkową. Metoda ta polega na rzuceniu odpowiednich związków metaloorganicznych, w tym przypadku cynowych i chlorowcowych, znajdujących się w postaci cząstek w zawiesinie w gazie nośnym, bezpośrednio na powierzchnię podłoża szklanego ogrzanego do wysokiej temperatury, na przykład rzędu 400-650°C. Cząstki te w zetknięciu z gorącym szkłem rozkładają się na nim, pozostawiając warstewkę tlenku. Jest to sprawdzona metoda, której zaletą jest umożliwienie powlekania w sposób ciągły taśmy szklanej z linii produkcyjnej instalacji float i uzyskania pokryć o wysokiej jakości. Odpowiednie urządzenia potrzebne do realizacji tej metody opisano przykładowo w europejskich opisach EP-B-0125153 i EP-A-0374023.
Do uzyskania warstw tlenku cynowego domieszkowanego fluorem, SnO2F, można stosować różne rodzaje sproszkowanych związków metaloorganicznych.
Znane są również związki zawierające jednocześnie cynę i fluor, przykładowo takie jak dipropylo-di-trifluorooctan cyny (CsHjI (SnCF3COO)2 albo dibutylo-di-trifluorooctan cyny (CąHęh (SnCF3COO)2 ujawnione w opisie Ep-B-0106744, bądź difluorek dibutylocyny (Cąlbh SnCF2 zwany też D.B.T.F., którego syntezę ujawniono w opisie patentowym EP-B-0178956.
Z opisu patentowego EP-B-0039256 znany jest związek cyny nie zawierający chlorowca, taki jak tlenek dibutylocyny (n-C4H9)2SnO2 zwany D.B.T.O., który łączy się z innym związkiem będącym nośnikiem chlorowca, takimjak D.B.T.F. Dla wszystkich tych związków dobrano dość niskie uziarnienie cząstek, to jest średnice średnich cząstek najwyżej rzędu 15-20 gm, a zwłaszcza średnice wszystkich cząstek mniejsze niż 20 gm, co miało na celu ułatwienie zawieszania ich w gazie nośnym i ich jednorodnego przepływu od urządzeń rozprowadzających do powierzchni podłoża przeznaczonego do pokrycia.
Jak już wspomniano, powłoki otrzymane z tych sproszkowanych związków są zadowalające pod względem optycznym i pod względem właściwości. Na przykład według danych ze wspomnianych już europejskich opisów EP-B-0125153 i EP-A-0374023, z proszków D.B.T.F. o uziarnieniu poniżej 20 gm można otrzymać warstwy SnO2 :F o regularnej grubości oraz emisyjności sięgającej 0,25.
Poszukiwano możliwości dalszego obniżenia emisyjności takich pirolizowanych warstw, zwłaszcza przez wpływanie na warunki powlekania, na przykład na temperaturę podłoża, lub przez zwiększanie grubości tych warstw. Jednakże optymalizacje takie mają swoje granice, związane z nadmiernym zużyciem energii i/lub surowców. Ponadto zwiększenie grubości warstwy może w sposób niepożądany zmienić wygląd optyczny i spowodować, że zysk emisyjności będzie się zmniejszał w miarę tego zwiększania.
175 120
Problem techniczny, którego rozwiązanie proponuje niniejszy wynalazek, polega więc na polepszeniu, za pomocą różnych środków właściwości emisyjności i/lub przewodnictwa elektrycznego pirolizowanych warstw tlenku cynowego domieszkowanego, i to bez powodowania trudności i/lub nadmiernych kosztów ich produkcji.
Przedmiotem wynalazku jest sproszkowany związek metaloorganiczny zawierający cynę i chlorowiec, zwłaszcza fluor, przeznaczony do pirolizowania pod wpływem ciepła na powierzchni przezroczystego podłoża, zwłaszcza szklanego, w celu utworzenia na nim warstwy tlenku domieszkowanego chlorowcem, posiadające w związku z tym właściwości związane z promieniowaniem podczerwonym i/lub właściwości elektryczne.
Według wynalazku sproszkowany związek metaloorganiczny zawiera cynę i chlorowiec, zwłaszcza fluor, i przeznaczony jest do pirolizowania pod wpływem ciepła na powierzchni przezroczystego podłoża, zwłaszcza szkła, w celu utworzenia na nim warstwy tlenku cynowego domieszkowanego chlorowcem o właściwościach związanych z promieniowaniem podczerwonym i/lub elektrycznych, charakteryzuje się tym, że jego uziarnienie jest tak dobrane, aby średnica cząstek dęo mieściła się między 40 a 200 gm, zwłaszcza między 50 a 150 gm, a korzystnie między 60 a 100 gm.
Korzystnie jego uziarnienie jest tak dobrane, aby średnica cząstek dio mieściła się między 8 a 30 gm, zwłaszcza między 10 a 20 gm, oraz aby średnica cząstek d50 mieściła się między 20 a 60 gm, korzystnie między 25 a 50 gm.
Terminy d90, d50 i dio oznaczają, że odpowiednio 90%, 50% i 10% cząstek omawianego związku ma średnicę niższą od zaznaczonej wartości. Wartość d90 daje jasne pojęcie o rozmiarze cząstek. W połączeniu z wartościami d50 i/lub di0 precyzuje ona rozkład rozmiarów cząstek w podanym zakresie wartości średnicy.
Wybrany związek metaloorganiczny jest korzystnie samodomieszkujący w tym sensie, że zawiera równocześnie cynę i fluor, co nie wymaga stosowania mieszania związków.
Korzystnie związek ten stanowi głównie proszek difluorku dibutylocyny D.B.T.F.
Przedmiotem wynalazku jest także przezroczyste podłoże, zwłaszcza szklane, powleczone warstwą tlenku cynowego domieszkowanego chlorowcem, zwłaszcza fluorem i posiadającą właściwości związane z promieniowaniem podczerwonym i/lub właściwości elektryczne, charakteryzujące się tym, że warstwa powlekająca stanowi warstwę utworzoną przez pirolizę przedstawionego wyżej sproszkowanego związku metaloorganicznego, którego uziarnienie jest tak dobrane, aby średnica cząstek d90 mieściła się między 40 a 200 gm, korzystnie między 50 a 150 gm, a zwłaszcza między 60 a 100 gm.
Korzystnie warstwa domieszkowanego tlenku cynowego składa się z kryształów, których przeciętna średnica wynosi około 20 nm.
Korzystnie grubość warstwy domieszkowanego tlenku cynowego mieści się między 300 a 420 nm, a zwłaszcza wynosi około 340 nm, zaś jego emisyjność jest mniejsza od 2, zwłaszcza mieści się między 0,16 a 0,18 oraz jego oporność jest mniejsza od 8,0 · 10'4 om.cm, zwłaszcza mieści się między 7,0 -10^ a 5,5 · 10-'1 om.cm.
Autorzy stwierdzili nieoczekiwanie, że wyselekcjonowanie dużo większych uziarnień cząstek niż zazwyczaj zalecane dotychczas pozwala na otrzymanie warstw, których emisyjność i przewodnictwo elektryczne są, przy jednakowych grubościach warstw tlenku, znacznie lepsze. Szczególnie korzystny jest fakt, że takie polepszanie właściwości warstw tlenku cynowego domieszkowanego nie wpływa niekorzystnie na łatwość nanoszenia warstw ani na ich jakość optyczną.
Wybierając bardzo duże uziarnienia można by z drugiej strony obawiać się wystąpienia problemów niejednorodności zawiesiny proszek-gaz nośny i problemów z przepływem tej zawiesiny przez urządzenia rozprowadzające, co jednak nie ma miejsca w przypadku zakresów uziarnień wybranych według wynalazku. Co więcej, otrzymane warstwy są regularne, a pod względem wizualnym jednorodne i zadowalające.
Dla uzyskania dalszej poprawy pod względem wizualnym, a zwłaszcza dla zagwarantowania neutralności barwy przy odbiciu od podłoża, od strony, na której położono warstwę tlenku cynowego, można umieścić ponadto co najmniej jedną warstwę pośrednią między podłożem a warstwą domieszkowanego tlenku cynowego, utworzoną zwłaszcza z tworzywa dielektrycznego
175 120 składającego się z przynajmniej jednego z tlenków metali obejmujących tlenek glinu, tytanu, cynku, cyny, indu, jak to podano w opisie patentowym FR-B-2670199, lub z tworzywa dielektrycznego na bazie tlenowęgliku i/lub tlenoazotku krzemu, jak podano w opisie zgłoszenia FR-A-2677639.
Podłoże powleczone według wynalazku korzystnie zawiera również powłokę zewnętrzną powlekającą warstwę domieszkowanego tlenku cynowego, zwłaszcza na bazie tlenku krzemu. Charakterystyki wymienionej wyżej warstwy pośredniej z jednej strony oraz powłoki zewnętrznej z drugiej strony, w odniesieniu do grubości i współczynnika refrakcji, można korzystnie wybrać z opisów zgłoszeń EP-A-0544577 i EP-A-C 573325.
Autorom wynalazku udało się skorelować poprawę właściwości warstwy tlenku cynowego ze zwiększeniem rozmiaru składających się na nią kryształów.
Stwierdzono, że uziarnienie cząstek związków metaloorganicznych ma bezpośredni wpływ na sposób w jaki zachodzi krystalizacja otrzymanej warstwy tlenku, a zwłaszcza na rozmiar kryształów i na ich uprzywilejowaną orientację. Nawet jeśli rzędy rozmiarów cząstek proszku i kryształów bardzo się różnią, to jednak wydaje się, że im więcej cząstek związków metaloorganicznych ma dużą średnicę, tym więcej kryształów z warstwy będzie miało znaczny rozmiar i określoną orientację. W rezultacie liczba połączeń ziaren międzykrystalicznych w warstwie będzie ulegała zmniejszeniu, co podwyższy ruchliwość w niej wolnych elektronów, a więc ostatecznie przewodnictwo elektryczne ulegnie podwyższeniu a emisyjność ulegnie zmniejszeniu, przy czym emisyjność i przewodnictwo są związane.
Przedmiotem wynalazku jest również przezroczyste podłoże, zwłaszcza szklane, powleczone warstwą tlenku cynowego domieszkowanego chlorowcem, zwłaszcza fluorem i posiadającą właściwości związane z promieniowaniem podczerwonym, charakteryzując się tym, że warstwa ta składa się z kryształów, których przeciętna średnica wynosi około 20 nm.
Korzystnie grubość warstwy domieszkowanego tlenku cynowego mieści się między 300 a 420 nm, a zwłaszcza wynosi około 340 nm, zaś jego emisyjność jest mniejsza od 2, zwłaszcza mieści się między 0,16 a 0,18 oraz jego oporność jest mniejsza od 8,0 · 10'4 om.cm, zwłaszcza mieści się między 7,0 10’4 a 5,5 10om.cm.
Korzystnie podłoże ponadto zawiera co najmniej jedną warstwę pośrednią między podłożem a warstwą domieszkowanego tlenku cynowego, utworzoną zwłaszcza z tworzywa dielektrycznego, składającego się z przynajmniej jednego z tlenków metali obejmujących tlenek glinu, tytanu, cynku, cyny, indu lub z tworzywa dielektrycznego na bazie tlenowęgliku i/lub tlenoazotku krzemu.
Podłoże powleczone według tej odmiany wynalazku korzystnie zawiera również powłokę zewnętrzną powlekającą warstwę domieszkowanego tlenku cynowego, zwłaszcza na bazie tlenku krzemu.
Fakt stosowania proszków związków metaloorganicznych o dużym uziarnieniu ma jeszcze inny korzystny skutek, polegający na wyraźnym zwiększeniu wydajności pirolizy. Wydajność tę oblicza się przez pomiar wagowej ilości związków metaloorganicznych potrzebnej do uzyskania warstwy tlenku o danej grubości. Zaobserwowano, że wydajność w sposób absolutnie nie do przewidzenia wzrasta o około 20% jeśli wybierze się uziarnienie proszku d90 60 gm zgodnie z wynalazkiem, zwłaszcza gdy uziarnienie standardowe d90 mieści się między 20 a 25 gm. Taki wzrost wydajności wiąże się ze znaczącym zmniejszeniem kosztów surowcowych i to tym bardziej, że wynalazek pozwala na regulację grubości warstwy, w zależności od żądanych parametrów i ilości użytego związku metaloorganicznego. Tak więc przy jednakowych grubościach warstw emisyjność i oporność elektryczna będą spadały, jeśli wybierze się znaczne uziarnienia według wynalazku. Można jednak zdecydować się na zachowanie podobnych wartości emisyjności i oporności przez zmniejszenie grubości warstw.
Poniższe nieograniczające przykłady ilustrują niniejszy wynalazek.
W szystkie przykłady dotyczą powlekania podłoża ze szkła float krzemowo-sodowo-wapniowego o grubości 4 mm warstwą SnO2:F o grubości około 340 nm przez pirolizę proszku składającego się w 100% z D.B.T.F., w warunkach powlekania i przy użyciu aparatury znanej z jednego z opisów EP-B-0125153 lub EP-A-0374023, dla większej dokładności przedstawiono w przykładach. W czasie powlekania podłoże miało temperaturę około 550°C. Przykład I jest
175 120 przykładem porównawczym, w którym zastosowano małe standardowe uziarnienia proszku D.B.T.F.
W tabeli 1 poniżej podano dla każdego z przykładów I-VII uziarnienia, wyrażone w mikrometrach, dęo, d50 i dio wybranych proszków D.B.T.F. Zespół tych wartości pozwala dobrze ocenić rozkład średnic cząstek każdego z użytych proszków.
Tabela 1
| dio | d50 | d90 | |
| Przykład I | 5 | 12-15 | 25 |
| Przykład II | - | - | 40 |
| Przykład III | - | - | 50 |
| Przykład IV | 10-15 | 26-35 | 60 |
| Przykład V | 20 | 50 | 100 |
| Przykład VI | - | - | 150 |
| Przykład VII | - | - | 200 |
W tabeli 2 poniżej zestawiono charakterystyki warstw otrzymanych z siedmiu proszków D.B.T.F., odnośnie emisyjności (Epsilon) oraz oporności elektrycznej (w om.cm).
Tabela 2
| Epsilon | R | |
| Przykład I | 0,25 | 10· 10'4 |
| Przykład II | 0,22 | 8,8 10’4 |
| Przykład III | 0,20 | 8,0· 10-4 |
| Przykład IV | 0,18 | 7,0· 10’4 |
| Przykład V | 0,16 | 5,5 10-4 |
| Przykład VI | 0,17 | 610-4 |
| Przykład VII | 0,18 | 710’4 |
Dla dwóch przykładów, mianowicie dla przykładu I porównawczego i przykładu IV, rozmiary kryształów warstw SnO2'.F oceniono za pomocą promieni X. Ocenę taką przeprowadzono mierząc szerokość w połowie wysokości piku na otrzymanych widmach R-X, odpowiadającego prążkowi (2,0,0) o dużo większej intensywności niż inne prążki.
Na podstawie widm R-X otrzymanych w wyniku analizy warstw według porównawczego przykładu I z jednej strony oraz według przykładu IV, według wynalazku, z drugiej strony, stwierdzono, że przeciętna średnica kryształów warstwy otrzymanej z proszków o uziarnieniu standardowym (przykład I) wynosiła 13 nm, podczas gdy przeciętna średnica kryształów warstwy utworzonej z proszków o większym uziarnieniu (przykład IV) wynosiła około 20 nm. Uziarnienia proszków, według wynalazku, umożliwiły więc uzyskanie rozmiarów kryształów większych o ponad 50%.
Ponadto porównanie obu widm, zwłaszcza ilości pików i ich rozmiaru, dało informację odnośnie krystalizacji obu warstw. Okazało się, że warstwa według przykładu IV zawierała kryształy, których orientacja była bardzo dobrze zaznaczona, dużo lepiej niż w przypadku warstwy według przykładu I.
Wydaje się więc, że połączenie większego rozmiaru kryształów z bardziej uprzywilejowaną orientacją krystaliczną spowodowało polepszenie właściwości elektrycznych określonych w tabeli 2.
Wnioski jakie można wyciągnąć z tych przykładów są następujące. Aż do uziarnień dęo rzędu 150, a nawet 200 μm nie występuje żaden problem wynikający z dobrania takich wielkości. Proces powlekania nie wymaga więc żadnej adaptacji lub modyfikacji. Wszystkie podłoża powleczone tymi warstwami wykazują wysoką przepuszczalność świetlną Tt, co najmniej 70-75% według iluminacji Dós i nie wykazują istotnych wad optycznych. Ponadto widać, że emisyjność i oporność znacznie maleją, gdy wzrasta uziarnienie. Emisyjność maleje o blisko 30% jeśli wybierze się uziarnienia d% 60 μm zamiast uziarnień d90 25 μm; podobnie jest z opornością elektryczną.
Ulepszenia te związane ze zmianą sposobu krystalizacji warstw powodują, że kryształy mają tendencję do znacznie większego rozmiaru, zwłaszcza o co najmniej 30%, a nawet 50% i więcej, a także mają lepiej zaznaczoną orientację.
175 120
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz Cena 2,00 zł
Claims (15)
- Zastrzeżenia patentowe1. Sproszkowany związek metaloorganiczny do tworzenia warstwy tlenku cynowego na podłożu zawierający cynę i chlorowiec, zwłaszcza fluor, przeznaczony do pirolizowania pod wpływem ciepła na powierzchni przezroczystego podłoża, zwłaszcza szkła, w celu utworzenia na nim warstwy tlenku cynowego domieszkowanego chlorowcem o właściwościach związanych z promieniowaniem podczerwonym i/lub elektrycznych, znamienny tym, że jego uziarnienie jest tak dobrane, aby średnica cząstek d90 mieściła się między 40 a 200 pm, zwłaszcza między 50 a 150 pm, a korzystnie między 60 a 100 pm.
- 2. Związek według zastrz. 1, znamienny tym, że jego uziarnienie jest tak dobrane, aby średnica cząstek dio mieściła się między 8 a 30 pm, korzystnie między 10 a 20 pm.
- 3. Związek według zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, że jego uziarnienie jest tak dobrane, aby średnica cząstek d50 mieściła się między 20 a 60 pm, korzystnie między 25 a 50 pm.
- 4. Związek według zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, że składa się głównie z proszku difluorku dibutylocyny D.B.T.F.
- 5. Przezroczyste podłoże, zwłaszcza szklane, powleczone warstwą tlenku cynowego domieszkowanego chlorowcem, zwłaszcza fluorem i posiadającą właściwości związane z promieniowaniem podczerwonym i/lub właściwości elektryczne, znamienne tym, że warstwa powlekająca stanowi warstwę utworzoną przez pirolizę przedstawionego wyżej sproszkowanego związku metaloorganicznego, którego uziarnienie jest tak dobrane, aby średnica cząstek d90 mieściła się między 40 a 200 pm, korzystnie między 50 a 150 pm, a zwłaszcza między 60 a 100 pm.
- 6. Podłoże powleczone według zastrz. 5, znamienne tym, że warstwa domieszkowanego tlenku cynowego składa się z kryształów, których przeciętna średnica wynosi około 20 nm.
- 7. Podłoże powleczone według zastrz. 5 albo 6, znamienne tym, że grubość warstwy domieszkowanego tlenku cynowego mieści się między 300 a 420 nm, a zwłaszcza wynosi około 340 nm.
- 8. Podłoże powleczone według zastrz. 5, znamienne tym, że jego emisyjność jest mniejsza od 2, zwłaszcza mieści się między 0,16 a 0,18 oraz jego oporność jest mniejsza od 8,0 · 10‘4 om.cm, zwłaszcza mieści się między 7,0 · 104 a 5,5 · 10-4 om.cm.
- 9. Podłoże powleczone według zastrz. 5, znamienne tym, że zawiera ponadto co najmniej jedną warstwę pośrednią umieszczoną między podłożem a warstwą domieszkowanego tlenku cynowego, utworzoną zwłaszcza z tworzywa dielektrycznego składającego się z przynajmniej jednego z tlenków metali obejmujących tlenek glinu, tytanu, cynku, cyny, indu, lub z tworzywa dielektrycznego na bazie tlenowęgliku i/lub tlenoazotku krzemu.
- 10. Podłoże powleczone według zastrz. 5 albo 8, albo 9, znamienne tym, że zawiera również zewnętrzną powłokę powlekającą warstwę domieszkowanego tlenku cynowego, zwłaszcza na bazie tlenku krzemu.
- 11. Przezroczyste podłoże, zwłaszcza szklane, powleczone warstwą tlenku cynowego domieszkowanego chlorowcem, zwłaszcza fluorem i posiadającą właściwości związane z promieniowaniem podczerwonym, znamienne tym, że warstwa ta składa się z kryształów, których przeciętna średnica wynosi około 20 nm.
- 12. Podłoże powleczone według zastrz. 11, znamienne tym, że grubość warstwy domieszkowanego tlenku cynowego mieści się między 300 a 420 nm, a zwłaszcza wynosi około 340 nm.
- 13. Podłoże powleczone według zastrz. 11, znamienne tym, że jego emisyjność jest mniejsza od 2, zwłaszcza mieści się między 0,16 a 0,18 oraz jego oporność jest mniejsza od 8,0 · 104 om.cm, zwłaszcza mieści się między 7,0 · 10-4 a 5,5 · 10^ om.cm.17(5120
- 14. Podłoże powleczone według zastrz. 11, znamienne tym, że zawiera ponadto co najmniej jedną warstwę pośrednią umieszczoną między podłożem a warstwą domieszkowanego tlenku cynowego, utworzoną zwłaszcza z tworzywa dielektrycznego, składającego się z przynajmniej jednego z tlenków metali obejmujących tlenek, glinu, tytanu, cynku, cyny, indu lub z tworzywa dielektrycznego na bazie tlenowęgliku i/lub tlenoazotku krzemu.
- 15. Podłoże powleczone według zastrz. 11 albo 13, albo 15, znamienne tym, że zawiera również zewnętrzną powłokę powlekającą warstwę domieszkowanego tlenku cynowego, zwłaszcza na bazie tlenku krzemu.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9307335A FR2706462B1 (fr) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | Composés pulvérulents organo-métalliques destinés à former une couche d'oxyde d'étain sur un substrat, procédé de mise en Óoeuvre et substrat ainsi revêtu. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL303841A1 PL303841A1 (en) | 1995-01-09 |
| PL175120B1 true PL175120B1 (pl) | 1998-11-30 |
Family
ID=9448252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL94303841A PL175120B1 (pl) | 1993-06-17 | 1994-06-15 | Sproszkowany związek metaloorganiczny do tworzenia warstwy tlenku cynowego na podłożu oraz przezroczyste podłoże |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5571556A (pl) |
| EP (1) | EP0629629B1 (pl) |
| JP (1) | JPH0770153A (pl) |
| KR (1) | KR100312667B1 (pl) |
| CN (1) | CN1068568C (pl) |
| CZ (1) | CZ289219B6 (pl) |
| DE (1) | DE69412709T2 (pl) |
| ES (1) | ES2122186T3 (pl) |
| FR (1) | FR2706462B1 (pl) |
| PL (1) | PL175120B1 (pl) |
| RU (1) | RU2134242C1 (pl) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3010077C2 (de) * | 1980-03-15 | 1981-07-30 | Vereinigte Glaswerke Gmbh, 5100 Aachen | Verfahren zum Aufbringen von mit einem Halogen, vorzugsweise mit Fluor dotierten Zinnoxidschichten auf Glasoberflächen durch Pyrolyse |
| US4401695A (en) * | 1982-06-01 | 1983-08-30 | Ppg Industries, Inc. | Method of and apparatus for applying powder coating reactants |
| JPS5945926A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-15 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
| JPS5957914A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
| FR2570379B1 (fr) * | 1984-08-22 | 1986-11-21 | Saint Gobain Vitrage | Preparation d'une poudre de difluorure de dibutyl etain destinee a la formation d'un revetement sur un substrat, notamment en verre |
| EP0192009B1 (fr) * | 1985-01-22 | 1991-09-04 | Saint-Gobain Vitrage International | Procédé de prèparation d'un poudre à base de formiate d'indium pour la formation d'une couche mince sur un substrat, notamment en verre. |
| DE3680129D1 (de) * | 1985-03-22 | 1991-08-14 | Pilkington Plc | Beschichtungsverfahren. |
| FR2637898B1 (fr) * | 1988-10-14 | 1990-12-28 | Rhone Poulenc Chimie | Organofluorures d'etain et leur procede de preparation |
| FR2672884B1 (fr) * | 1991-02-20 | 1993-09-10 | Saint Gobain Vitrage Int | Couche protectrice sur un substrat conducteur. |
| NO931606L (no) * | 1992-05-26 | 1993-11-29 | Saint Gobain Vitrage | Vindusplate med en funksjonell film |
-
1993
- 1993-06-17 FR FR9307335A patent/FR2706462B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-13 CZ CZ19941451A patent/CZ289219B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1994-06-15 PL PL94303841A patent/PL175120B1/pl unknown
- 1994-06-16 KR KR1019940013585A patent/KR100312667B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-16 ES ES94401352T patent/ES2122186T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-16 EP EP94401352A patent/EP0629629B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-16 CN CN94107509A patent/CN1068568C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-16 DE DE69412709T patent/DE69412709T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-16 RU RU94021345A patent/RU2134242C1/ru active
- 1994-06-16 JP JP6134164A patent/JPH0770153A/ja active Pending
- 1994-06-17 US US08/261,705 patent/US5571556A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CZ289219B6 (cs) | 2001-12-12 |
| CN1068568C (zh) | 2001-07-18 |
| KR100312667B1 (ko) | 2002-06-20 |
| EP0629629B1 (fr) | 1998-08-26 |
| US5571556A (en) | 1996-11-05 |
| CZ145194A3 (en) | 1995-01-18 |
| CN1108627A (zh) | 1995-09-20 |
| JPH0770153A (ja) | 1995-03-14 |
| PL303841A1 (en) | 1995-01-09 |
| DE69412709T2 (de) | 1999-04-15 |
| EP0629629A1 (fr) | 1994-12-21 |
| FR2706462B1 (fr) | 1995-09-22 |
| DE69412709D1 (de) | 1998-10-01 |
| RU2134242C1 (ru) | 1999-08-10 |
| ES2122186T3 (es) | 1998-12-16 |
| KR950000597A (ko) | 1995-01-03 |
| FR2706462A1 (fr) | 1994-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0136789B1 (ko) | 도전성 박판상 안료 | |
| DE69516551T2 (de) | Beschichtungen auf Glas | |
| EP0239280B1 (en) | Protective overcoat for solar-shielding films | |
| EP0848386B1 (en) | Transparent conductive film, low-reflection transparent conductive film, and display | |
| US4715879A (en) | Method for the manufacture of a tempered and/or curved glass pane with reduced transmission | |
| DE69715592T2 (de) | Sputter-targets sowie verfahren zu deren herstellung | |
| JP2000119045A (ja) | 太陽光制御被覆ガラス | |
| JPH0459258B2 (pl) | ||
| CZ83199A3 (cs) | Sklo s povlakem a násobný zasklívací dílec je obsahující | |
| WO2001028949A1 (en) | Glass sheet with metal oxide film, method of manufacturing the same, and double-glazing unit using the same | |
| DE69111766T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Aluminiumoxidschicht auf Glas, so erhaltenes Produkt und seine Verwendung in Scheiben mit leitender Schicht. | |
| CA1328089C (en) | Sputtered films of bismuth/tin oxide | |
| RU2447032C2 (ru) | Стеклоизделие с покрытием из оксида цинка и способ его изготовления | |
| JP2005226008A (ja) | 日射遮蔽体形成用分散液及び日射遮蔽体並びにその製造方法 | |
| JP2000505772A (ja) | ガラス基材にエナメルを施す方法、使用されるエナメル組成物および得られた製品 | |
| US20250205999A1 (en) | Enameled glazing | |
| US8187705B2 (en) | Manganese vanadium tantalum oxide and pigments having a black metallic effect coated with the same | |
| CA1169722A (en) | Glazing possessing selective transmission and reflection spectra | |
| CA1220007A (en) | Coated glazing material | |
| JP2001002449A (ja) | 低放射ガラスと該低放射ガラスを使用したガラス物品 | |
| DE3854798T2 (de) | Schwach reflektierende Bronze-Beschichtung | |
| JP5192299B2 (ja) | 改良被覆ガラス | |
| PL175120B1 (pl) | Sproszkowany związek metaloorganiczny do tworzenia warstwy tlenku cynowego na podłożu oraz przezroczyste podłoże | |
| KR930009324B1 (ko) | 백금층등이 피복된 프레스트레스 된 및/또는 만곡된 유리판의 제조방법 | |
| SE514055C2 (sv) | Glasningspanel med solfiltrerande egenskaper och förfarande för framställning av densamma |