PL177639B1

PL177639B1 - Sposób wytwarzania ekranu luminescencyjnego kineskopu kolorowego

Info

Publication number: PL177639B1
Application number: PL94306476A
Authority: PL
Inventors: Pabitra Datta; Nitin V. Desai; Ronald Norman Friel; Eugene Samuel Poliniak; Wilber Clarence Stewart
Original assignee: Rca Thomson Licensing Corp
Priority date: 1993-12-22
Filing date: 1994-12-22
Publication date: 1999-12-31
Also published as: KR0158024B1; PL306476A1; US5413885A; KR950020917A; JP3663224B2; CN1096096C; CA2138188A1; CA2138188C; CN1115113A; TW353760B; JPH07220635A

Abstract

1. Sposób wytwarzania ekranu luminescencyjnego kineskopu kolorowego na powierzchni wewnetrznej plyty czolowej, podczas którego pokrywa sie powloka powierzchnie plyty czolowej, przez co tworzy sie odpa rowywalna warstwe przewodzaca oraz pokrywa sie warstwe przewodzaca roztworem fotoprzewodzacym, za- wierajacym srodek powierzchniowo czynny i rozpuszczalnik organiczny, przez co tworzy sie odparowywalna, organiczna warstwe fotoprzewodzaca o wrazliwosci widmowej nie wiekszej od 550 nm, w którym to sposobie stosuje sie roztwór fotoprzewodzacy zawierajacy zywice, material bedacy donorem elektronów i material beda- cy akceptorem elektronów, znamienny tym, ze zywice w roztworze fotoprzewodzacym wybiera sie z grupy zlozonej z polistyrenu, poli-alfa-metylo-styrenu, kopolimeru polistyrenowo-butadienowego, polimetakrylanu metylu oraz estrów kwasu polimetakrylowego i poliizobutylenu oraz poliweglanu propylenu, material bedacy dono- rem elektronów wybiera sie z grupy zlozonej z 1,4-dwu/2,4-metylofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /2,4- DMPBT/, 1,4-dwu/2,5-metylofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /2,5-DMPBT/, 1,4-dwu/3,4-metylofenylo/-1,4- dwufenylo-butatrienu /3,4-DMPBT/, 1,4-dwu/2-metylofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /2-DMPBT/, 1,4- dwufenylo-1,4-dwufenylofenylo-butatrienu /2-DPBT/, 1,4-dwu/4-fluorofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /4- DFPBT/, 1,4-dwu/4-bromofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /4-DBPBT/, 1,4-dwu/4-chlorofenylo/-1,4-dwufenylo- butatrienu /4-DCPBT/ i 1,4-dwu/4-trójfluorometylofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /4-DTFPBT/ oraz material bedacy akceptorem elektronów wybiera sie z grupy zlozonej z 9-fluorenonu /9-F/, 3-nitro-9-fluorenonu /3-NF/, 2,7- dwunitro-9-fluorenonu /2,7-DNF/, 2,4,7-trójnitro-9-fluorenonu /2,4,7-TNF/, malononitrylu 2,4,7-trójnitro-9- fluorenylidenu /2,4,7-TNFMN/, antrochinonu /AQ/, 2-etyloantrochinonu /2-EAQ/, 1-chloroantrochinonu /1-CAQ/, 2-metyloantrochinonu /2-MAQ/ oraz 2,1-dwuchloro-1,4-naftachinonu /2,1-DCAQ/. PL PL PL PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest epoedb wytwarzania ekranu lumineecencyjnego Oineekopu kolorowego, podczas którego stosuje eię organiczną warstwę fotoprzewodzącą, mającą dobre własności fizyczne i elektryczne.

Znany jest z opisu patentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 4 921 767 sposób elektrofotograficznego wytwarzania ekranu lumineecencyjnego na wewnętrznej powierzchni płyty czołowej kineskopu, przy zastosowaniu sproszkowanych na sucho, ładowanych tryboelektrycznie materiałów struktury ekranu, osadzanych na przygotowanej powierzchni mającej zdolność elektrostatycznego ładowania się i zawierającej fotoprzewodzącą warstwę organiczną pokrywającą warstwę przewodzącą przy czym obie warstwy osadza się kolejno, w postaci roztworów, na wewnętrznej powierzchni płyty czołowej kineskopu. Z opisu patentowego UbA nr 4 921 767 znane jest pokrywanie wewnętrznej warstwy kineskopu materiałami organicznymi przewodzącymi prąd elektryczny. Materiały te mogą stanowić kombinację żywicy i środków będących donorami i akceptorami elektronów. Jako elektrolit przewodzący można stosować materiał polimerowy organiczny będący czteryfenylobutαtrieaem rozpuszczonym w polimetakrylanie metylu. Żywicę wybiera się wśród polimerów styrenu oraz stosuje się związki wytwarzające ładunek ujemny. Znana warstwa fotoprzewodzącą zawiera ydp4rowywalae, organiczny materiał pylimereczae, taki jak poliwiaelo04rb4zol lub monomer organiczny, na przykład n-et^lokarbazol, n-wiaelokarbazol lub czterofenelobut4trien. Jednak przewodzący poliwiaelokarb4zol ma skłonność do pękania podczas wytwarzania powłok, niezadowalające przyleganie osadów luminoforowych podczas utrwalania oraz wymaga długotrwałego wygrzewania w celu usunięcia lotnych składników z warstwy podczas suszenia ekranu w piecu. Czterofeaylobutαtriea ma słabą rozpuszczalność, skłonność do krystalizacji oraz brak właściwej wrażliwości widmowej w zakresie powszechnie stosowanych długości fal, to znaczy od 400 do 500 nm. Krystalizacja jest niepożądaną gdyż w miejscach występowania kryształów' występują przebicia elektryczne, powodując powstawanie w tych miejscach defektów podłoża i/lub luminoforu.

Znany jest z opisu patentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 5 229 234 dwuetapowy sposób osadzania matrycy ekranu kineskopu, którą także wytwarza się na mokro, co przedstawiono w opisie patentowym Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 3 558 310, a także innymi sposobami, przedstawionymi na przykład w opisie patentowym Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 5 240 798.

Znany jest z europejskiego opisu patentowego nr 447 078 sposób elektrofotograficznego wytwarzania ekranu luminescencyjnego kineskopu, podczas którego tworzy się warstwę przewodzącą na podłożu, pokrywa się warstwę przewodzącą roztworem fotoprzewodzącym zawierającym organiczny materiał polimeryczny, właściwy barwnik fotoprzewodzący, plastyfikator i rozpuszczalnik dla utworzenia warstwy fotoprzgwodzącej i następnie ustala się ładunek elektrostatyczny na warstwie fotoprzewodzącej. Wybrane obszary warstwy fotoprzewodzącej wystawia się na działanie światła widzialnego dla wywołania w nich ładunku, a warstwę fotoprzewodzącą wywołuje się przy pomocy naładowanego materiału struktury ekranu. Sposób ten polega więc na nakładaniu organicznych warstw pokrywających na powierzchnię wewnętrzną płyty czołowej, przy czym pierwsza warstwa organiczna powoduje wytworzenie organicznej warstwy przewodzącej, natomiast druga warstwa organiczna powoduje wytworzenie warstwy fotoprzewodzącej. Jako substancje organiczne przy wytwarzaniu powłok stosuje się polimery organiczne.

Sposób według wynalazku polega na tym, że żywicę w roztworze fotoprzewodzącym wybiera się z grupy złożonej z polistyrenu, poli-alfa-metylo-styreau, kopolimeru polistyrenowo-butadienowego, polimetakrylanu metylu oraz estrów kwasu polimetakrylowego i poliizobutylenu oraz poliwęglanu propylenu. Materiał będący donorem elektronów wybiera się z grupy złożonej z 1,4-dwu/2,4-metylofeaylo,/-1,4-dwuf'enylo-butatrienu /2,4-DMPBT/, 1,44

177 639 dwu/2,5-metylofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /2,5-DMPBT/, 1,4-dwu/3,4-metylofenylo/1,4-dwufenylo-butatrienu /3,4-DMPBT/, 1 ,4-dwiu^/2-metylofenylo/-'1 ,4-dwufenylo-butatrienu /2-DMPBT/, 1,4-dwufenylo-1,4-dwufenylofenylo-butatrienu /2-DPBT/, 1,4-dwu/4-fluorofenylo/1,4-dwufenylo-butatrienu /4-DFPBT/, 1 ,4-dwu/4-bromofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /4-DBPBT/, 1,4-dwu/4-chlorofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /4-DCPBT/ i 1,4-dwu/4trójfluorometylofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /4-DTFPBT/. Materiał będący akceptorem elektronów wybiera się z grupy złożonej z 9-fluorenonu /9-F/, 3-nitro-9-fluorenonu /3-NF/, 2,7-dwunitro-9-fluorenonu /2,7-DNF/, 2,4,7-trójnitro-9-fluorenonu /2,4,7-TNF/, malononitrylu 2,4,7-trójnitro-9-fluorenylidenu /2,4,7-TNFMN/, antrochinonu /AQ/, 2etyloantrochinonu /2-EAQ/, 1-chloroantrochinonu /1-CAQ/, 2-metyloantrochinonu /2MAQ/ oraz 2,1-dwuchloro-1,4-naftachinonu /2,1-DCAQ/.

Korzystnie stosunek wagowy tej żywicy do tego materiału będącego donorem elektronów wybiera się w zakresie od 2:1 do 8:1.

Najkorzystniej stosunek wagowy tej żywicy do tego materiału będącego donorem elektronów wybiera się w zakresie od 4:1 do 6:1.

Korzystnie stosuje się od 5 do 20% wagowych tej żywicy, od 1,5 do 2,5% wagowych tego materiału będącego donorem elektronów, od 0,05 do 0,35% wagowych co najmniej jednego materiału będącego akceptorem elektronów, około 0,005% wagowych środka powierzchniowo czynnego i rozpuszczalnika organicznego, przez co tworzy się odparowywalną organiczną warstwę fotoprzewodzącą o wrażliwości widmowej nie większej od 550 nm. Ustala się zasadniczo równomierny ładunek elektrostatyczny na warstwie fotoprzewodzącej. Wystawia się wybrane obszary warstwy fotoprzewodzącej na działanie promieniowania aktynowego, przez co oddziałuje się na znajdujący się na niej ładunek. Wywołuje się warstwę fotoprzewodzącą przy pomocy co najmniej jednego suchego, emitującego promieniowanie świetlne, ładowanego tryboelektrycznie materiału struktury ekranu /R, G, B/. Wiąże się materiał struktury ekranu z warstwą fotoprzewoiŁEącą przez co zmniejsza się do minimum przemieszczanie się materiału struktury ekranu. Wytwarza się powłokę materiału struktury ekranu. Pokrywa się aluminium materiał struktury ekranu w postaci powłoki. Wypala się płytę czołową w powietrzu w temperaturze nie niższej niż 425°C, przez co odparowuje się składniki ekranu, obejmujące warstwę przewodzącą, warstwę fotoprzewodzącą i rozpuszczalniki zawarte w wymienionych warstwach i materiałach. Stosunek wagowy żywicy do materiału będącego donorem elektronów wybiera się w zakresie od 2:1 do 8:1.

Korzystnie stosunek wagowy żywicy do materiału będącego donorem elektronów wybiera się w zakresie od 4:1 do 6:1.

Zaletą wynalazku jest uzyskanie materiałów, które nie posiadają wad znanych materiałów i mogą być ładowane do wartości od 400 do 600 woltów, bez występowania przebić elektrycznych. Materiały te nie posiadają albo posiadają tylko w małym stopniu zdolność rozpraszania ładunku elektrycznego w ciemności, lecz ulegają szybkiemu rozładowaniu przy oświetleniu. Materiały te nie posiadają wrażliwości widmowej powyżej 500 nm tak, że proces wytwarzania ekranu może być przeprowadzony w żółtym świetle, a nie w ciemności. Proces ten jest bezpieczny dla środowiska.

Przedmiot wynalazku jest objaśniony na podstawie rysunku, na którym fig. 1 przedstawia główny rzut poziomy, częściowo w przekroju osiowym, kineskopu kolorowego z ekranem według wynalazku, fig. 2 - przekrój zespołu ekranu kineskopu z fig. 1, fig. 3 - schemat blokowy procesu elektrofotograficznego wytwarzania ekranu luminescencyjnego według wynalazku, fig. 4 - przekrój płyty czołowej kineskopu, pokazujący warstwę fotoprzewodzącą pokrywającą warstwę przewodzącą, fig. 5 - przekrój innego zespołu ekranu kineskopu z fig. 1, fig. 6 - wykres zależności oporu właściwego różnych warstw przewodzących w funkcji wilgotności względej w procentach oraz fig. 7 - wykres absorpcji optycznej i wrażliwości widmowej warstwy fotoprzewodzącej pokrywającej warstwę przewodzącą według wynalazku.

Figura 1 przedstawia kineskop kolorowy 10 posiadający szklany balon 11, mający prostokątną płytę czołową 12 i rurową szyjkę 14, połączone za pomocą prostokątnej części stożkowej 15. Część stożkowa 15 posiada wewnętrzną powłokę przewodzącą, nie pokazaną na rysunku, stykającą się z zaciskiem anodowym 16 i sięgającą do szyjki 14. Płyta czołowa 12 posiada podłoże 18 i obwodowy kołnierz 20, połączone z częścią stożkową 15 przy pomocy fryty szklanej 21. Na we177 639 wnętrznej powierzchni podłoża 18 jest naniesiony trójbarwny ekran luminescencyjny 22. Ekran 22, pokazany na fig. 2, jest korzystnie ekranem liniowym, mającym dużą liczbę elementów ekranowych, na przykład emitujących barwę czerwoną, zieloną i niebieską pasków luminoforów R, G i B, rozmieszczonych cyklicznie w grupach trzech pasków lub triad i rozciągających się w kierunku prostopadłym do płaszczyzny, w której są wytwarzane wiązki elektronów. W tym przykładzie wykonania paski luminoforów są rozmieszczone w kierunku pionowym. Korzystnie, paski luminoforów są oddzielone od siebie materiałem matrycowym 23 pochłaniającym światło. Ekran może być także ekranem punktowym. Cienka warstwa przewodząca 24, korzystnie aluminiowa, jest nałożona na ekran 22 i stanowi element służący do doprowadzania równomiernego potencjału do ekranu oraz do odbijania promieniowania świetlnego emitowanego z elementów luminoforowych przez podłoże 18. Ekran 22 i warstwa przewodząca 24 tworzą zespół ekranu.

Wielootworowa elektroda selekcji barw czyli maska 25 kineskopu jest zamontowana usuwalnie, przy pomocy znanych środków, w ustalonym odstępie od zespołu ekranu. Wyrzutnia elektronowa 26, oznaczona na fig. 1 za pomocą linii kreskowanych, jest zamontowana osiowo wewnątrz szyjki 14 oraz wytwarza i steruje trzema wiązkami elektronów 28 wzdłuż zbieżnych torów, poprzez otwory w masce 25, do ekranu 22. Wyrzutnia elektronowa 26 może na przykład stanowić dwupotencjałową wyrzutnię elektronową.

Kineskop 10 jest wyposażony w zewnętrzny magnetyczny zespół odchylający 30 umieszczony w pobliżu połączenia części stożkowej z szyjką. Po pobudzeniu, zespół odchylający 30 poddaje trzy wiązki elektronów 28 działaniu pól magnetycznych, powodujących, że wiązki wybierają w kierunku poziomym i pionowym prostokątną osnowę obrazu telewizyjnego na ekranie 22. Początkowa płaszczyzna odchylania, przy odchyleniu zerowym, jest oznaczona na fig. 1 przy pomocy linii P-P, w przybliżeniu w środku zespołu odchylającego 30. Dla uproszczenia nie pokazano rzeczywistego zakrzywienia torów odchylonych wiązek elektronów w strefie odchylania, co nie jest pokazane.

Ekran 22 jest wytwarzany za pomocą elektrofotograficznego sposobu wytwarzania ekranu, wyjaśnionego przy pomocy schematu blokowego pokazanego na fig. 3. Początkowo płyta czołowa 12 jest przemywana roztworem sody kaustycznej, przepłukiwana w wodzie, wytrawiana buforowanym kwasem fluorowodorowym i ponownie przepłukiwana wodą. Wnętrze podłoża 18 jest wyposażane następnie w fotoreceptor zawierający warstwę przewodzącą 32 z materiału organicznego, tworzącego elektrodę dla nałożonej na niej organicznej warstwy fotoprzewodzącej 34. Warstwa przewodząca 32 i warstwa fotoprzewodząca 34 są pokazane na fig. 4.

W celu utworzenia matrycy ładuje się warstwę fotoprzewodzącą 34 do odpowiedniego potencjału w zakresie od +200 do +700 woltów, przy pomocy przyrządu do ładowania, metodą wyładowania koronowego. Maska 25 kineskopu jest wstawiana do płyty czołowej 12 i naładowana dodatnio warstwa fotoprzewodząca 34 wystawiana jest, poprzez maskę 25 kineskopu, na działanie promieniowania aktynowego, takiego jak światło z ksenonowej lampy błyskowej umieszczonej wewnątrz znanej potrójnej lampy tarczowej. Po każdej ekspozycji kineskop jest przemieszczany do innego położenia w celu podwojenia kąta padania wiązek elektronów z wyrzutni elektronowej. Potrzebne są trzy ekspozycje dla trzech różnych położeń w celu rozładowania obszarów warstwy fotoprzewodzącej 34, gdzie następnie będą osadzane luminofory emitujące promieniowanie świetlne. Po etapie ekspozycji maskę 25 kineskopu usuwa się z płyty czołowej 12 i płytę czołową 12 przemieszcza do pierwszego wywoływacza. Wywoływacz zawiera odpowiednio przygotowane, sproszkowane na sucho cząstki pochłaniające promieniowanie świetlne, czarnego, matrycowego materiału struktury ekranu. Materiał matrycowy jest ładowany przez wywoływacz ujemnym ładunkiem tryboelektrycznym. Ujemnie naładowany materiał matrycowy może być bezpośrednio osadzany w pojedynczym etapie, albo może być bezpośrednio osadzany w dwóch etapach. Dwuetapowy proces osadzania matrycy zwiększa współczynnik pochłaniania powstającej matrycy. Następnie osadza się emitujące światło materiały luminoforowe.

Matrycę można również formować z zastosowaniem znanego sposobu formowania matrycy na mokro. Jeżeli matryca formowana jest na mokro, to następnie na matrycy formowany jest fotoreceptor i osadzane są materiały luminoforowe.

177 639

Figura 5 przedstawia matrycę 123, którą można wytwarzać elektrofotograficznie po osadzeniu luminoforów. Zespół ekranu obejmuje ekran 122 oraz nałożoną na nim warstwę przewodzącą 124. Elementy luminoforowe R, B i G są tworzone przez kolejne osadzanie posiadających dodatnie ładunki tryboelektryczne cząstek luminoforowego materiału struktury ekranu na dodatnio naładowanej warstwie fotoprzewodzącej 34 fotoreceptora. Po osadzeniu trzech luminoforów, warstwę przewodzącą 34 ładuje się ponownie równomiernie dodatnim potencjałem i płytę, zawierającą osadzone uprzednio materiały luminoforowe, umieszcza się w wywoływaczu matrycy, który dostarcza ujemny ładunek tryboelektryczny dla materiału struktury matrycy ekranu. Dodatnio naładowane, otwarte powierzchnie warstwy fotoprzewodzącej 34, rozdzielające luminoforowe elementy ekranu, są bezpośrednio wywoływane przez osadzanie na otwartych powierzchniach ujemnie naładowanych materiałów matrycowych, w celu wytworzenia matrycy 123. Proces taki nazywany jest wywoływaniem bezpośrednim. Materiały strukturalne ekranów są następnie utrwalane i formowane w cienkie powłoki. Na ekran 122 wprowadza się aluminiową warstwę przewodzącą 124. Płytę czołową, wraz z powloką aluminium, wypala się następnie w temperaturze około 425° w celu odparowania składników zespołu ekranu. Opisany powyżej sposób wytwarzania ekranu może być modyfikowany przez odwrócenie zarówno biegunowości ładunku dostarczonego do warstwy fotoprzewodzącej 34, jak i biegunowości ładunku tryboelektrycznego w materiałach struktury ekranów.

Przedstawioną na fig. 4 warstwę przewodzącą 32 wytwarza się przez powlekanie wewnętrznej powierzchni płyty czołowej 12 wodnym, organicznym roztworem przewodzącym, zawierającym od 2 do 6% wagowych czwartorzędowego polielektrolitu amoniowego, około 0,001 do 0,1% wagowych, korzystnie około 0,01% wagowych środka powierzchniowo czynnego, około 0,5 do 2% wagowych lub mniej alkoholu poliwinylowego, a dopełnienie stanowi dejonizowana woda. W przypadku preparatu kopolimerowego, roztwór przewodzący zawiera 5% wagowych elektrolitu, 0,05% wagowych środka powierzchniowo czynnego, a dopełnienie stanowi woda. Czwartorzędowym polielektrolitem amoniowym jest homopolimer wybrany z grupy składającej się z poli/chlorku dwumetylo-dwuallilo-amoniowego/, poli/chlorku

3,4-dwumetyleno-N-dwumetylo-pirolidiowego/ /chlorek 3,4-DNDP/, poli/azotanu 3,4dwumetyleno-N-dwumetylo-pirolidiowego/ /azotan 3,4-DNDP/ oraz poli/fosforanu 3,4dwumetyleno-N-dwumetylo-pirolidiowego/ /fosforan 3,4-DNDP/. W roztworze przewodzącym można stosować w innym przypadku kopolimer, taki jak metosiarczan winyloimidazoliowy /VIM/ lub winylopirolidon /VP/.

Poli/chlorek dwumetylo-dwuallilo-amoniowy/ jest dostępny w handlu jako produkt handlowy o nazwie Cat-Floc-C lub Cat-Floc-T-2, wytwarzany przez Calgon Corp., Pittsburgh, PA oraz kopolimer VIM i VP jest dostępny jako produkt handlowy o nazwie MS-905, produkowany przez BASF Corp., Parsippany, N.J. Dostępne w handlu materiały Cat-Floc zawierają 0,6% wagowych polielektrolitu, 0,3% wagowych poliwinylopirolidonu oraz około 99% wagowych metanolu, jak również sole nieorganiczne, takie jak NaCl i K₂SO,„ które nie wypalają się całkowicie po wyżarzeniu płyty. Jon chlorkowy musi być usuwany albo jego stężenie musi być przynajmniej obniżone w zakupionych materiałach, zanim mogą one być zastosowane do wytwarzania przewodnika organicznego.

Dla usunięcia jonów chlorkowych, związanych z łańcuchem polimeru organicznego materiału Cat-Floc, rozpuszcza się 10% roztwór Cat-Floc w trzykrotnie destylowanej wodzie i miesza z 10% stałych kulek żywicy amonitowej w ciągu dwóch godzin. Mieszaninę następnie przesącza się przez filtr ciśnieniowy o wymiarze oczek 5 pm i Cat-Floc z wymiany jonowej wytrąca się z roztworu przy pomocy acetonu. Osad następnie przemywa się przy pomocy mieszaniny aceton/woda w stosunku 80:20 oraz rozpuszcza w wodzie dla wytworzenia wodnego roztworu zawierającego 50% wagowych Cat-Floc. Wartość pH wolnego od chlorków Cat-Floc waha się w zakresie 12-13. Wartość pH koryguje się do 4 przez miareczkowanie przy pomocy 0,1% HNO₃ lub 0,1% H₃PO,,.

Przykład I

Roztwór organicznego przewodnika sporządza się przez dokładne zmieszanie następujących składników w ciągu jednej godziny i przesączenie roztworu przez filtr o średnicy porów 1 pm. Lepkość roztworu wynosi 2,6 centypuazów /cp/.

177 639

100 g 5% wagowych/ 50% wodnego roztworu poli/chlorku dwumetylo-dwualliloamoniowego/, g /0,01 % wagowych/ środka powiezzctmiowo czynnego, tkiiego jkk

Pluronic L-72 /5% roztwór woda/metanol w stosunku 50:50/ produkowany przez BASF, Parsippany, NJ i

900 g wodaderonizowaaa.

Przykład II

Drugi organiczny roztwór przewodzący sporządza się przez mieszanie i przefiltrowanie następujących składników, sposobem przedstawionym w przykładzie I.

Lepkość roztworu wynosi 5 cp.

g /3,2% 50% wodego roztoom poU/cWoku (^wi^mney/k-d^v^'aallik-amoniowego/, g /0,96% wagowych/ 10% wodnego roztworu alkoholu poliwinylkwngk /PVA/, g /0,01% wagowych/ 5% roztworu o składzie metankl/50/ / woda/50/ środka Plηrknic L-72 oraz

778 g woda άςΐοηϊ^^βΜ.

Przykład III

Trzeci organiczny roztwór przewodzący wytwarza się przez zmieszanie i przesączenie następujących składników, sposobem przedstawionym w przykładzie I. Lepkość roztworu wynosi 3 cp.

100 g /5,3% wagowych/ 50% wodnego roztworu poli/chlorku 3,4-DNDP, g /0,01% wagowych/ 5%» roztworu o składzie metanol/óG/ / w-Oda/50/, środka

PluTOnic L-72 oraz

778 g woda dejonizowana .

Poli/chlorek 3,4-DNDP/ w powyższym roztworze można zastąpić taką samą ilością poli/azotanu 3,4-DNDP/ lub pkli/fosforanη 3,4-DNDP/.

Przykład IV

Czwarty organiczny roztwór przewodzący wytwarza się przez zmieszanie i przesączenie następujących składników, sposobem przedstawionym w przykładzie I. Lepkość roztworu wynosi 1,9 cp.

100 g /5% wagowych/ 50% wodnego roztooruCat-Floc-C, g /0,01% wagowych/ 5% wodnego roztworni o składzie metano 1/50/ /woda/50/, środka Pluronic L-72 oraz

900 g woda dejonizowana .

Przykład V

Piąty przykład organicznego roztworu przewodzącego wytwarza się przez minszanin i prznflltrowanin następujących składników, sposobem przedstawionym w przykładzie I. Lepkość roztworu wynosi 2,6 cp.

g /3,2% wagowych/ 50% wodnego roztworu Cat-Focc-C, g /0,96% wagowych/ 10% wothiego roztwOru PVA, g /00) ł% wagowych/ 5% roztwOru o składzie metano//50/ / woda/50/, środka Pluronic L-72 oraz

778 g wodydej onizowtulej.

Przykład VI

Następujący organiczny roztwór przewodzący jest stosowany jako próba kontrolna. Lepkość roztworu wynosi 2,2 cp.

g /3% wagowych/ o onoweg° poiimeru l,5-dwumetylk-l,5-dwumietyiodwuazoundekametylenk-polimntobrrmkη /dostępnego w handlu w postaci produktu o nazwie Polybrene wytwarzanego przez firmę Aldrich Chem. Co., Milwaukee, WI/,

120 g 11,5% wagowych/ 25% wodnego roztwonikwasu poit<kcyliowego IFAA/J,

1,5 g /0,004% wagowych/ 5% roztworu o składziemetano//50/ / woda/SO,, środka Pluronic L-72 oraz

1812 g wodadjj onizowana.

177 639

Przykład VII

100 g /5% wagowych/ kopolimeru MS-905 metosiitfczanuwinyloimidazoliowego

ZVIM/ i winylopirolidonu /VP/, g /0,01% wagowych/ 5% roztworu o skladziemeiauiol/50/ / wOda/50/,

Pluronic L-72 oraz

900 g woda dejonizowana.

Zależność oporu właściwego od wilgotności względnej oznacza się dla organicznych przewodników przedstawionych w powyższych przykładach I - VII. Roztwory nanosi się na szklane przezrocza. Grubości wytwarzanych powłok wynoszą. 0,5,1 oraz 2 pm, a do oznaczania natężenia prądu stałego i rezystancji powierzchniowej przewodzących powłok stosuje się czujnik rezystancji powierzchniowej według normy ASTM-D 257. Powleczone przezrocza szklane przetrzymuje się w ciągu 24 godzin w środowisku o 5, 20, 30, 50, 60 i 90% wilgotności względnej. Na podstawie przeprowadzonych prób stwierdzono, że powierzchniowy opór właściwy wszystkich próbek powłok jest niezależny od grubości powłoki, zależy natomiast od wilgotności względnej.

W tabeli 1 zestawiono wyniki pomiaru oporu właściwego w omach/kwadrat dla powłok wykonanych z sześciu przykładów warstw przewodzących, przy 50% wilgotności względnej pH.

Tabela 1

Określenie OC	Opór właściwy, om/kwadr.
Przykład I	5x 107
Przykład Π	6x 10⁸
Przykład III	1,8 x 107
Przykład IV	4x 107
Przykład V	3x 10⁸
Przykład VI	5 x 10’°
Przykład VII	2x 107

Wykresy na fig. 6 przedstawiają wyniki dla przykładów III, V i VI. Najniższy opór właściwy obserwuje się w przykładzie III, a przykład V jest typowy dla warstwy przewodzącej korzystnej w przyjętym procesie. Opór właściwy dla przykładu VI, typowy dla znanych warstw przewodzących, jest za wysoki dla zastosowania w procesie w warunkach wilgotności względnej poniżej 50%.

Dla zastosowań na warstwę przewodzącą w kineskopie kolorowym, korzystny jest materiał wolny od chlorków. W przykładzie VII, wspomniany wyżej MS-905, zawierający VIM i VP, jest wolny od chlorków i zawiera około 90% wagowych VIM oraz 10% wagowych VP. Opór właściwy MS-950 wynosi 3 · 10⁶ om/kw, przy 60% i 30% wilgotności względnej.

Warstwę fotoprzewodzącą 34 wytwarza się przez nanoszenie na warstwę przewodzącą 32 organicznego roztworu fotoprzewodzącego, zawierającego żywicę, materiał będący donorem elektronów, materiał będący akceptorem elektronów, środek powierzchniowo czynny i rozpuszczalnik organiczny. Po wyschnięciu roztwór tworzy odparowywalną, organiczną warstwę fotoprzewodzącą. Żywica stosowana w roztworze fotoprzewodzącym jest wybrana z grupy złożonej z polistyrenu, poli-alfa-metylo-styrenu, kopolimeru polistyrenowobutadienowego, polimetakrylanu metylu i estrów kwasu polimetakrylowego i poliizobutylenu oraz poliwęglanu propylenu. Materiał będący donorem elektronów jest wybrany spośród grupy złożonej z 1,4-dwu/2,4-metylofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu, /2,4-DMptB/, 1,4-dwuZ2,5metylofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /2,5-DMPBT/, 1,4-dwu/3,4-metyl2fenylo/-l T dwufenylo-butatrienu /3,4-DMPBT/, 1,4-dw'u/2-metylofenylo/-1,4-dw'ufenylo-butatrienu /2DMPBT/, 1,4-dwufenylo-1,4-dwufenylofenylo-butatrienu /2-DPBT/, 1,4-dwu/4-fluorofenylo/177 639

1,4-dwufenylo-buiatrienu /4-DFPBT/, 1,4-dwu/4-brymofeaylo/-1,4-dwufgnyly-butatrΊeau /4DBPBT/, 1,4-dwu/4-chlorofeaely/-1,4-dwufeaely-butatrieau /4-DCPBT/ oraz 1,4-dwu/4trójfluorometelofeaylo/-1,4-dwufeaylo-but4trieau /4-DTFPBT/. Materiał stanowiący akceptor elektronów wybrany jest z grupy składającej się z 9-fluorenonu /9-F/, 3-nitry-9-fluoreaoau /3-NF/, 2,7-dwuaitro-9-fluoreaoau /2,7-DNF/, 2,4,7-trójaitry-9-fluoreayau /2,4,7-TN-F/, malononitrylu 2,4,7-trójaitro-9-fluorenIylideau /2,4,7-TNFMN/, aatrychiayau /AQ/, 2etelo4atrochiaoau /2-EAQ/, 1-chloryαatrochiaoau /1-CAQ/, 2-metelo4ntrychiaoau /2-MAQ/ oraz 2,1-d'WLlchloro-1,4-aαftαchinynu /2,1-DCAQ/. Środkiem powierzchniowo czynnym może być bądź to silikon U-7602, produkt firmy Union Carbide, Danbury, CT, bądź też silikon silar1000, dostarczany przez General Electric Company, Waterford, Ny oraz rozpuszczalnikami mogą być albo toluen, albo ksylen.

Przykład VIII

300 g /10% wagowych/ żywicy stanowiącej kopolimer pylistyreaowoe,takięj jak produkt o nazwie plityae-1035ydye4r Tire and Rubber Co., Akron, OH, dodaje się do 2648 g /około 88%o wagowych/ toluenu i miesza aż do całkowitego rozpuszczenia plitone. Następnie do roztworu dodaje się 50 g /1,66% wagowych/ materiału stanowiącego donor elektronów, takiego jak 2,4,7-trdjaitro-9-fluyrenoa /TNF/ i miesza aż do zupełnego rozpuszczenia się TNF. W czasie mieszania roztworu dodaje się 0,15 g /0,005% wagowych/ środka powierzchniowo czynnego, takiego jak silikon silar-100. Po rozpuszczeniu wszystkich składników, powstały roztwór przesącza się poprzez szereg filtrów kaskadowych o wielkości otworów w zakresie od 10 pm do 0,5 pm. Lepkość przesączonego roztworu fotyprzewodzącego wynosi 6 cp. Roztwór ten jest stosowany w charakterze próby kontrolnej.

Przykład IX. Roztwór warstwy fotoprzewodzącej jest wytwarzany w tym przykładzie sposobem opisanym w przykładzie VIII i zawiera następujące składniki:

300 g /10% wagowych/ pittone-1035, g /1 ,()6%o wagowych/ /2,4-DMPBT,,

2,5 g /0,083% wagowych/ TNF7,

0,15 g /0,005% wagowych/ silikonusilar-100 i

2648 g tohien.

Po zmieszaniu i przesączeniu przez kaskadowe filtry lepkość roztworu wynosi 7 cp.

Przykład X

Roztwór przewodzący dla tego przykładu jest wytwarzany sposobem przedstawionym w przykładzie VIII i zawiera następujące składniki:

450 g 114% wagowych/ piitone-103 5, g /2,36% wagowych/ /2,44)^^617,

3,7 g /0,12% wagowych/ TŃF⁷,,

0,15 g /0,005% wagowy/ch/ słiikonu silan·-100 i

2648 g tohienu.

Lepkość roztworu z przykładu X wynosi 13 cp.

Przykład XI

Roztwór jest wytwarzany sposobem przedstawionym w przykładzie VIII i posiada lepkość 30 ± 2 cp. Lepkość koryguje się przez dodawanie rozpuszczalnika dla procesu powlekania. Składniki przewodzące w przykładzie XI są następujące:

300 g 110% wagowych/ poietiygenu /dottaccameg⁰ pzzez frmię Co.,

Chicago, IL, jako Amoco 1R3P7/, g 11,66% wagowych/ 2,,5 DMffBT/,

2,5 g wagowych/ TNF7,

0,15 g /0,005% w^owych/ iliikonu iłlam100 i

2648 g

Przykład XII

Roztwór foioprzewoazące w tym przykładzie jest wytwarzany sposobem opisanym w przykładzie VIII i posiada lepkość również 28 cp. Składniki fotoprzewodzące dla przykładu XII są następujące:

300 g 100% wggo wych/ poietiygauu,

177 639 g /165(5% wagowych/ /2,4-DP BT/,

2.5 g /0,083% wagowych/ /TNF/,

0,15 g l//,/i/^5^% wagowych/ siiikonuslarr-100 i

2648 g toluenu.

Przykład XIII

W przykładzie XIII jest wytwarzany roztwór fotoprzewodzący sposobem opisanym w przykładzie VIII i posiada lepkość 30 cp. Roztwór zawiera następujące składniki:

300 g /10% wagowych/polittyrenu, g 11,66% wagowych/ /2,44)^1317,

2.5 g /0,083% wagowych/ TNF7,

0,15 g /0,005% wagowych/ sliikonu U4602 i

2648 g o>u^^u.

Przykła d XIV

Roztwór fotoprzewodzący w przykładzie XIV jest wytwarzany sposobem opisanym w przykładzie VIII i posiada lepkość 31 cp. Roztwór zawiera następujące składniki:

300 g 110% wagowych/ pod^yrem,, g 11,66% wagowych/^^DMPBiy,

7.5 g „,25% wagowych/

0,15 g wagowych/siiikonu U4602 i

2648 g

Przykład XV

Roztwór fotoprzewodzący w przykładzie XV jest wytwarzany sposobem opisanym w przykładzie VIII i posiada lepkość 30 cp. Roztwór zawiera następujące składniki:

300 g l(%o wagowych/poiistyreuu, g /1,66% waggwych/Z/A-DMPBT/,

2.5 g wggowych/ TNFF/,

7.5 g 0^^^^%/ wagowych/ 224^/^(//,

0,15 g /0,005% v^'ai^ov^^^'cl// siiikonu U4602 i

2648 g toluenα.

Przykład XVI

Roztwór fotoprzewodzący w przykładzie XVI jest wytwarzany sposobem opisanym w przykładzie VIII i posiada lepkość 29 cp. Roztwór zawiera następujące składniki:

300 g 110% wggowych/ ροΠ^Ήπυ, g //166% wagatwch//2,44)ΪM^łBT/,

2.5 g 00,083% wggowych/ TNFF/,

7.5 g /0,25% wagowy/h/ 1--CAQ/,

0,15 g /0,005% avagowy/h/ ilikionu U4602 i

2648 g ^^ien^'..

Przykład XVII

Roztwór fotoprzewodzący w przykładzie XVII jest wytwarzany sposobem opisanym w przykładzie VIII i posiada lepkość 28 cp. Składniki roztworu są następujące:

300 g H.0% aaagowy/h/poiistyreu6, g /1,66%wago\ysłV22,4-DMPBT/,

7.5 g /0,25% wagowy/h/ 2--EAQ/,

2.5 g /0,033% wggowyhh/ 2NFF/,

0,15 g /0,005%/ wggo\yOh/ iiiikonu 1-77002 i

2648 g ksytenu.

W dziesięciu podanych przykładach roztworów fotoprzewodzących stosowano proporcję wagową 6 części żywicy na 1 część materiału będącego donorem elektronów, jednak proporcja ta może wahać się od 8 części żywicy na 1 część materiału donora elektronów do 2 części żywicy na 1 c^tę.śść materiału donora. Przy proporcj 8:1 fotoprzewotkeictwo roztworn jest obniżone ora; przy proporcji 2:1 preparat ma skłonność do niestabilności, tak, że materiał donora elektronów zaczyna wytrącać się z roztworu. Dla optymalizacji wrażliwości roztworu i własności wytworzonej z niego warstwy fotoprzewodzącej, stosunek żywicy do materiału donora elektronów powinien korzystnie

177 639 mieścić się w zaOrenie od 4:1 do 6:1. Zawartość materiałów będących akceptorami elektronów może stanowić od 0,05 do 1,5% wagowych całkowitej masy roztworu. Wszystkie uaztwaue fataórjewadnąne były uozcieńcjαoo bądź to toluenem, bądź 0nelooem, w zależności od rozpuszczalnika użetoka w preparanie, w celu uzyskania próbek o lepkośc-iach 12,,5, 17,7,24 i 28 cp. Te rantwary fotaórzawadnąno były stosowane do powlekania płyt czołowych 20V /o wymiarze przekątnej 20 cali/, óowleczaoech uprzednio odpowiednią warstwą przewadząną. Korzystną metodą óowloeaOia, dla wytwarzania zarówno warstw przewodzących 32 jak i warstw fotaprzewadzącech 34 jest powlokaoio obrotowe, przez osadzanie pewnej ilości materiału i następnie wiuawaoie płyty dla rówoamSemoka uazóuanzeoia roztworu i wetwauzooie warstwy o nanadoicza uówoamiemej grubości. W typowym przypadku warstwa przewodząca 32 posiada grubość około 1 pm, a warstwa fotoórjewadząna 34 posiada grubość zależną od lepkości roztworu fotapujowadnąnogo. Na przykład, grubość warstwy fatapuzewednąnoj wynosiła 4 pm, 6 pm, 8 pm i 11 pm, dla lepkości 12,5, 17,7, 24 i 28 cp. Optymalna grubość warstwy fataprnewodnąnej wynosi 5-6 pm, co odpowiada lepkości w zakresie 15-20 cp. Wszystkie warstwy fataprzewadnąco dawały dobre warstwy, za wyjątkiem przykładów VIII i X, w których występowały defekty w warstwie fataprnewodząnoj, które mogą być zwiąjaoe z damooami butadienowymi w ólitaoe-1035.

Warstwy prnewadnąno 32, wetwornaoo przy użyciu rantwarów wytworzonych sposobem przedstawionym w przykładach I-VII, óbddawαoa onooio przez óbwlekαoio warstwy przewodzącej warstwą ί()ΐορΓΖ6Όθ<ΐή^ 34, z wetwarnooiem fotoroceptara. Warstwę fotoprzewodzącą wetwarw^ią sposobem przedstawionym w przyeładnio XV wybrano jako warstwę adoSesieoia dla tej próby, óboίewαż materiał będący donorem elektronów, /2,4-DMPBT/, jest najbardziej światłoczuły z wypróbowanych materiałów donorowych i po 10 błyskach światła posiada niskie oaóięnio szczątkowe, to znaczy, że posiada bardzo dobre charakterystyki wyładowania. Warstwa 2,4DMPBT-palintyrenawa odgazowuje się prawie całkowicie w ciągu 20 minut, przy wekrzewakiu w temperaturze 425°C, co jest eaoienzoo dla maksymalizacji strumienia świetlooga z ekranu. Akceptor elektronów /2-EAQ/, stasawαoy w przykładzie XV, posiada dobrą rozpuszczalność w toluοοϊο i oso jest taeneczoe. Próbne slajdy weeaujystująco wszystkie warstwy prnowadnąco według przykładów I-VII, powleka się przy pomocy warstwy fataprzewadnąnej z przykładu XV i ładuje się eauaoawa przy pomocy przyrządu ładującego, przy 50% wilgotności względnej i w temperaturze 23°C. Próbne slajdy poddaje się pomiarowi na prędkość ładowania eauanawego, w woltach/s, przy czym prędkość wyładowania ciemnoga jest w woltach/s, ar'αn na oapięnio óbzostająne na fatareceptorach po naświetleniu 1, 5 i 10 błyskami z ksenanawej lampy błyskowej. Wyładowanie ciemno jdofiniawαka jest jako napięcie óbwieuznhnSowo na fatauonoótarzo po przetrzymaniu w niemnaśni w ciągu 90 sekund od przerwania ładowania eauanawoga. Weoiei doświadczeń są zestawiano w tabeli 2.

Tabala 2

Określania przewodnika	Prędkość ładowania wolt/s	Prędkość wyładowania ciamkegb wolt/s	Napięcie naświetlania /λ/ M błysków
1	5	10
Przykład I	18,5	1,5	217	128	73
Przykład II	17	1,3	230	139	77
Przykład III	20,2	1,1	200	110	54
Przykład IV	17,5	1,5	220	130	78
Przykład V	16,6	1,5	240	148	85
Przykład VI	7,5	1,0	180	160	100
Przykład VII	22	1,0	240	120	50

177 639

Następnie oznacza się właściwości warstw ekranowych dla szeregu fotoreceptorów, z zastosowaniem opisanych wyżej roztworów przewodzących, z których każdy dostarcza warstwę przewodzącą dla nakładanej warstwy fotoprzewodzącej tworzonej z zastosowaniem opisanego powyżej roztworu fotoprzewodzącego wytworzonego w przykładzie XV. W próbie tej fotoreceptory obejmujące warstwy przewodzące i fotoprzewodzące są tworzone na wewnętrznej powierzchni 20 V płyt czołowych, które ładuje się za pomocą wyładowań koronowych przy pomocy urządzenia do ładowania.

Właściwości elektryczne fotoreceptorów, jak również charakterystyki osadzania fotoreceptorów dla osadzonych elektrofotograficznie materiałów struktury ekranu, są zestawione w tabeli 3. Przyjmowanie ładunku przez fotoreceptor wyraża się napięciem Vi zmierzonym na powierzchni fotoreceptora po 30 sekundach wyładowania koronowego. Napięcie Vd ciemnej powierzchni oznacza napięcie na powierzchni po przetrzymaniu w ciemni w ciągu 90 sekund. Napięcie ekspozycji Vex oznacza napięcie powierzchni na fotoreceptorze po naświetleniu płyty zawierającej fotoreceptor przez maskę kineskopu, przez pięć błysków lampy ksenonowej umieszczonej wewnątrz lampy tarczowej.

Obraz ładunkowy ustalony po oświetleniu wywołuje się następnie przy pomocy strukturalnego czarnego materiału ekranowego. Po uformowaniu matrycy, warstwę fotoprzewodzącą ponownie ładuje się, ponownie wprowadza maskę kineskopu i poddaje fotoreceptor osadzaniu pierwszego z trzech różnych luminoforów emitujących światło kolorowe. Proces powtarza się dla każdego luminoforu emitującego światło kolorowe. Wyniki, chociaż subiektywne, zapisane są w tabeli 3 jako cechy charakterystyczne osadzonych warstw.

Tabela 3

Określenie warstwy przewodzącej	Własności elektryczne płyt /wolty/	Cechy charakterystyczne osadzonych warstw
Vi	Vd	Vex	Matryca	Luminofor	Defekty
Przykład I	418	400	190	dobra	dobra	brak
Przykład II	370	320	180	dobra	dobra	mało
Przykład III	480	420	190	dobra	doskonała	brak
Przykład V	400	360	180	znośna	dobra	brak
Przykład VI	140	125	45	brak	mama	wiele
Przykład VII	500	410	100	dobra	doskonała	brak

Figura 7 przedstawia wrażliwość widmową i absorpcję optyczną fotoreceptora utworzonego na slajdzie szklanym i obejmującego warstwę przewodzącą wytworzoną przy pomocy preparatu z przykładu V, oraz warstwę fotoprzewodzącą wytworzoną przy pomocy preparatu z przykładu XVII. Wrażliwość oznacza się przy użyciu kalibrowanego monochromatora przy różnych długościach fal. Światłoczułość fotoreceptora zdefiniowana jest jako iloraz zmiany napięcia przez dawkę naświetleniową. Powyżej 450 nm absorpcja optyczna warstwy protoprzewodzącej szybko obniża się i wrażliwość zaczyna maleć, przy czym pewną światłoczułość obserwuje się do 550 nm, ale nie przy większych długościach fal. Wynik ten potwierdza, że umieszczone u góry źródła światła żółtego o małym natężeniu, pracujące na długości fal w przybliżeniu 577-597 nm, mogą być używane w urządzeniach przy zapewnieniu bezpiecznego środowiska pracy, bez wywierania szkodliwego wpływu na płyty powleczone fotoreceptorami przedstawionym w tym opisie. Warstwa przewodząca 32 posiada lepsze własności elektryczne i fizyczne w porównaniu ze znanymi warstwami przewodzącymi.

177 639

Fig .3

177 639

Fig . 6

WILGOTNOŚĆ WZGLĘDNA % PRZY 23% t

177 639

Fig . 7

WRAŻLIWOŚĆ . AV/ńW

ΙΊΊ 639

Fig. 2

Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 70 egz. Cena 4,00 zł.

Claims

Zastrzeżenia patentowe

1. Sposób wytwarzania ekranu luminescencyjnego kineskopu kolorowego na powierzchni wewnętrznej płyty czołowej, podczas którego pokrywa się powłoką powierzchnię płyty czołowej, przez co tworzy się odparowywalną warstwę przewodzącą oraz pokrywa się warstwę przewodzącą roztworem fotoprzewodzącym, zawierającym środek powierzchniowo czynny i rozpuszczalnik organiczny, przez co tworzy się odparowywalną, organiczną warstwę fotoprzewodzącą o wrażliwości widmowej nie większej od 550 nm, w którym to sposobie stosuje się roztwór fotoprzewodzący zawierający żywicę, materiał będący donorem elektronów i materiał będący akceptorem elektronów, znamienny tym, że żywicę w roztworze fotoprzewodzącyrn wybiera się z grupy złożonej z polistyrenu, poli-alfa-metylo-styrenu, kopolimeru polistyrenowo-butadienowego, polimetakrylanu metylu oraz estrów kwasu polimetakrylowego i poliizobutylenu oraz poliwęglanu propylenu, materiał będący donorem elektronów wybiera się z grupy złożonej z 1,4-dwu/2,4-metylofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /2,4DMPBT/, 1,4-dwu/2,5-metylofenyło/-1,4-dwufenylo-butatrienu /2,5-DMPBT/, 1,4-dwu/3,4metylofenylo/-1 ,4-dwufenylo-butatrienu /3,4-DMPBT/, 1,4-dwu/2-metylofenylo/-1,4-dwufenylobutatrienu /2-DMPBT/, 1,4-dwufenylo-1,4-dwufenylofenylo-butatrienu /2-DPBT/, 1,4-dwu/4fluorofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /4-DFPBT/, 1,4-dwu/4-bromofenylo/-1,4-dwufenylobutatrienu /4-DBPBT/, 1,4-dwu/4-chlorofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /4-DCPBT/ i 1,4dwu/4-trójfluorometylofenylo/-1,4-dwufenylo-butatrienu /4-DTFPBT/ oraz materiał będący akceptorem elektronów wybiera się z grupy złożonej z 9-fluorenonu /9-F/, 3-nitro-9fluorenonu /3-NF/, 2,7-dwunitro-9-fluorenonu /2,7-DNF/, 2,4,7-trójnitro-9-fluorenonu /2,4,2TNF/, malononitrylu 2,4,7-trójnitro-9-fluorenylidenu /2,4,7-TNfMN/, antrochinonu /AQ/, 2etyloantrochinonu /2-EAQ/, 1-chloroantrochinonu /1-CAQ/, 2-metyloantrochinonu /2-MAQ/ oraz 2,1-dwuchloro-1,4-naftachinonu /2,1-DCAQ/.

2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosunek wagowy tej żywicy do tego materiału będącego donorem elektronów wybiera się w zakresie od 2:1 do 8:1.

3. Sposób według zastrz. 2, znamienny tym, że stosunek wagowy tej żywicy do tego materiału będącego donorem elektronów wybiera się w zakresie od 4:1 do 6:1.

4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się od 5 do 20% wagowych tej żywicy, od 1,5 do 2,5% wagowych tego materiału będącego donorem elektronów, od 0,05 ,do 0,35% wagowych co najmniej jednego materiału będącego akceptorem elektronów, około 0,005% wagowych środka powierzchniowo czynnego i rozpuszczalnika organicznego, przez co tworzy się odparowywalną organiczną warstwę fotoprzewodzącą o wrażliwości widmowej nie większej od 550 nm, ustala się zasadniczo równomierny ładunek elektrostatyczny na warstwie fotoprzewodzącej, wystawia się wybrane obszary warstwy fotoprzewodzącej na działanie promieniowania aktynowego, przez co oddziałuje się na znajdujący się na niej ładunek, wywołuje się warstwę fotoprzewodzącą przy pomocy co najmniej jednego suchego, emitującego promieniowanie świetlne, ładowanego tryboelektrycznie materiału struktury ekranu /R, G, B/, wiąże się materiał struktury ekranu z warstwą fotoprzewodzącią przez co zmniejsza się do minimum przemieszczanie się materiału struktury ekranu, wytwarza się powłokę materiału struktury ekranu, pokrywa się aluminium materiał struktury ekranu w postaci powłoki, wypala się płytę czołową w powietrzu w temperaturze nie niższej niż 425°C, przez co odparowuje się składniki ekranu, obejmujące warstwę przewodzącą, warstwę fotoprzewodzącą i rozpuszczalniki zawarte w wymienionych warstwach i materiałach, a stosunek wagowy żywicy do materiału będącego donorem elektronów wybiera się w zakresie od 2:1 do 8:1.

177 639

5. Sposób wedbigzastrz.4, znamienny tym, że stosunekwagoiważywicydo materiału będącego donorem elektronów wybiera eię w z40rgeig yt 4:1 ty 6:1.