PL204234B1 - Sposób wytwarzania tarczy do napylania jonowego ze stopu na bazie Si - Google Patents
Sposób wytwarzania tarczy do napylania jonowego ze stopu na bazie SiInfo
- Publication number
- PL204234B1 PL204234B1 PL363401A PL36340103A PL204234B1 PL 204234 B1 PL204234 B1 PL 204234B1 PL 363401 A PL363401 A PL 363401A PL 36340103 A PL36340103 A PL 36340103A PL 204234 B1 PL204234 B1 PL 204234B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- disk
- casting
- ion sputtering
- tubular
- based alloy
- Prior art date
Links
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title description 6
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 7
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D15/00—Casting using a mould or core of which a part significant to the process is of high thermal conductivity, e.g. chill casting; Moulds or accessories specially adapted therefor
- B22D15/02—Casting using a mould or core of which a part significant to the process is of high thermal conductivity, e.g. chill casting; Moulds or accessories specially adapted therefor of cylinders, pistons, bearing shells or like thin-walled objects
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D27/00—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
- B22D27/15—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting by using vacuum
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania tarczy do napylania jonowego ze stopu na bazie Si.
Stopy na bazie krzemu, zawierające kilka % wagowych Al, stosuje się od dawna w technice cienkich warstw jako tarcze do napylania jonowego, jak to podano w opisach patentowych US 5,094,288 A, DE 198 10 246 A1. Poza stosowanymi pierwotnie, płaskimi tarczami do wytwarzania napylanych jonowo Si3N4 lub SiO2 stosuje się często także obrotowe tarcze do napylania, ujawnione w opisie patentowym EP 0070 899. Zazwyczaj tarcze obrotowe wytwarza si ę metodą natrysku plazmowego, jak opisano w US 5,853,816 A, przy czym na rurę nośną natryskuje się albo mieszaniny Si i Al w postaci proszków poszczególnych pierwiastków, albo proszek stopowy, zgodnie z opisem patentowym DE 101 40 589. Otrzymane w ten sposób rurowe tarcze do napylania na bazie SiAl mogą mieć grubość ścianek Si(Al) jedynie około 6 do 8 mm, ponieważ przy większych grubościach pękają one wskutek wysokiego obciążenia cieplnego podczas natrysku strumienia plazmy. Z opisu patentowego DE 100 63 383 C1 znane jest ponadto odlewanie rurowych tarcz do napylania z metalu, przy czym zewnętrzna warstwa tarczy składa się z metalu o temperaturze topnienia co najwyżej 800°C, zaś materiał odlewniczy wpływa do formy od dołu.
Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania rurowej tarczy do napylania jonowego oraz tarczy do napylania jonowego, której wytwarzanie jest jak najbardziej korzystne pod względem ekonomicznym. Sposób wytwarzania elektrody do napylania jonowego ze stopu na bazie Si o zawartości Al od 5 do 50% wagowych według wynalazku, charakteryzuje się tym, że materiał tarczy wytwarza się techniką odlewania poprzez topienie i odlewanie w próżni, przy czym do odlewania stosuje się formę odlewniczą w kształcie pustego cylindra.
Korzystnie do odlewania stosuje się cienkościenną formę odlewniczą.
Korzystnie elementy rurowe otrzymane podczas odlewania łączy się z rurą nośną za pomocą lutowania lub klejenia.
Korzystnie elementy rurowe łączy się z rurą nośną za pomocą lutowania lub klejenia po obróbce mechanicznej.
Korzystnie elementy rurowe odlewa się metodą zalewania od góry.
Forma odlewnicza ma ściankę zewnętrzną i rdzeń, w związku z czym materiał tarczy odlewa się pomiędzy ścianką zewnętrzną i rdzeniem. Rdzeń i ścianka zewnętrzna mogą być korzystnie usytuowane osiowo-symetrycznie i mieć kołowy przekrój.
Korzystnie do odlewania stosuje się cienkościenną formę odlewniczą. Korzystne jest, jeżeli elementy rurowe otrzymane podczas odlewania łączy się z rurę nośną za pomocą lutowania lub klejenia oraz jeżeli elementy rurowe łączy się z rurę nośną za pomocą lutowania lub klejenia po obróbce mechanicznej. Nieoczekiwanie korzystne okazało się, jeżeli elementy rurowe odlewa się metodą zalewania od góry. Za pomocą sposobu, zwłaszcza poprzez dodanie aluminium, można wytwarzać dobrej jakości rurowe tarcze do napylania jonowego, które mogą znaleźć zastosowanie w katodzie rurowej.
Grubość ścianki kokili w kształcie pustego cylindra jest tylko nieznacznie większa niż żądana grubość ścianki tarczy. Kokilę w kształcie pustego cylindra zalewa się od góry. Nieoczekiwanie uzyskuje się, mimo wyjątkowo szerokiego przedziału temperatur topnienia od 577 do 1380°C, odlewy jednorodne w skali makroskopowej, wykazujące nieznaczną porowatość, przede wszystkim zaś po usunięciu formy odlewniczej otrzymuje się element rurowy bez pęknięć.
Górną część rurowego odlewu odcina się. Zewnętrzną i wewnętrzną średnic odlewu obrabia się na żądany wymiar tarczy.
Całą tarczę rurową montuje się następnie tak, że opisane wyżej elementy rurowe są usytuowane centrycznie wokół rury nośnej, i łączy się je z rurą nośną za pomocą lutowania lub klejenia, otrzymując kompletną tarczę do napylania jonowego.
Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat procesu odlewania, zaś fig. 2 - rurową tarczę do napylania jonowego wytworzoną sposobem według wynalazku, w przekroju.
Wytwarza się kokilę grafitową w kształcie pustego cylindra, składająca się z rdzenia grafitowego 1 o średnicy 131 mm i zewnętrznej ściance 2 o średnicy wewnętrznej 158 mm, średnicy zewnętrznej 170 mm i wysokości 600 mm. W próżni wytapia się stop 3_z 90% wagowych krzemu i 10% wagowych aluminium. Po całkowitym upłynnieniu składników stopu temperaturę stopionego metalu stabilizuje się na 1430°C. Podgrzaną wstępnie do 300°C kokilę grafitową wprowadza się przez śluzę do próżniowej
PL 204 234 B1 komory topienia i płynny stop wlewa się przez rurę syfonową 4 do komory kokili 5. Po zakrzepnięciu stopionego metalu i oziębieniu odlewu do temperatury poniżej 300°C kokilę można wyjąć z pieca. Zarówno wewnętrzny rdzeń kokili, jak też jej płaszcz zewnętrzny można usunąć z odlewu za pomocą prasy hydraulicznej. Górną część cylindrycznego odlewu odcina się na długości 100 mm. Wewnętrzną średnicę odlewu toczy się na wymiar 134 mm, zaś zewnętrzną średnicę toczy się na wymiar 154 mm. Wewnętrzną powierzchnię przetoczonego odlewu metalizuje się za pomocą osadzania elektrochemicznego z udziałem niklowej powłoki wstępnej i miedzi. Metalizowane elementy rurowe 5 na bazie Si-Al zwilża się lutem z indu i nasuwa na również metalizowaną i zwilżoną wstępnie rurę nośną 4. Całą tarczę do napylania, wykonaną z 7 segmentów rurowych na bazie SiAl i rury nośnej, nagrzewa się do temperatury lutowania wynoszącej 180°C, po czym szczelinę pomiędzy zewnętrzną średnicą rury wewnętrznej i wewnętrzną średnicą odlewów SiAl wypełnia się płynnym indem 6. Całą rurę oziębia się powoli, następnie oczyszcza z nadmiaru lutu i zeszlifowuje za pomocą szlifierki do średnic zewnętrznych na końcowy wymiar tarczy (d = 152 mm). Gotową tarczę do napylania jonowego można zamontować w dostępnej na rynku katodzie rurowej i stosować do wytwarzania tlenkowych lub azotkowych warstw krzemowych.
Claims (5)
1. Sposób wytwarzania tarczy do napylania jonowego ze stopu na bazie Si o zawartości Al od 5 do 50% wagowych, znamienny tym, że materiał tarczy wytwarza się techniką odlewania poprzez topienie i odlewanie w próżni, przy czym do odlewania stosuje się formę odlewniczą w kształcie pustego cylindra.
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że do odlewania stosuje się cienkościenną formę odlewniczą.
3. Sposób według zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, że elementy rurowe otrzymane podczas odlewania łączy się z rurą nośną za pomocą lutowania lub klejenia.
4. Sposób według zastrz. 3, znamienny tym, że elementy rurowe łączy się z rurą nośną za pomocą lutowania lub klejenia po obróbce mechanicznej.
5. Sposób według zastrz. 1 albo 2, albo 3, albo 4, znamienny tym, że elementy rurowe odlewa się metodą zalewania od góry.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10253319A DE10253319B3 (de) | 2002-11-14 | 2002-11-14 | Verfahren zum Herstellen eines Sputtertargets aus einer Si-Basislegierung, sowie die Verwendung des Sputtertargets |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL363401A1 PL363401A1 (pl) | 2004-05-17 |
| PL204234B1 true PL204234B1 (pl) | 2009-12-31 |
Family
ID=32185716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL363401A PL204234B1 (pl) | 2002-11-14 | 2003-11-12 | Sposób wytwarzania tarczy do napylania jonowego ze stopu na bazie Si |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20040094283A1 (pl) |
| EP (1) | EP1447458B1 (pl) |
| JP (1) | JP2004162179A (pl) |
| CN (1) | CN100537829C (pl) |
| AT (1) | ATE329064T1 (pl) |
| DE (2) | DE10253319B3 (pl) |
| PL (1) | PL204234B1 (pl) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004058316A1 (de) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | W.C. Heraeus Gmbh | Rohrförmiges Sputtertarget |
| DE102004060423B4 (de) * | 2004-12-14 | 2016-10-27 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Rohrtarget und dessen Verwendung |
| US7922066B2 (en) * | 2005-09-21 | 2011-04-12 | Soleras, LTd. | Method of manufacturing a rotary sputtering target using a mold |
| US7247418B2 (en) * | 2005-12-01 | 2007-07-24 | Eastman Kodak Company | Imageable members with improved chemical resistance |
| DE102006009749A1 (de) * | 2006-03-02 | 2007-09-06 | FNE Forschungsinstitut für Nichteisen-Metalle Freiberg GmbH | Targetanordnung |
| EP1933391A1 (de) * | 2006-12-11 | 2008-06-18 | Applied Materials, Inc. | Verfahren zur Herstellung einer SiN:H-Schicht auf einem Substrat |
| DE102006060512A1 (de) * | 2006-12-19 | 2008-06-26 | W.C. Heraeus Gmbh | Sputtertargetanordnung |
| RU2344019C1 (ru) * | 2007-04-16 | 2009-01-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ") | Способ получения литых трубных изделий из сплавов на основе никеля и/или кобальта |
| RU2340426C1 (ru) * | 2007-04-16 | 2008-12-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ") | Способ получения литого трубного катода из сплавов на основе алюминия для ионно-плазменного нанесения покрытий |
| EP2488677B1 (en) * | 2009-10-12 | 2013-08-28 | Gradel S.à.r.L. | Method and apparatus for production of rotatable sputtering targets |
| JP5428741B2 (ja) * | 2009-10-19 | 2014-02-26 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 |
| KR20140029456A (ko) * | 2011-04-29 | 2014-03-10 | 프랙스에어 에스.티. 테크놀로지, 인코포레이티드 | 원통형 스퍼터 타깃 조립체를 형성하는 방법 |
| CN102352483A (zh) * | 2011-11-15 | 2012-02-15 | 江苏美特林科特殊合金有限公司 | 一种真空溅射镀膜用硅铝合金中空旋转靶材的制备方法 |
| CN102430718A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-05-02 | 昆山全亚冠环保科技有限公司 | 用于制备铝及铝基合金旋转靶材的模具及制作方法 |
| CN106180652B (zh) * | 2016-09-09 | 2019-02-15 | 西京学院 | 一种钛合金薄壁壳体铸坯精加工模具及其加工方法 |
| CN110218983A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-10 | 杨晔 | 磁控溅射旋转靶材的绑定方法 |
| CN111118437A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-08 | 广州市尤特新材料有限公司 | 一种旋转硅磷合金靶材及其制备方法与应用 |
| CN115354290B (zh) * | 2022-09-01 | 2024-01-23 | 中核四0四有限公司 | 一种放射性靶件的制造方法及系统 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4356073A (en) * | 1981-02-12 | 1982-10-26 | Shatterproof Glass Corporation | Magnetron cathode sputtering apparatus |
| ES8402188A1 (es) * | 1982-04-15 | 1984-01-16 | Creusot Loire | Procedimiento de fabricacion de un lingote hueco de acero. |
| JPS61124566A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-12 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用Al−Si系合金タ−ゲツト板材の製造法 |
| JPH04184732A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Seiko Epson Corp | スパッタリングターゲットおよび、そのスパッタリングターゲットを用いた保護膜 |
| US5094288A (en) * | 1990-11-21 | 1992-03-10 | Silicon Casting, Inc. | Method of making an essentially void-free, cast silicon and aluminum product |
| JPH0539566A (ja) * | 1991-02-19 | 1993-02-19 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
| JPH0551730A (ja) * | 1991-03-19 | 1993-03-02 | Mitsubishi Materials Corp | 蒸着用素材またはスパツタリング用ターゲツト素材の製造方法 |
| BE1007067A3 (nl) * | 1992-07-15 | 1995-03-07 | Emiel Vanderstraeten Besloten | Sputterkathode en werkwijze voor het vervaardigen van deze kathode. |
| US5303762A (en) * | 1992-07-17 | 1994-04-19 | Hitchiner Manufacturing Co., Inc. | Countergravity casting apparatus and method |
| DE4243757A1 (de) * | 1992-12-23 | 1994-06-30 | Leybold Materials Gmbh | Target für eine Kathodenzerstäubungsanlage aus einer ferromagnetischen Legierung |
| JPH07228967A (ja) * | 1994-02-17 | 1995-08-29 | Mitsubishi Materials Corp | 長尺円筒状スパッタリングターゲット |
| JP3618005B2 (ja) * | 1994-08-23 | 2005-02-09 | 三井金属鉱業株式会社 | 回転カソード用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| DE19602554C1 (de) * | 1996-01-25 | 1997-09-18 | Ald Vacuum Techn Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum gleichzeitigen Gießen und gerichteten Erstarren von mehreren Gußkörpern |
| DE19810246A1 (de) * | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Leybold Materials Gmbh | Sputtertarget zum Abscheiden nitridischer oder oxidischer Siliziumschichten und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US6581669B2 (en) * | 1998-03-10 | 2003-06-24 | W.C. Heraeus Gmbh & Co., Kg | Sputtering target for depositing silicon layers in their nitride or oxide form and a process for its preparation |
| DE69940854D1 (de) * | 1998-12-28 | 2009-06-18 | Ultraclad Corp | Verfahren zur herstellung eines silizium/aluminiumsputtertargets |
| DE10043748B4 (de) * | 2000-09-05 | 2004-01-15 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Zylinderförmiges Sputtertarget, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung |
| DE10063383C1 (de) * | 2000-12-19 | 2002-03-14 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur Herstellung eines Rohrtargets und Verwendung |
| DE10140589A1 (de) * | 2001-08-18 | 2003-02-27 | Heraeus Gmbh W C | Sputtertarget aus einer Siliziumlegierung und Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets |
-
2002
- 2002-11-14 DE DE10253319A patent/DE10253319B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-09-03 US US10/654,557 patent/US20040094283A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-04 AT AT03025186T patent/ATE329064T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-11-04 EP EP03025186A patent/EP1447458B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-04 DE DE50303674T patent/DE50303674D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-05 CN CNB2003101141969A patent/CN100537829C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-11 JP JP2003381454A patent/JP2004162179A/ja active Pending
- 2003-11-12 PL PL363401A patent/PL204234B1/pl not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-12-15 US US11/012,982 patent/US20050092455A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100537829C (zh) | 2009-09-09 |
| ATE329064T1 (de) | 2006-06-15 |
| DE10253319B3 (de) | 2004-05-27 |
| JP2004162179A (ja) | 2004-06-10 |
| EP1447458A3 (de) | 2004-08-25 |
| US20050092455A1 (en) | 2005-05-05 |
| PL363401A1 (pl) | 2004-05-17 |
| CN1500907A (zh) | 2004-06-02 |
| US20040094283A1 (en) | 2004-05-20 |
| DE50303674D1 (de) | 2006-07-20 |
| EP1447458A2 (de) | 2004-08-18 |
| EP1447458B1 (de) | 2006-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL204234B1 (pl) | Sposób wytwarzania tarczy do napylania jonowego ze stopu na bazie Si | |
| KR20070086523A (ko) | 관형 타겟과 관형 지지부 사이에 위치하는 연결 층을포함하는 관형 타겟 | |
| CZ20014459A3 (cs) | Způsob výroby trubkového terče pro katodová rozpraąovací zařízení a pouľití tohoto způsobu | |
| US8342229B1 (en) | Method of making a CIG target by die casting | |
| KR20090031499A (ko) | 냉간 압축 성형된 스퍼터 타겟 | |
| CN101921988A (zh) | 一种硅基合金旋转靶材及其制备方法 | |
| WO2004043631A1 (en) | Die cast sputter targets | |
| JP3392509B2 (ja) | 非晶質合金被覆部材の製造方法 | |
| EP1111086B1 (en) | Use of a cathode for cathodic arc deposition | |
| IL41118A (en) | A process for making directionally solidified castings from alloys that contain a single element that reacts with the pattern | |
| US5524698A (en) | Method of making a one-body precision cast metal golf club head | |
| US5039477A (en) | Powdered metal spray coating material | |
| KR100847911B1 (ko) | 주조기계 부품용 금속재료 및 알루미늄 용탕 접촉부재와 그제조방법 | |
| RU2048955C1 (ru) | Способ изготовления отливок из черных и цветных металлов | |
| US20060207740A1 (en) | Processes for producing a sputtering target from a silicon-based alloy, a sputtering target | |
| JP4026767B2 (ja) | Co−Cr−Pt−B系合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| RU2340426C1 (ru) | Способ получения литого трубного катода из сплавов на основе алюминия для ионно-плазменного нанесения покрытий | |
| KR100593680B1 (ko) | 솔더용 금-주석 공정합금 스트립 제조 방법 | |
| JPH0671406A (ja) | ダイカスト用射出スリーブとアルミニウムまたはアルミニウム合金部材の鋳造方法 | |
| JPH0517305B2 (pl) | ||
| SU1600932A1 (ru) | Способ изготовлени пористого кокил на основе порошка железа | |
| RU2683169C1 (ru) | Оправка прошивного стана и способ ее изготовления | |
| JPH06254667A (ja) | 鋳物内面の被覆層形成方法 | |
| JPH0633261A (ja) | 放電被覆複合体 | |
| RU2081726C1 (ru) | Способ получения биметаллических деталей |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20101112 |