PL204742B1 - Urządzenie powlekające do formowania pierwszej i drugiej powłoki na szklanym substracie - Google Patents

Urządzenie powlekające do formowania pierwszej i drugiej powłoki na szklanym substracie

Info

Publication number
PL204742B1
PL204742B1 PL372366A PL37236603A PL204742B1 PL 204742 B1 PL204742 B1 PL 204742B1 PL 372366 A PL372366 A PL 372366A PL 37236603 A PL37236603 A PL 37236603A PL 204742 B1 PL204742 B1 PL 204742B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
substrate
coating
ion beam
sputtering
beam source
Prior art date
Application number
PL372366A
Other languages
English (en)
Other versions
PL372366A1 (pl
Inventor
Scott V. Thomsen
Hugh A. Walton
Original Assignee
Guardian Industries
Guardian Industries Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guardian Industries, Guardian Industries Corp filed Critical Guardian Industries
Publication of PL372366A1 publication Critical patent/PL372366A1/pl
Publication of PL204742B1 publication Critical patent/PL204742B1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3618—Coatings of type glass/inorganic compound/other inorganic layers, at least one layer being metallic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3634—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer one layer at least containing carbon, a carbide or oxycarbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3644—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the metal being silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3657—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having optical properties
    • C03C17/366—Low-emissivity or solar control coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/70—Properties of coatings
    • C03C2217/78—Coatings specially designed to be durable, e.g. scratch-resistant

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest urządzenie powlekające do formowania pierwszej i drugiej powłoki na szklanym substracie. Wynalazek dotyczy powlekania substratu (np. szklanego substratu) na obu jego powierzchniach/stronach głównych. W szczególności przedmiotem wynalazku jest urządzenie do powlekania na drodze rozpylania jonowego pierwszej strony substratu oraz do nanoszenia innej powłoki z zastosowaniem wiązki jonów z drugiej strony substratu. Zgodnie z innym sposobem wykonania przedmiotem wynalazku jest urządzenie do powlekania, jakie nanosi powłokę na drodze rozpylania jonowego na pierwszą powierzchnię przemieszczanego substratu oraz poddaje obróbce na drodze frezowania za pomocą wiązki jonów pierwszą i/lub drugą powierzchnię substratu dla usunięcia z niego szkła.
Artykuły szklane powlekane na drodze rozpylania jonowego są znane ze stanu techniki. Przykładowo w amerykańskich opisach patentowych nr 5,770,321, 5,298,048 i 5,403,458 ujawniono powłoki nanoszone na drodze rozpylania jonowego na powierzchnię substratów oraz sposoby ich wytwarzania, przy czym opisy te włącza się jako źródło odniesienia dla niniejszego wynalazku.
Powłoki nanoszone na drodze rozpylania jonowego na substratach szklanych są zwykle stosowane dla uzyskania określonych właściwości ochrony przed promieniowaniem słonecznym (przykładowo: niska emisyjność lub low-E, odbicie promieniowania UV i/lub tym podobne) artykułów szklanych różnego typu, między innymi jednostek okiennych ze szkła izolacyjnego, okien samochodowych (przedniej szyby, tylnej szyby, bocznych szyb, okna dachowego) i/lub tym podobnych.
Powlekanie na drodze rozpylania jonowego może stanowić proces wyładowania elektrycznego, często przeprowadzany w komorze próżniowej w obecności jednego lub więcej gazów. Przykładowe urządzenie do powlekania na drodze rozpylania jonowego obejmuje przynajmniej jedną komorę próżniową, w której umieszczono substrat w położeniu unieruchomionym lub ruchomym, źródło zasilania, anodę oraz jedną lub więcej odpowiednio przygotowanych katod (tak zwanych targetów lub tarcz) z przynajmniej jednego materiału lub powlekanych materiałem (krzem, cynk, srebro, nikiel, chrom, cyna, glin, inne materiały lub ich połączenia), jaki znajduje zastosowanie w procesie nanoszenia warstwy (warstw) na substracie. Z chwilą przyłożenia potencjału elektrycznego do katody gaz(y) (przykładowo argon, azot, tlen, inne gazy lub ich połączenia) tworzy(ą) plazmę, która bombarduje tarczę, co powoduje uwolnienie lub oderwanie się cząstek materiału powlekającego od tarczy. Materiał powlekający uwolniony z tarczy opada na położony niżej substrat, po czym przywiera do niego. W przypadku przeprowadzania procesu w obecności gazu(ów) reaktywnego na powierzchni substratu może osiadać reaktywny produkt materiału powlekającego pochodzącego z tarczy oraz gazu (przykładowo nanoszenie warstwy azotku krzemu).
Na fig. 1 przedstawiono przykładowe rozwiązanie, nie stanowiące ograniczenia dla zakresu niniejszego wynalazku, prezentujące typowe urządzenie do powlekania na drodze rozpylania jonowego.
Urządzenie obejmuje 6 różnych stref (to jest strefy 1-6), jakie oddzielają od siebie zasłony lub ścianki 52. Strefa 1 obejmuje tarcze 21-26, strefa 2 obejmuje tarcze 27-29, strefa 3 obejmuje tarcze 30-35, strefa 4 obejmuje tarcze 36-41, strefa 5 obejmuje tarcze 42-44, zaś strefa 6 obejmuje tarcze 45-50. Tarcze stosowane w procesie rozpylania jonowego mogą stanowić tarcze dowolnego typu, w tym między innymi tarcze płaskie, tarcze obrotowe cylindryczne, tarcze magnetronowe i/lub C-Mag. W przykładzie przedstawionym na fig. 1 tarcze 27-29 oraz 42-44 stanowią tarcze płaskie, zaś tarcze 21-26, 30-41 i 45-50 stanowią tarcze obrotowe cylindryczne. W każdej ze stref zastosować można przynajmniej jeden gaz (przykładowo argon, azot, tlen i inne) o niskim ciśnieniu (to jest poniżej ciśnienia atmosferycznego), przy czym między strefami są umieszczone pompy próżniowe 51, mające na celu ograniczenie wzajemnych oddziaływań (to jest ograniczenie ilości gazu wyciekającego z jednej strefy do drugiej, położonej obok). Szklany substrat jest przenoszony w procesie powlekania przez urządzenie do powlekania na drodze rozpylania jonowego (przykładowo z prędkością liniową na poziomie przynajmniej 100-300 cali, to jest 2,54-7,62 m na minutę). Zgodnie z przykładowym rozwiązaniem, nie stanowiącym ograniczenia dla niniejszego wynalazku, na substracie umieścić można wielowarstwową powłokę zabezpieczającą przed działaniem promieniowania słonecznego z zastosowaniem urządzenia do powlekania na drodze rozpylania jonowego, jakie przedstawiono szczegółowo w opisie US 6,336,999, który włącza się jako źródło odniesienia dla niniejszego opisu.
Inne typy układów/sposobów rozpylania jonowego ujawniono w amerykańskich opisach patentowych nr 5,968,328, 5,399,252, 5,262,032, 5,215,638, 6,203,677, 6,207,028 oraz 5,403,458, jak również WO 02/04357 (patrz US nr seryjny 09/794,224), jakie włącza się jako źródło odniesienia dla niniejszego opisu.
PL 204 742 B1
Inne typy układu rozpylania jonowego stanowią układy rozpylania jonowego wykorzystujące wiązkę jonową, w przypadku których uwalnianie materiału powlekającego z tarczy (tarcz) ułatwia wiązka(i) jonowa. Urządzenia do rozpylania jonowego tego rodzaju znaleźć można przykładowo w amerykańskich opisach patentowych nr 6,197,164, 6,296,741 oraz 6,214,183, jakie włącza się jako źródło odniesienia dla niniejszego opisu. Zastosowanie źródła wiązki jonów do powlekania substratu jest znane z opisu patentowego US 5,569,362.
Niekorzystną stronę przestawionych tu rozwiązań urządzenia do rozpylania jonowego jest to, że pozwalają one jedynie na powlekanie w określonym momencie tylko jednej strony substratu. Jest to niekorzystne przynajmniej z uwagi na wydłużenie okresu obróbki oraz związanych z tym kosztów wówczas, gdy konieczne jest obustronne powlekanie substratu. W związku z tym istnieje zapotrzebowanie na urządzenie umożliwiające powlekanie obu stron substratu bez konieczności przenoszenia substratu przez urządzenie więcej niż jeden raz. Sposób umożliwiający obustronne powlekanie szklanego substratu z zastosowaniem pojedynczego urządzenia jest znany z opisu WO 0037376. W tym rozwiązaniu pod substratem jest umieszczona tarcza do rozpylania.
Zadaniem niniejszego wynalazku jest przedstawienie urządzenia do powlekania umożliwiającego obustronne powlekanie substratu.
Urządzenie powlekające do formowania pierwszej i drugiej powłoki na szklanym substracie, zawierające co najmniej jedną tarczę do rozpylania jonowego usytuowaną ponad poziomem rolek podpierających, poziomo zorientowany szklany substrat, mający górną powierzchnię i dolną powierzchnię, przemieszczający się przez urządzenie powlekające, przy czym co najmniej jedna tarcza do rozpylania jonowego rozpyla materiał, który pada na rolki i na górną powierzchnię poziomo zorientowanego przemieszczającego się szklanego substratu dla formowania pierwszej powłoki, pierwszą ramę zastosowaną przynajmniej częściowo nad i na górnej powierzchni poziomo zorientowanego szklanego substratu podpieranego przez rolki, przy czym rama jest dostosowana do podtrzymywania modułu powlekania przez rozpylanie jonowe włącznie z przynajmniej pewną ilością materiału do rozpylania, według wynalazku wyróżnia się tym, że zawiera ponadto co najmniej jedno źródło wiązki jonów usytuowane poniżej poziomu rolek, a zatem poniżej poziomu poziomo zorientowanego przemieszczającego się szklanego substratu, przy czym co najmniej jedno źródło wiązki jonów osadza drugą powłokę na dolnej powierzchni poziomo zorientowanego przemieszczającego się szklanego substratu; drugą ramę zastosowaną poniżej i na dolnej powierzchni poziomo zorientowanego przemieszczającego się szklanego substratu podtrzymywanego przez rolki, przy czym druga rama jest dostosowana do podtrzymywania modułu źródła jonów włącznie z co najmniej jednym źródłem jonów oraz rolki dostosowane do podtrzymywania substratu, przemieszczającego się przez urządzenie powlekające.
Korzystnie, tarcza do rozpylania jonowego oraz źródło wiązki jonów pracują jednocześnie, przynajmniej w danym momencie, tak, że pierwsza i druga powłoka są nanoszone jednocześnie na górną i dolną powierzchnię substratu.
W korzystnym rozwiązaniu urzą dzenie zawiera ponadto jeszcze jedno ź ródł o wią zki jonów do sfrezowania co najmniej 2 A szkła z substratu, przed naniesieniem powłoki na substrat.
Drugie źródło wiązki jonów jest korzystnie usytuowane pod substratem po tej samej stronie substratu w urządzeniu, co przynajmniej jedno źródło wiązki jonów.
Tarcza do rozpylania jonowego oraz źródło wiązki jonów są korzystnie umieszczone we wspólnej komorze urządzenia.
W innym, korzystnym rozwiązaniu tarcza do rozpylania jonowego oraz źródło wiązki jonów są umieszczone w różnych komorach wewnątrz urządzenia, przy czym podczas operacji powlekania w każdej komorze może być utrzymywane inne ciśnienie.
Przedmiot wynalazku, w przykładzie wykonania, został bliżej objaśniony na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat typowego urządzenia do powlekania, fig. 2 - schematycznie przekrój poprzeczny fragmentu urządzenia do powlekania zgodnie z przykładem wykonania wynalazku, fig. 3 przekrój poprzeczny powlekanego substratu, obejmującego powłoki po obydwu stronach, jaki powleczono z zastosowaniem urządzenia do powlekania zgodnie z wybranym przykładem wykonania niniejszego wynalazku; fig. 4 - przekrój poprzeczny jednostki okiennej ze szkła izolacyjnego wykonanego z zastosowaniem przynajmniej substratu widocznego na fig. 3, fig. 5 - przekrój poprzeczny źródła wiązki jonowej, jakie znajduje zastosowanie w wybranych przykładach wykonania wynalazku, nie stanowiącego ograniczenia dla zakresu wynalazku, fig. 6 - widok perspektywiczny źródła wiązki jonowej widocznego na fig. 5, fig. 7 - widok z boku w częściowym przekroju fragmentu urządzenia do powlekania zgodnie z przykładem wykonania wynalazku, przy czym urządzenie obejmuje komorę pracującą
PL 204 742 B1 w dwóch trybach, fig. 8 - widok z boku w częściowym przekroju poprzecznym fragmentu urządzenia do powlekania widocznego na fig. 7, przy czym komorę pracującą w dwóch trybach zaprezentowano tu w konfiguracji pozwalającej na przeprowadzanie rozpylania jonowego (to jest z zainstalowanym modułem rozpylania jonowego); fig. 9 - widok z boku w częściowym przekroju poprzecznym fragmentu urządzenia do powlekania widocznego na fig. 7, przy czym komorę pracującą w dwóch trybach zaprezentowano tu w konfiguracji pozwalającej na nanoszenie powłoki z zastosowaniem wiązki jonów (to jest z zainstalowanym źródłem wiązki jonowej i po usunięciu modułu rozpylania jonowego), fig. 10 widok z boku w częściowym przekroju poprzecznym fragmentu urządzenia do powlekania widocznego na fig. 7, przy czym komorę pracującą w dwóch trybach zaprezentowano tu w konfiguracji z modułami rozpylania jonowego zainstalowanymi w obydwu położeniach, to jest nad i pod przemieszczanym substratem.
Na załączonych rysunkach analogiczne oznaczenia opisują podobne komponenty.
Fig. 2 przedstawia widok perspektywiczny urządzenia do powlekania zgodnie z przykładowym sposobem wykonania wynalazku. Urządzenie do powlekania może obejmować jedną lub więcej komór do rozpylania jonowego oraz przynajmniej jedno źródło wiązki jonowej stosowane do frezowania i/lub powlekania przenoszonego substratu. Zgodnie z przykładowym rozwiązaniem widocznym na fig. 2 szklany substrat 61 jest przenoszony przez urządzenie do powlekania w kierunku D. Substrat 61 można przenosić przez urządzenie do powlekania z zastosowaniem większej liczby rolek 63 lub w inny, odpowiedni sposób.
Urządzenie do powlekania obejmuje przynajmniej jedną tarczę 65 do rozpylania jonowego. Tę przynajmniej jedną tarczę 65 do rozpylania jonowego stanowić może przykładowo jedna lub więcej tarcz do rozpylania jonowego 21-50, widocznych na fig. 1, co nie stanowi ograniczenia dla zakresu niniejszego wynalazku. Zgodnie z przykładowym rozwiązaniem widocznym na fig. 2 (oraz na fig. 1) tarcza(e) 65 znajduje się w pewnym odstępie nad substratem 61 przemieszczanym przez urządzenie do powlekania, w wyniku czego materiał 67 przeznaczony do powlekania substratu spada na niego pod wpływem działania grawitacji, pokonując drogę między tarczą, a przemieszczającym się poniżej substratem 61, czemu towarzyszy powlekanie na drodze rozpylania jonowego górnej powierzchni T substratu 61 rozpylanym materiałem. Tarczę(e) 65 stosowaną do rozpylania jonowego stanowi dowolnego typu tarcza do rozpylania jonowego, w tym między innymi nieruchoma tarcza płaska, tarcza obrotowa cylindryczna i lub tarcza C-Mag. Przykładowo - co nie stanowi zarazem ograniczenia dla zakresu niniejszego wynalazku - zastosowanie znajduje dowolna spośród tarcz do rozpylania jonowego i/lub sposób rozpylania jonowego przedstawiony w jednym lub więcej spośród wymienionych opisów: US 5,968,328, 5,399,252, 5,262,032, 5,215,638, 6,203,677, 6,207,028, 5,403,458, 5,770,321, 5,298,048, 5,403,458, 6,197,164, 6,296,741 i/lub 6,214,183 (z których wszystkie włącza się jako źródło odniesienia dla niniejszego wynalazku). Wszystkie spośród wymienionych rozwiązań pozwalają na rozpylanie jonowe z zastosowaniem tarczy (tarcz) 65 powłoki obejmującej przynajmniej jedną warstwę na powierzchnię przemieszczającego się niżej substratu 61 Oczywiście niniejszy wynalazek nie jest do tego ograniczony, co oznacza możliwość zastosowania dowolnej technologii rozpylania jonowego, w tym technologii rozpylania jonowego z zastosowaniem wiązki jonów. W ten sposób z pomocą jednej lub więcej tarcz do rozpylania jonowego nanieść można na drodze rozpylania jonowego powłokę 69 zabezpieczającą przed działaniem promieniowania słonecznego górną powierzchnię T substratu 61.
Powłoka 69 zabezpieczająca przed działaniem promieniowania słonecznego, nanoszona z zastosowaniem tarczy (tarcz) 65, może obejmować jedną lub więcej warstw. Przykładowe powłoki 69 zabezpieczające przed działaniem promieniowania słonecznego, a obejmujące wiele warstw, ujawniono w amerykańskich opisach patentowych nr 6,336,999, 5,770,321, 5,403,458, 5,298,048, 3,649,359, 3,682,528, 4,716,086 i 4,806,220, jak również w opisie US nr seryjny 09/794,224, przy czym wszystkie opisy włącza się jako źródło odniesienia dla niniejszego opisu. Oczywiście niniejszy wynalazek nie jest ograniczony przez wymienione rozwiązania, co oznacza możliwość rozpylania jonowego dowolnego typu jedno- lub wielowarstwowej powłoki 69 na górnej powierzchni T substratu 61 z zastosowaniem tarczy (tarcz) 65. Przykładowe powłoki 69 zabezpieczające przed działaniem promieniowania słonecznego mogą obejmować przynajmniej jedną warstwę odbijającą promieniowanie podczerwone, a wykonaną z lub zawierającą srebro (Ag), złoto (Au), nikiel-chrom (Ni-Cr) lub dowolny, znajdujący tu zastosowanie, materiał. W wybranych przypadkach ta przynajmniej jedna warstwa odbijająca promieniowanie podczerwone jest warstwą metaliczną lub zasadniczo metaliczną, przy czym umieszczona jest między przynajmniej dwiema warstwami dielektrycznymi. Warstwy dielektryczne mogą być wykonane z lub zawierać azotek krzemu, tlenek cyny, tlenek azotowany krzemu i/lub inne.
PL 204 742 B1
Każda z tych warstw, w tym warstwa(y) odbijająca promieniowanie podczerwone i warstwa(y) dielektryczna powłoki 69, może być nanoszona na drodze rozpylania jonowego, korzystnie z zastosowaniem większej liczby tarcz 65 umieszczonych nad przemieszczającym się substratem 61. Przykładowo można tu zastosować tarczę(e) zawierającą krzem dla nanoszenia warstwy (warstw) dielektrycznej powłoki 69 wykonanej z azotku krzemu, a nanoszonej w odpowiedniej atmosferze (przykładowo z zastosowaniem gazu, takiego jak azot i argon). Z kolei tarcza (tarcze) Ag znajduje zastosowanie w procesie nanoszenia powłoki 69 obejmującej warstwę (warstwy) odbijającą promieniowanie podczerwone, zawierającą Ag, a która nanoszona jest w odpowiedniej atmosferze (przykładowo z zastosowaniem gazowego Ar). Podczas procesu nanoszenia powłoki 69 na drodze rozpylania jonowego stosowane jest zwykle obniżone ciśnienie (patrz przykładowo: amerykańskie opisy patentowe nr 6,336,999, 5,770,321 i/lub 5,298,048), przy czym komora (komory), w jakiej jest umieszczona tarcza (tarcze) 65 charakteryzuje się ciśnieniem o wartości poniżej ciśnienia atmosferycznego.
Zgodnie z tym, co zaprezentowano na fig. 2, urządzenie do powlekania obejmuje ponadto przynajmniej jedno źródło wiązki jonowej 71, które emituje wiązkę jonową w górę w kierunku substratu 61, powlekając w ten sposób dolną stronę B substratu 61 powłoką 73. Powłokę 73, nanoszoną na dolną stronę B substratu 61, stanowić może powłoka jednowarstwowa lub wielowarstwowa z uwzględnieniem różnych sposobów wykonania niniejszego wynalazku. Zgodnie z przykładowymi rozwiązaniami wynalazku powłoka 73 nanoszona z zastosowaniem wiązki jonowej może być wykonana z lub zawierać węgiel, węgiel diamentopodobny (DLC) i/lub dowolny inny materiał, jaki można nanosić z zastosowaniem wiązki jonów. Wówczas, gdy powłoka 73 obejmuje węgiel DLC, powłokę tę może stanowić lub może ona obejmować dowolną z powłok przedstawionych w amerykańskich opisach patentowych nr 6,338,901, 6,261,693, 6,284,377, 6,303,225, 5,846,649, 5,637,353 (z których wszystkie włącza się jako źródło odniesienia dla niniejszego opisu), względnie inną powłokę, znajdującą tu zastosowanie, jaka może być nanoszona na substrat za pomocą wiązki jonowej. Przykładowo ta wspomniana, przynajmniej jedna warstwa zawierająca DLC może obejmować więcej wiązań węgiel-węgiel sp3 niż wiązań węgiel-węgiel sp2. Co więcej, DLC stanowić może specjalny rodzaj DLC, znany jako czworościenny węgiel amorficzny (ta-C), który zawiera więcej wiązań węgiel-węgiel sp3 niż wiązań węgiel-węgiel sp2. W pewnych wypadkach przynajmniej 60%, a korzystnie przynajmniej 70% wiązań węgiel-węgiel w przypadku węgla ta-C stanowić mogą wiązania węgiel-węgiel sp3. W wybranych rozwiązaniach DLC może być uwodorniony (przykładowo: ta-C:H), charakteryzując się średnią twardością na poziomie przynajmniej 10 GPa, a korzystnie przynajmniej 20 GPa. DLC może być hydrofobowy (wysoki kąt zwilżania), hydrofilowy (niski kąt zwilżania) lub też nie posiadać żadnej z tych dwóch cech w zależności od poszczególnych rozwiązań niniejszego wynalazku.
Widać zatem, że urządzenie do powlekania według wynalazku pozwala na jednoczesne powlekanie górnej powierzchni T oraz dolnej powierzchni B ruchomego szklanego substratu 61 w czasie, gdy substrat jest przenoszony przez urządzenie do powlekania. Do nanoszenia powłoki 69 na górną powierzchnię T substratu 61 wykorzystywana jest jedna lub więcej tarcz 65, podczas gdy do nanoszenia powłoki 73 na dolną stronę B substratu 61 stosowane jest jedno lub więcej źródeł 71 wiązki jonowej. Zgodnie z przykładowymi rozwiązaniami niniejszego wynalazku źródło (a) 71 wiązki jonowej mogą się znajdować w tej samej komorze (tym samym będąc poddane działaniu w przybliżeniu tego samego niskiego ciśnienia) co jedna lub więcej tarcz 65 do rozpylania jonowego (przykładowo w strefie 6 na fig. 1). Niemniej zgodnie z innymi rozwiązaniami niniejszego wynalazku jedno lub więcej źródeł 71 wiązki jonowej może być rozmieszczone w innej komorze niż jedna lub więcej tarcz 65 do rozpylania jonowego; w przypadku rozwiązań tego rodzaju można wykorzystywać odmienne ciśnienie, aby nanosić powłokę z pomocą wiązki jonów oraz po to, aby nanosić powłokę na drodze rozpylania jonowego. Zgodnie z kolejnymi sposobami wykonania wynalazku pierwsze źródło 71 wiązki jonowej może być umieszczone w tej samej komorze co pierwsza tarcza 65 do rozpylania jonowego, zaś drugie źródło 71 wiązki jonowej oraz druga tarcza 65 do rozpylania jonowego może się znajdować w innej komorze lub strefie urządzenia do powlekania z zachowaniem tego samego lub odmiennego ciśnienia. W każdym z podanych rozwiązań urządzenie do powlekania pozwala na nanoszenie po jednej stronie szklanego substratu 61 powłoki 69 odpornej na działanie promieniowania słonecznego oraz jednoczesne nanoszenie po drugiej stronie substratu 61 powłoki 73, takiej jak powłoka odporna na ścieranie, jaka zawiera DLC lub inny materiał, znajdujący tu zastosowanie.
Zgodnie z alternatywnym rozwiązaniem urządzenie do powlekania może obejmować jedno lub więcej dodatkowych źródeł 75 wiązki jonowej umieszczonych pod substratem, a służących do czyszczenia i/lub frezowania z zastosowaniem wiązki jonowej dolnej powierzchni substratu. Przykładowo 6
PL 204 742 B1 co nie stanowi ograniczenia dla niniejszego wynalazku - pierwsze źródło 75 wiązki jonowej można wykorzystać (przed źródłem 71) dla usunięcia na drodze frezowania za pomocą wiązki jonowej przynajmniej około 2 A z dolnej powierzchni B szklanego substratu (a korzystniej w celu usunięcia na drodze frezowania lub zeskrobania przynajmniej około 5 A szkła z substratu 61); zaś drugie źródło 71 wiązki jonowej można umieścić dalej w celu nanoszenia powłoki 73 na powierzchnię poddaną frezowaniu. Stwierdzono, że proces frezowania może w pewnych warunkach zwiększyć odporność na ścieranie powłoki 73. Istnieje również możliwość umieszczenia źródła (źródeł) wiązki jonowej nad substratem w celu usunięcia na drodze frezowania za pomocą wiązki jonowej podobnej ilości szkła z powierzchni górnej T substratu 61 przed przystąpieniem do nanoszenia powłoki 69 na drodze rozpylania jonowego. Przykładowe technologie/sposoby/urządzenia do przeprowadzania frezowania, jakie znajdują tutaj zastosowanie, znaleźć można w jednym lub więcej spośród wymienionych zgłoszeń: nr seryjny 09/703,709; 10/003,436 i/lub 60/340,248, z których wszystkie włącza się jako źródło odniesienia dla niniejszego opisu.
Przykładowe powlekane artykuły wytworzone z uzyskaniem urządzenia do powlekania widocznego na fig. 2 przedstawiono na fig. 3-4. Powlekany artykuł widoczny na fig. 3 obejmuje warstwę 69 zabezpieczającą przed działaniem promieniowania słonecznego, a znajdującą się z jednej strony substratu 61, oraz warstwę ochronną 73 umieszczoną po drugiej stronie substratu. Obie powłoki, 69 i 73, naniesiono z zastosowaniem jednego urządzenia do powlekania (to jest bez konieczności usuwania substratu z pierwszego urządzenia do powlekania, a następnie jego przenoszenia do oddalonego od niego drugiego urządzenia do powlekania). Co więcej, zastosowany tutaj sposób nanoszenia z zastosowaniem wiązki jonowej jest szczególnie przydatny w przypadku nanoszenia powłoki na dolną powierzchnię B substratu 61 (to jest z pewnej odległości pod substratem, gdy wiązka jonowa skierowana jest w górę ku przemieszczającemu się substratowi).
Fig. 4 przedstawia powlekany artykuł, jaki jest widoczny na fig. 3, w przypadku jego zastosowania w jednostce okiennej ze szkła izolacyjnego. Na fig. 4 powlekany artykuł zaprezentowany wcześniej na fig. 3 połączono z innym szklanym substratem 77 z zastosowaniem jednego lub więcej elementów odległościowych/uszczelek 79 z uzyskaniem jednostki okiennej ze szkła izolacyjnego. W przypadku powlekanego artykułu widocznego na fig. 4 elementy odległościowe i/lub uszczelki 79 zapewniają pożądany odstęp lub szczelinę 80 między szklanymi substratami 61, 77. Szczelinę 80 można - choć nie jest to konieczne - wypełnić gazem (przykładowo Ar) w przypadku wybranych sposobów realizacji wynalazku; względnie można z niej usunąć - choć i to nie jest konieczne - gaz z uzyskaniem ciśnienia poniżej ciśnienia atmosferycznego zgodnie z wybranymi sposobami realizacji tego wynalazku. W przypadku jednostki okiennej wykonanej ze szkła izolacyjnego, jaką zaprezentowano na fig. 4, powłoka 69 zabezpieczająca przed działaniem promieniowania słonecznego umieszczona po stronie wewnętrznej substratu 61 blokuje/odbija przynajmniej część promieniowania podczerwonego i/lub UV, co pozwala na zachowanie wewnątrz budynku lub podobnej konstrukcji bardziej komfortowych temperatur; z kolei powłoka ochronna 73 na zewnątrz substratu 61 może sprawić, że jednostka ze szkła izolacyjnego może być bardziej odporna na ścieranie i/lub być bardziej wytrzymała.
Źródła 71, 75 wiązki jonowej, jakie można zastosować w przypadku różnych sposobów wykonania wynalazku (na potrzeby nanoszenia powłoki, czyszczenia i/lub usuwania na drodze frezowania z zastosowaniem wiązki jonowej), stanowić mogą źródła wiązki jonowej dowolnego rodzaju. Zgodnie z przykładowym rozwiązaniem - nie stanowiącym ograniczenia dla niniejszego wynalazku - zastosować można dowolne spośród źródeł wiązki jonowej, jakie ujawniono lub opisano w amerykańskich opisach patentowych: 6,359,388, 6,303,225, 6,002,208, 6,153,067, 6,338,901, 5,888,593 oraz 6,261,693, przy czym opisy te stanowią źródło odniesienia dla niniejszego opisu.
Zgodnie z przykładowym rozwiązaniem - nie stanowiącym ograniczenia dla niniejszego wynalazku - na fig. 5-6 przedstawiono przykładowe źródło liniowe lub bezpośrednie wiązki jonowej 125, jakie znajduje zastosowanie do czyszczenia lub usuwania na drodze frezowania powierzchni substratu 61 i/lub nanoszenia powłoki 73 na substrat 61 (to jest znajduje zastosowanie jedno lub oba źródła 71, 75). Źródło wiązki jonowej 125 obejmuje wlot gazu/wejście zasilania 126, eliptyczną anodę 127, uziemioną katodę 128, bieguny magnetyczne 129 i izolatory 130. W przypadku wybranych sposobów realizacji jako źródło zasilania 125 zastosować można źródło 3-5 kV DC (lub AC). Nanoszenie powłoki z zastosowaniem liniowego źródła wiązki liniowej pozwala na zasadniczo równomierne rozmieszczenie warstwy zawierającej DLC lub dowolnej innej warstwy, jeśli chodzi o grubość i stechiometrię. Gaz(y) i/lub energię jonową można dobrać w sposób umożliwiający uzyskanie w razie potrzeby powłoki nierównomiernej. Źródło wiązki jonowej 125 oparto na znanym modelu źródła jonów bez zastoPL 204 742 B1 sowania siatki. Źródło liniowe obejmuje liniową osłonę (uziemiona katoda), wewnątrz której znajduje się koncentryczna anoda (potencjał dodatni). Specyficzna geometria katoda-anoda i pole magnetyczne 133 pozwalają uzyskać konfigurację typu CD (ang. closed drift). Konfiguracja pola magnetycznego umożliwia ponadto uzyskanie warstwy anodowej, w przypadku której liniowe źródło wiązki jonów w pewnych warunkach może pracować bez emitera elektronów. Źródło jonów może również działać w pewnych warunkach w trybie reaktywnym (przykładowo z zastosowaniem tlenu i/lub azotu). Źródło dysponuje metalową obudową ze szczeliną w kształcie elipsy, co zaprezentowano na fig. 5-6. Pusta w środku obudowa dysponuje potencjałem ziemi. Anoda umieszczona jest wewnątrz katody (z zastosowaniem izolacji elektrycznej), będąc rozmieszczona tuż poniżej szczeliny. Anoda może był połączona z dodatnim biegunem zasilania 3000 V lub więcej. W przypadku wybranych rozwiązań obie elektrody mogą być schładzane wodą.
Gazy zasilające (przykładowo acetylen i inne) są podawane przez wgłębienie 141 między anodą a katodą. Przykładowo argon można zastosować wówczas, gdy źródło jonów wykorzystywane jest w procesie czyszczenia i/lub frezowania; z kolei węglowodór (przykładowo acetylen) może być stosowany wówczas, gdy źródło jonów jest wykorzystywane do nanoszenia warstwy (warstw) DLC. Liniowe źródło jonów może również obejmować układ labiryntowy, z pomocą którego prekursor gazu jest rozprowadzany równomiernie wzdłuż jego długości i który pozwala na rozprzestrzenianie gazu wewnątrz przestrzeni między anodą, a katodą. Energia elektryczna powoduje przeprowadzenie gazu w plazmę w obrębie źródła. Jony są usuwane na zewnątrz i kierowane ku substratowi, na którym ma być wytworzona warstwa (warstwy). Wiązka jonów emanująca ze szczeliny jest w przybliżeniu jednorodna w kierunku wzdłużnym i może się charakteryzować profilem Gaussa w kierunku poprzecznym. W przypadku poszczególnych rozwiązań niniejszego wynalazku wiązki jonów mogą być zogniskowane, o promieniach równoległych lub rozproszonych. Przykładowe jony 134 skierowane ku substratowi przedstawiono na fig. 5. Znajduje tu zastosowanie źródło liniowe długości 0,5 do 4 metrów, choć możliwe jest również stosowanie źródeł odmiennej długości w przypadku poszczególnych sposobów wykonania wynalazku. Na fig. 5 zaprezentowano warstwę elektronów 135, jaka uzupełnia obwód, tym samym umożliwiając prawidłowe działanie źródła wiązki jonów.
Zgodnie z tym, co zaprezentowano na fig. 7-9, w urządzeniu stosowanym w wybranych rozwiązaniach niniejszego wynalazku można wykorzystywać komorę pracującą w dwóch trybach. Komorę tego rodzaju można przykładowo umieścić na początku urządzenia do powlekania na drodze rozpylania jonowego, w pobliżu centralnego obszaru urządzenia do powlekania i/lub na końcu urządzenia do powlekania na drodze rozpylania jonowego. W przypadku wybranych rozwiązań komora pracująca w dwóch trybach obejmować może pierwszy i drugi wymienny moduł do nanoszenia powłoki, przy czym pierwszy moduł do nanoszenia powłoki może być umieszczany nad substratem, zaś drugi moduł do nanoszenia powłoki może być zlokalizowany pod substratem, bezpośrednio pod lub w pewnym przesunięciu względem pierwszego modułu.
Fig. 7 przedstawia widok z boku w częściowym przekroju poprzecznym, prezentujący przynajmniej część komory pracującej w dwóch trybach zgodnie z przykładowym rozwiązaniem według wynalazku. Komora obejmuje pierwszy i drugi element podpory, rozmieszczone po przeciwległych stronach szklanego substratu przemieszczającego się w kierunku D. Przynajmniej częściowo ponad oraz na górnej powierzchni ruchomego szklanego substratu umieszczono ramę 200, zaś kolejną ramę 202 umieszczono pod oraz na dolnej powierzchni ruchomego substratu szklanego 61. Rolki 204 stanowią podporę dla substratu przemieszczającego się przez urządzenie do powlekania. Rama 200 jest przeznaczona do podpierania modułu do powlekania na drodze rozpylania jonowego, w skład którego wchodzi przynajmniej jedna tarcza do rozpylania jonowego; z kolei rama 202 jest przeznaczona do podpierania modułu obejmującego źródło jonów, w skład którego wchodzi przynajmniej jedno źródło jonów. Rama 200 (i/lub 202) znajduje zastosowanie jako podpora dowolnego spośród dwóch modułów, to jest modułu do rozpylania jonowego oraz modułu ze źródłem jonów, zgodnie z alternatywnymi rozwiązaniami niniejszego wynalazku. Na fig. 7 ramy 200 i 202 są puste, to jest brak tutaj zainstalowanego modułu do powlekania na drodze rozpylania jonowego, czy modułu ze źródłem jonów. Ramy 200 i 202 można rozmieścić naprzeciw siebie po przeciwległych stronach substratu 61, względnie po przeciwległych stronach substratu 61, niemniej w pewnym przesunięciu.
Fig. 8 przedstawia widok z boku w częściowym przekroju poprzecznym fragmentu urządzenia do powlekania zaprezentowanego wcześniej na fig. 7, przy czym komorę pracującą w dwóch trybach zaprezentowano w konfiguracji rozpylania jonowego (to jest wraz z zainstalowanym modułem do rozpylania jonowego). Zgodnie z tą przykładową konfiguracją moduł do rozpylania jonowego zainstalo8
PL 204 742 B1 wano po górnej stronie szklanego substratu, zaś po jego dolnej stronie nie zainstalowano źródła jonów. Zgodnie z tym, co zaprezentowano na fig. 8, moduł rozpylania jonowego po górnej stronie substratu 61 podparto z zastosowaniem ramy 200, przy czym obejmuje on tarczę(e) 208 do rozpylania jonowego oraz konstrukcję 210 umożliwiającą dopływ sygnałów elektrycznych, gazów i innych do elektrod tarcz w module rozpylania jonowego. Tarcze 208 mogą stanowić tarcze obrotowe magnetronowe (przykładowo podwójne C-Mag), tarcze płaskie lub inne, znajdujące zastosowanie w procesie rozpylania jonowego. W zaprezentowanym rozwiązaniu zastosowano osłony 212, zabezpieczające przed gromadzeniem się rozpylanego materiału w niepożądanych miejscach. Co więcej, w wybranych przykładowych rozwiązaniach osłony 212 i ścianka(i) pomocnicza (nie uwzględnione na rysunku) umieszczona pod substratem w wybranych obszarach między osłonami znajdują zastosowanie w celu ograniczenia spadków (lub skoków) ciśnienia wówczas, gdy pozostawiono odstęp między kolejnymi substratami 61, przemieszczającymi się wzdłuż urządzenia. Co więcej, wówczas gdy nie zainstalowano modułu ze źródłem ciśnienia, między rolkami pod substratem można umieścić belki nośne 214, stanowiące podporę dla substratu i/lub ścianki (ścianek) pomocniczej (nie pokazanej na rysunku), o której wspomniano powyżej. W przypadku rozwiązania widocznego na fig. 8 gniazda odpowiadające otworowi (otworom) w ramie 202 są uszczelniane z zastosowaniem uszczelek lub podobnych rozwiązań.
Wówczas, gdy jest pożądana zmiana konfiguracji urządzenia między konfiguracją rozpylania jonowego, a konfiguracją ze źródłem wiązki jonów, moduł rozpylania jonowego widoczny na fig. 8 nad substratem można (choć nie trzeba) usunąć i umieścić moduł ze źródłem wiązki jonów w sposób zaprezentowany na fig. 9. Zgodnie z przykładowym rozwiązaniem widocznym na fig. 9, moduł rozpylania jonowego widoczny na fig. 8 usunięto i zastąpiono przynajmniej boczną belką (belkami) nośną 220 nad substratem. Podpory 220 w obrębie ramy 200 są przeznaczone do podtrzymywania ścianki pomocniczej (nie uwzględnionej na rysunku), znajdującej się nad substratem; z kolei ścianka pomocnicza, o czym mowa była wyżej, ma zabezpieczać przed/ograniczać znaczące różnice ciśnienia, wynikające z obecności odstępów lub szczelin między sąsiednimi substratami 61 przemieszczającymi się przez urządzenie podczas operacji powlekania. Z kolei pod ruchomym szklanym substratem zainstalowano moduł ze źródłem wiązki jonów, co zaprezentowano na fig. 9, przy czym moduł ze źródłem wiązki jonów obejmuje przynajmniej jedno źródło jonów 125 oraz konstrukcję 222 umożliwiającą dopływ gazu (gazów) i sygnałów elektrycznych do źródeł jonów. W przypadku zastosowania modułu ze źródłem jonów otwór w ramie 202 na moduł ze źródłem jonów jest uszczelniany wokół modułu z pomocą uszczelki (uszczelek) lub podobnych rozwiązań. Aby nie dopuścić do osadzania materiału ze źródła jonów na rolkach, a tym samym do zakłóceń pracy urządzenia, zastosowano osłony 224. Fig. 9-10 przedstawia komorę pracującą w dwóch trybach w konfiguracji ze źródłem wiązki jonów, przy czym wiązka jonów może być stosowana do usuwania na drodze frezowania powierzchni substratu lub do nanoszenia na nią powłoki. W przykładowych rozwiązaniach niniejszego wynalazku wybrane rolki 204 można usuwać, co pozwoli na zamocowanie i/lub usunięcie dolnego modułu i/lub ramy.
W pewnych rozwiązaniach niniejszego wynalazku w omawianym urządzeniu można zastosować inne komory do powlekania na drodze rozpylania jonowego (nie uwzględnione na fig. 7-9; patrz: fig. 1-2), przy czym komory te mogą być przesunięte w bok względem wyżej opisanej komory pracującej w dwóch trybach, tym samym będąc przesunięte względem modułu ze źródłem jonów, widocznego na fig. 8-9. W rozwiązaniach tego rodzaju przynajmniej jedna tarcza do rozpylania jonowego stosowana jest w celu nanoszenia na drodze rozpylania jonowego pierwszej powłoki na pierwszej powierzchni szklanego substratu, przy czym jednocześnie przynajmniej jedno źródło jonów (patrz: fig. 9) znajduje zastosowanie w procesie usuwania na drodze frezowania i/lub nanoszenia z zastosowaniem wiązki jonów drugiej powłoki na drugiej powierzchni szklanego substratu, po jego przeciwnej stronie. Tym samym, źródło wiązki jonów z jednej strony ruchomego substratu oraz tarcza (tarcze) do rozpylania jonowego z drugiej strony substratu nie muszą się znajdować dokładnie naprzeciw siebie (to jest dopuszcza się ich boczne przesunięcie względem siebie w wybranych rozwiązaniach).
Zgodnie z innym przykładowym rozwiązaniem według wynalazku komora pracująca w dwóch trybach widoczna na fig. 7 może być skonfigurowana w taki sposób, aby obejmować jednocześnie dwa moduły - odpowiednio nad i pod substratem. Przykładowo komora pracująca w dwóch modułach dysponować może pierwszym modułem nanoszenia powłoki, podtrzymywanym przez ramę 200 nad ruchomym szklanym substratem 61, a ponadto drugim modułem nanoszenia powłoki, podtrzymywanym przez ramę 202 pod ruchomym szklanym substratem 61, dokładnie naprzeciw pierwszego modułu. Zgodnie z takim, przykładowym, rozwiązaniem pierwszy i drugi moduł nanoszenia powłoki rozmieszczone po przeciwległych stronach substratu (a) mogą stanowić moduły nanoszenia powłoki
PL 204 742 B1 z zastosowaniem źródła jonów, (b) mogą stanowić moduły rozpylania jonowego lub (c) mogą stanowić dwa typy modułów, to jest moduł nanoszenia powłoki z zastosowaniem źródła jonów oraz moduł rozpylania jonowego. Zgodnie z przykładowym rozwiązaniem, jakie nie stanowi zarazem ograniczenia dla niniejszego wynalazku, fig. 10 przedstawia rozwiązanie niniejszego wynalazku, zgodnie z którym rama 200 i rama 202 podtrzymują odrębne moduły do rozpylania jonowego, co pozwala na jednoczesne nanoszenie powłok na drodze rozpylania jonowego z obydwu stron ruchomego substratu 61. W przypadku innych rozwiązań dwa moduły do rozpylania jonowego przedstawione na fig. 10 można zastąpić modułami obejmującymi źródło jonów, co pozwala na jednoczesne kierowanie jonów przez pierwsze i drugie źródło jonów (w celu frezowania powierzchni lub nanoszenia powłoki) ku substratowi - po obydwu stronach. Należy zauważyć, że wówczas, gdy obie ramy 200 i 202 podtrzymują jeden z modułów (moduł ze źródłem jonów lub moduł rozpylania jonowego), nie jest konieczne jednoczesne zastosowanie obydwu modułów zgodnie z wybranymi rozwiązaniami według wynalazku, choć oba moduły są obecne.
Niniejszy wynalazek opisano z uwzględnieniem szczególnie korzystnych oraz praktycznych rozwiązań, niemniej zaprezentowane rozwiązania nie stanowią ograniczenia dla zakresu niniejszego wynalazku. Wynalazek uwzględnia modyfikacje oraz rozwiązania zastępcze, nie wykraczające poza zakres wynalazku, przedstawiony w załączonych zastrzeżeniach patentowych.

Claims (6)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. Urządzenie powlekające do formowania pierwszej i drugiej powłoki na szklanym substracie, zawierające: co najmniej jedną tarczę (65) do rozpylania jonowego usytuowaną ponad poziomem rolek (204) podpierających poziomo zorientowany szklany substrat (61), mający górną powierzchnię (T) i dolną powierzchnię (B), przemieszczający się przez urządzenie powlekające, przy czym co najmniej jedna tarcza (65) do rozpylania jonowego rozpyla materiał (67), który pada na rolki (204) i na górną powierzchnię (T) poziomo zorientowanego przemieszczającego się szklanego substratu (61) dla formowania pierwszej powłoki; pierwszą ramę (200) zastosowaną przynajmniej częściowo nad i na górnej powierzchni (T) poziomo zorientowanego szklanego substratu (61) podpieranego przez rolki (204), przy czym rama (200) jest dostosowana do podtrzymywania modułu powlekania przez rozpylanie jonowe włącznie z przynajmniej pewną ilością materiału do rozpylania; znamienne tym, że zawiera ponadto co najmniej jedno źródło (71) wiązki jonów usytuowane poniżej poziomu rolek (204), a zatem poniżej poziomu poziomo zorientowanego przemieszczającego się szklanego substratu (61), przy czym co najmniej jedno źródło (71) wiązki jonów osadza drugą powłokę (73) na dolnej powierzchni (B) poziomo zorientowanego przemieszczającego się szklanego substratu (61); drugą ramę (202) zastosowaną poniżej i na dolnej powierzchni (B) poziomo zorientowanego przemieszczającego się szklanego substratu (61) podtrzymywanego przez rolki (204), przy czym druga rama (202) jest dostosowana do podtrzymywania modułu źródła jonów włącznie z co najmniej jednym źródłem jonów, oraz rolki (204) dostosowane do podtrzymywania substratu, przemieszczającego się przez urządzenie powlekające.
  2. 2. Urządzenie według zastrz. 1, znamienne tym, że tarcza do rozpylania jonowego oraz źródło wiązki jonów pracują jednocześnie, przynajmniej w danym momencie, tak, że pierwsza i druga powłoka są nanoszone jednocześnie na górną i dolną powierzchnię substratu.
  3. 3. Urządzenie według zastrz. 1, znamienne tym, że zawiera ponadto jeszcze jedno źródło wiązki jonów do sfrezowania co najmniej 2 A szkła z substratu, przed naniesieniem powłoki na substrat.
  4. 4. Urządzenie według zastrz. 3, znamienne tym, że drugie źródło wiązki jonów jest usytuowane pod substratem po tej samej stronie substratu w urządzeniu co, co najmniej jedno źródło wiązki jonów.
  5. 5. Urządzenie według zastrz. 1, znamienne tym, że tarcza do rozpylania jonowego oraz źródło wiązki jonów są umieszczone we wspólnej komorze urządzenia.
  6. 6. Urządzenie według zastrz. 1, znamienne tym, że tarcza do rozpylania jonowego oraz źródło wiązki jonów są umieszczone w różnych komorach wewnątrz urządzenia, przy czym podczas operacji powlekania w każdej komorze może być utrzymywane inne ciśnienie
PL372366A 2002-05-06 2003-05-06 Urządzenie powlekające do formowania pierwszej i drugiej powłoki na szklanym substracie PL204742B1 (pl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US37762002P 2002-05-06 2002-05-06
US43119202P 2002-12-06 2002-12-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL372366A1 PL372366A1 (pl) 2005-07-25
PL204742B1 true PL204742B1 (pl) 2010-02-26

Family

ID=29423615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL372366A PL204742B1 (pl) 2002-05-06 2003-05-06 Urządzenie powlekające do formowania pierwszej i drugiej powłoki na szklanym substracie

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7198699B2 (pl)
EP (1) EP1507883A2 (pl)
AU (1) AU2003234484A1 (pl)
CA (1) CA2483260C (pl)
PL (1) PL204742B1 (pl)
WO (1) WO2003095695A2 (pl)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6964731B1 (en) * 1998-12-21 2005-11-15 Cardinal Cg Company Soil-resistant coating for glass surfaces
US6770321B2 (en) * 2002-01-25 2004-08-03 Afg Industries, Inc. Method of making transparent articles utilizing protective layers for optical coatings
DE60334407D1 (de) * 2002-12-31 2010-11-11 Cardinal Cg Co Beschichtungsgerät mit einem reinigungsgerät für substrat und beschichtungsverfahren, das ein solches beschichtungsgerät benutzt
EP1713736B1 (en) * 2003-12-22 2016-04-27 Cardinal CG Company Graded photocatalytic coatings and methods of making such coatings
FR2865420B1 (fr) * 2004-01-28 2007-09-14 Saint Gobain Procede de nettoyage d'un substrat
ATE377579T1 (de) * 2004-07-12 2007-11-15 Cardinal Cg Co Wartungsarme beschichtungen
DE602005024993D1 (de) * 2004-10-04 2011-01-05 Cardinal Cg Co Dünnfilmbeschichtung und technologie zum zeitweiligen schutz, isolierverglasungseinheiten und dazugehörige verfahren
CA2586842C (en) * 2004-11-15 2013-01-08 Cardinal Cg Company Methods and equipment for depositing coatings having sequenced structures
US8092660B2 (en) * 2004-12-03 2012-01-10 Cardinal Cg Company Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films
US7923114B2 (en) * 2004-12-03 2011-04-12 Cardinal Cg Company Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films
EP1698715A1 (de) * 2005-03-03 2006-09-06 Applied Films GmbH & Co. KG Anlage zum Beschichten eines Substrats und Einschubelement
US20060246218A1 (en) * 2005-04-29 2006-11-02 Guardian Industries Corp. Hydrophilic DLC on substrate with barrier discharge pyrolysis treatment
US7628896B2 (en) * 2005-07-05 2009-12-08 Guardian Industries Corp. Coated article with transparent conductive oxide film doped to adjust Fermi level, and method of making same
JP5184345B2 (ja) * 2006-03-20 2013-04-17 古河電気工業株式会社 連続薄膜の形成方法及び薄膜付き線状ガラス基板
JP5129975B2 (ja) * 2006-04-11 2013-01-30 日本板硝子株式会社 向上した低保守特性を有する光触媒コーティング
US20070256934A1 (en) * 2006-05-08 2007-11-08 Perata Michael R Apparatus and Method for Coating Substrates With Approximate Process Isolation
US20080011599A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Brabender Dennis M Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control
US20080073557A1 (en) * 2006-07-26 2008-03-27 John German Methods and apparatuses for directing an ion beam source
US8304744B2 (en) * 2006-10-19 2012-11-06 General Plasma, Inc. Closed drift ion source
US20120015195A1 (en) 2007-01-29 2012-01-19 Guardian Industries Corp. and C.R.V.C. Method of making heat treated and ion-beam etched/milled coated article using diamond-like carbon (dlc) coating and protective film
US20120040160A1 (en) 2007-01-29 2012-02-16 Guardian Industries Corp. Method of making heat treated and ion-beam etched/milled coated article using diamond-like carbon (dlc) protective film
US20120015196A1 (en) 2007-01-29 2012-01-19 Guardian Industries Corp. Method of making heat treated coated article using diamond-like carbon (dlc) coating and protective film on acid-etched surface
DE102008026001B4 (de) * 2007-09-04 2012-02-16 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und Bearbeitung von Schichten auf Substraten unter definierter Prozessatmosphäre und Heizelement
EP2069252B1 (en) 2007-09-14 2016-11-23 Cardinal CG Company Low-maintenance coating technology
US8763682B2 (en) * 2008-06-20 2014-07-01 Orbital Technologies Corporation Condensing heat exchanger with hydrophilic antimicrobial coating
US20100044222A1 (en) * 2008-08-21 2010-02-25 Guardian Industries Corp., Sputtering target including magnetic field uniformity enhancing sputtering target backing tube
TWI472398B (zh) * 2008-09-30 2015-02-11 Applied Materials Inc 自校準之設施自動耦接器
US10586689B2 (en) 2009-07-31 2020-03-10 Guardian Europe S.A.R.L. Sputtering apparatus including cathode with rotatable targets, and related methods
US8502066B2 (en) 2009-11-05 2013-08-06 Guardian Industries Corp. High haze transparent contact including insertion layer for solar cells, and/or method of making the same
US20110186120A1 (en) * 2009-11-05 2011-08-04 Guardian Industries Corp. Textured coating with various feature sizes made by using multiple-agent etchant for thin-film solar cells and/or methods of making the same
US20110168252A1 (en) 2009-11-05 2011-07-14 Guardian Industries Corp. Textured coating with etching-blocking layer for thin-film solar cells and/or methods of making the same
US20110100446A1 (en) 2009-11-05 2011-05-05 Guardian Industries Corp. High haze transparent contact including ion-beam treated layer for solar cells, and/or method of making the same
US20110195187A1 (en) * 2010-02-10 2011-08-11 Apple Inc. Direct liquid vaporization for oleophobic coatings
US8541792B2 (en) 2010-10-15 2013-09-24 Guardian Industries Corp. Method of treating the surface of a soda lime silica glass substrate, surface-treated glass substrate, and device incorporating the same
KR101512132B1 (ko) * 2010-10-27 2015-04-15 한국전자통신연구원 박막 증착 장치
US20120167971A1 (en) 2010-12-30 2012-07-05 Alexey Krasnov Textured coating for thin-film solar cells and/or methods of making the same
US20120327568A1 (en) * 2011-06-24 2012-12-27 Anna-Katrina Shedletsky Thin Film Coatings for Glass Members
US8715779B2 (en) 2011-06-24 2014-05-06 Apple Inc. Enhanced glass impact durability through application of thin films
CN103227090B (zh) * 2013-02-04 2016-04-06 深圳市劲拓自动化设备股份有限公司 一种线性等离子体源
DE102014106377A1 (de) * 2014-05-07 2015-11-12 Von Ardenne Gmbh Magnetron-Anordnung
US10731246B2 (en) 2014-07-28 2020-08-04 Gatan, Inc. Ion beam sample preparation and coating apparatus and methods
US11004656B2 (en) * 2014-10-15 2021-05-11 Gatan, Inc. Methods and apparatus for determining, using, and indicating ion beam working properties
EP3541762B1 (en) 2016-11-17 2022-03-02 Cardinal CG Company Static-dissipative coating technology
WO2020131431A1 (en) * 2018-12-17 2020-06-25 Applied Materials, Inc. A method of forming devices on a substrate
CN113073324B (zh) * 2021-03-26 2023-02-28 苏州航宇九天动力技术有限公司 一种真空电机表面处理装置及其处理工艺
US12145878B2 (en) * 2022-06-21 2024-11-19 Changzhou Sanyou Dissan Protective Materials MFG Co., Ltd. Energy-saving window film used for insulating glass and preparation method and application thereof

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3288700A (en) 1963-10-23 1966-11-29 Northern Electric Co Sputtering apparatus including a folded flexible conveyor
US3627663A (en) 1968-03-25 1971-12-14 Ibm Method and apparatus for coating a substrate by utilizing the hollow cathode effect with rf sputtering
CH542772A (de) 1971-09-21 1973-10-15 Balzers Patent Beteilig Ag Einrichtung zum Transportieren von zu beschichtenden Substraten durch eine Vakuumanlage
US4006073A (en) 1975-04-03 1977-02-01 The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration Thin film deposition by electric and magnetic crossed-field diode sputtering
US4111150A (en) 1977-03-28 1978-09-05 Ppg Industries, Inc. Apparatus for coating an advancing substrate
US4584206A (en) 1984-07-30 1986-04-22 Ppg Industries, Inc. Chemical vapor deposition of a reflective film on the bottom surface of a float glass ribbon
US4851095A (en) * 1988-02-08 1989-07-25 Optical Coating Laboratory, Inc. Magnetron sputtering apparatus and process
US5170714A (en) 1988-06-13 1992-12-15 Asahi Glass Company, Ltd. Vacuum processing apparatus and transportation system thereof
JPH03122274A (ja) 1989-10-05 1991-05-24 Asahi Glass Co Ltd 薄膜製造方法および装置
JPH083146B2 (ja) 1989-10-16 1996-01-17 富士通株式会社 薄膜形成方法
US5106474A (en) 1990-11-21 1992-04-21 Viratec Thin Films, Inc. Anode structures for magnetron sputtering apparatus
DE4110490C2 (de) 1991-03-30 2002-02-28 Unaxis Deutschland Holding Kathodenzerstäubungsanlage
US5262032A (en) 1991-05-28 1993-11-16 Leybold Aktiengesellschaft Sputtering apparatus with rotating target and target cooling
DE4126236C2 (de) 1991-08-08 2000-01-05 Leybold Ag Rotierende Magnetron-Kathode und Verwendung einer rotierenden Magnetron-Kathode
US5229194A (en) 1991-12-09 1993-07-20 Guardian Industries Corp. Heat treatable sputter-coated glass systems
DE4140862A1 (de) 1991-12-11 1993-06-17 Leybold Ag Kathodenzerstaeubungsanlage
US5344718A (en) 1992-04-30 1994-09-06 Guardian Industries Corp. High performance, durable, low-E glass
DE4237517A1 (de) 1992-11-06 1994-05-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
FR2699164B1 (fr) * 1992-12-11 1995-02-24 Saint Gobain Vitrage Int Procédé de traitement de couches minces à base d'oxyde ou de nitrure métallique.
US5403458A (en) 1993-08-05 1995-04-04 Guardian Industries Corp. Sputter-coating target and method of use
US5376455A (en) 1993-10-05 1994-12-27 Guardian Industries Corp. Heat-treatment convertible coated glass and method of converting same
US5888593A (en) * 1994-03-03 1999-03-30 Monsanto Company Ion beam process for deposition of highly wear-resistant optical coatings
JP3732250B2 (ja) * 1995-03-30 2006-01-05 キヤノンアネルバ株式会社 インライン式成膜装置
US5770321A (en) 1995-11-02 1998-06-23 Guardian Industries Corp. Neutral, high visible, durable low-e glass coating system and insulating glass units made therefrom
MX9605168A (es) 1995-11-02 1997-08-30 Guardian Industries Sistema de recubrimiento con vidrio de baja emisividad, durable, de alto funcionamiento, neutro, unidades de vidrio aislante elaboradas a partir del mismo, y metodos para la fabricacion de los mismos.
US5753092A (en) * 1996-08-26 1998-05-19 Velocidata, Inc. Cylindrical carriage sputtering system
DE19651378A1 (de) 1996-12-11 1998-06-18 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zum Aufstäuben von dünnen Schichten auf flache Substrate
JP3944946B2 (ja) 1997-04-25 2007-07-18 株式会社島津製作所 薄膜形成装置
JP4005172B2 (ja) 1997-05-16 2007-11-07 Ｈｏｙａ株式会社 両面同時成膜方法および装置
WO1998052083A1 (en) 1997-05-16 1998-11-19 Hoya Kabushiki Kaisha Mechanism for placing optical lens blank in holder
CN1130575C (zh) 1997-05-16 2003-12-10 保谷株式会社 具有抗反射膜的塑料光学器件以及用来使抗反射膜的厚度均一的机构
US6086962A (en) * 1997-07-25 2000-07-11 Diamonex, Incorporated Method for deposition of diamond-like carbon and silicon-doped diamond-like carbon coatings from a hall-current ion source
DE19742923A1 (de) 1997-09-29 1999-04-01 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zum Beschichten eines im wesentlichen flachen, scheibenförmigen Substrats
US6197164B1 (en) 1997-10-10 2001-03-06 International Business Machines Corporation Method and apparatus to improve the uniformity of ion beam deposited films in an ion beam sputtering system
KR19990047679A (ko) * 1997-12-05 1999-07-05 박호군 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치
US6264751B1 (en) 1998-05-18 2001-07-24 Hoya Corporation Mechanism for performing water repellency processing on both sides simultaneously
US6099702A (en) * 1998-06-10 2000-08-08 Novellus Systems, Inc. Electroplating chamber with rotatable wafer holder and pre-wetting and rinsing capability
US6002208A (en) 1998-07-02 1999-12-14 Advanced Ion Technology, Inc. Universal cold-cathode type ion source with closed-loop electron drifting and adjustable ion-emitting slit
DE19836125C2 (de) 1998-08-10 2001-12-06 Leybold Systems Gmbh Zerstäubungsvorrichtung mit einer Kathode mit Permanentmagnetanordnung
US6488824B1 (en) 1998-11-06 2002-12-03 Raycom Technologies, Inc. Sputtering apparatus and process for high rate coatings
JP2002529600A (ja) * 1998-11-06 2002-09-10 シヴァク 高レート・コーティング用のスパッタリング装置および方法
ES2185392T3 (es) 1998-12-21 2003-04-16 Cardinal Cg Co Revestimiento resistente a la suciedad, de baja emisividad para superficies de vidrio.
GB2363131C (en) * 1998-12-21 2007-10-09 Cardinal Ig Co Soil-resistant coating for glass surfaces
US6153067A (en) 1998-12-30 2000-11-28 Advanced Ion Technology, Inc. Method for combined treatment of an object with an ion beam and a magnetron plasma with a combined magnetron-plasma and ion-beam source
US6214183B1 (en) 1999-01-30 2001-04-10 Advanced Ion Technology, Inc. Combined ion-source and target-sputtering magnetron and a method for sputtering conductive and nonconductive materials
US6238526B1 (en) 1999-02-14 2001-05-29 Advanced Ion Technology, Inc. Ion-beam source with channeling sputterable targets and a method for channeled sputtering
US6338901B1 (en) 1999-05-03 2002-01-15 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6303225B1 (en) 2000-05-24 2001-10-16 Guardian Industries Corporation Hydrophilic coating including DLC on substrate
US6261693B1 (en) 1999-05-03 2001-07-17 Guardian Industries Corporation Highly tetrahedral amorphous carbon coating on glass
US6368664B1 (en) * 1999-05-03 2002-04-09 Guardian Industries Corp. Method of ion beam milling substrate prior to depositing diamond like carbon layer thereon
US6284377B1 (en) 1999-05-03 2001-09-04 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6296741B1 (en) 1999-06-25 2001-10-02 International Business Machines Corporation Method of making oxide barrier layer for a spin tunnel junction
JP2001043530A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Anelva Corp 情報記録ディスク用保護膜作成方法及び情報記録ディスク用薄膜作成装置
US6576349B2 (en) 2000-07-10 2003-06-10 Guardian Industries Corp. Heat treatable low-E coated articles and methods of making same
US6359388B1 (en) 2000-08-28 2002-03-19 Guardian Industries Corp. Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow
US6336999B1 (en) 2000-10-11 2002-01-08 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et Al Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Apparatus for sputter-coating glass and corresponding method
DE60334407D1 (de) 2002-12-31 2010-11-11 Cardinal Cg Co Beschichtungsgerät mit einem reinigungsgerät für substrat und beschichtungsverfahren, das ein solches beschichtungsgerät benutzt

Also Published As

Publication number Publication date
PL372366A1 (pl) 2005-07-25
AU2003234484A8 (en) 2003-11-11
WO2003095695A3 (en) 2004-06-03
US20040020761A1 (en) 2004-02-05
CA2483260A1 (en) 2003-11-20
US7198699B2 (en) 2007-04-03
AU2003234484A1 (en) 2003-11-11
WO2003095695A2 (en) 2003-11-20
EP1507883A2 (en) 2005-02-23
CA2483260C (en) 2008-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL204742B1 (pl) Urządzenie powlekające do formowania pierwszej i drugiej powłoki na szklanym substracie
US7264741B2 (en) Coater having substrate cleaning device and coating deposition methods employing such coater
JP6508746B2 (ja) マクロ粒子低減コーティングを利用したプラズマ源ならびにマクロ粒子低減コーティングを用いたプラズマ源を薄膜コーティングおよび表面改質に使用する方法
US5490912A (en) Apparatus for laser assisted thin film deposition
US5213672A (en) Sputtering apparatus with a rotating target
US4112137A (en) Process for coating insulating substrates by reactive ion plating
CA1140078A (en) Method and apparatus for pretreating and depositing thin films on substrates
EP3337913B1 (en) Method and apparatus for the cleaning and coating of metal strip
US6419800B2 (en) Film-forming apparatus and film-forming method
JP2006511715A (ja) アノードガス供給装置を備えたマグネトロンスパッタリング装置
KR20140138908A (ko) 스퍼터 증착을 위한 소형의 회전식 스퍼터 기구들
CN105431566A (zh) 等离子体发射监测仪及工艺气体输送系统
JPH03207854A (ja) 被覆の製造法およびこの方法で被覆した工作物
US20060289304A1 (en) Sputtering target with slow-sputter layer under target material
WO2008033724A2 (en) Enhanced virtual anode
WO1996012389A9 (en) Apparatus for depositing a layer of material on a substrate
Mattox Ion plating
US20180037984A1 (en) Endblock for rotatable target with electrical connection between collector and rotor at pressure less than atmospheric pressure
Fleischer et al. Reactive ion plating (RIP) with auxiliary discharge and the influence of the deposition conditions on the formation and properties of TiN films
JP2004190082A (ja) Ｐｖｄ・ｃｖｄ両用成膜装置及び当該装置を用いた成膜方法
Carreri et al. Highly insulating alumina films by a bipolar reactive MF sputtering process with special arc handling
US20080127887A1 (en) Vertically mounted rotary cathodes in sputtering system on elevated rails
Milde et al. Large-area production of solar absorbent multilayers by MF-pulsed plasma technology
CN211897101U (zh) 一种金属箔带卷绕式真空镀膜设备
Neumann et al. Hollow-cathode activated EB evaporation for oxide coating of plastic films