PL212461B1 - Sposób wytwarzania cienkich warstw TiO₂:Eu - Google Patents
Sposób wytwarzania cienkich warstw TiO₂:EuInfo
- Publication number
- PL212461B1 PL212461B1 PL379365A PL37936506A PL212461B1 PL 212461 B1 PL212461 B1 PL 212461B1 PL 379365 A PL379365 A PL 379365A PL 37936506 A PL37936506 A PL 37936506A PL 212461 B1 PL212461 B1 PL 212461B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- target
- heated
- temperature
- substrates
- heaters
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 europium silicates Chemical class 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007734 materials engineering Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania cienkich warstw TiO2:Eu, stosowanych w mikroelektronice i inżynierii materiałowej jako nanokrystaliczne cienkie warstwy o wysokiej zdolności luminescencyjnej. Warstwy te wytwarza się z zastosowaniem technik nanoszenia, w szczególności rozpylania magnetronowego, kompatybilnych z konwencjonalną technologią struktur krzemowych, przydatnych do wytwarzania zintegrowanych struktur mikroelektronicznych.
Znane są z publikacji Qi J., Matsumoto T., Tanaka M., Masumoto Y.: Europium silicate thin films on Si substrates fabricated by a radio frequency sputtering method. J. Phys. D: Appl. Phys. 2000 vol. 33, s. 2074-2078 oraz Chang C., Mao D.: Long lasting phosphorescence of Sr4Al14O25Eu2+, Dy3+ thin films by magnetron sputtering. Thin Solid Films 2004 vol. 460, s. 48-52, cienkie warstwy tlenków domieszkowanych lantanowcami wytwarzanych metodą rozpylania magnetronowego. Cienkie warstwy krzemianu europu były nanoszone na podłoża Si(100) metodą rozpylania magnetronowego przy częstotliwości radiowej. Składniki tych warstw zawierają mieszankę krzemianów europu, krzemu i tlenków europu. Urządzenia elektroluminescencyjne oparte na tych warstwach, charakteryzują się szerokopasmową elektroluminescencją ze sprawnością kwantową 0,1% w temperaturze pokojowej i niskim progiem zasilającego napięcia elektrycznego.
Cienkie warstwy SnO2 domieszkowanego Eu naniesione metodą napylania magnetronowego znane są z publikacji J. Electrochem. Soc. 2006 vol. 153, nr 4, pp. H63-H67. Warstwy te charakteryzują się maksymalnym pobudzeniem przy grubości 300 nm i maksymalną emisją przy grubości 588 nm.
Z polskiego opisu patentowego nr 181771 znany jest sposób osadzania powłok, zwłaszcza twardych materiałów trudnotopliwych. Sposób ten polega na rozpyleniu i odparowaniu materiału katody oraz odparowaniu materiału anody, charakteryzuje się tym, że po wywołaniu w obszarze międzyelektrodowym anomalnego wyładowania jarzeniowego podnosi się natężenie prądu wyładowania do chwili, gdy przejdzie ono w wyładowanie łukowe, po czym inicjowane jest wyładowanie impulsowe. Korzystnym jest, gdy wszystkie wyładowania realizowane są w polu magnetycznym, którego linie są równoległe do osi elektrod.
Znany jest też z polskiego opisu patentowego nr 167391 sposób osadzania warstw polegający na umieszczeniu w zbiorniku próżniowym katody urządzenia magnetronowego, źródła jonów oraz podłoża, na które nanoszona jest warstwa, odpompowaniu zbiornika próżniowego do wysokiej próżni i wytworzeniu przez źródło jonów wiązki jonów. W sposobie wiązka jonów jest kierowana na powierzchnię katody magnetronowego urządzenia rozpylającego, po czym na zespół urządzenia magnetronowego podawane jest wysokie napięcie i inicjowane wyładowanie magnetronowe. Do sterowania trajektorią wiązki jonów stosuje się układ magnetyczny.
Sposób, według wynalazku, polega na tym, że target Ti stanowiący katodę, w postaci metalicznego targetu Ti, na którym rozłożony jest, co najmniej jeden arkusz folii tytanowej w postaci klina domieszkowanego metalicznym Eu, korzystnie folię tytanową w postaci klina domieszkowanego metalicznym Eu wytwarza się w procesie wtapiania europu w folię, przy czynnej mocy wydzielanej w targecie większej od 0,8 kW, po czym tak przygotowaną folię tytanową stabilizuje się w czasie do 30 min w atmosferze tlenowej. Target umieszcza się w odległości od 0,5 mm do 3 mm od powierzchni chłodzącej magnetronu, po czym uzdatniania się powierzchnię roboczą targetu, korzystnie powierzchnię roboczą targetu podgrzaną do temperatury nie mniejszej niż 500°C, uzdatniania się poprzez rozpylanie jego powierzchni w reaktywnej niskociśnieniowej plazmie tlenowej w warunkach roboczych, co najmniej 10 min. Następnie rozpyla się target, a na podłoża podgrzane do temperatury powyżej 100°C -1 nanosi się warstwę w reaktywnej atmosferze tlenu o ciśnieniu poniżej 10-1 Pa. Następnie naniesione warstwy wygrzewa się w powietrzu przy ciśnieniu atmosferycznym, w temperaturze od 200°C do 800°C, w czasie od 30 min do 4 godzin.
Korzystnie podłoża podgrzewa się grzejnikami radiacyjnymi, przy czym powierzchnia grzejników jest ekwipotencjalna i jest na potencjale anody albo na potencjale podłoży.
Korzystnie podłoża umieszcza się w odległości 45-100 mm od targetu.
Korzystnym jest również to, że magnetron pracujący w modzie unipolarnym, przy czym target zasila się ujemnymi impulsami sinusoidalnymi o częstotliwości powyżej 10 kHz.
Zaletą sposobu wytwarzania cienkich warstw TiO2:Eu jest, że dzięki ograniczeniu przewodnictwa cieplnego tytanowych klinów, ułożonych na bazowym targacie, domieszki osiągają temperaturę wyższą o kilkaset stopni niż pozostałe obszary targetu. W związku z tym, molekuły czynnej domieszki Eu posiadają wyższą średnią energię (podwyższoną dodatkowym podgrzewaniem), niż molekuły pochodzące
PL 212 461 B1 z pozostałej części targetu tytanowego. Dlatego wykazują one większą aktywność chemiczną do wytworzenia przez Eu korzystnych wiązań w materiale nanoszonym na podłoża w postaci warstw. Stopień wykorzystania domieszki jest zatem większy, niż w przypadku warstw wykonanych z targetów stopowych, gdzie energie cząstek biorących udział w wiązaniach (zarówno dla bazowego materiału jak i dla domieszek) są podobne.
Przedmiot wynalazku jest objaśniony w przykładach wytwarzania cienkich warstw TiO2:Eu na podłożu krzemowym, których charakterystyki fotoluminescencji uwidocznione są na rysunku, na którym a przedstawia charakterystykę warstw nie wygrzewanych, b - charakterystykę warstw wygrzewanych w temperaturze 200°C, a c - charakterystykę warstw wygrzewanych w powietrzu i w temperaturze 400°C przez 2 godziny.
P r z y k ł a d 1.
Sposób wytwarzania cienkich warstw TiO2:Eu z magnetronem pracującym w modzie unipolarnym, w którym target zasila się ujemnymi impulsami sinusoidalnymi o częstotliwości 12 kHz, polega na tym, że tytanowy target o czystości 99,99%, stanowiący katodę, w postaci krążka o średnicy 100 mm i grubości 3 mm, na którym rozłożone są cztery arkusze folii tytanowej, każdy w postaci klina domieszkowanego metalicznym europem, umieszcza się w odległości 0,5 mm od powierzchni chłodzącej magnetronu, przy czym folię tytanową wytwarza się w procesie wtapiania europu w folię, przy efektywnej mocy wydzielanej w targecie wynoszącej 0,8 kW, po czym tak przygotowaną folię tytanową stabilizuje sie w przez 30 min w atmosferze tlenowej, przy czym temperatura targetu wynosi 500°C. Po czym uzdatniania się powierzchnię roboczą targetu, podgrzaną do temperatury 500°C, poprzez rozpylanie jego powierzchni w reaktywnej niskociśnieniowej plazmie tlenowej w warunkach roboczych, przez 10 min. Uzdatnianie targetu w reaktywnej atmosferze tlenowej sprzyja dotlenianiu jego powierzchni, co jest istotnym procesem, zapewniającym optymalne warunki wytwarzania warstw tlenkowych. Następnie na podłoża umieszczone w odległości 45 mm od targetu nanosi się warstwę TiO2:Eu, w tym celu target rozpyla się w reaktywnej atmosferze tlenu o ciśnieniu około 10-1 Pa, przy czym ciśnienie tła w komorze roboczej w trakcie procesu wynosi około 8·10-4 Pa. Podczas procesu, podłoża podgrzewa się do temperatury 197°C grzejnikami radiacyjnymi, przy czym powierzchnia grzejników jest ekwipotencjalna na potencjale anody. Tak wytworzone warstwy stabilizuje się poprzez wygrzewanie powietrzu przy ciśnieniu atmosferycznym, w temperaturze 200°C, przez 4 godziny.
P r z y k ł a d 2
Sposób wytwarzania cienkich warstw TiO2:Eu, przebiega jak w przykładzie pierwszym z tą różnicą, że tytanowy target umieszcza się w odległości 1,5 mm od powierzchni chłodzącej magnetronu, folię tytanową stabilizuje się przez 20 min w atmosferze tlenowej, przy czym temperatura targetu wynosi 600°C. Po czym uzdatnia się powierzchnię roboczą targetu, podgrzaną do temperatury 700°C, zaś podłoża umieszczone w odległości 100 mm od targetu, podgrzewa się za grzejnikami radiacyjnymi, a powierzchnia grzejników jest ekwipotencjalna na potencjale podłoży. Tak wytworzone warstwy stabilizuje się poprzez wygrzewanie w powietrzu, przy ciśnieniu atmosferycznym, w temperaturze 800°C, przez 30 min. Ponadto target zasila się ujemnymi impulsami sinusoidalnymi o częstotliwości 165 kHz, a czynną moc wydzielaną bezpośrednio w targecie reguluje się przez wypełnianie grup impulsów powtarzających się z częstotliwością 1,7 kHz i o maksymalnej amplitudzie napięcia 1400 V.
P r z y k ł a d 3
Sposób wytwarzania cienkich warstw TiO2:Eu, przebiega jak w przykładzie pierwszym albo drugim z tą różnicą, że cienkie warstwy nanosi się na podłoża monokrystalicznego krzemu o orientacji (1 0 0), przy czym warstwy rozpyla się przez 100 min. W tak wytworzonych warstwach koncentracja Eu wynosi 4 % atomowych a grubość warstwy 420 nm. Na rysunku uwidoczniona jest wysoka wydajność fotoluminescencji dla długości fali λ równej ok. 617 nm dla warstw nie wygrzewanych wynosi około 3500 w liczbie zliczeń PL, natomiast znacznie wzrasta po stabilizacji poprzez wygrzewanie w powietrzu przy ciśnieniu atmosferycznym przez 2 godziny, przy czym dla warstw wygrzewanych w temperaturze 200°C wynosi około 4500 w liczbie zliczeń PL, a w temperaturze 400°C wynosi blisko 9000.
Claims (7)
1. Sposób wytwarzania cienkich warstw TiO2:Eu z wykorzystaniem rozpylania magnetronowego, znamienny tym, że target Ti stanowiący katodę, w postaci metalicznego targetu Ti, na którym rozłożony jest, co najmniej jeden arkusz folii tytanowej w postaci klina domieszkowanego metalicznym
PL 212 461 B1
Eu, umieszcza się w odległości od 0,5 mm do 3 mm od powierzchni chłodzącej magnetronu, przy czym temperatura targetu wynosi nie mniej niż 500°C, po czym uzdatniania się powierzchnię roboczą target poprzez rozpalanie jego powierzchni w reaktywnej niskociśnieniowej plazmie tlenowej w warunkach roboczych, rozpyla się target a na podłoża podgrzane do temperatury powyżej 100°C nanosi się warstwę w reaktywnej atmosferze tlenu o ciśnieniu poniżej 10-1 Pa, następnie naniesione warstwy wygrzewa się w powietrzu przy ciśnieniu atmosferycznym, w temperaturze od 200°C do 800°C w czasie od 30 min do 4 godzin.
2. Sposób, według zastrz. 1, znamienny tym, że folię tytanową w postaci klina domieszkowanego metalicznym Eu wytwarza się w procesie wtapiania europu w folię, przy efektywnej mocy wydzielanej w targecie większej od 0,8 kW, po czym tak przygotowaną folię tytanową stabilizuje się w czasie do 30 min w atmosferze tlenowej.
3. Sposób, według zastrz. 1, znamienny tym, że powierzchnię roboczą targetu podgrzaną do temperatury nie mniejszej niż 500°C uzdatniania się poprzez rozpylanie jego powierzchni w reaktywnej niskociśnieniowej plazmie tlenowej w warunkach roboczych, co najmniej 10 min.
4. Sposób, według zastrz. 1, znamienny tym, że podłoża podgrzewa się grzejnikami radiacyjnymi, przy czym powierzchnia grzejników jest ekwipotencjalna na potencjale anody.
5. Sposób, według zastrz. 4, znamienny tym, że podłoża podgrzewa się za grzejnikami radiacyjnymi, przy czym powierzchnia grzejników jest ekwipotencjalna na potencjale podłoży.
6. Sposób, według zastrz. 1, znamienny tym, że podłoża umieszcza się w odległości 45-100 mm od targetu.
7. Sposób, według zastrz. 1, znamienny tym, że magnetron pracuje w modzie unipolarnym, przy czym target zasila się ujemnymi impulsami sinusoidalnymi o częstotliwości powyżej 10 kHz.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL379365A PL212461B1 (pl) | 2006-04-03 | 2006-04-03 | Sposób wytwarzania cienkich warstw TiO₂:Eu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL379365A PL212461B1 (pl) | 2006-04-03 | 2006-04-03 | Sposób wytwarzania cienkich warstw TiO₂:Eu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL379365A1 PL379365A1 (pl) | 2007-10-15 |
| PL212461B1 true PL212461B1 (pl) | 2012-10-31 |
Family
ID=43016710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL379365A PL212461B1 (pl) | 2006-04-03 | 2006-04-03 | Sposób wytwarzania cienkich warstw TiO₂:Eu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL212461B1 (pl) |
-
2006
- 2006-04-03 PL PL379365A patent/PL212461B1/pl not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL379365A1 (pl) | 2007-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI532414B (zh) | 電漿源及使用電漿增強化學氣相沉積以沉積薄膜塗層之方法 | |
| CN1826424A (zh) | 由钛和钛氧化物和低氧化物物理气相沉积的能量转换和储存膜和器件 | |
| WO1989008605A1 (fr) | Procede de production d'un supraconducteur a oxyde a film mince | |
| US20070096653A1 (en) | Plasma display panel and method for producing the same | |
| KR20170132129A (ko) | 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스 및 박막 코팅의 증착과 표면의 개질을 위해 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스의 사용 방법 | |
| NL8600417A (nl) | Werkwijze voor het reactief opdampen van lagen uit oxiden, nitriden, oxynitriden en carbiden. | |
| JP2001089846A (ja) | 低抵抗ito薄膜及びその製造方法 | |
| JP5476531B2 (ja) | 蛍光体結晶薄膜とその作製方法 | |
| KR101895769B1 (ko) | 반도체 제조용 챔버의 코팅막 및 그 제조 방법 | |
| Krishnan et al. | Synthesis and up/down conversion luminescence properties of Na 0.5 R 0.5 MoO 4: Ln 3+(R 3+= La, Gd),(Ln 3+= Eu, Tb, Dy, Yb/Er) thin phosphor films grown by pulsed laser deposition technique | |
| JP3979859B2 (ja) | リチウム二次電池用電極の製造方法 | |
| PL212461B1 (pl) | Sposób wytwarzania cienkich warstw TiO₂:Eu | |
| JP5035857B2 (ja) | 低抵抗ito薄膜及びその製造方法 | |
| RU2759822C1 (ru) | Способ нанесения антиэмиссионного покрытия из пиролитического углерода на сеточные электроды мощных электровакуумных приборов | |
| PL210206B1 (pl) | Sposób wytwarzania cienkiej warstwy TiO₂ domieszkowanej Eu i cienka warstwa TiO₂ domieszkowana Eu | |
| Zhukeshov et al. | The specifics of copper coatings production by pulsed arc method | |
| JP2955667B2 (ja) | 混合物薄膜作成の方法と装置 | |
| CN110904389A (zh) | 一种多功能一体Fe-Al-Ta共晶复合材料及其制备方法 | |
| Yang et al. | Photoluminescence and cathodoluminescence of YVO4: Sm3+ thin films prepared by pulsed laser deposition method with various substrates | |
| JPS6179767A (ja) | 被膜を形成する方法 | |
| EP2850220B1 (en) | Ceramic coating deposition | |
| JPH09237762A (ja) | シリコン薄膜の製造方法 | |
| KR20110027537A (ko) | 반도체 제조장치 | |
| JPH0610338B2 (ja) | ホウ素薄膜の形成方法 | |
| Lee et al. | Synthesis of vertically aligned carbon nanofiber films by RF magnetron sputtering |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20090403 |