PL214874B1 - Sposób oczyszczania zródla jonów i zródlo jonów do stosowania tego sposobu - Google Patents

Sposób oczyszczania zródla jonów i zródlo jonów do stosowania tego sposobu

Info

Publication number
PL214874B1
PL214874B1 PL375865A PL37586503A PL214874B1 PL 214874 B1 PL214874 B1 PL 214874B1 PL 375865 A PL375865 A PL 375865A PL 37586503 A PL37586503 A PL 37586503A PL 214874 B1 PL214874 B1 PL 214874B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
anode
cathode
ion source
ion
source
Prior art date
Application number
PL375865A
Other languages
English (en)
Other versions
PL375865A1 (pl
Inventor
Henry A. Luten
Vijayen S. Veerasamy
Maximo Frati
Denise R. Shaw
Original Assignee
Advanced Energy Ind
Guardian Industries
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Energy Ind, Guardian Industries filed Critical Advanced Energy Ind
Publication of PL375865A1 publication Critical patent/PL375865A1/pl
Publication of PL214874B1 publication Critical patent/PL214874B1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
    • H01J27/14—Other arc discharge ion sources using an applied magnetic field
    • H01J27/143—Hall-effect ion sources with closed electron drift

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób oczyszczania źródła jonów i źródło jonów do stosowania tego sposobu.
Źródło jonów jest urządzeniem, które powoduje jonizowanie cząsteczek gazów, a następnie przyspieszanie i emitowanie cząsteczek i/lub atomów gazu wiązką w stronę podłoża. Taka wiązka jonów może być wykorzystywana do różnych celów, między innymi do oczyszczania, aktywowania, polerowania, trawienia podłoża i/lub osadzania cienkich powłok/warstw. Znane źródła jonów opisano na przykład w dokumentach patentowych o numerach US 6 359 388, US 6 037 717, US 6 002 208 i US 5 656 819.
Na fig. 1 i 2 rysunku przedstawiono konwencjonalne źródło jonów. W szczególności, na fig. 1 przedstawiono znane źródło jonów ze szczeliną emitującą wiązkę jonową ukształtowaną w katodzie, w przekroju pionowym, a na fig. 2 przedstawiono odpowiedni przekrój poziomy wzdłuż linii II-II z fig. 1. Na fig. 3 przedstawiono przekrój poziomy podobny do przekroju z fig. 2, dla ukazania, że źródło jonów z fig. 1 może mieć szczelinę emitującą wiązkę jonową w kształcie owalnym lub w kształcie bieżni sportowej, w odróżnieniu od kolistej szczeliny emitującej wiązkę. Możliwe jest wykorzystywanie również dowolnego innego kształtu.
Jak to pokazano na fig. 1 do 3, źródło jonów zawiera pustą osłonę wykonaną z materiału o dużej przewodności magnetycznej, na przykład ze stali, która jest wykorzystywana w charakterze katody 5. Katoda 5 ma cylindryczną lub owalną ściankę boczną 7, zamkniętą lub częściowo zamkniętą ściankę denną 9 i w przybliżeniu płaską ściankę górną 11, w której wykonana jest kolista lub owalna szczelina 15 emitująca jony. Ścianki, denna 9 i boczna 7 katody są dobrane opcjonalnie. Szczelina 15 do emisji jonów ma obrzeże wewnętrzne, jak również obrzeże zewnętrzne.
Ścianka denna 9 ma przynajmniej jeden kanał 21 doprowadzający gaz osadzający i/lub ochronny. Płaska ścianka górna 11 działa jako elektroda przyspieszająca. Wewnątrz osłony, między ścianką denną 9 a ścianką górną 11 znajduje się układ magnetyczny, w skład którego wchodzi cylindryczny magnes trwały 23 z biegunami o przeciwnych biegunowościach, N i S. Biegun N znajduje się od strony płaskiej ścianki górnej 11, podczas gdy biegun S znajduje się od strony ścianki dennej 9. Zadaniem układu magnetycznego z zamkniętym obwodem magnetycznym, utworzonego przez magnes 23 i katodę 5, jest wywoływanie poprzecznego pola magnetycznego w pewnym obszarze w pobliżu szczeliny 15 emitującej jony. Źródło jonów może znajdować się w całości lub częściowo w obrębie ścianki 50. W niektórych przypadkach, ścianka 50 może całkowicie otaczać źródło jonów i podłoże 45, ale w innych przypadkach, ścianka 50 może otaczać tylko częściowo źródło jonów i/lub podłoże.
Kolista lub ukształtowana owalnie przewodząca anoda 25 jest połączona elektrycznie z dodatnim biegunem elektrycznego źródła zasilania 29, przynajmniej częściowo otacza magnes trwały 23, i jest z nim koncentryczna. Anoda 25 jest korzystnie umocowana wewnątrz osłony przez pierścień izolacyjny 31, na przykład ceramiczny. W otworze centralnym anody 25 osadzony jest magnes 23. Ujemny biegun elektrycznego źródła zasilania 29 jest połączony z katodą 5, tak że katoda jest ujemna względem anody.
W znanych rozwiązaniach, anoda 25 jest spolaryzowana dodatnio napięciem kilku tysięcy woltów. Natomiast katoda, przy czym określenie „katoda stosowane w niniejszym dokumencie obejmuje jej części wewnętrzne i/lub zewnętrzne, jest zwykle na potencjale ziemi, lub bliskim potencjału ziemi. Jest tak we wszystkich aspektach pracy źródła, również w trybie, w którym odbywa się oczyszczanie źródła.
Konwencjonalne źródło wiązki jonów z fig. 1 do 3 jest przeznaczone do wytwarzania skierowanej w jedną stronę rurkowej wiązki jonowej, płynącej w kierunku podłoża 45. Podłoże 45 w różnych przypadkach może być polaryzowane lub nie. Wiązka jonów emitowana z obszaru szczeliny 15 ma kolisty kształt przekroju w przypadku z fig. 2 lub owalny (na przykład przypominający bieżnię stadionu) w przypadku z fig. 3.
Konwencjonalne źródło wiązki jonów z fig. 1 do 3, w trybie osadzania, kiedy jest pożądane osadzanie przez wiązkę jonów pewnej warstwy na podłożu 45, działa w sposób następujący. Komora próżniowa, w której umieszczone jest podłoże 45 i szczelina 15, jest opróżnione z powietrza, a gaz osadzający na przykład gazowy węglowodór, acetylen lub temu podobny, jest podawany za pośrednictwem kanału 21 do wnętrza źródła jonów. W niektórych przypadkach, do wnętrza źródła jonów, wraz z gazem osadzającym, może być podawany również gaz ochronny, na przykład argon. Zostaje włączony zasilacz 29 i między anodą 25 a katodą 5 powstaje pole elektryczne, które przyspiesza elekPL 214 874 B1 trony do wysokiej energii. Anoda 25 jest spolaryzowana dodatnio napięciem kilku tysięcy woltów, a katoda 5 jest na potencjale ziemi lub bliskim niego, jak to pokazano na fig. 1. Zderzenia elektronów z cząsteczkami gazu wewnątrz lub w pobliżu szczeliny 15 powodują jonizację i powstawanie plazmy. Zastosowane określenie „plazma oznacza chmurę gazu zawierającą jony materiału przeznaczone do przyspieszania w stroną podłoża 45. Plazma rozprzestrzenia się i wypełnia (lub wypełnia przynajmniej częściowo) obszar obejmujący szczelinę 15. W szczelinie 15 powstaje pole elektryczne skierowane w zasadzie prostopadle do poprzecznego pola magnetycznego, powodujące rozchodzenie się jonów w stronę podłoża 45. Elektrony w przestrzeni przyspieszania jonów wewnątrz i w pobliżu szczeliny 15 są wyrzucane pod działaniem znanego zjawiska unoszenia E x B w zamkniętej pętli w obszarze, przez który przechodzą linie sił pola elektrycznego i magnetycznego, w pobliżu szczeliny 15. Te krążące elektrony przyczyniają się do jonizacji gazu, tak że strefa zderzeń jonizujących rozciąga się poza szczelinę elektryczną między anodą a katodą i obejmuje obszar w pobliżu szczeliny 15 po jednej i/lub obu stronach katody 5.
Dla przykładu, przez źródła jonów z fig. 1 do 3 w trybie osadzania, wykorzystywane są gazy osadzające silan i/lub acetylen (C2H2). Gaz osadzający przechodzi przez przerwę między anodą 25 a katodą 5. Niestety, niektóre z elementów zawartych w gazowym acetylenie i/lub silanie są z natury izolacyjne, na przykład węgliki w niektórych zastosowaniach mogą być izolatorami. Osadzane powłoki, na przykład powłoki węglikowe, węglowe i/lub tlenkowe, które mogą być z natury izolacyjne lub semi-izolacyjne, powstające z gazu osadzającego, mogą narastać szybko na odpowiednich powierzchniach anody 25 i/lub katody 5 w pobliżu szczeliny między elektrodami i/lub na tych elektrodach. Może to zakłócać przepływ gazu przez przerwę i szczelinę 15 i zmniejszać prąd wypadkowy, oddziałując tym samym niekorzystnie na potencjał pola elektrycznego między anodą a katodą w pobliżu szczeliny 15. Takie osiadające powłoki rezystancyjnie ograniczają ilość prądu, który może przepływać przez źródło jonów, co działa niekorzystnie na sprawność eksploatacyjną i/lub skuteczność źródła jonów.
Niepożądane narosty wymagają oczyszczania anody i/lub katody. Konwencjonalnie, oczyszczanie odbywa się przez pracę źródła jonów, jak na fig. 1, przy równoczesnym wprowadzaniu do źródła jonów gazowego tlenu. Tego rodzaju sposób oczyszczania źródła jonów nie nadaje się do wykorzystania przy oczyszczaniu anody, a powierzchnie anody/katody, odległe od szczeliny 15 nie zostają zbyt dobrze oczyszczone.
Występuje więc zapotrzebowanie na bardziej efektywną metodę oczyszczania źródła jonów.
Sposób oczyszczania źródła jonów, zawierającego anodę, katodę oraz magnes, za pomocą którego to źródła jonów w trybie osadzania osadza się warstwy na podłożu, z wykorzystaniem wiązki jonowej wytwarzanej za pomocą źródła i skierowanej na podłoże poprzez szczelinę do emisji jonów utworzoną w przynajmniej jednej z tych elektrod, w anodzie lub w katodzie, według wynalazku charakteryzuje się tym, że zarówno anodę, jak i katodę źródła jonów polaryzuje się ujemnie względem ziemi przez doprowadzenie do tych elektrod ujemnego napięcia z elektrycznego źródła zasilania, przy czym do przestrzeni anodowo-katodowej doprowadza się przynajmniej jeden gaz do jonizacji, tak że jony tego gazu kieruje się na anodę i/lub katodę dla usunięcia niepożądanych osadzonych narostów na anodzie i/lub katodzie i ich oczyszczenia.
Korzystnym jest, że przynajmniej w części okresu pracy w trybie oczyszczania anodę i katodę polaryzuje się ujemnie napięciem o wartości od około 50 V do 1500 V.
Korzystnym jest, że przynajmniej w części okresu pracy w trybie oczyszczania anodę i katodę polaryzuje się ujemnie napięciem o wartości od około 100 V do 1000 V.
Korzystnym jest, że przynajmniej w części okresu pracy w trybie oczyszczania anodę i katodę polaryzuje się ujemnie napięciem o wartości od około 200 V do 800 V.
Korzystnym jest, że przynajmniej w części okresu pracy w trybie oczyszczania anodę i katodę polaryzuje się ujemnie względem przewodzącej ścianki znajdującej się w bezpośredniej bliskości względem przynajmniej jednej z elektrod, anody lub katody.
Korzystnym jest, że przynajmniej w części okresu pracy w trybie oczyszczania, zarówno anodę jak i katodę polaryzuje się ujemnie względem uziemienia, a ściankę w pobliżu anody i/lub katody utrzymuje się na potencjale ziemi.
Korzystnym jest, że gaz do jonizacji zawiera tlen.
Źródło jonów, zawierające anodę i katodę z utworzoną w niej szczeliną do emisji jonów, przy czym anoda i katoda są dołączone do elektrycznego źródła zasilania, według wynalazku charakteryzuje się tym, że źródło jonów jest zaopatrzone w źródło zasilania napięcia ujemnego, do którego dołą4
PL 214 874 B1 czona jest anoda i katoda w przynajmniej końcowej części okresu pracy w trybie oczyszczania z niepożądanych osadzonych narostów, przez skierowane na anodę i/lub katodę jony gazu do jonizacji.
Korzystnym jest, że anoda i katoda są dołączone do zespołu źródeł zasilania napięcia dodatniego i napięcia ujemnego, poprzez zespół przełączników tak, że anoda względem katody jest spolaryzowana dodatnio podczas pracy źródła jonów w trybie osadzania warstw na podłożu, a podczas przynajmniej części okresu pracy w trybie oczyszczania, anoda katoda są spolaryzowane ujemnie w tym samym stopniu względem ziemi.
Korzystnym jest, że anoda otacza przynajmniej część magnesu, który rozmieszczony jest wzdłuż środkowej osi anody.
Korzystnym jest, że przynajmniej jedna z elektrod, anoda lub katoda, przynajmniej częściowo jest otoczona przez przewodzącą ściankę uziemioną podczas trybu oczyszczania źródła jonów.
Zgodnie z wynalazkiem, w procesie oczyszczania zarówno anoda, jak i katoda źródła jonów są polaryzowane ujemnie. W sposób nieoczywisty okazało się, że kiedy zarówno anoda, jak i katoda źródła jonów są spolaryzowane ujemnie, łatwiej i szybciej następuje usuwanie niepożądanych narostów, na przykład narostów węglowych znajdujących się na powierzchni (powierzchniach) anody i/lub katody.
W trybie oczyszczania źródła jonów zastosowano gaz zawierający tlen. Generowane jony tlenu są przyspieszane lub innym sposobem kierowane w stronę anody i/lub katody w celu wspomożenia usuwania pozostałości, na przykład narostów węglowych, z jej powierzchni. Usuwanie narostów węglowych można również przyspieszyć przez chemiczne utlenianie węgla i spowodowanie fizycznego oddzielania narostów z użyciem przyspieszanych jonów. Do oczyszczania można również wykorzystywać gaz inny, niż tlen.
Źródło jonów zawiera anodę i katodę z utworzoną w niej szczeliną do emisji jonów. Źródło jonów jest zaopatrzone w źródło elektryczne zasilania napięcia ujemnego do polaryzowania anody i katody tego źródła jonów, w przynajmniej części okresu pracy w trybie oczyszczania. Anoda jest spolaryzowana dodatnio względem katody przy pracy źródła jonów w trybie osadzania, to znaczy kiedy źródło jonów jest wykorzystywane do wytwarzania wiązki osadzającej warstwy na podłożu, a podczas pracy w trybie oczyszczania zarówno anoda, jak i katoda są spolaryzowane ujemnie względem ziemi.
Przedmiot wynalazku zostanie bliżej objaśniony w przykładach wykonania na rysunku, na którym fig. 4 przedstawia sieć działań ilustrującą kroki realizowane przy czyszczeniu źródła jonów, fig. 5 źródło jonów podczas pracy w trybie oczyszczania, w częściowym przekroju, fig. 6 - uproszczony przekrój źródła jonów, a fig. 7 przedstawia sieć działań ilustrującą kroki realizowane według jednego z przykładów wykonania wynalazku, przy czym napięcie rozpraszające stosowane podczas oczyszczania jest wykorzystywane do wyznaczania momentu wstrzymania rozpraszania, to znaczy zakończenia trybu oczyszczania, dla zapobieżenia silnemu rozpraszaniu/trawieniu.
Szczegółowe opisy znanych elementów, gazów, uchwytów mocujących i innych części składowych/układów pomija się, aby nie zaciemniać opisu wynalazku zbędnymi szczegółami.
Na fig. 4 przedstawiono sieć działań ilustrującą realizację niektórych kroków zgodnie z wynalazkiem. Podczas normalnej pracy w trybie osadzania powłoki na podłożu w kroku A, źródło jonów jest eksploatowane w znany sposób opisany na podstawie fig. 1 do 3. Kiedy pożądane jest oczyszczenie źródła jonów, na przykład trzeba sczyścić izolacyjny narost węglowy lub dowolny inny rodzaj niepożądanego osadu z anody i/lub katody, w kroku B, zarówno na anodę, jak i na katodę w kroku C podaje się ujemny potencjał polaryzacyjny. Anoda i katoda są spolaryzowane ujemnie podczas całej operacji oczyszczania, lub tylko podczas części operacji oczyszczania, jak przedstawiono w różnych odmianach wykonania wynalazku. W sposób nieoczywisty stwierdzono, że kiedy zarówno anoda, jak i katoda źródła jonów są spolaryzowane ujemnie, to łatwiejsze i szybsze jest usuwanie niepożądanych narostów, na przykład osadów zawierających węgiel lub podobnych, znajdujących się na powierzchniach anody i/lub katody. Stwierdzono, że ujemne polaryzowanie zarówno anody, jak i katody, na przykład napięciem kilkuset woltów powoduje, że źródło jonów zachowuje się podobnie do magnetronu planarnego. Ten tak zwany tryb magnetronowy pracy umożliwia szybkie, wykonywane na miejscu, oczyszczanie źródła jonów, okresowo podczas jego eksploatacji.
Na fig. 5 przedstawiono w uproszczonym przekroju źródło jonów w trybie oczyszczania według przykładu wykonania wynalazku. Podczas normalnej eksploatacji, to znaczy kiedy źródło jonów jest wykorzystywane w trybie osadzania warstwy na podłożu, źródło jonów z fig. 5 pracuje w znany sposób, tak jak to opisano w odniesieniu do fig. 1 do 3. Zatem, podczas normalnej pracy w trybie osadzaPL 214 874 B1 nia, anoda 25 jest spolaryzowana dodatnio napięciem kilku tysięcy woltów, korzystnie od około 1000 do 5000, a katoda jest na potencjale ziemi lub bliskim potencjałowi ziemi.
Jednak podczas przynajmniej części okresu pracy w trybie oczyszczania, zarówno anoda 25, jak i katoda 5 źródła jonów jest spolaryzowana ujemnie, jak to pokazano na fig. 5. Jak już wspomniano, stwierdzono, że kiedy anoda 25 i katoda 5 źródła jonów jest spolaryzowana ujemnie, możliwe jest w trybie oczyszczania łatwiejsze i szybsze usuwanie niepożądanych narostów, na przykład osadów zawierających węgiel i podobnych na powierzchniach anody i/lub katody. W takich przypadkach trybu oczyszczania, anoda 25 i katoda 5 mogą być spolaryzowane ujemnie napięciem od około 50 V do 1500 V, korzystnie od około 100 V do 1000 V, a najkorzystniej od około 200 V do 800 V. W korzystnych przykładach wykonania anoda 25 i katoda 5 mogą być spolaryzowane ujemnie w odniesieniu do uziemienia w tym samym stopniu, na przykład obie spolaryzowane ujemnie napięciem 500 V. W alternatywnych odmianach wykonania, anoda i katoda mogą mieć względem uziemienia różne wartości polaryzacji ujemnej.
Jak przedstawiono na fig. 5 i 6, ścianka 50 przynajmniej częściowo otacza anodę 25, katodę 5 i/lub podłoże 45. W innych odmianach wykonania, ścianka 50 może służyć do celów ekranowania i nie musi otaczać żadnej z tych części składowych źródła jonów. Podczas pracy w trybie oczyszczania, w niektórych odmianach wykonania przewodząca ścianka 50 jest uziemiona, lub ma potencjał bliski ziemi, wytwarzając dzięki temu pewien potencjał między ścianką 50 a ujemnie spolaryzowaną anodą i katodą. Przewodząca ścianka 50 w różnych odmianach wykonania wynalazku może być, lub tez nie, częścią samego źródła jonów.
Do źródła jonów, za pośrednictwem doprowadzających kanałów 21 lub dowolnego innego tego rodzaju wlotów, w trybie oczyszczania doprowadza się gaz i przepuszcza przez źródło jonów ten gaz, na przykład tlen. W rozwiązaniu alternatywnym gazowy tlen może być wprowadzany do źródła za pośrednictwem jego komory osadzania między szczeliną 15 a podporą podłoża, naprzeciwko kanału 21. Kiedy gaz zawierający tlen znajduje się w źródle jonów przy ujemnym spolaryzowaniu anody 25 i katody 5, jony tlenu powstające w plazmie są przyspieszane lub innym sposobem kierowane w stronę anody 25 i/lub katody 5, dla ułatwienia usuwania znajdujących się na niej pozostałości, na przykład narostów zawierających węgiel. Takie narosty mogą być usuwane przez zwykłe fizyczne zmywanie jonami i/lub w wyniku chemicznego utleniania w wyniku obecności tlenu. W niektórych odmianach wykonania wynalazku, z powodu ujemnego spolaryzowania anody 25 i katody 5 względem uziemionej ścianki 50, może powstawać plazma, w której generowane są jony. Pozwala to na łatwiejsze i/lub skuteczniejsze, w porównaniu z sytuacją, w której anoda i katoda są spolaryzowane przeciwnie, oczyszczanie powierzchni anody 25 i katody 5, odległych od szczeliny 15.
W odmiennym rozwiązaniu według wynalazku, tryb oczyszczania obejmuje przynajmniej dwie różne fazy, pierwszą i drugą. W pierwszej fazie, anoda 25 jest polaryzowana dodatnio a katoda 5 ujemnie, przy równoczesnym wprowadzaniu do źródła jonów gazu, na przykład gazu zawierającego tlen. Daje to w wyniku skuteczniejsze oczyszczanie anody i katody w pobliżu szczeliny 15, ponieważ w jego pobliżu jest generowanych wiele jonów. W drugiej fazie, która może występować albo przed pierwszą fazą albo po niej, zarówno anoda 25, jak i katoda 5 są polaryzowane ujemnie, jak to pokazano na fig. 5, przy równoczesnym wprowadzaniu do źródła jonów gazu. Na przykład gazu zawierającego tlen, tak że zostają skutecznie oczyszczone inne części anody i/lub katody.
Jakkolwiek w odmianach wykonania wynalazku w charakterze gazu oczyszczającego jest stosowany tlen, to nie stanowi to w tym względzie ograniczenia wynalazku. W innych odmianach wykonania wynalazku możliwe jest stosowanie również innych gazów. Ponadto w trybie oczyszczania możliwe jest stosowanie tlenu z innym gazem (innymi gazami). Możliwe jest na przykład wprowadzanie do źródła jonów, w opisanych powyżej trybach oczyszczania, kombinacji gazowego tlenu i argonu.
Na fig. 6 przedstawiono w przekroju źródło jonów, podobnie jak na fig. 5, tu jednak przedstawiono szczegółowo przykład zespołu obwodów, który umożliwia naprzemienne przełączanie źródła jonów między trybem oczyszczania i trybem osadzania i/lub między dwoma różnymi fazami trybu oczyszczania. Zespół obwodów zawiera źródło 55 zasilania napięciem dodatnim, źródło 57 zasilania napięciem ujemnym i uziemienie 59. Przełącznik 70 umożliwia naprzemienne przełączanie między polaryzacją ujemną względem ziemi za pośrednictwem źródła 57 zasilania napięciem ujemnym a uziemieniem 59. Równocześnie, drugi przełącznik 80 umożliwia naprzemienne przełączanie anody 25 między polaryzacją dodatnią względem ziemi za pośrednictwem źródła 55 zasilania napięciem dodatnim a polaryzacją ujemną względem uziemienia 59, za pośrednictwem źródła 57 zasilania napięciem ujemnym 57. Źródło 57 zasilania napięciem ujemnym, stosowane do polaryzowania napięciem ujem6
PL 214 874 B1 nym anody 25 i katody 5 w trybie oczyszczania, nie jest tym samym źródłem zasilania, które jest wykorzystywane do podawania wysokiego napięcia podczas normalnej pracy źródła jonów w przykładowych odmianach wykonania wynalazku. Źródło 57 zasilania napięciem ujemnym może być źródłem zasilania do rozpylania, na przykład zasilaczem prądu stałego lub zasilaczem magnetronowym prądu zmiennego, który dostarcza większego prądu, na przykład o natężeniu 15-30 amperów i napięcia poniżej 1000 V.
W trybie oczyszczania, w przypadku narostów węglowych stosuje się korzystnie gaz zawierający tlen i/lub argon.
Ponadto, przy usuwaniu drogą rozpylania niepożądanych narostów z anody/katody, to znaczy elektrod, jest pożądane zatrzymanie rozpraszania w odpowiednim momencie, tak aby same elektrody wykonane na przykład z żelaza, stali lub temu podobne, nie były rozpraszane, ponieważ znaczna zmiana szczelin elektrycznych i/lub magnetycznych jest niepożądana. W celu osiągnięcia punktu zatrzymania, można analizować napięcie rozpraszania między korpusem źródła napięcia a uziemieniem. Napięcie rozpraszania spada w miarę usuwania niepożądanych narostów. Zatem ten spadek napięcia rozpraszania może służyć do detekcji momentu końcowego, wyznaczającego zakończenie pracy w trybie oczyszczania. Możliwe jest również zastosowanie optycznej spektroskopii emisyjnej do wyznaczenia pożądanego momentu końcowego pracy w trybie oczyszczania, w którym należy zatrzymać rozpylanie. Na fig. 7 przedstawiono sieć działań ilustrującą niektóre kroki realizowane według jednej z odmian wykonania wynalazku, w której napięcie rozpraszania stosowane podczas oczyszczania jest wykorzystywane do wyznaczenia momentu zatrzymania rozpraszania, to znaczy zakończenia pracy w trybie oczyszczania, tak aby zapobiec istotnemu rozpraszaniu/trawieniu elektrod. Napięcie rozpraszania jest oczywiście określane przy ujemnej polaryzacji elektrod w trybie oczyszczania.
Jak to również wynika z fig. 6, podczas przynajmniej części lub fazy trybu oczyszczania, zarówno anoda 25, jak i katoda 5 są spolaryzowane ujemnie względem uziemienia 59. Można to osiągnąć na przykład przez dołączenie anody 25 i katody 5 do tego samego źródła 57 zasilania napięciem ujemnym, kiedy obydwa przełączniki 70 i 80 są ustawione tak, jak to pokazano na fig. 6. Kiedy jest pożądane przełączenie na tryb normalnej pracy osadzania lub na inną fazę oczyszczania, drugi przełącznik 80 i ewentualnie pierwszy przełącznik 70, przełącza się na inny z przedstawionych zacisków, tak aby anoda 25 była spolaryzowana dodatnio względem katody 5.
W opisanych i przedstawionych na fig. 4 do 6 odmianach wykonania wynalazku anoda 25 i katoda 5 są spolaryzowane ujemnie względem ziemi. Jednak w innych odmianach wykonania wynalazku, anoda i katoda mogą być spolaryzowane ujemnie w przynajmniej części okresu pracy w trybie oczyszczania nie względem ziemi, lecz względem polaryzacji przewodzącej ścianki 50. Zatem określenie „spolaryzowane ujemnie, lub podobne, stosowane w niniejszym opisie w odniesieniu do anody i katody oznacza, że anoda i katoda są spolaryzowane ujemnie względem ziemi i/lub względem pewnego innego korpusu przewodzącego źródła jonów, lub znajdującego się blisko źródła jonów, na przykład ścianki 50.

Claims (11)

1. Sposób oczyszczania źródła jonów, zawierającego anodę, katodę oraz magnes, za pomocą którego to źródła jonów w trybie osadzania osadza się warstwy na podłożu, z wykorzystaniem wiązki jonowej wytwarzanej za pomocą źródła i skierowanej na podłoże poprzez szczelinę do emisji jonów utworzoną w przynajmniej jednej z tych elektrod, w anodzie lub w katodzie, znamienny tym, że zarówno anodę (25), jak i katodę (5) źródła jonów polaryzuje się ujemnie względem ziemi przez doprowadzenie do tych elektrod (25, 5) ujemnego napięcia z elektrycznego źródła zasilania (57), przy czym do przestrzeni anodowo - katodowej doprowadza się przynajmniej jeden gaz do jonizacji, tak że jony tego gazu kieruje się na anodę i/lub katodę dla usunięcia niepożądanych osadzonych narostów na anodzie i/lub katodzie i ich oczyszczenia.
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że przynajmniej w części okresu pracy w trybie oczyszczania anodę (25) i katodę (5) polaryzuje się ujemnie napięciem o wartości od około 50 V do 1500 V.
3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że przynajmniej w części okresu pracy w trybie oczyszczania anodę (25) i katodę (5) polaryzuje się ujemnie napięciem o wartości od około 100 V do 1000 V.
PL 214 874 B1
4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że przynajmniej w części okresu pracy w trybie oczyszczania anodę (25) i katodę (5) polaryzuje się ujemnie napięciem o wartości od około 200 V do 800 V.
5. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że przynajmniej w części okresu pracy w trybie oczyszczania anodę (25) i katodę (5) polaryzuje się ujemnie względem przewodzącej ścianki (50) znajdującej się w bezpośredniej bliskości względem przynajmniej jednej z elektrod, anody (25) lub katody ( 5).
6. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że przynajmniej w części okresu pracy w trybie oczyszczania, zarówno anodę (25) jak i katodę (5) polaryzuje się ujemnie względem uziemienia (59), a zewnętrzną ściankę (50) w pobliżu anody (25) i/lub katody (5) utrzymuje się na potencjale ziemi.
7. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że gaz do jonizacji zawiera tlen.
8. Źródło jonów, zawierające anodę i katodę z utworzoną w niej szczeliną do emisji jonów, przy czym anoda i katoda są dołączone do elektrycznego źródła zasilania, znamienne tym, że źródło jonów jest zaopatrzone w źródło zasilania napięcia ujemnego (57) do którego dołączona jest anoda (25) i katoda (5) w przynajmniej końcowej części okresu pracy w trybie oczyszczania z niepożądanych osadzonych narostów, przez skierowane na anodę i/lub katodę jonów gazu do jonizacji.
9. Źródło jonów według zastrz. 8, znamienne tym, że anoda (25) i katoda (5) są dołączone do zespołu źródeł zasilania (55, 57) napięcia dodatniego i napięcia ujemnego poprzez zespół przełączników (70, 80) tak że anoda (25) względem katody (5) jest spolaryzowana dodatnio podczas pracy źródła jonów w trybie osadzania warstw na podłożu, a podczas przynajmniej części okresu pracy w trybie oczyszczania anoda (25) i katoda (5) są spolaryzowane ujemnie w tym samym stopniu względem ziemi.
10. Źródło jonów według zastrz. 8, znamienne tym, że anoda (25) otacza przynajmniej część magnesu (23), który rozmieszczony jest wzdłuż środkowej osi anody (25).
11. Źródło jonów według zastrz. 8, znamienne tym, że przynajmniej jedna z elektrod, anoda (25) lub katoda (5) przynajmniej częściowo jest otoczona przez przewodzącą ściankę (50) uziemioną podczas trybu oczyszczania źródła jonów.
PL375865A 2002-10-21 2003-10-20 Sposób oczyszczania zródla jonów i zródlo jonów do stosowania tego sposobu PL214874B1 (pl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41951902P 2002-10-21 2002-10-21
US10/419,990 US6812648B2 (en) 2002-10-21 2003-04-22 Method of cleaning ion source, and corresponding apparatus/system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL375865A1 PL375865A1 (pl) 2005-12-12
PL214874B1 true PL214874B1 (pl) 2013-09-30

Family

ID=32096302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL375865A PL214874B1 (pl) 2002-10-21 2003-10-20 Sposób oczyszczania zródla jonów i zródlo jonów do stosowania tego sposobu

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6812648B2 (pl)
EP (1) EP1556879A2 (pl)
AU (1) AU2003277443A1 (pl)
CA (1) CA2499235C (pl)
PL (1) PL214874B1 (pl)
WO (1) WO2004038754A2 (pl)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006521462A (ja) * 2002-12-18 2006-09-21 日本板硝子株式会社 プラズマ増強膜堆積
US6903511B2 (en) * 2003-05-06 2005-06-07 Zond, Inc. Generation of uniformly-distributed plasma
US7030390B2 (en) * 2003-09-09 2006-04-18 Guardian Industries Corp. Ion source with electrode kept at potential(s) other than ground by zener diode(s), thyristor(s) and/or the like
US7819981B2 (en) * 2004-10-26 2010-10-26 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for cleaning ion implanter components
US7183559B2 (en) * 2004-11-12 2007-02-27 Guardian Industries Corp. Ion source with substantially planar design
US20060210783A1 (en) * 2005-03-18 2006-09-21 Seder Thomas A Coated article with anti-reflective coating and method of making same
US7405411B2 (en) * 2005-05-06 2008-07-29 Guardian Industries Corp. Ion source with multi-piece outer cathode
US20070137063A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Carbon beam deposition chamber for reduced defects
CN101473073B (zh) * 2006-04-26 2012-08-08 高级技术材料公司 半导体加工系统的清洁
FR2902029B1 (fr) * 2006-06-13 2009-01-23 Centre Nat Rech Scient Dispositif et procede de nettoyage d'un reacteur par plasma
US7872422B2 (en) * 2006-07-18 2011-01-18 Guardian Industries Corp. Ion source with recess in electrode
US20080073557A1 (en) * 2006-07-26 2008-03-27 John German Methods and apparatuses for directing an ion beam source
US7488951B2 (en) * 2006-08-24 2009-02-10 Guardian Industries Corp. Ion source including magnet and magnet yoke assembly
US7598500B2 (en) * 2006-09-19 2009-10-06 Guardian Industries Corp. Ion source and metals used in making components thereof and method of making same
US20080142039A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Advanced Technology Materials, Inc. Removal of nitride deposits
TWI573179B (zh) 2008-02-11 2017-03-01 先進科技材料公司 在半導體處理系統中離子源之清洗
US7888662B2 (en) * 2008-06-20 2011-02-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion source cleaning method and apparatus
CN102308358B (zh) * 2008-12-08 2015-01-07 通用等离子公司 具有自清洁阳极的闭合漂移磁场离子源装置及基材改性修改方法
US8968535B2 (en) * 2009-12-14 2015-03-03 Spp Process Technology Systems Uk Limited Ion beam source
US8575565B2 (en) 2011-10-10 2013-11-05 Guardian Industries Corp. Ion source apparatus and methods of using the same
US8497155B1 (en) 2012-06-05 2013-07-30 Guardian Industries Corp. Planarized TCO-based anode for OLED devices, and/or methods of making the same
US9530615B2 (en) 2012-08-07 2016-12-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for improving the performance and extending the lifetime of an ion source
US9593019B2 (en) 2013-03-15 2017-03-14 Guardian Industries Corp. Methods for low-temperature graphene precipitation onto glass, and associated articles/devices
US9711316B2 (en) * 2013-10-10 2017-07-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method of cleaning an extraction electrode assembly using pulsed biasing
US9812305B2 (en) 2015-04-27 2017-11-07 Advanced Energy Industries, Inc. Rate enhanced pulsed DC sputtering system
US11049702B2 (en) 2015-04-27 2021-06-29 Advanced Energy Industries, Inc. Rate enhanced pulsed DC sputtering system
US10373811B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Aes Global Holdings, Pte. Ltd Systems and methods for single magnetron sputtering
KR101698717B1 (ko) * 2016-02-17 2017-01-20 한국기계연구원 대상물 가공 장치
WO2017196622A2 (en) 2016-05-11 2017-11-16 Veeco Instruments Inc. Ion beam materials processing system with grid short clearing system for gridded ion beam source
SG10201705059TA (en) 2016-06-24 2018-01-30 Veeco Instr Inc Enhanced cathodic arc source for arc plasma deposition
WO2019200312A1 (en) 2018-04-13 2019-10-17 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition apparatus with multi-zone injector block
DE102020114162B3 (de) 2020-05-27 2021-07-22 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Ionenquelle und Verfahren

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2672560A (en) 1952-10-27 1954-03-16 Cons Eng Corp Ion source
US3984692A (en) 1972-01-04 1976-10-05 Arsenault Guy P Ionization apparatus and method for mass spectrometry
US4122347A (en) * 1977-03-21 1978-10-24 Georgy Alexandrovich Kovalsky Ion source
AU534599B2 (en) 1978-08-25 1984-02-09 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Cold cathode ion soirce
US4361472A (en) * 1980-09-15 1982-11-30 Vac-Tec Systems, Inc. Sputtering method and apparatus utilizing improved ion source
US4434038A (en) * 1980-09-15 1984-02-28 Vac-Tec Systems, Inc. Sputtering method and apparatus utilizing improved ion source
US4344019A (en) * 1980-11-10 1982-08-10 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Penning discharge ion source with self-cleaning aperture
US4401539A (en) 1981-01-30 1983-08-30 Hitachi, Ltd. Sputtering cathode structure for sputtering apparatuses, method of controlling magnetic flux generated by said sputtering cathode structure, and method of forming films by use of said sputtering cathode structure
ATE47504T1 (de) 1983-12-05 1989-11-15 Leybold Ag Magnetronkatode zum zerstaeuben ferromagnetischer targets.
US4710283A (en) 1984-01-30 1987-12-01 Denton Vacuum Inc. Cold cathode ion beam source
US4595482A (en) 1984-05-17 1986-06-17 Varian Associates, Inc. Apparatus for and the method of controlling magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges
US4865712A (en) 1984-05-17 1989-09-12 Varian Associates, Inc. Apparatus for manufacturing planarized aluminum films
US4606806A (en) 1984-05-17 1986-08-19 Varian Associates, Inc. Magnetron sputter device having planar and curved targets
US4661228A (en) 1984-05-17 1987-04-28 Varian Associates, Inc. Apparatus and method for manufacturing planarized aluminum films
US4569746A (en) 1984-05-17 1986-02-11 Varian Associates, Inc. Magnetron sputter device using the same pole piece for coupling separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges
US4657654A (en) 1984-05-17 1987-04-14 Varian Associates, Inc. Targets for magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges
US4652795A (en) 1985-03-14 1987-03-24 Denton Vacuum Inc. External plasma gun
KR900004861B1 (ko) 1985-05-20 1990-07-08 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 흐름방향제어장치
US4865710A (en) 1988-03-31 1989-09-12 Wisconsin Alumni Research Foundation Magnetron with flux switching cathode and method of operation
DE68919671T2 (de) 1989-01-24 1995-04-06 Braink Ag Universelle Kaltkathoden-Ionenerzeugungs- und -beschleunigungsvorrichtung.
JPH02243761A (ja) 1989-03-15 1990-09-27 Ulvac Corp マグネトロンスパッタリング源用電磁石の制御方法
US4957605A (en) 1989-04-17 1990-09-18 Materials Research Corporation Method and apparatus for sputter coating stepped wafers
US5407551A (en) 1993-07-13 1995-04-18 The Boc Group, Inc. Planar magnetron sputtering apparatus
US5415754A (en) 1993-10-22 1995-05-16 Sierra Applied Sciences, Inc. Method and apparatus for sputtering magnetic target materials
US5508368A (en) 1994-03-03 1996-04-16 Diamonex, Incorporated Ion beam process for deposition of highly abrasion-resistant coatings
US5888593A (en) 1994-03-03 1999-03-30 Monsanto Company Ion beam process for deposition of highly wear-resistant optical coatings
US5656819A (en) 1994-11-16 1997-08-12 Sandia Corporation Pulsed ion beam source
JP3655334B2 (ja) 1994-12-26 2005-06-02 松下電器産業株式会社 マグネトロンスパッタリング装置
US5736019A (en) 1996-03-07 1998-04-07 Bernick; Mark A. Sputtering cathode
US5889371A (en) 1996-05-10 1999-03-30 Denton Vacuum Inc. Ion source with pole rings having differing inner diameters
RU2114210C1 (ru) 1997-05-30 1998-06-27 Валерий Павлович Гончаренко Способ формирования углеродного алмазоподобного покрытия в вакууме
US5973447A (en) 1997-07-25 1999-10-26 Monsanto Company Gridless ion source for the vacuum processing of materials
US6002208A (en) 1998-07-02 1999-12-14 Advanced Ion Technology, Inc. Universal cold-cathode type ion source with closed-loop electron drifting and adjustable ion-emitting slit
US6147354A (en) 1998-07-02 2000-11-14 Maishev; Yuri Universal cold-cathode type ion source with closed-loop electron drifting and adjustable ionization gap
US6153067A (en) 1998-12-30 2000-11-28 Advanced Ion Technology, Inc. Method for combined treatment of an object with an ion beam and a magnetron plasma with a combined magnetron-plasma and ion-beam source
US6037717A (en) 1999-01-04 2000-03-14 Advanced Ion Technology, Inc. Cold-cathode ion source with a controlled position of ion beam
US6238526B1 (en) 1999-02-14 2001-05-29 Advanced Ion Technology, Inc. Ion-beam source with channeling sputterable targets and a method for channeled sputtering
US6246059B1 (en) 1999-03-06 2001-06-12 Advanced Ion Technology, Inc. Ion-beam source with virtual anode
US6451389B1 (en) 1999-04-17 2002-09-17 Advanced Energy Industries, Inc. Method for deposition of diamond like carbon
US6338901B1 (en) 1999-05-03 2002-01-15 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
WO2001009918A1 (en) 1999-08-02 2001-02-08 Advanced Energy Industries, Inc. Enhanced electron emissive surfaces for a thin film deposition system using ion sources
US6359388B1 (en) 2000-08-28 2002-03-19 Guardian Industries Corp. Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003277443A1 (en) 2004-05-13
US20040075060A1 (en) 2004-04-22
WO2004038754A3 (en) 2004-12-09
CA2499235A1 (en) 2004-05-06
WO2004038754A2 (en) 2004-05-06
CA2499235C (en) 2009-01-27
EP1556879A2 (en) 2005-07-27
AU2003277443A8 (en) 2004-05-13
PL375865A1 (pl) 2005-12-12
US6812648B2 (en) 2004-11-02
WO2004038754A8 (en) 2005-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6812648B2 (en) Method of cleaning ion source, and corresponding apparatus/system
US9136086B2 (en) Closed drift magnetic field ion source apparatus containing self-cleaning anode and a process for substrate modification therewith
US7411352B2 (en) Dual plasma beam sources and method
US7327089B2 (en) Beam plasma source
JP3912993B2 (ja) 中性粒子ビーム処理装置
JP2009530775A (ja) ミラーマグネトロンプラズマ源
US20030094366A1 (en) Plasma processing apparatus with real-time particle filter
US6987364B2 (en) Floating mode ion source
JP2002537488A (ja) プラズマ蒸着法並びに磁気バケットおよび同心プラズマおよび材料源を備える装置
WO2002019366A2 (en) Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow
US7030390B2 (en) Ion source with electrode kept at potential(s) other than ground by zener diode(s), thyristor(s) and/or the like
US20150318151A1 (en) Plasma source
CN101528369B (zh) 用于制造净化基体或进一步处理的清洁基体的方法和装置
JP4042817B2 (ja) 中性粒子ビーム処理装置
WO2014105819A1 (en) Plasma enhanced chemical vapor deposition (pecvd) source
JP2017002340A (ja) Dlc膜コーティング装置及びdlc膜コーティング装置を用いて被覆対象物を被覆する方法
CN104718598B (zh) 等离子体源
KR100273326B1 (ko) 고주파 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막형성방법
WO2002078040A2 (en) Neutral particle beam processing apparatus
KR20170139759A (ko) 균일한 가스 분배를 위한 가스 분배 플레이트를 포함하는 플라즈마 챔버
JP2012084624A (ja) プラズマ発生装置
JPH09259781A (ja) イオン源装置
Hammadi Spatial Profiling of Glow Discharge Plasma by Dual Magnetron Configuration
KR20240178981A (ko) 이온빔 소스를 이용한 피처리물 대전 중화 장치
JPH05144774A (ja) プラズマ処理装置