PL218101B1 - Głowica pomiarowa - Google Patents
Głowica pomiarowaInfo
- Publication number
- PL218101B1 PL218101B1 PL391026A PL39102610A PL218101B1 PL 218101 B1 PL218101 B1 PL 218101B1 PL 391026 A PL391026 A PL 391026A PL 39102610 A PL39102610 A PL 39102610A PL 218101 B1 PL218101 B1 PL 218101B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- head
- measuring
- sample
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest głowica pomiarowa przeznaczona do pomiarów charakterystyk spektralnych fotowoltaicznego efektu powierzchniowego, a w szczególności do określania długości drogi dyfuzji nośników ładunku w monokrystalicznych i multikrystalicznych płytkach krzemowych oraz w warstwach epitaksjalnych lub dyfuzyjnych oraz charakteryzacji struktur kwantowych z tego efektu.
Pomiary oparte na wykorzystaniu powierzchniowego efektu fotowoltaicznego są nieniszczące, nie wymagają specjalistycznych technik przygotowania kontaktów i znajdują szerokie zastosowanie do charakteryzacji materiałów półprzewodnikowych i struktur.
W znanych sposobach pomiarów próbka badanego materiału oświetlana jest modulowanym, przerywanym strumieniem promieniowania o energii większej niż energia przerwy zabronionej półprzewodnika. Pary elektron-dziura generowane tym promieniowaniem są separowane przez pole elektryczne zubożonego powierzchniowego obszaru wytwarzając powierzchniowe napięcie elektryczne. Sygnał napięciowy przekazywany jest pojemnościowo do woltomierza fotoczułego i do wzmacniacza. Natężenie strumienia promieniowania padającego na próbkę jest odpowiednio regulowane. Natężenie to powinno być takie aby zapewnić stałą wartość fotowoltaicznego napięcia powierzchniowego SPV dla promieniowania o zmieniającej się długości fali. Wartości zmierzonego natężenia promieniowania padające na próbkę dla kolejnych długości fal rejestrowane są przy zachowaniu warunku SPV = constans i wykreślone w skali odwrotności współczynnika absorpcji. Następnie wartości te aproksymowane do zerowego natężenia odcinają na osi odwrotności współczynnika absorpcji wartość długości drogi dyfuzji w mierzonej próbce.
Istotnym elementem układu pomiarowego realizującego taki sposób pomiaru jest głowica pomiarowa. Znana głowica pomiarowa posiada pojemnościowe elektrody pomiarowe, sprzęgające próbkę z układem pomiarowym i umożliwiające jednocześnie oświetlenie próbki promieniowaniem w zakresie pomiarowym od około 0,4 gm do 1,1 gm.
W znanym układzie pomiarowym przeznaczona do pomiaru próbka umieszczana jest w kasecie zrealizowanej w formie płaskiego pudełka o kształcie walca wykonanego z materiału izolacyjnego. Na dnie kasety znajduje się elektroda metalowa w formie krążka stanowiąca jedną z okładek kondensatora. Elektroda ta pokryta jest warstewką indu i na niej umieszcza się próbkę. Na próbkę nakłada się następnie dielektryczną nakrywkę, wykonaną np. z cienkiej miki (50 gm) a na nią elektrodę metaliczną stanowiącą drugą elektrodę kondensatora. Ta cienka warstwa metaliczna elektrody jest przezroczysta dla promieniowania w wymaganym zakresie i wytworzona jest na płytce szklanej jako lita warstwa lub w postaci siatki. Kaseta z tak ułożonym „stosem pomiarowym dociskana jest od góry pierścieniem pomocniczym i skręcona za pomocą śrub. Przewód pomiarowy odchodzący od górnej elektrody doklejony jest do metalicznej warstwy (warstwy indu) i odprowadzony na bok kasety, podobnie jak i przewód pomiarowy odchodzący od dolnej elektrody.
Wadą tej konstrukcji jest duża ilość elementów ruchomych głowicy utrudniająca właściwe umiejscowienie mierzonej próbki oraz niewielka powtarzalność pomiarów spowodowana niekontrolowanym dociskiem próbki do elektrod z narażeniem jej na uszkodzenie. Ponadto asymetryczne wyprowadzanie przewodów pomiarowych, wymusza skomplikowaną konstrukcję ekranowania i montażu głowicy.
Celem wynalazku jest opracowanie takiej konstrukcji głowicy, która zapewni stałą wartość docisku próbki do elektrod pomiarowych, łatwy i szybki montaż głowicy z przeznaczoną do pomiaru płytką oraz dobre ekranowanie i wygodny w eksploatacji sposób poprowadzenia przewodów pomiarowych.
W głowicy według wynalazku przeznaczoną do mierzenia próbkę/płytkę umieszcza się pomiędzy górną i dolną elektrodą pomiarową. Głowica ta jest dwuczęściowa , dolną część głowicy tworzy podstawa zaopatrzona w szpilki montażowe i w elektrodę dociśniętą pierścieniem metalowym i pierścieniami izolacyjnymi. Elektroda jest trójwarstwowa, pierwszą warstwą jest przezroczyste podłoże, drugą warstwą jest przezroczysta warstwa metaliczna a trzecią warstwą jest warstwa dielektryczna. Korzystnie jest jeżeli elektroda ma szklane podłoże, na którym jest warstwa metaliczna dwutlenku cyny domieszkowanego indem lub warstwa tlenku tytanu i jeżeli warstwą dielektryczną jest tlenek krzemu, azotek krzemu lub tlenek hafnu. Górną część głowicy tworzy nakładka z tuleją izolacyjną mocującą centralny docisk sprężynujący i pokrywka mocująca gniazdo pomiarowe.
Opracowana konstrukcja zapewnia pełne ekranowanie próbki i upraszcza jej wymianę przez zmniejszenie części ruchomych.
PL 218 101 B1
Głowica według wynalazku zostanie bliżej objaśniona na przykładzie wykonania pokazanym na rysunku. Fig. 1 rysunku pokazuje przekrój głowicy w płaszczyźnie poziomej, Fig. 2 - widok głowicy z góry, a Fig. 3 - przekrój głowicy w płaszczyźnie pionowej.
Głowica składa się z części dolnej oraz z części górnej. Część dolna ma podstawę 1 zaopatrzoną w szpilki 8, w elektrodę 10, dociśniętą pierścieniem metalowym 3 i pierścieniami izolacyjnymi 2 i 4. Elektroda 10 ma charakter zespolony a tworzy ją szklane podłoże na którym osadzona jest przezroczysta elektroda metalowa wykonana z dwutlenku cyny domieszkowanego indem (ale może być z tlenku tytanu) oraz warstwa dielektryczna w postaci tlenku krzemu, (azotku krzemu lub tlenku hafnu) a złocone kontakty sprężyste 11 poprzez pierścień 3 łączą ją z gniazdem pomiarowym 14. Pierścień metalowy 3 wyprowadza przezroczystą, dolną elektrodę 10 poprzez kontakty 11 na obudowę gniazda pomiarowego 14. Górna część głowicy złożona jest z nakładki 5, tulei izolacyjnej 6 mocującej centralny docisk sprężynujący 15 oraz z mocującej gniazdo pomiarowe 14 pokrywki 7 skręconej z nakładką 5 wkrętami 12. Część górną i dolną łączy się za pomocą szpilek 8 i nakrętek 9 po umieszczeniu przeznaczonej do pomiaru próbki na dolnej elektrodzie 10.
Górną elektrodę tworzy górna powierzchnia mierzonej próbki, na której znajduje się warstwa tworząca kontakt omowy i która jest połączona za pomocą sprężynującego złoconego centralnego docisku 15 i przewodu z wewnętrzną częścią gniazda pomiarowego 14.
Claims (4)
1. Głowica pomiarowa do pomiarów fotowoltaicznego efektu powierzchniowego, w której przeznaczoną do mierzenia próbkę umieszcza się pomiędzy górną i dolną elektrodą pomiarową, znamienna tym, że jest dwuczęściowa, a dolną część głowicy tworzy podstawa (1) zaopatrzona w szpilki (8) i w elektrodę (10) dociśniętą pierścieniem metalowym (3) i pierścieniami izolacyjnymi (2) i (4), przy czym elektroda (10) jest trójwarstwowa, a pierwszą warstwą jest przezroczyste podłoże, drugą warstwą jest przezroczysta warstwa metaliczna a trzecią warstwą jest warstwa dielektryczna, natomiast górną część głowicy tworzy nakładka (5) z tuleją izolacyjną (6) mocującą centralny docisk sprężynujący (15) i pokrywka (7) mocująca gniazdo pomiarowe (14).
2. Głowica według zastrz. 1, znamienna tym, że elektroda (10) ma szklane podłoże.
3. Głowica według zastrz. 1 lub 2, znamienna tym, że warstwa metaliczna elektrody (10) jest warstwą dwutlenku cyny domieszkowanego indem, lub warstwą tlenku tytanu.
4. Głowica według zastrz. 1 lub 2, znamienna tym, że warstwą dielektryczną elektrody (10) jest warstwa tlenku krzemu, azotku krzemu lub tlenku hafnu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL391026A PL218101B1 (pl) | 2010-04-20 | 2010-04-20 | Głowica pomiarowa |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL391026A PL218101B1 (pl) | 2010-04-20 | 2010-04-20 | Głowica pomiarowa |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL391026A1 PL391026A1 (pl) | 2011-10-24 |
| PL218101B1 true PL218101B1 (pl) | 2014-10-31 |
Family
ID=44838453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL391026A PL218101B1 (pl) | 2010-04-20 | 2010-04-20 | Głowica pomiarowa |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL218101B1 (pl) |
-
2010
- 2010-04-20 PL PL391026A patent/PL218101B1/pl not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL391026A1 (pl) | 2011-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Osterwald et al. | The world photovoltaic scale: an international reference cell calibration program | |
| Datta et al. | Electroreflectance and surface photovoltage spectroscopies of semiconductor structures using an indium–tin–oxide-coated glass electrode in soft contact mode | |
| CN103439537A (zh) | 无损式太阳电池电流-电压测试系统样品夹具 | |
| US20150219773A1 (en) | High purity germanium detector | |
| CN105044584B (zh) | 一种用于检测半导体器件的电荷及电场响应的系统 | |
| CN105637624A (zh) | 用于非接触式测量p-n结的正向电压、饱和电流密度、理想因子及电流-电压曲线的方法及设备 | |
| US20210028076A1 (en) | Solar cell and photovoltaic module | |
| US6917209B2 (en) | Non- contacting capacitive diagnostic device | |
| JP6042761B2 (ja) | プローブ装置 | |
| WO2015058130A2 (en) | Method and apparatus for non-contact measurement of sheet resistance and shunt resistance of p-n junctions | |
| Adamo et al. | Signal to Noise Ratio of silicon photomultipliers measured in the continuous wave regime | |
| PL218101B1 (pl) | Głowica pomiarowa | |
| Hu et al. | Silicon Nanomembrane Miniaturized Spectrometer with Wedge‐Shaped Structures via CMOS‐Compatible Fabrication | |
| JP4124622B2 (ja) | プローバのチャック機構 | |
| CN110231525A (zh) | 一种适用于铁电光伏材料的测量系统 | |
| EP0325453B1 (en) | Noninvasive method for characterization of semiconductors | |
| KR101426913B1 (ko) | 배터리 셀전압 센서 | |
| KR101324430B1 (ko) | 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 장치 및 방법 | |
| JPS63248141A (ja) | 光半導体特性測定装置 | |
| KR101447919B1 (ko) | 테스트 셀이 구비된 태양전지모듈, 이를 이용한 태양전지모듈 테스트 장치 및 테스트 방법 | |
| US20150060642A1 (en) | Photovoltaic sensor arrays | |
| KR20110077863A (ko) | 솔라셀 결함 측정용 지그 | |
| RU190137U1 (ru) | Комплекс для измерений влияния света на спектры времен электрической дипольной релаксации в полупроводниках | |
| Warrier et al. | Photothermal Beam Deflection Technique for Nondestructive Evaluation of Thin Film Photovoltaic Cells | |
| JPH0117251B2 (pl) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20130420 |