PL218101B1 - Głowica pomiarowa - Google Patents

Głowica pomiarowa

Info

Publication number
PL218101B1
PL218101B1 PL391026A PL39102610A PL218101B1 PL 218101 B1 PL218101 B1 PL 218101B1 PL 391026 A PL391026 A PL 391026A PL 39102610 A PL39102610 A PL 39102610A PL 218101 B1 PL218101 B1 PL 218101B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
electrode
head
measuring
sample
Prior art date
Application number
PL391026A
Other languages
English (en)
Other versions
PL391026A1 (pl
Inventor
Tadeusz Piotrowski
Marek Niemiec
Original Assignee
Inst Tech Elektronowej
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Tech Elektronowej filed Critical Inst Tech Elektronowej
Priority to PL391026A priority Critical patent/PL218101B1/pl
Publication of PL391026A1 publication Critical patent/PL391026A1/pl
Publication of PL218101B1 publication Critical patent/PL218101B1/pl

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest głowica pomiarowa przeznaczona do pomiarów charakterystyk spektralnych fotowoltaicznego efektu powierzchniowego, a w szczególności do określania długości drogi dyfuzji nośników ładunku w monokrystalicznych i multikrystalicznych płytkach krzemowych oraz w warstwach epitaksjalnych lub dyfuzyjnych oraz charakteryzacji struktur kwantowych z tego efektu.
Pomiary oparte na wykorzystaniu powierzchniowego efektu fotowoltaicznego są nieniszczące, nie wymagają specjalistycznych technik przygotowania kontaktów i znajdują szerokie zastosowanie do charakteryzacji materiałów półprzewodnikowych i struktur.
W znanych sposobach pomiarów próbka badanego materiału oświetlana jest modulowanym, przerywanym strumieniem promieniowania o energii większej niż energia przerwy zabronionej półprzewodnika. Pary elektron-dziura generowane tym promieniowaniem są separowane przez pole elektryczne zubożonego powierzchniowego obszaru wytwarzając powierzchniowe napięcie elektryczne. Sygnał napięciowy przekazywany jest pojemnościowo do woltomierza fotoczułego i do wzmacniacza. Natężenie strumienia promieniowania padającego na próbkę jest odpowiednio regulowane. Natężenie to powinno być takie aby zapewnić stałą wartość fotowoltaicznego napięcia powierzchniowego SPV dla promieniowania o zmieniającej się długości fali. Wartości zmierzonego natężenia promieniowania padające na próbkę dla kolejnych długości fal rejestrowane są przy zachowaniu warunku SPV = constans i wykreślone w skali odwrotności współczynnika absorpcji. Następnie wartości te aproksymowane do zerowego natężenia odcinają na osi odwrotności współczynnika absorpcji wartość długości drogi dyfuzji w mierzonej próbce.
Istotnym elementem układu pomiarowego realizującego taki sposób pomiaru jest głowica pomiarowa. Znana głowica pomiarowa posiada pojemnościowe elektrody pomiarowe, sprzęgające próbkę z układem pomiarowym i umożliwiające jednocześnie oświetlenie próbki promieniowaniem w zakresie pomiarowym od około 0,4 gm do 1,1 gm.
W znanym układzie pomiarowym przeznaczona do pomiaru próbka umieszczana jest w kasecie zrealizowanej w formie płaskiego pudełka o kształcie walca wykonanego z materiału izolacyjnego. Na dnie kasety znajduje się elektroda metalowa w formie krążka stanowiąca jedną z okładek kondensatora. Elektroda ta pokryta jest warstewką indu i na niej umieszcza się próbkę. Na próbkę nakłada się następnie dielektryczną nakrywkę, wykonaną np. z cienkiej miki (50 gm) a na nią elektrodę metaliczną stanowiącą drugą elektrodę kondensatora. Ta cienka warstwa metaliczna elektrody jest przezroczysta dla promieniowania w wymaganym zakresie i wytworzona jest na płytce szklanej jako lita warstwa lub w postaci siatki. Kaseta z tak ułożonym „stosem pomiarowym dociskana jest od góry pierścieniem pomocniczym i skręcona za pomocą śrub. Przewód pomiarowy odchodzący od górnej elektrody doklejony jest do metalicznej warstwy (warstwy indu) i odprowadzony na bok kasety, podobnie jak i przewód pomiarowy odchodzący od dolnej elektrody.
Wadą tej konstrukcji jest duża ilość elementów ruchomych głowicy utrudniająca właściwe umiejscowienie mierzonej próbki oraz niewielka powtarzalność pomiarów spowodowana niekontrolowanym dociskiem próbki do elektrod z narażeniem jej na uszkodzenie. Ponadto asymetryczne wyprowadzanie przewodów pomiarowych, wymusza skomplikowaną konstrukcję ekranowania i montażu głowicy.
Celem wynalazku jest opracowanie takiej konstrukcji głowicy, która zapewni stałą wartość docisku próbki do elektrod pomiarowych, łatwy i szybki montaż głowicy z przeznaczoną do pomiaru płytką oraz dobre ekranowanie i wygodny w eksploatacji sposób poprowadzenia przewodów pomiarowych.
W głowicy według wynalazku przeznaczoną do mierzenia próbkę/płytkę umieszcza się pomiędzy górną i dolną elektrodą pomiarową. Głowica ta jest dwuczęściowa , dolną część głowicy tworzy podstawa zaopatrzona w szpilki montażowe i w elektrodę dociśniętą pierścieniem metalowym i pierścieniami izolacyjnymi. Elektroda jest trójwarstwowa, pierwszą warstwą jest przezroczyste podłoże, drugą warstwą jest przezroczysta warstwa metaliczna a trzecią warstwą jest warstwa dielektryczna. Korzystnie jest jeżeli elektroda ma szklane podłoże, na którym jest warstwa metaliczna dwutlenku cyny domieszkowanego indem lub warstwa tlenku tytanu i jeżeli warstwą dielektryczną jest tlenek krzemu, azotek krzemu lub tlenek hafnu. Górną część głowicy tworzy nakładka z tuleją izolacyjną mocującą centralny docisk sprężynujący i pokrywka mocująca gniazdo pomiarowe.
Opracowana konstrukcja zapewnia pełne ekranowanie próbki i upraszcza jej wymianę przez zmniejszenie części ruchomych.
PL 218 101 B1
Głowica według wynalazku zostanie bliżej objaśniona na przykładzie wykonania pokazanym na rysunku. Fig. 1 rysunku pokazuje przekrój głowicy w płaszczyźnie poziomej, Fig. 2 - widok głowicy z góry, a Fig. 3 - przekrój głowicy w płaszczyźnie pionowej.
Głowica składa się z części dolnej oraz z części górnej. Część dolna ma podstawę 1 zaopatrzoną w szpilki 8, w elektrodę 10, dociśniętą pierścieniem metalowym 3 i pierścieniami izolacyjnymi 2 i 4. Elektroda 10 ma charakter zespolony a tworzy ją szklane podłoże na którym osadzona jest przezroczysta elektroda metalowa wykonana z dwutlenku cyny domieszkowanego indem (ale może być z tlenku tytanu) oraz warstwa dielektryczna w postaci tlenku krzemu, (azotku krzemu lub tlenku hafnu) a złocone kontakty sprężyste 11 poprzez pierścień 3 łączą ją z gniazdem pomiarowym 14. Pierścień metalowy 3 wyprowadza przezroczystą, dolną elektrodę 10 poprzez kontakty 11 na obudowę gniazda pomiarowego 14. Górna część głowicy złożona jest z nakładki 5, tulei izolacyjnej 6 mocującej centralny docisk sprężynujący 15 oraz z mocującej gniazdo pomiarowe 14 pokrywki 7 skręconej z nakładką 5 wkrętami 12. Część górną i dolną łączy się za pomocą szpilek 8 i nakrętek 9 po umieszczeniu przeznaczonej do pomiaru próbki na dolnej elektrodzie 10.
Górną elektrodę tworzy górna powierzchnia mierzonej próbki, na której znajduje się warstwa tworząca kontakt omowy i która jest połączona za pomocą sprężynującego złoconego centralnego docisku 15 i przewodu z wewnętrzną częścią gniazda pomiarowego 14.

Claims (4)

1. Głowica pomiarowa do pomiarów fotowoltaicznego efektu powierzchniowego, w której przeznaczoną do mierzenia próbkę umieszcza się pomiędzy górną i dolną elektrodą pomiarową, znamienna tym, że jest dwuczęściowa, a dolną część głowicy tworzy podstawa (1) zaopatrzona w szpilki (8) i w elektrodę (10) dociśniętą pierścieniem metalowym (3) i pierścieniami izolacyjnymi (2) i (4), przy czym elektroda (10) jest trójwarstwowa, a pierwszą warstwą jest przezroczyste podłoże, drugą warstwą jest przezroczysta warstwa metaliczna a trzecią warstwą jest warstwa dielektryczna, natomiast górną część głowicy tworzy nakładka (5) z tuleją izolacyjną (6) mocującą centralny docisk sprężynujący (15) i pokrywka (7) mocująca gniazdo pomiarowe (14).
2. Głowica według zastrz. 1, znamienna tym, że elektroda (10) ma szklane podłoże.
3. Głowica według zastrz. 1 lub 2, znamienna tym, że warstwa metaliczna elektrody (10) jest warstwą dwutlenku cyny domieszkowanego indem, lub warstwą tlenku tytanu.
4. Głowica według zastrz. 1 lub 2, znamienna tym, że warstwą dielektryczną elektrody (10) jest warstwa tlenku krzemu, azotku krzemu lub tlenku hafnu.
PL391026A 2010-04-20 2010-04-20 Głowica pomiarowa PL218101B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL391026A PL218101B1 (pl) 2010-04-20 2010-04-20 Głowica pomiarowa

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL391026A PL218101B1 (pl) 2010-04-20 2010-04-20 Głowica pomiarowa

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL391026A1 PL391026A1 (pl) 2011-10-24
PL218101B1 true PL218101B1 (pl) 2014-10-31

Family

ID=44838453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL391026A PL218101B1 (pl) 2010-04-20 2010-04-20 Głowica pomiarowa

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL218101B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL391026A1 (pl) 2011-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Osterwald et al. The world photovoltaic scale: an international reference cell calibration program
Datta et al. Electroreflectance and surface photovoltage spectroscopies of semiconductor structures using an indium–tin–oxide-coated glass electrode in soft contact mode
CN103439537A (zh) 无损式太阳电池电流-电压测试系统样品夹具
US20150219773A1 (en) High purity germanium detector
CN105044584B (zh) 一种用于检测半导体器件的电荷及电场响应的系统
CN105637624A (zh) 用于非接触式测量p-n结的正向电压、饱和电流密度、理想因子及电流-电压曲线的方法及设备
US20210028076A1 (en) Solar cell and photovoltaic module
US6917209B2 (en) Non- contacting capacitive diagnostic device
JP6042761B2 (ja) プローブ装置
WO2015058130A2 (en) Method and apparatus for non-contact measurement of sheet resistance and shunt resistance of p-n junctions
Adamo et al. Signal to Noise Ratio of silicon photomultipliers measured in the continuous wave regime
PL218101B1 (pl) Głowica pomiarowa
Hu et al. Silicon Nanomembrane Miniaturized Spectrometer with Wedge‐Shaped Structures via CMOS‐Compatible Fabrication
JP4124622B2 (ja) プローバのチャック機構
CN110231525A (zh) 一种适用于铁电光伏材料的测量系统
EP0325453B1 (en) Noninvasive method for characterization of semiconductors
KR101426913B1 (ko) 배터리 셀전압 센서
KR101324430B1 (ko) 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 장치 및 방법
JPS63248141A (ja) 光半導体特性測定装置
KR101447919B1 (ko) 테스트 셀이 구비된 태양전지모듈, 이를 이용한 태양전지모듈 테스트 장치 및 테스트 방법
US20150060642A1 (en) Photovoltaic sensor arrays
KR20110077863A (ko) 솔라셀 결함 측정용 지그
RU190137U1 (ru) Комплекс для измерений влияния света на спектры времен электрической дипольной релаксации в полупроводниках
Warrier et al. Photothermal Beam Deflection Technique for Nondestructive Evaluation of Thin Film Photovoltaic Cells
JPH0117251B2 (pl)

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Decisions on the lapse of the protection rights

Effective date: 20130420