PL226486B1 - Hydrothermal method for producing ZnO nanopillars - Google Patents
Hydrothermal method for producing ZnO nanopillarsInfo
- Publication number
- PL226486B1 PL226486B1 PL402753A PL40275313A PL226486B1 PL 226486 B1 PL226486 B1 PL 226486B1 PL 402753 A PL402753 A PL 402753A PL 40275313 A PL40275313 A PL 40275313A PL 226486 B1 PL226486 B1 PL 226486B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- zno
- growth
- substrate
- layer
- reaction mixture
- Prior art date
Links
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 title abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000002257 embryonic structure Anatomy 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical group [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N zafuleptine Chemical compound OC(=O)CCCCCC(C(C)C)NCC1=CC=C(F)C=C1 YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu, zawierającym warstwę zarodkującą wzrost. W sposobie tym, warstwą zarodkującą wzrost jest warstwa ZnO, którą osadza się na podłożu w co najmniej jednym cyklu metodą osadzania warstw atomowych (ALD). Następnie podłoże z taką warstwą umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o pH od 6,5 do 12, zawierającej co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku, temperaturę mieszaniny podnosi się powyżej 25°C, i przez co najmniej 1 sekundę prowadzi się wzrost nanosłupków ZnO.The subject of the invention is a hydrothermal method of producing ZnO nanopillars on a substrate containing a growth nucleating layer. In this method, the growth nucleating layer is a ZnO layer, which is deposited on the substrate in at least one cycle by the atomic layer deposition (ALD) method. Then, the substrate with such a layer is placed in a reaction mixture at a pH of 6.5 to 12, containing at least one oxygen precursor, and at least one zinc precursor, the temperature of the mixture is raised above 25°C, and the ZnO nanopillars are grown for at least 1 second.
Description
Opis wynalazkuDescription of the invention
Przedmiotem wynalazku jest hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków tlenku cynku na podłożach pokrytych warstwą ZnO zarodkującą wzrost. Podłoża zawierające takie nanosłupki (czy nanostruktury) przeznaczone są do zastosowania w czujnikach pomiaru stężeń gazów i cieczy, w ogniwach fotowoltaicznych a także w przyrządach emisyjnych.The subject of the invention is a hydrothermal method for the production of zinc oxide nanostructures on substrates covered with a ZnO layer nucleating growth. Substrates containing such nanograms (or nanostructures) are intended for use in sensors for measuring concentrations of gases and liquids, in photovoltaic cells as well as in emission devices.
W literaturze opisane są różne sposoby wytwarzania nanosłupków ZnO.Various methods of producing ZnO nanorods are described in the literature.
Na przykład w publikacji: E. Wolska, B. S. Witkowski, M. Godlewski, ZnO Nanopowders by a Microwave Hydrothermal Method - Influence of the Precursor Type on Grain Sizes, Acta Physica Polonica A, Vol. 119, No.5, 2011, opisany jest wzrost nanostruktur ZnO w postaci nanoproszków metodą hydrotermalną wspomaganą mikrofalowo. W opisanym sposobie, nanoproszki takie otrzymuje się z mieszaniny reakcyjnej, zawierającej rozpuszczalnik oraz prekursory tlenu i cynku. Mieszaninę taką umieszcza się w reaktorze a następnie w warunkach podwyższonego ciśnienia i przy podwyższonej temperaturze prowadzi się wzrost. Wzrost zachodzi w całej objętości, a wytworzone struktury (nanoproszki) nie są przymocowane do żadnego podłoża, co utrudnia ich praktyczne wykorzystanie.For example, in the publication: E. Wolska, BS Witkowski, M. Godlewski, ZnO Nanopowders by a Microwave Hydrothermal Method - Influence of the Precursor Type on Grain Sizes, Acta Physica Polonica A, Vol. 119, No. 5, 2011, describes growth of ZnO nanostructures in the form of nanopowders by microwave-assisted hydrothermal method. In the described process, such nanopowders are obtained from a reaction mixture containing a solvent and oxygen and zinc precursors. The mixture is placed in a reactor and then, under elevated pressure and temperature conditions, growth is carried out. Growth takes place in the entire volume, and the produced structures (nanopowders) are not attached to any substrate, which makes their practical use difficult.
Z publikacji: Sang-Woo Kim, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita, ZnO nanowires with high aspect ratios grown by metalorganic chemical vapor deposition using gold nanoparticles, Applied Physics LettersFrom: Sang-Woo Kim, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita, ZnO nanowires with high aspect ratios grown by metalorganic chemical vapor deposition using gold nanoparticles, Applied Physics Letters
86, 153119, 2005, znany jest sposób wytwarzania nanosłupków, w którym wzrost prowadzony jest metodą MOCVD (ang. Metal Organic Chemical Vapor Deposition). W sposobie tym, najpierw na krzemowe podłoże, metodą powlekania wirowego nanosi się z roztworu, nanocząstki złota. Nanocząstki złota stanowią katalizator dla wzrostu słupków ZnO zgodnie z mechanizmem wzrostu para - ciecz - ciało stałe (VLS) (ang. Vapour - Liquid - Solid). Następnie przy określonej szybkości przepływu gazów w komorze reakcyjnej, przy obniżonym ciśnieniu, w temperaturze ok. 550°C prowadzi się wzrost nanosłupków (nanocząstki złota płyną na froncie wzrostu).86, 153119, 2005, a method for producing nanosilts is known, in which the growth is carried out by the Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method. In this method, gold nanoparticles are first applied from a solution to a silicon substrate by spin coating. Gold nanoparticles catalyze the growth of ZnO columns according to the vapor - liquid - solid (VLS) growth mechanism (Vapor - Liquid - Solid). Then, at a specific gas flow rate in the reaction chamber, under reduced pressure, at a temperature of approx. 550 ° C, the growth of nanostructures is carried out (gold nanoparticles flow on the growth front).
Wytwarzanie nanosłupków metodą MOCVD wymaga dosyć złożonego układu, który zapewniałby precyzyjną kontrolę parametrów procesu.The production of nanograms by the MOCVD method requires quite a complex system that would ensure precise control of the process parameters.
W publikacji: Satoshi Yamabi and Hiroaki Imai, Growth conditions for wurtzite zinc oxide films in aqueous solutions, J. Mater. Chem., 2002, 12, 3773-3778 zawarty jest opis przygotowania warstwy zarodkującej do wzrostu nanosłupków ZnO na różnych podłożach poprzez przędzenie roztworu metoksyetanolu zawierającego dwuwodny octan cynku i monoetanoloaminę, a następnie wygrzewanie w temperaturze 60°C przez 24 godziny.In the publication: Satoshi Yamabi and Hiroaki Imai, Growth conditions for wurtzite zinc oxide in aqueous solutions, J. Mater. Chem., 2002, 12, 3773-3778 describes the preparation of a nucleating layer for the growth of ZnO nanobars on various substrates by spinning a methoxyethanol solution containing zinc acetate dihydrate and monoethanolamine, followed by heating at 60 ° C for 24 hours.
Z kolei z pracy: Ki-Woong Chae, Qifeng Zhang, Jeong Seog Kim, Yoon-Ha Jeong and Guozhong Cao, Low-temperature solution growth of ZnO nanotube arrays, Beilstein J. Nanotechnol. 2010, 1, 128-134 znany jest sposób wytwarzania nanosłupków, w którym najpierw na podłożu metodą osadzania elektroforetycznego wytwarza się zarodki ZnO a następnie podłoże z zarodkami wygrzewa się w temperaturze 500°C przez 30 minut. Po zakończeniu wygrzewania prowadzi się wzrost nanosłupków, który jest powolny i trwa zwykle od 10 do 20 godzin.In turn, from the work of: Ki-Woong Chae, Qifeng Zhang, Jeong Seog Kim, Yoon-Ha Jeong and Guozhong Cao, Low-temperature solution growth of ZnO nanotube arrays, Beilstein J. Nanotechnol. 2010, 1, 128-134, there is a known method for the production of nanograms, in which ZnO seeds are first produced on the substrate by electrophoretic deposition, and then the substrate with the seeds is heated at the temperature of 500 ° C for 30 minutes. Upon completion of the annealing, the growth of the nano-columns is slow, usually lasting 10 to 20 hours.
Z patentu PL 222 013 znany jest sposób, w którym podłoże, korzystnie z krzemu zawierające na powierzchni metaliczne kulki eutektyczne lub metaliczną warstwę zarodkującą wzrost umieszcza się w mieszaninie reakcyjnej o pH 6,5-12. Przy czym mieszanina ta zawiera rozpuszczalnik, co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku. Następnie temperaturę mieszaniny reakcyjnej podnosi się do temperatury 50-95°C i przez co najmniej 1 minutę, prowadzi się wzrost nanosłupków ZnO.The patent PL 222 013 discloses a method in which a substrate, preferably made of silicon, containing on the surface metallic eutectic spheres or a metallic layer nucleating growth, is placed in the reaction mixture with a pH of 6.5-12. The mixture comprises a solvent, at least one oxygen precursor, and at least one zinc precursor. Thereafter, the temperature of the reaction mixture is raised to 50-95 ° C and the ZnO nanograms are grown for at least 1 minute.
Korzystnie jest jeżeli prekursorem tlenu w mieszaninie reakcyjnej jest woda, a prekursorem cynku jest azotan cynku lub octan cynku.Preferably, the oxygen precursor in the reaction mixture is water and the zinc precursor is zinc nitrate or zinc acetate.
Wadą znanych sposobów są trudności w przygotowaniu podłoża zawierającego odpowiednie zarodki oraz bardzo wolny wzrost nanosłupków.The disadvantages of the known methods are the difficulties in preparing the medium containing the appropriate embryos and the very slow growth of the nanosilts.
Celem wynalazku jest opracowanie taniego, prostego i szybkiego sposobu wytwarzania nanosłupków ZnO na różnych podłożach. Sposobu, który gwarantowałby równomierne rozmieszczenie nanosłupków i charakteryzowałby się dużą powtarzalnością.The aim of the invention is to develop an inexpensive, simple and fast method of producing ZnO nanorods on various substrates. A method that would guarantee an even distribution of nanograms and would be characterized by high repeatability.
Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO według wynalazku polega na tym, że podłoże, zawierające warstwę zarodkującą wzrost umieszcza się w mieszaninie reakcyjnej o pH 6,5-12 zawierającej rozpuszczalnik, co najmniej jeden prekursor tlenu i co najmniej jeden prekursor cynku. Następnie temperaturę mieszaniny reakcyjnej podnosi się i prowadzi się wzrost nanosłupków.The inventive hydrothermal method for the production of ZnO nanograms consists in that a substrate containing a growth nucleating layer is placed in a reaction mixture having a pH of 6.5-12 containing a solvent, at least one oxygen precursor and at least one zinc precursor. Thereafter, the temperature of the reaction mixture is raised and the nanosylls are grown.
W sposobie tym, warstwę zarodkującą wytwarza się na podłożu, w co najmniej jednym cyklu procesu ALD, a wzrost nanosłupków ZnO prowadzi się przez 1-59 sek., w temperaturze 25-49°C.In this method, a nucleating layer is produced on the substrate in at least one cycle of the ALD process, and the growth of ZnO nanosylums is carried out for 1-59 sec. At a temperature of 25-49 ° C.
PL 226 486 B1PL 226 486 B1
Sposób wytwarzania nanosłupków według wynalazku jest prosty, nie wymaga stosowania skomplikowanej aparatury do kontroli przepływu gazów lub cieczy czy utrzymania wysokiej próżni.The method of producing nanograms according to the invention is simple, it does not require the use of complicated apparatus for controlling the flow of gases or liquids or maintaining a high vacuum.
Jest procesem bezpiecznym, bo wzrost odbywa się przy stosunkowo niskiej temperaturze (25-49°C) i może odbywać się przy ciśnieniu atmosferycznym. Przygotowanie mieszaniny reakcyjnej wymaga jedynie wymieszania prekursorów w wodzie lub w innym rozpuszczalniku. Proponowany sposób wykorzystuje mechanizm zarodkowania wzrostu nanosłupków w roztworze dzięki specyficznie osadzonej na podłożu warstwie ZnO. O ile znane jest wykorzystanie zarodków ZnO do wzrostu nanosłupków, to zarodki te nie były nigdy wytwarzane metodą ALD.It is a safe process because the growth takes place at a relatively low temperature (25-49 ° C) and can take place at atmospheric pressure. The preparation of the reaction mixture only requires mixing the precursors in water or another solvent. The proposed method uses the nucleation mechanism of the growth of nanosylls in the solution due to the ZnO layer specifically deposited on the substrate. As far as the use of ZnO seeds for the growth of nanosylums is known, these embryos have never been produced by the ALD method.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie wykonania nanosłupków ZnO na podłożu z krzemu.The invention will be explained in more detail on an embodiment of ZnO nanobars on a silicon substrate.
Przykładowy sposób składa się z dwóch etapów. Pierwszy etap polega na odpowiednim przygotowaniu podłoża. W przykładowym sposobie jako podłoża użyto płytki z krzemu o grubości 0,5 mm. Na powierzchni podłoża w procesie ALD została osadzona warstwa ZnO zarodkująca wzrost nanosłupków. Proces składał się z 5 cykli ALD i został przeprowadzony w temp. 100°C, jako prekursora tlenu użyto wody dejonizowanej, natomiast jako prekursora cynku użyto dietylocynku. W wyniku tak prowadzonego procesu, na powierzchni krzemowego podłożu zostaje wytworzona warstwa ZnO o charakterze wyspowym (niepełna).The example method consists of two steps. The first step is to properly prepare the substrate. In the exemplary method, a silicon plaque with a thickness of 0.5 mm was used as the substrate. In the ALD process, a ZnO layer was deposited on the surface of the substrate, nucleating the growth of nanosilts. The process consisted of 5 ALD cycles and was carried out at 100 ° C, deionized water was used as an oxygen precursor, while diethyl zinc was used as a zinc precursor. As a result of such a process, an island-like (incomplete) ZnO layer is formed on the surface of the silicon substrate.
W drugim etapie przygotowano mieszaninę reakcyjną o pH równym 8. W tym celu do naczynia wlano wodę dejonizowaną, która spełnia role rozpuszczalnika i prekursora tlenu, (ale może to być także rozpuszczalnik alkoholowy) i rozpuszczono w niej prekursor cynku, w postaci bezwodnego cynku. Odpowiednie pH mieszaniny uzyskuje sie po dokładnym wymieszaniu, poprzez strącanie wodorotlenku metalu, jakim jest wodorotlenk sodu (ale może to być także wodorotlenek potasu). W tak przygotowanej mieszaninie umieszczono wcześniej przygotowane podłoża z „wyspową” warstwą ZnO na powierzchni. Proces wzrostu nanostruktur prowadzono przez 50 sekund przy ciśnieniu atmosferycznym, w temperaturze ~40°C.In the second step, a reaction mixture with a pH of 8 was prepared. For this purpose, deionized water, which acts as a solvent and oxygen precursor (but it can also be an alcohol solvent), was poured into a vessel and the zinc precursor, in the form of anhydrous zinc, was dissolved therein. The correct pH of the mixture is obtained after thorough mixing by precipitation of the metal hydroxide, which is sodium hydroxide (but it can also be potassium hydroxide). In the mixture prepared in this way, the previously prepared substrates with an "island" layer of ZnO on the surface were placed. The process of nanostructure growth was carried out for 50 seconds at atmospheric pressure, at a temperature of ~ 40 ° C.
W wyniku tak prowadzonego procesu na powierzchni krzemowego podłoża otrzymano nanosłupki ZnO o wysokości ok. 1 nm w kształcie sześciokątnych graniastosłupów prawidłowych. Otrzymane nunosłupki związane są z podłożem, w związku z czym, mogą być wykorzystywane do praktycznych zastosowań typu sensorowego, fotowoltaicznego czy emisyjnego. Sposób według wynalazku nie wymaga stosowania wysokiej próżni, może być prowadzony na podłożach o dużych rozmiarach, jest szybki i prosty, przez co jest sposobem tanim, wydajnym i doskonale nadaje sie do przemysłowego stosowania.As a result of the process carried out in this way, ZnO nanobars with a height of approx. 1 nm were obtained on the surface of the silicon substrate in the shape of normal hexagonal prisms. The obtained nubs are connected with the ground, and therefore can be used for practical applications of the sensor, photovoltaic or emission type. The method according to the invention does not require the use of high vacuum, can be carried out on large-sized substrates, is quick and simple, which makes it a cheap, efficient and well-suited for industrial use.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL402753A PL226486B1 (en) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | Hydrothermal method for producing ZnO nanopillars |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL402753A PL226486B1 (en) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | Hydrothermal method for producing ZnO nanopillars |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL402753A1 PL402753A1 (en) | 2014-08-18 |
| PL226486B1 true PL226486B1 (en) | 2017-07-31 |
Family
ID=51302479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL402753A PL226486B1 (en) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | Hydrothermal method for producing ZnO nanopillars |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL226486B1 (en) |
-
2013
- 2013-02-13 PL PL402753A patent/PL226486B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL402753A1 (en) | 2014-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Poornajar et al. | Synthesis of ZnO nanorods via chemical bath deposition method: The effects of physicochemical factors | |
| US20190112703A1 (en) | Method of manufacturing oxide crystal thin film | |
| Zhao et al. | Growth and morphology of ZnO nanorods prepared from Zn (NO3) 2/NaOH solutions | |
| KR101352246B1 (en) | Method for fabricating ZnO thin films | |
| Yu et al. | Shape alterations of ZnO nanocrystal arrays fabricated from NH3· H2O solutions | |
| Guo et al. | Low-temperature preparation of (002)-oriented ZnO thin films by sol–gel method | |
| Downing et al. | Hydrothermal growth of ZnO nanorods: The role of KCl in controlling rod morphology | |
| Chee et al. | Optical and structural characterization of solution processed zinc oxide nanorods via hydrothermal method | |
| Hu et al. | Development of a wet chemical method for the synthesis of arrayed ZnO nanorods | |
| Sun et al. | Crystalline ZnO thin film by hydrothermal growth | |
| Hector et al. | Chemical synthesis of β-Ga2O3 microrods on silicon and its dependence on the gallium nitrate concentration | |
| Narin et al. | Growth dynamics of mist-CVD grown ZnO nanoplatelets | |
| CN101608305B (en) | Method for preparing ZnO nanowire array | |
| Wang et al. | Control growth of catalyst-free high-quality ZnO nanowire arrays on transparent quartz glass substrate by chemical vapor deposition | |
| Wei | Zinc oxide nanostructures and porous films produced by oxidation of zinc precursors in wet-oxygen atmosphere | |
| Nouneh et al. | Structural and spectral properties of ZnO nanorods by wet chemical method for hybrid solar cells applications | |
| Li et al. | Structural and luminescent properties of ZnO nanorods prepared from aqueous solution | |
| Baillard et al. | Single and Co-doping of ZnO nanowires with Al and Cl using one precursor by chemical bath deposition | |
| Márquez-Marín et al. | Very sharp zinc blende-wurtzite phase transition of CdS nanoparticles | |
| CN104229862B (en) | A method for preparing cross-shaped zinc oxide nanowire array | |
| Nandi et al. | Morphology and photoluminescence of ZnO nanorods grown on sputtered GaN films with intermediate ZnO seed layer | |
| CN105198232B (en) | A kind of ZnO directional nano post array materials of diameter change and preparation method thereof | |
| PL226486B1 (en) | Hydrothermal method for producing ZnO nanopillars | |
| Le et al. | Nanorod assisted lateral epitaxial overgrowth of ZnO films in water at 90° C | |
| PL222013B1 (en) | Hydrothermal process for the preparation of ZnO nanopillars on the substrate |