PL227901B1 - Materiał eutektyczny, zwłaszcza metalodielektryczny - Google Patents

Materiał eutektyczny, zwłaszcza metalodielektryczny Download PDF

Info

Publication number
PL227901B1
PL227901B1 PL404475A PL40447513A PL227901B1 PL 227901 B1 PL227901 B1 PL 227901B1 PL 404475 A PL404475 A PL 404475A PL 40447513 A PL40447513 A PL 40447513A PL 227901 B1 PL227901 B1 PL 227901B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
eps
mol
eutectic
phase
metallic
Prior art date
Application number
PL404475A
Other languages
English (en)
Other versions
PL404475A1 (pl
Inventor
Katarzyna Sadecka
Marcin Gajc
Dorota Pawlak
Andrzej Kłos
Original Assignee
Instytut Technologii Materialów Elektronicznych
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Technologii Materialów Elektronicznych, Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych filed Critical Instytut Technologii Materialów Elektronicznych
Priority to PL404475A priority Critical patent/PL227901B1/pl
Priority to EP13194658.4A priority patent/EP2818456B1/en
Publication of PL404475A1 publication Critical patent/PL404475A1/pl
Publication of PL227901B1 publication Critical patent/PL227901B1/pl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B21/00Unidirectional solidification of eutectic materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3298Bismuth oxides, bismuthates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc bismuthate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/408Noble metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/008Surface plasmon devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest materiał eutektyczny, zwłaszcza metalodielektryczny, mający zastosowanie w plazmonice. Materiał charakteryzuje się tym, że składa się z co najmniej dwóch składników: 51 – 99% mol fazy A, stanowiącej osnowę metaliczną lub półprzewodnikową, o oporności nieprzekraczającej 150 nΩm, o ujemnej rzeczywistej wartości przenikalności elektrycznej Re(eps)<0 dla zakresu długości fali elektromagnetycznej λ UV/Vis/NIR oraz 1 – 49% mol fazy B, stanowiącej wydzielenia z materiału dielektrycznego, o dodatniej rzeczywistej przenikalności elektrycznej Re(eps)>0. Materiał charakteryzuje się również tym, że składa się z co najmniej dwóch składników 51 - 99% mol fazy A, stanowiącej osnowę dielektryczną o dodatniej rzeczywistej przenikalności elektrycznej Re(eps)>0 dla zakresu długości fali elektromagnetycznej λ UV/Vis/NIR oraz 1 – 49% mol fazy B, stanowiącej wydzielenia metaliczne lub półprzewodnikowe o -oporności nieprzekraczającej 150 nΩm, o ujemnej rzeczywistej przenikalności elektrycznej Re(eps)<0 dla tego samego zakresu długości fali λ.

Description

Przedmiotem wynalazku jest materiał eutektyczny, zwłaszcza metalodielektryczny. Wynalazek ma zastosowanie w piazmonice, która opiera się na wykorzystaniu drgań nośników swobodnych w strukturach metalicznych w oddziaływaniach z falą elektromagnetyczną.
Kompozyty metalodielektryczne składające się z dielektrycznej osnowy z nanostrukturami metalicznymi lub osnowy metalicznej z nanostrukturami dielektrycznymi charakteryzują się właściwościami plazmonicznymi ze względu na obecność zlokalizowanych plazmonów powierzchniowych, czyli drgań wolnych nośników w nanometrycznych obiektach o ujemnej wartości rzeczywistej przenikalności elektrycznej.
Z publikacji W. L. Barnes i in., Nature 2003, 424, 824 znane jest zjawisko oddziaływania nanostruktur z falą elektromagnetyczną o częstotliwości równej częstotliwości drgań nośników swobodnych, co prowadzi do wystąpienia zlokalizowanego rezonansu plazmonów powierzchniowych LSPR - z angielskiego „localized surface plasmon resonance”. Na rezonans ten mają wpływ różne czynniki, takie jak: wielkość, kształt, materiał, z jakiego złożona jest nanostruktura, jak również ośrodek, w którym się znajduje.
Zjawisku LSPR towarzyszy efekt wzmocnienia pola elektromagnetycznego wokół nanostruktury oraz wzrost absorpcji i rozpraszania dla fali rezonansowej. Efekty te wzmacniają różne zjawiska optyczne. I tak na przykład z publikacji T. Trupke i in., J. Appl. Phys., 2002, 92, 4117, S. Kim i in., Nature, 2008, 7, 453, E.C. Le Ru, P.G. Etchegoin, Principles of Surface Enhanced Raman Spectroscopy and Related Plasmonic Effects; Elsevier: Amsterdam, 2009, oraz T. Som i B. Karmakar, J. Appl. Phys., 2009, 105, 013102 znane jest wzmocnienie fotoluminescencji, właściwości nieliniowych takich, jak dwufotonowa absorpcja, generacja drugiej harmonicznej, efekt Kerra, jak też wzmocnione powierzchniowo rozpraszanie ramanowskie oraz up-konwersja.
Z publikacji N. Liu i in., Nat. Mater., 2008, 7, 31 znane jest otrzymywanie materiałów plazmonicznych za pomocą powolnych i skomplikowanych metod takich, jak litografia wiązką jonów lub elektronów. Metody te nie dają możliwości zastosowania na skalę przemysłową. Metody alternatywne, pozwalające na szybkie wytworzenie materiałów plazmonicznych, opierają się głównie na mechanizmie chemicznej samoorganizacji. Należą do nich metody otrzymywania materiałów metalodielektrycznych takie, jak znana z publikacji C. Strohhofer i A. Polman, Appl. Phys. Lett., 2002, 81, 1414 metoda poprzez domieszkowanie matryc dielektrycznych nanocząstkami metali, znana z publikacji C. Rockstuhl i in., Phys. Rev. Lett., 2007, 99, 017401 metoda poprzez formowanie agregatów nanocząstek metali w roztworach koloidalnych, jak też znana z publikacji S. Vignolini i in., Adv. Mater., 2012, 24, 23 metoda z wykorzystaniem związków organicznych. Jednakże w ich wyniku uzyskiwane są kompozyty dwuwymiarowe o stosunkowo niewielkich rozmiarach i małej trwałości mechanicznej i chemicznej.
Mechanizm chemicznej samoorganizacji występuje również w procesie kierunkowej krystalizacji metalodielektrycznych mieszanin eutektycznych, powodujących samoczynne uporządkowanie ich struktury w skali mikro/nano. Eutektyka jest to mieszanina dwóch lub więcej faz o określonym składzie chemicznym, wykazująca niższą temperaturę topnienia niż fazy składowe.
Z publikacji D. A. Pawlak, Scientia Plena, 2008, 4, 014801 oraz D.A. Pawlak, in: Eds.: T. Fukuda, V. I. Chani, Shaped Ctystals, Growth by Micro-Pulling-Down Technique, Springer, 2007, 129 znane są eutektyki otrzymywane w postaci ciała stałego z cieczy/roztopu poprzez schładzanie poniżej określonej temperatury, zwanej temperaturą eutektyczną. Jednak dotychczas znane materiały eutektyczne nie posiadają fazy metalicznej o rozmiarach poniżej 500 nm, umożliwiających wykorzystanie efektów rezonansowych pochodzących od zlokalizowanych plazmonów powierzchniowych w zakresie widzialnym.
Znane są różne metody otrzymywania materiałów metalodielektrycznych z wykorzystaniem krystalizacji eutektyk. Z publikacji D.A. Pawlak i in., Chem. Mat., 2006, 18, 2450; D. A. Pawlak i in., Adv. Funct. Mat, 2010, 20(7) 1116 i K. Bieńkowski i in. Cryst. Growth & Design, 2011, 11,9, 3935 znany jest sposób usunięcia jednej z faz eutektyki tlenek-tlenek, osnowy lub wydzieleń, a następnie wypełnienie wytrawionej przestrzeni metalem poprzez napylenie lub w procesie elektrochemicznym - na przykładzie Tb3Sc2AbO12-TbScO3. Jednakże przy zastosowaniu tego sposobu istnieją problemy z otrzymaniem wydzieleni o wielkości wymaganej do wykorzystania ich w plazmonice, zwłaszcza w zakresie optycznym.
Z publikacji R. I. Merino, i in., Recent Res. Devel. Mat. Sci, 2003, 4, 1 znany jest sposób polegający na wzroście eutektyki NiO-ZrO2, z fazą tlenku metalu NiO, którą następnie redukuje się do podstawowego metalu Ni. Eutektyka ta nie ma zastosowania w zakresie plazmonicznie optycznym, ponieważ faza metaliczna nikiel charakteryzuje się wielkością powyżej 500 nm.
PL 227 901 B1
Z publikacji Final Technical Report No. E-18-610-1, Investigation of the growth of directionally solidified eutectics with potential as electron emitters, Project Director: James F. Benzel, Principal Investigators: A.T. Chapman i J.K. Cochran, JPL Contract No. 954193 (1976) znany jest sposób otrzymywania z roztopu materiałów metalodielektrycznych takich, jak eutektyki ZrO2-W, Cr2O3-Mo, HfO2-W. Jednakże materiały te posiadają wysoką temperaturę topnienia, jak również w ich skład wchodzą metale o wysokiej stratności optycznej, wykluczającej zastosowanie w plazmonice.
W przeciwieństwie do znanych materiałów, materiał według wynalazku spełnia wszystkie wymagania, umożliwiające zastosowanie go w plazmonice.
Materiał eutektyczny według wynalazku charakteryzuje się tym, że składa się z dwóch składników: 82,0-86,0 mol Bi2O3 stanowiący osnowę dielektryczną, o dodatniej rzeczywistej przenikalności elektrycznej Re(eps)>0 dla zakresu długości fali elektromagnetycznej λ 172 nm-258 nm oraz powyżej 326 nm oraz 14,0-18,0 mol Ag stanowiącego wydzielenia metaliczne lub półprzewodnikowe o oporności 15,87 nCm, o ujemnej rzeczywistej przenikalności elektrycznej Re(eps)<0 dla tego samego zakresu długości fali A 172 nm- 258 nm oraz powyżej 326 nm, korzystnie przy niskich stratach optycznych, czyli urojonej wartości przenikalności elektrycznej Im(eps) 1,79-3,6 F/m oraz od 0,579 F/m dla Re(eps)<0.
Wielkość wydzieleń jest korzystnie nie większa niż 500 nm w zakresie optycznym.
Korzystnie materiał składa się z 15,4% mol Ag o Re(esp)<0 oraz 84,5% mol Bi2O3 o Re(esp)>0, w korzystniejszym wariancie wykonania materiał ten wygrzewany jest temperaturze 600°C, w czasie co najmniej 4 godzin.
Materiał według wynalazku ma zastosowanie, zależnie od potrzeb, w różnej postaci prętów, taśm bądź warstw lub odpowiednio przygotowanych ich fragmentów.
Podany niżej przykład ilustruje materiał według wynalazku w konkretnym przypadku jego wykonania, nie ograniczając zakresu jego stosowania, w oparciu o rysunek, na którym:
fig. 1 przedstawia zdjęcie ze skaningowego mikroskopu elektronowego przekroju poprzecznego pręta eutektyki Bi2O3 - Ag przed wygrzaniem, fig. 2 przedstawia zdjęcie z transmisyjnego mikroskopu elektronowego po wygrzaniu, fig. 3 przedstawia wykres absorpcji A promieniowania w zależności od długości fali λ dla eutektyki
Bi2O3 - Ag przed i po wygrzaniu, gdzie widoczne jest maksimum absorpcji po wygrzaniu w zakresie 590 nm związane z wystąpieniem LSPR w otrzymanym materiale, zaś fig. 4 przedstawia poglądowy schemat przekroju poprzecznego pręta eutektyki tlenek-metal lub tlenek-półprzewodnik, gdzie metal lub półprzewodnik stanowi osnowę materiału.
P r z y k ł a d 1.
W moździerzu ceramicznym rozciera się składniki w zawiesinie w propanolu 15,4% mol Ag o temperaturze topnienia 961,98°C i 84,6% mol Bi2O3 o temperaturze topnienia 817°C. Następnie otrzymany materiał nagrzewa się w piecu oporowym do temperatury 100°C, w celu odparowania propanolu. Tak przygotowany materiał umieszcza się w tyglu, który następnie montuje się w układzie do kierunkowego mikrowyciągania z roztopu. Główny proces otrzymywania pręta prowadzony jest w zakresie temperatur 650-700°C.
Tak otrzymany pręt eutektyczny tnie się na płytki o grubości około 1 mm, które następnie umieszcza się w piecu oporowym i poddaje obróbce cieplnej w atmosferze utleniającej. Wygrzewanie prowadzone jest w temperaturze 600°C, w czasie co najmniej 4 godzin. Następnie płytki poleruje się dwustronnie poniżej grubości 100 pm.
Właściwości plazmoniczne bada się za pomocą badań spektroskopowych. Wygrzewanie powoduje dyspersję fazy metalicznej i utworzenie nanocząstek metalicznych. Taka struktura w materiale metalodielektrycznym powoduje powstanie zlokalizowanego rezonansu plazmonicznego LSPR dla długości fali 590 nm.
Otrzymany eutektyczny materiał metalodielektryczny o temperaturze topnienia 680°C spełnia następujące wymagania:
Składa się z dwóch składników Ag i Bi2O3. Faza B - Ag, stanowiąca wydzielenia metaliczne, jest metalem o niskiej oporności elektrycznej 15,87 nCm, ujemnej rzeczywistej wartości przenikalności elektrycznej, Re(eps) < 0: dla zakresów długości fali elektromagnetycznej λ 172 nm-258 nm oraz od 326 nm. Urojona wartość przenikalności elektrycznej, Im(eps) dla powyższych zakresów λ wynosi odpowiednio 1,79 do 3,6 F/m oraz od 0,579 F/m rosnąc proporcjonalnie wraz z długością fali. Faza A Bi2O3, stanowiąca osnowę dielektryczną, jest dielektrykiem o dodatniej rzeczywistej przenikalności elektrycznej Re(eps) > 0 dla tych samych zakresów długości fali λ. Wielkość wydzieleń metalicznych wynosi około 5 nm.

Claims (4)

1. Materiał eutektyczny, zwłaszcza metalodielektryczny, znamienny tym, że składa się z dwóch składników: 82,0-86,0 mol Bi2O3 stanowiący osnowę dielektryczną, o dodatniej rzeczywistej przenikalności elektrycznej Re(eps)>0 dla zakresu długości fali elektromagnetycznej λ 172 nm-258 nm oraz powyżej 326 nm oraz 14,0-18,0 mol Ag stanowiący wydzielenia metaliczne lub półprzewodnikowe o oporności 15,87 nQm, o ujemnej rzeczywistej przenikalności elektrycznej Re(eps)<0 dla tego samego zakresu długości fali λ 172 nm-258 nm oraz powyżej 326 nm, korzystnie przy niskich stratach optycznych, czyli urojonej wartości przenikalności elektrycznej Im(eps) 1,79-3,6 F/m oraz od 0,579 F/m dla Re(eps)<0.
2. Materiał według zastrz. 1, znamienny tym, że zawiera wydzielenia o wielkości nie większej niż 500 nm do zastosowań w zakresie optycznym.
3. Materiał według zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, że składa się z 15,4% mol Ag o Re(esp)<0 oraz 84,5% mol Bi2O3 o Re(esp)>0.
4. Materiał według zastrz. 3, znamienny tym, że wygrzewany jest w temperaturze 600°C, w czasie co najmniej 4 godzin.
PL404475A 2013-06-27 2013-06-27 Materiał eutektyczny, zwłaszcza metalodielektryczny PL227901B1 (pl)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL404475A PL227901B1 (pl) 2013-06-27 2013-06-27 Materiał eutektyczny, zwłaszcza metalodielektryczny
EP13194658.4A EP2818456B1 (en) 2013-06-27 2013-11-27 Metal-dielectric eutectic material for use in plasmonics

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL404475A PL227901B1 (pl) 2013-06-27 2013-06-27 Materiał eutektyczny, zwłaszcza metalodielektryczny

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL404475A1 PL404475A1 (pl) 2015-01-05
PL227901B1 true PL227901B1 (pl) 2018-01-31

Family

ID=49989411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL404475A PL227901B1 (pl) 2013-06-27 2013-06-27 Materiał eutektyczny, zwłaszcza metalodielektryczny

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP2818456B1 (pl)
PL (1) PL227901B1 (pl)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL443229A1 (pl) * 2022-12-21 2024-06-24 Uniwersytet Warszawski Plazmoniczny materiał eutektyczny domieszkowany jonami ziem rzadkich o wzmocnionej konwersji w górę oraz sposób jego otrzymywania
PL449825A1 (pl) * 2023-09-15 2025-03-17 Ensemble3 Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Sposób otrzymywania materiału eutektycznego w formie mikrosfer oraz materiał otrzymywany tym sposobem

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4556143A1 (en) * 2023-09-15 2025-05-21 Ensemble3 spolka z ograniczona odpowiedzialnoscia Method of obtaining eutectic material in the form of microspheres and the material obtained by this method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL224060B1 (pl) * 2012-03-16 2016-11-30 Inst Tech Materiałów Elektronicznych Sposób wytwarzania cienkowarstwowych kompozytów eutektycznych

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL443229A1 (pl) * 2022-12-21 2024-06-24 Uniwersytet Warszawski Plazmoniczny materiał eutektyczny domieszkowany jonami ziem rzadkich o wzmocnionej konwersji w górę oraz sposób jego otrzymywania
PL449825A1 (pl) * 2023-09-15 2025-03-17 Ensemble3 Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Sposób otrzymywania materiału eutektycznego w formie mikrosfer oraz materiał otrzymywany tym sposobem

Also Published As

Publication number Publication date
EP2818456B1 (en) 2019-04-24
PL404475A1 (pl) 2015-01-05
EP2818456A1 (en) 2014-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Satyanarayana et al. Structural investigations on PbO–Sb2O3–B2O3: CoO glass ceramics by means of spectroscopic and dielectric studies
Tao et al. Preparation and characterization of few-layer MoS 2 nanosheets and their good nonlinear optical responses in the PMMA matrix
Wang et al. Mg/W-codoped vanadium dioxide thin films with enhanced visible transmittance and low phase transition temperature
Ghosh et al. Tunable surface plasmon resonance and enhanced electrical conductivity of In doped ZnO colloidal nanocrystals
Thomas et al. Nanosecond and ultrafast optical power limiting in luminescent Fe2O3 hexagonal nanomorphotype
Qi et al. Silver nanoparticles enhanced 1.53 µm band fluorescence of Er3+/Yb3+ codoped tellurite glasses
Tian et al. Ultrafast and broadband optical nonlinearity in aluminum doped zinc oxide colloidal nanocrystals
Miedzinski et al. Second and third-order nonlinear optical properties of Er3+/Yb3+ doped PbO-GeO2-Ga2O3 glasses with Au nanoparticles
Datta et al. In2S3 micropompons and their conversion to In2O3 nanobipyramids: simple synthesis approaches and characterization
Esposito et al. Microwave sintering of Yb: YAG transparent laser ceramics
Bhagyaraj et al. Tuning of nonlinear absorption in highly luminescent CdSe based quantum dots with core–shell and core/multi-shell architectures
Fouda et al. Influence of ZnO nano-particles addition on thermal analysis, microstructure evolution and tensile behavior of Sn–5.0 wt% Sb–0.5 wt% Cu lead-free solder alloy
Chen et al. Ordered Au nanocrystals on a substrate formed by light-induced rapid annealing
Bhandari et al. Flux growth of lead free (Na 0.5 Bi 0.5) TiO 3–(K 0.5 Bi 0.5) TiO 3 ferroelectric single crystals and their characterization
PL227901B1 (pl) Materiał eutektyczny, zwłaszcza metalodielektryczny
Huang et al. Active tuning of the Fano resonance from a Si nanosphere dimer by the substrate effect
Cebriano et al. Raman study of phase transitions induced by thermal annealing and laser irradiation in antimony oxide micro-and nanostructures
Yang et al. Plasmonic-enhanced targeted nanohealing of metallic nanostructures
Jia et al. Superior optical limiting performance of lead-free metal halide perovskites nano-crystals embedded chalcogenide glass
Priyadarshani et al. Investigation of the femtosecond optical limiting properties of monoclinic copper niobate
Sreeja Sreedharan et al. Influence of Pr doping on the structural, morphological, optical, luminescent and non-linear optical properties of RF-sputtered ZnO films
Sola et al. Stress-induced buried waveguides in the 0.8 CaSiO3–0.2 Ca3 (PO4) 2 eutectic glass doped with Nd3+ ions
Chen et al. Formation and third-order optical nonlinearities of silver nano-crystals embedded bismuthate glasses
Jaschin et al. Structural evolution and second harmonic properties of lithium niobate–tantalate nanocrystals embedded in a borate glass
Ahn et al. Mechanochemical synthesis of ZnS for fabrication of transparent ceramics