PL357708A1 - Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template),z objętościowego monokrystalicznego azotku glinu i azotku zawierającego gal, do epitaksji warstw o wysokiej zawartości glinu oraz pod przyrządy wymagające wydajnego odprowadzania ciepła - Google Patents

Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template),z objętościowego monokrystalicznego azotku glinu i azotku zawierającego gal, do epitaksji warstw o wysokiej zawartości glinu oraz pod przyrządy wymagające wydajnego odprowadzania ciepła

Info

Publication number
PL357708A1
PL357708A1 PL02357708A PL35770802A PL357708A1 PL 357708 A1 PL357708 A1 PL 357708A1 PL 02357708 A PL02357708 A PL 02357708A PL 35770802 A PL35770802 A PL 35770802A PL 357708 A1 PL357708 A1 PL 357708A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
nitride
voluminal
epitaxy
fabrication
mono
Prior art date
Application number
PL02357708A
Other languages
English (en)
Inventor
Robert Dwiliński
Roman Doradziński
Jerzy Garczyński
Leszek P. Sierzputowski
Yasuo Kanbara
Original Assignee
Ammono Sp.Z O.O.
Nichia Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ammono Sp.Z O.O., Nichia Corporation filed Critical Ammono Sp.Z O.O.
Priority to PL02357708A priority Critical patent/PL357708A1/pl
Priority to PL379545A priority patent/PL224991B1/pl
Priority to EP03778842A priority patent/EP1581675B1/en
Priority to HK06102217.7A priority patent/HK1083030B/xx
Priority to PCT/JP2003/015906 priority patent/WO2004053210A1/en
Priority to PL379546A priority patent/PL224992B1/pl
Priority to DE60331245T priority patent/DE60331245D1/de
Priority to AU2003285768A priority patent/AU2003285768A1/en
Priority to US10/538,654 priority patent/US7410539B2/en
Priority to JP2004558482A priority patent/JP4558502B2/ja
Priority to AT03778843T priority patent/ATE457372T1/de
Priority to AU2003285769A priority patent/AU2003285769A1/en
Priority to US10/538,407 priority patent/US7387677B2/en
Priority to PCT/JP2003/015905 priority patent/WO2004053209A1/en
Priority to KR1020057010670A priority patent/KR101060073B1/ko
Priority to DE60329713T priority patent/DE60329713D1/de
Priority to EP03778843A priority patent/EP1576210B1/en
Priority to KR1020057010733A priority patent/KR100789889B1/ko
Priority to TW092135267A priority patent/TWI352434B/zh
Priority to TW092135277A priority patent/TWI334229B/zh
Priority to AT03778842T priority patent/ATE445722T1/de
Priority to JP2004558483A priority patent/JP4860927B2/ja
Publication of PL357708A1 publication Critical patent/PL357708A1/pl
Priority to US12/213,212 priority patent/US8110848B2/en

Links

PL02357708A 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template),z objętościowego monokrystalicznego azotku glinu i azotku zawierającego gal, do epitaksji warstw o wysokiej zawartości glinu oraz pod przyrządy wymagające wydajnego odprowadzania ciepła PL357708A1 (pl)

Priority Applications (23)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL02357708A PL357708A1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template),z objętościowego monokrystalicznego azotku glinu i azotku zawierającego gal, do epitaksji warstw o wysokiej zawartości glinu oraz pod przyrządy wymagające wydajnego odprowadzania ciepła
US10/538,407 US7387677B2 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Substrate for epitaxy and method of preparing the same
AU2003285769A AU2003285769A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
HK06102217.7A HK1083030B (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
PCT/JP2003/015906 WO2004053210A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
PL379546A PL224992B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Podłoże typu template dla urządzeń opto-elektrycznych lub elektrycznych oraz sposób jego wytwarzania
DE60331245T DE60331245D1 (de) 2002-12-11 2003-12-11 Substrat für epitaxie und verfahren zu seiner herstellung
AU2003285768A AU2003285768A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A template type substrate and a method of preparing the same
PCT/JP2003/015905 WO2004053209A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A template type substrate and a method of preparing the same
EP03778842A EP1581675B1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A template type substrate and a method of preparing the same
AT03778843T ATE457372T1 (de) 2002-12-11 2003-12-11 Substrat für epitaxie und verfahren zu seiner herstellung
PL379545A PL224991B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Podłoże do stosowania dla urządzeń opto-elektrycznych lub elektrycznych oraz sposób jego wytwarzania
JP2004558482A JP4558502B2 (ja) 2002-12-11 2003-12-11 テンプレート型基板の製造方法
US10/538,654 US7410539B2 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Template type substrate and a method of preparing the same
KR1020057010670A KR101060073B1 (ko) 2002-12-11 2003-12-11 템플레이트 타입의 기판 및 그 제조 방법
DE60329713T DE60329713D1 (de) 2002-12-11 2003-12-11 Schabloneartiges substrat und verfahren zu seiner herstellung
EP03778843A EP1576210B1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
KR1020057010733A KR100789889B1 (ko) 2002-12-11 2003-12-11 에피택시용 기판 및 그 제조방법
TW092135267A TWI352434B (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing
TW092135277A TWI334229B (en) 2002-12-11 2003-12-11 A template type substrate and a method of preparing the same
AT03778842T ATE445722T1 (de) 2002-12-11 2003-12-11 Schabloneartiges substrat und verfahren zu seiner herstellung
JP2004558483A JP4860927B2 (ja) 2002-12-11 2003-12-11 エピタキシ用基板及びその製造方法
US12/213,212 US8110848B2 (en) 2002-12-11 2008-06-16 Substrate for epitaxy and method of preparing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL02357708A PL357708A1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template),z objętościowego monokrystalicznego azotku glinu i azotku zawierającego gal, do epitaksji warstw o wysokiej zawartości glinu oraz pod przyrządy wymagające wydajnego odprowadzania ciepła

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL357708A1 true PL357708A1 (pl) 2004-06-14

Family

ID=32733408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL02357708A PL357708A1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template),z objętościowego monokrystalicznego azotku glinu i azotku zawierającego gal, do epitaksji warstw o wysokiej zawartości glinu oraz pod przyrządy wymagające wydajnego odprowadzania ciepła

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL357708A1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2003255613A8 (en) Method for epitaxial growth of a gallium nitride film separated from its substrate
CN101853906B (zh) 电路结构
WO2004060792A3 (en) Method of forming semiconductor devices through epitaxy
WO2004006327A3 (en) Transfer of a thin layer from a wafer comprising a buffer layer
WO2003083187A8 (en) High pressure high temperature growth of crystalline group iii metal nitrides
WO2007139765A3 (en) Semiconductor-on-diamond devices and associated methods
AU2002354485A1 (en) Phosphor single crystal substrate and method for preparing the same, and nitride semiconductor component using the same
AU2003236306A1 (en) VAPOR PHASE GROWTH METHOD FOR Al-CONTAINING III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING Al-CONTAINING III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR
EP1081256A3 (en) ZnO crystal growth method, ZnO crystal structure, and semiconductor device using ZnO crystal
WO2002050345A3 (en) Semiconductor compliant substrate having a graded monocrystalline layer
WO2005008740A3 (en) Methods of processing of gallium nitride
EP1246233A3 (en) Semiconductor substrate made of group III nitride, and process for manufacture thereof
JP2004508720A (ja) Ｉｉｉ−ｖ窒化物半導体ベースの放射線を発する半導体チップを製造する方法および放射線を発する半導体チップ
WO2006099138A3 (en) Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride
MY149325A (en) Nitride semiconductor component and method for the production thereof
WO2007044322A3 (en) Conductive layer for biaxially oriented semiconductor film growth
WO2006124387A3 (en) Gallium nitride high electron mobility transistor structure
CN101218662B (zh) 制造自支撑半导体衬底的方法和制造自支撑半导体衬底的掩模层的用途
CA2412419A1 (en) Improved buffer for growth of gan on sapphire
GB0326321D0 (en) Formation of lattice-tuning semiconductor substrates
TW201007819A (en) Method for fabricating circuit structure
WO2002063075A3 (en) Methods for growth of relatively large step-free sic crystal surfaces
EP1788619A3 (en) Semiconductor device and method of fabricating the same
CA2475966A1 (en) Crystal production method
GB0208076D0 (en) Method of fabricating group-III nitride semiconductor crystal,metho of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor,gallium nitride-based compound