PL396935A1 - Target do wytwarzania przezroczystych warstw pólprzewodnikowych ZnIrSiO oraz sposób wytwarzania takiego targetu - Google Patents
Target do wytwarzania przezroczystych warstw pólprzewodnikowych ZnIrSiO oraz sposób wytwarzania takiego targetuInfo
- Publication number
- PL396935A1 PL396935A1 PL396935A PL39693511A PL396935A1 PL 396935 A1 PL396935 A1 PL 396935A1 PL 396935 A PL396935 A PL 396935A PL 39693511 A PL39693511 A PL 39693511A PL 396935 A1 PL396935 A1 PL 396935A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- target
- producing
- znirsio
- layer
- semiconductor layers
- Prior art date
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest target do wytwarzania przezroczystych warstw pólprzewodnikowych ZnIrSiO o przewodnictwie typu p, oraz sposób wytwarzania takiego targetu. Target wedlug wynalazku sklada sie z co najmniej jednej sekwencji warstw Ir/Zn/Si/Ir, przy czym warstwa Ir jest zawsze warstwa pierwsza i warstwa ostatnia. Grubosc poszczególnych warstw jest tak dobrana ze calkowity sklad atomowy targetu wynosi 50±5%Ir, 25±2,5%Zn, 25±2,5%Si, zas jego sumaryczna grubosc jest wieksza niz 5 ?m. W sposobie wedlug wynalazku, najpierw metoda rozpylania katodowego z targetów jednoskladnikowych Zn, Ir, Si osadza sie strukture wielowarstwowa zawieraja co najmniej jedna sekwencje warstw Ir/Zn/Si/Ir. Nastepnie strukture te poddaje sie wygrzewaniu w temperaturze ? 400°C, przez co najmniej 30 min. w przeplywie gazu obojetnego badz w prózni.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL396935A PL219259B1 (pl) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | Target do wytwarzania przezroczystych warstw półprzewodnikowych ZnIrSiO oraz sposób wytwarzania takiego targetu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL396935A PL219259B1 (pl) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | Target do wytwarzania przezroczystych warstw półprzewodnikowych ZnIrSiO oraz sposób wytwarzania takiego targetu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL396935A1 true PL396935A1 (pl) | 2013-05-13 |
| PL219259B1 PL219259B1 (pl) | 2015-04-30 |
Family
ID=48522629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL396935A PL219259B1 (pl) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | Target do wytwarzania przezroczystych warstw półprzewodnikowych ZnIrSiO oraz sposób wytwarzania takiego targetu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL219259B1 (pl) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL445255A1 (pl) | 2023-06-17 | 2024-12-23 | Sieć Badawcza Łukasiewicz - Poznański Instytut Technologiczny | Sposób wytwarzania wieloskładnikowej tarczy do rozpylania magnetronowego i zestaw narzędziowy do wytwarzania wieloskładnikowej tarczy oraz wieloskładnikowa tarcza magnetronowa i jej zastosowanie do wytwarzania powłoki ochronnej |
-
2011
- 2011-11-09 PL PL396935A patent/PL219259B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL219259B1 (pl) | 2015-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY172449A (en) | Method for producing a substrate coated with a stack including a conductive transparent oxide film | |
| MY163745A (en) | Methods of sputtering cadmium sulfide layers for use in cadmium telluride based thin film photovoltaic devices | |
| EP2429813A4 (en) | Ultra-thin metal oxide and carbon-metal oxide films prepared by atomic layer deposition (ald) | |
| WO2010110871A3 (en) | Deposition of high vapor pressure materials | |
| MX2011009293A (es) | Pelicula termocontraible de multicapa que comprende una pluralidad de microcapas y metodo para su fabricacion. | |
| MY185883A (en) | Perovskite material layer processing | |
| WO2015153265A3 (en) | Caac igzo deposited at room temperature | |
| MX366324B (es) | Sustrato provisto con una estructura de multicapa que tiene propiedades térmicas, en particular para producir un acristalamiento térmico. | |
| MX336914B (es) | Metodo de deposicion de pelicula delgada. | |
| MX2016002703A (es) | Metodo para fabricar un material que incluye un sustrato que tiene una capa funcional a base de oxido de estaño e indio. | |
| MY171953A (en) | Solar control glazing | |
| FR2972449B1 (fr) | Procede de realisation d'une barriere thermique dans un systeme multicouche de protection de piece metallique et piece munie d'un tel systeme de protection | |
| BR112014000395A2 (pt) | películas de barreira de óxido de metal misto e método de deposição de camada atômica para preparar películas de barreira de óxido de metal misto | |
| FR2982422B1 (fr) | Substrat conducteur pour cellule photovoltaique | |
| MX376363B (es) | Acristalamiento provisto con una pila de capas delgadas para proteccion solar. | |
| FR2981646B1 (fr) | Vitrage de controle solaire comprenant une couche d'un alliage nicu | |
| WO2011090704A3 (en) | Method for producing microstructured templates and their use in providing pinning enhancements in superconducting films deposited thereon | |
| WO2011057114A3 (en) | Methods of making and deposition methods using hafnium- or zirconium-containing compounds | |
| WO2014170005A3 (de) | Oxidationsschutzschicht auf chrombasis | |
| MX2017004159A (es) | Sustrato provisto con una pila que tiene propiedades termicas y una capa intermedia superestequiometrica. | |
| WO2014007894A3 (en) | Composites including silicon-oxy-carbide layers and methods of making the same | |
| EA201390594A1 (ru) | Разделение модульного устройства для нанесения покрытия | |
| MX2021007760A (es) | Placa de aleacion de cobre, placa de aleacion de cobre con pelicula de recubrimiento unida y metodos respectivos para la fabrica cion de estos productos. | |
| JP2014503687A5 (pl) | ||
| PL396935A1 (pl) | Target do wytwarzania przezroczystych warstw pólprzewodnikowych ZnIrSiO oraz sposób wytwarzania takiego targetu |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LICE | Declarations of willingness to grant licence |
Effective date: 20140904 |