PL409465A1 - Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal i monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytworzony tym sposobem - Google Patents

Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal i monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytworzony tym sposobem

Info

Publication number
PL409465A1
PL409465A1 PL409465A PL40946514A PL409465A1 PL 409465 A1 PL409465 A1 PL 409465A1 PL 409465 A PL409465 A PL 409465A PL 40946514 A PL40946514 A PL 40946514A PL 409465 A1 PL409465 A1 PL 409465A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
gallium
nitride
monocrystalline nitride
produced
containing monocrystalline
Prior art date
Application number
PL409465A
Other languages
English (en)
Other versions
PL231548B1 (pl
Inventor
Robert Kucharski
Marcin Zając
Dorota Grzybowska
Weronika Karolczuk
Original Assignee
Ammono Spółka Akcyjna
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ammono Spółka Akcyjna filed Critical Ammono Spółka Akcyjna
Priority to PL409465A priority Critical patent/PL231548B1/pl
Priority to US15/510,941 priority patent/US20170253990A1/en
Priority to PCT/EP2015/070633 priority patent/WO2016038099A1/en
Priority to EP15781029.2A priority patent/EP3221498A1/en
Priority to RU2017135586A priority patent/RU2017135586A/ru
Priority to CN201580061130.9A priority patent/CN107109696A/zh
Priority to JP2017533998A priority patent/JP2017533172A/ja
Priority to KR1020177009424A priority patent/KR20170068470A/ko
Publication of PL409465A1 publication Critical patent/PL409465A1/pl
Publication of PL231548B1 publication Critical patent/PL231548B1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/0632—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/10—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
    • C30B7/105—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes using ammonia as solvent, i.e. ammonothermal processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/14—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions the crystallising materials being formed by chemical reactions in the solution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50—Solid solutions
    • C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/54—Improvements relating to the production of bulk chemicals using solvents, e.g. supercritical solvents or ionic liquids

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal z materiału źródłowego w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, zawierającego pierwiastek Grupy I (IUPAC, 1989), w którym w autoklawie wytwarza się dwie strefy temperaturowe, to jest strefę rozpuszczania o temperaturze niższej z materiałem źródłowym, oraz znajdującą się poniżej niej strefę krystalizacji o temperaturze wyższej, zawierającą co najmniej jeden zarodek. Proces rozpuszczania materiału źródłowego i krystalizacji azotku zawierającego gal, prowadzi się na co najmniej jednym zarodku, przy czym do środowiska procesu wprowadza się przynajmniej dwa dodatkowe składniki, a mianowicie: a) getter tlenu, w stosunku molowym do amoniaku wynoszącym od 0,0001 do 0,2; b) domieszkę akceptorową, w stosunku molowym do amoniaku nie większym niż 0,1; charakteryzujący się tym, że domieszkę akceptorową stanowi mangan, żelazo, wanad lub węgiel, lub ich kombinacja. Ujawniono również monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytworzony tym sposobem.
PL409465A 2014-09-11 2014-09-11 Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal PL231548B1 (pl)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL409465A PL231548B1 (pl) 2014-09-11 2014-09-11 Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal
US15/510,941 US20170253990A1 (en) 2014-09-11 2015-09-09 A method for producing monocrystalline gallium containing nitride and monocrystalline gallium containing nitride, prepared with this method
PCT/EP2015/070633 WO2016038099A1 (en) 2014-09-11 2015-09-09 A method for producing monocrystalline gallium containing nitride and monocrystalline gallium containing nitride, prepared with this method
EP15781029.2A EP3221498A1 (en) 2014-09-11 2015-09-09 A method for producing monocrystalline gallium containing nitride and monocrystalline gallium containing nitride, prepared with this method
RU2017135586A RU2017135586A (ru) 2014-09-11 2015-09-09 Способ получения монокристаллического галлийсодержащего нитрида и монокристаллический галлийсодержащий нитрид, получаемый указанным способом
CN201580061130.9A CN107109696A (zh) 2014-09-11 2015-09-09 用于制备单晶含镓氮化物的方法和用该方法制备的单晶含镓氮化物
JP2017533998A JP2017533172A (ja) 2014-09-11 2015-09-09 単結晶ガリウム含有窒化物の製造方法及びこの方法により製造された単結晶ガリウム含有窒化物
KR1020177009424A KR20170068470A (ko) 2014-09-11 2015-09-09 질화물을 포함하는 단결정 갈륨을 제조하는 방법 및 이 방법으로 제조된 질화물을 포함하는 단결정 갈륨

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL409465A PL231548B1 (pl) 2014-09-11 2014-09-11 Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL409465A1 true PL409465A1 (pl) 2016-03-14
PL231548B1 PL231548B1 (pl) 2019-03-29

Family

ID=54325508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL409465A PL231548B1 (pl) 2014-09-11 2014-09-11 Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20170253990A1 (pl)
EP (1) EP3221498A1 (pl)
JP (1) JP2017533172A (pl)
KR (1) KR20170068470A (pl)
CN (1) CN107109696A (pl)
PL (1) PL231548B1 (pl)
RU (1) RU2017135586A (pl)
WO (1) WO2016038099A1 (pl)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE47114E1 (en) * 2008-12-12 2018-11-06 Slt Technologies, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
JP6396939B2 (ja) * 2016-03-31 2018-09-26 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板、半導体装置、および窒化物半導体基板の製造方法
JP7469051B2 (ja) * 2020-01-15 2024-04-16 住友化学株式会社 窒化物結晶基板の製造方法、窒化物結晶基板および積層構造体
US20250109524A1 (en) * 2023-09-29 2025-04-03 Wisconsin Alumni Research Foundation Metal organic chemical vapor deposition of semi-insulating extrinsically carbon-doped group iii-nitride films

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6656615B2 (en) 2001-06-06 2003-12-02 Nichia Corporation Bulk monocrystalline gallium nitride
TWI334890B (en) 2002-12-11 2010-12-21 Ammono Sp Zoo Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, eliminating impurities from the obtained crystal and manufacturing substrates made of bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
PL219601B1 (pl) 2002-12-11 2015-06-30 Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL221055B1 (pl) 2002-12-11 2016-02-29 Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
EP1759408A1 (en) 2004-06-11 2007-03-07 AMMONO Sp.z o.o. High electron mobility transistor (hemt) made of layers of group xiii element nitrides and manufacturing method thereof.
JP5631746B2 (ja) * 2008-06-04 2014-11-26 シックスポイント マテリアルズ， インコーポレイテッド Ｉｉｉ族窒化物結晶を成長させるための高圧ベッセル、ならびに高圧ベッセルおよびｉｉｉ族窒化物結晶を用いてｉｉｉ族窒化物結晶を成長させる方法
US9589792B2 (en) * 2012-11-26 2017-03-07 Soraa, Inc. High quality group-III metal nitride crystals, methods of making, and methods of use
US8461071B2 (en) * 2008-12-12 2013-06-11 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
EP2267197A1 (en) 2009-06-25 2010-12-29 AMMONO Sp.z o.o. Method of obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, substrates manufactured thereof and devices manufactured on such substrates
PL229568B1 (pl) 2013-05-30 2018-07-31 Ammono Spolka Akcyjna Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal i monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytworzony tym sposobem

Also Published As

Publication number Publication date
EP3221498A1 (en) 2017-09-27
US20170253990A1 (en) 2017-09-07
CN107109696A (zh) 2017-08-29
JP2017533172A (ja) 2017-11-09
RU2017135586A (ru) 2019-04-05
WO2016038099A1 (en) 2016-03-17
KR20170068470A (ko) 2017-06-19
PL231548B1 (pl) 2019-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Uecker The historical development of the Czochralski method
Palladino et al. On the anatomy of magma chamber and caldera collapse: the example of trachy-phonolitic explosive eruptions of the Roman Province (central Italy)
PL409465A1 (pl) Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal i monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytworzony tym sposobem
MX2021011683A (es) Polimorfos de sepiapterina y sales de los mismos.
MX2021011971A (es) Proceso para preparar cicloserinas sustituidas.
MX2018005908A (es) Proceso para preparar 2,3,3,3-tetrafluoropropeno y/o fluoruro de vinilideno.
PH12020500586A1 (en) Process for preapring large size isoxazoline particles
EP3712194A4 (en) METHOD OF MANUFACTURING POLYAMIDE WITH CONTROLLED ACTIVATOR ADDITION AND PRODUCED POLYAMIDE
Leblé A uniqueness result for minimizers of the 1D log-gas renormalized energy
MX2019001393A (es) 1-hidroximetil-1,2,2,6-tetrametil-ciclohexano y sus derivados y su uso como productos quimicos aromaticos.
GEP20207103B (en) High dencity aqueus well fluids
PH12018500872A1 (en) Innovative preparation and crystallization of iosimenol
EA201992194A1 (ru) Способ для непрерывного синтеза кристаллов цеолита
PL404149A1 (pl) Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal i monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytwarzany tym sposobem
MX2016012851A (es) Un metodo para producir 1,1,2,3-tetracloropropeno con alto rendimiento.
MX393759B (es) Suspensiones inyectables
MX2019006343A (es) Sintesis de acido tiosulfonico por un paso de acoplamiento oxidativo mediado por peryodato de un acido tiosulfonico con una anilina.
MX382967B (es) Producción de color caramelo clase iv de 4-metilimidazol inferior.
MX2018009544A (es) Metodo para preparar derivados de 4-aminoindano sustituido.
MX2017011087A (es) Derivados de tetrahidropiranil benzamida.
MX376346B (es) Proceso para preparar trifluoroacetofenonas sustituidas con un grupo de tipo halo.
LT2014061A (lt) Nauji 2,2',10,10'-pakeisti 9,9'-biantracenai, jų sintezė ir taikymas optolelektronikoje
Bakr et al. Methods of preparation of organometallic halide structures
MD402Z (ro) Procedeu de creştere rapidă a monocristalului de bismut
PL422265A1 (pl) Sposób wytwarzania chlorochinaldolu o podwyższonej czystości