PL404149A1 - Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal i monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytwarzany tym sposobem - Google Patents
Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal i monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytwarzany tym sposobemInfo
- Publication number
- PL404149A1 PL404149A1 PL40414913A PL40414913A PL404149A1 PL 404149 A1 PL404149 A1 PL 404149A1 PL 40414913 A PL40414913 A PL 40414913A PL 40414913 A PL40414913 A PL 40414913A PL 404149 A1 PL404149 A1 PL 404149A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- containing nitride
- gallium
- monocrystalline gallium
- source material
- producing
- Prior art date
Links
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title abstract 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title abstract 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
- C30B7/10—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
- C30B7/105—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by application of pressure, e.g. hydrothermal processes using ammonia as solvent, i.e. ammonothermal processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal z materiału źródłowego zawierającego gal, w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, zawierającego pierwiastek Grupy I. Sposób polega na tym, że w autoklawie wytwarza się dwie strefy temperaturowe, to jest strefę rozpuszczania o temperaturze niższej, z materiałem źródłowym oraz znajdującą się poniżej niej strefę krystalizacji o temperaturze wyższej, zawierającą co najmniej jeden zarodek, prowadzi się proces rozpuszczania materiału źródłowego i krystalizacji azotku zawierającego gal na co najmniej jednym zarodku. Proces charakteryzuje się tym, że do środowiska procesu wprowadza się przynajmniej dwa dodatkowe składniki, a mianowicie: a) getter tlenu, w stosunku molowym do amoniaku wynoszącym od 0,0001 do 0,2, b) domieszkę akceptorową, w stosunku molowym do amoniaku nie większym niż 0,001. Wynalazek obejmuje również monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytworzony tym sposobem.
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL404149A PL229568B1 (pl) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal i monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytworzony tym sposobem |
| HK16112554.5A HK1224343A1 (zh) | 2013-05-30 | 2014-03-24 | 获得单晶含镓氮化物的方法以及由该方法获得的单晶含镓氮化物 |
| US14/894,337 US20160108547A1 (en) | 2013-05-30 | 2014-03-24 | Method for obtaining monocrystalline gallium-containing nitride and monocrystalline gallium-containing nitride obtained by this method |
| CA2913720A CA2913720A1 (en) | 2013-05-30 | 2014-03-24 | Method for obtaining monocrystalline gallium-containing nitride and monocrystalline gallium-containing nitride obtained by this method |
| KR1020157036340A KR20160036013A (ko) | 2013-05-30 | 2014-03-24 | 단결정 갈륨-함유 질화물을 수득하는 방법 및 이 방법에 의해 수득된 단결정 갈륨-함유 질화물 |
| JP2016515680A JP2016521667A (ja) | 2013-05-30 | 2014-03-24 | 単結晶ガリウム含有窒化物の製法及びその方法によって得られる単結晶ガリウム含有窒化物 |
| PCT/EP2014/055876 WO2014191126A1 (en) | 2013-05-30 | 2014-03-24 | Method for obtaining monocrystalline gallium-containing nitride and monocrystalline gallium-containing nitride obtained by this method |
| RU2015152554A RU2015152554A (ru) | 2013-05-30 | 2014-03-24 | Способ получения монокристаллического галлийсодержащего нитрида и монокристаллический галлийсодержащий нитрид, полученный указанным способом |
| CN201480031120.6A CN105556006A (zh) | 2013-05-30 | 2014-03-24 | 获得单晶含镓氮化物的方法以及由该方法获得的单晶含镓氮化物 |
| EP14718522.7A EP3063315A1 (en) | 2013-05-30 | 2014-03-24 | Method for obtaining monocrystalline gallium-containing nitride and monocrystalline gallium-containing nitride obtained by this method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL404149A PL229568B1 (pl) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal i monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytworzony tym sposobem |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL404149A1 true PL404149A1 (pl) | 2014-12-08 |
| PL229568B1 PL229568B1 (pl) | 2018-07-31 |
Family
ID=50543016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL404149A PL229568B1 (pl) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal i monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytworzony tym sposobem |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160108547A1 (pl) |
| EP (1) | EP3063315A1 (pl) |
| JP (1) | JP2016521667A (pl) |
| KR (1) | KR20160036013A (pl) |
| CN (1) | CN105556006A (pl) |
| CA (1) | CA2913720A1 (pl) |
| HK (1) | HK1224343A1 (pl) |
| PL (1) | PL229568B1 (pl) |
| RU (1) | RU2015152554A (pl) |
| WO (1) | WO2014191126A1 (pl) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016038099A1 (en) | 2014-09-11 | 2016-03-17 | Ammono S.A. W Upadlosci Likwidacyjnej | A method for producing monocrystalline gallium containing nitride and monocrystalline gallium containing nitride, prepared with this method |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6656615B2 (en) | 2001-06-06 | 2003-12-02 | Nichia Corporation | Bulk monocrystalline gallium nitride |
| PL219601B1 (pl) | 2002-12-11 | 2015-06-30 | Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal |
| TWI334890B (en) | 2002-12-11 | 2010-12-21 | Ammono Sp Zoo | Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, eliminating impurities from the obtained crystal and manufacturing substrates made of bulk mono-crystalline gallium-containing nitride |
| PL221055B1 (pl) | 2002-12-11 | 2016-02-29 | Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal |
| AU2003299899A1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | General Electric Company | Gallium nitride crystal, homoepitaxial gallium-nitride-based devices and method for producing same |
| EP1759408A1 (en) | 2004-06-11 | 2007-03-07 | AMMONO Sp.z o.o. | High electron mobility transistor (hemt) made of layers of group xiii element nitrides and manufacturing method thereof. |
| US20060247623A1 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Sdgi Holdings, Inc. | Local delivery of an active agent from an orthopedic implant |
| PL394857A1 (pl) * | 2008-08-07 | 2011-09-26 | Sorra, Inc. | Sposób amonotermalnego wytwarzania kryształów ciągnionych azotku galu na dużą skalę |
| US8878230B2 (en) * | 2010-03-11 | 2014-11-04 | Soraa, Inc. | Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture |
| EP2267197A1 (en) | 2009-06-25 | 2010-12-29 | AMMONO Sp.z o.o. | Method of obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, substrates manufactured thereof and devices manufactured on such substrates |
| JP5291648B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2013-09-18 | 日本碍子株式会社 | 窒化物結晶の製造装置及び製造方法 |
| KR20140088147A (ko) * | 2011-10-28 | 2014-07-09 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 질화물 결정의 제조 방법 및 질화물 결정 |
| WO2014129544A1 (ja) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | 三菱化学株式会社 | 周期表第１３族金属窒化物結晶およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-05-30 PL PL404149A patent/PL229568B1/pl unknown
-
2014
- 2014-03-24 WO PCT/EP2014/055876 patent/WO2014191126A1/en not_active Ceased
- 2014-03-24 JP JP2016515680A patent/JP2016521667A/ja not_active Ceased
- 2014-03-24 CA CA2913720A patent/CA2913720A1/en not_active Abandoned
- 2014-03-24 EP EP14718522.7A patent/EP3063315A1/en not_active Withdrawn
- 2014-03-24 CN CN201480031120.6A patent/CN105556006A/zh active Pending
- 2014-03-24 US US14/894,337 patent/US20160108547A1/en not_active Abandoned
- 2014-03-24 KR KR1020157036340A patent/KR20160036013A/ko not_active Withdrawn
- 2014-03-24 HK HK16112554.5A patent/HK1224343A1/zh unknown
- 2014-03-24 RU RU2015152554A patent/RU2015152554A/ru not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016038099A1 (en) | 2014-09-11 | 2016-03-17 | Ammono S.A. W Upadlosci Likwidacyjnej | A method for producing monocrystalline gallium containing nitride and monocrystalline gallium containing nitride, prepared with this method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016521667A (ja) | 2016-07-25 |
| EP3063315A1 (en) | 2016-09-07 |
| WO2014191126A1 (en) | 2014-12-04 |
| HK1224343A1 (zh) | 2017-08-18 |
| US20160108547A1 (en) | 2016-04-21 |
| KR20160036013A (ko) | 2016-04-01 |
| RU2015152554A (ru) | 2017-07-05 |
| CA2913720A1 (en) | 2014-12-04 |
| CN105556006A (zh) | 2016-05-04 |
| PL229568B1 (pl) | 2018-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Uecker | The historical development of the Czochralski method | |
| Palladino et al. | On the anatomy of magma chamber and caldera collapse: the example of trachy-phonolitic explosive eruptions of the Roman Province (central Italy) | |
| CO2019015066A2 (es) | Procedimiento para autorizar permisos de operaciones de valores de campo de formulario | |
| Montero et al. | Timing of Archean crust formation and cratonization in the Awsard-Tichla zone of the NW Reguibat Rise, West African Craton: A SHRIMP, Nd–Sr isotopes, and geochemical reconnaissance study | |
| PH12020500586A1 (en) | Process for preapring large size isoxazoline particles | |
| PL409465A1 (pl) | Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal i monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytworzony tym sposobem | |
| WO2016103262A3 (en) | Crystal forms of apomorphine and uses thereof | |
| PL404149A1 (pl) | Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal i monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytwarzany tym sposobem | |
| PH12019500081A1 (en) | Method for producing crystal of uracil compound | |
| MX393759B (es) | Suspensiones inyectables | |
| WO2019132663A8 (en) | Method for purifying and removing color of fdca | |
| MX382967B (es) | Producción de color caramelo clase iv de 4-metilimidazol inferior. | |
| GB2535968A (en) | Method | |
| LT2014061A (lt) | Nauji 2,2',10,10'-pakeisti 9,9'-biantracenai, jų sintezė ir taikymas optolelektronikoje | |
| PL409496A1 (pl) | Sposób stabilizacji parametrów elektrycznych monokryształu krzemu wytwarzanego metodą topienia strefowego z zastosowaniem domieszkowania za pomocą transmutacji neutronowej oraz produkt krzemowy o ustabilizowanych tym sposobem parametrach elektrycznych | |
| JP2016521667A5 (pl) | ||
| Rimez et al. | Development of a continuous “self-seeding” microfluidic crystallization device for active pharmaceutical ingredients | |
| PL408795A1 (pl) | Kokryształ 4-amino-N-(4,6-dimetylopirymidyn-2-ylo-)-benzeno-1-sulfonamid - 2-amino-5-chloropirydyna oraz sposób jego wytwarzania | |
| UA115210U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl3PbBr2,5I2,5 | |
| TH162313A (th) | สารผสมพอลิแลคทิคแอซิดสเทอรีโอคอมเพล็กซ์, ผลิตภัณฑ์ที่อัดแบบของมัน, กรรมวิธีสำหรับการผลิตของมัน และการประยุกต์ใช้ของมัน | |
| PL407357A1 (pl) | Proces wzrostu kryształów azotku galu metodą HVPE | |
| Braatz | Control of Molecular Purity, Crystal Structure, and Particle Size Distribution in Pharmaceutical Crystallization | |
| MD402Z (ro) | Procedeu de creştere rapidă a monocristalului de bismut | |
| Vysotsky et al. | Erratum: Looking for chiral anomaly in K γ→ K π reactions [Phys. Rev. D 93, 094029 (2016)] | |
| Ehsan et al. | Modeling and Optimal Control of Solution Mediated Polymorphic Transformation of l-Glutamic Acid |