PL409496A1 - Sposób stabilizacji parametrów elektrycznych monokryształu krzemu wytwarzanego metodą topienia strefowego z zastosowaniem domieszkowania za pomocą transmutacji neutronowej oraz produkt krzemowy o ustabilizowanych tym sposobem parametrach elektrycznych - Google Patents
Sposób stabilizacji parametrów elektrycznych monokryształu krzemu wytwarzanego metodą topienia strefowego z zastosowaniem domieszkowania za pomocą transmutacji neutronowej oraz produkt krzemowy o ustabilizowanych tym sposobem parametrach elektrycznychInfo
- Publication number
- PL409496A1 PL409496A1 PL409496A PL40949614A PL409496A1 PL 409496 A1 PL409496 A1 PL 409496A1 PL 409496 A PL409496 A PL 409496A PL 40949614 A PL40949614 A PL 40949614A PL 409496 A1 PL409496 A1 PL 409496A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- electric parameters
- silicon
- doping
- stabilized
- produced
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title abstract 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title abstract 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 title 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 title 1
- 238000009377 nuclear transmutation Methods 0.000 title 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 title 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Sposób polega na tym, że dostarczony, naświetlony neutronami monokryształ krzemu, wytwarzany metodą FZ-NTD w formie trawionego chemicznie wałka lub w formie trawionej chemicznie lub wypolerowanej mechaniczno-chemicznie płytki, poddawany jest procesowi obróbki termicznej w temperaturze powyżej 1000°C w mieszaninie gazowej. Ujawniono również produkt krzemowy o ustabilizowanych parametrach elektrycznych, który zawiera domieszkę azotu o stężeniu nie przekraczającym 5 x 1015 cm-3, jego rezystywność mieści się w zakresie od 20 ?cm do 10000 ?cm, a średnica wynosi od 140 mm do 310 mm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL409496A PL409496A1 (pl) | 2014-09-16 | 2014-09-16 | Sposób stabilizacji parametrów elektrycznych monokryształu krzemu wytwarzanego metodą topienia strefowego z zastosowaniem domieszkowania za pomocą transmutacji neutronowej oraz produkt krzemowy o ustabilizowanych tym sposobem parametrach elektrycznych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL409496A PL409496A1 (pl) | 2014-09-16 | 2014-09-16 | Sposób stabilizacji parametrów elektrycznych monokryształu krzemu wytwarzanego metodą topienia strefowego z zastosowaniem domieszkowania za pomocą transmutacji neutronowej oraz produkt krzemowy o ustabilizowanych tym sposobem parametrach elektrycznych |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL409496A1 true PL409496A1 (pl) | 2016-03-29 |
Family
ID=55579839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL409496A PL409496A1 (pl) | 2014-09-16 | 2014-09-16 | Sposób stabilizacji parametrów elektrycznych monokryształu krzemu wytwarzanego metodą topienia strefowego z zastosowaniem domieszkowania za pomocą transmutacji neutronowej oraz produkt krzemowy o ustabilizowanych tym sposobem parametrach elektrycznych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL409496A1 (pl) |
-
2014
- 2014-09-16 PL PL409496A patent/PL409496A1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PH12019500155A1 (en) | Method of generating aerosol | |
| MY204435A (en) | Apparatus for heating smokable material | |
| MY185583A (en) | Article for use with apparatus for heating smokable material | |
| MX2017015130A (es) | Dispersiones de materiales de grafeno perforados y aplicaciones de los mismos. | |
| MY207856A (en) | Article for use with apparatus for heating smokable material | |
| MX2022007912A (es) | Polimorfos cristalinos de la base libre de 2-hidroxi-6-((2-(1-isop ropil-1h-pirazol-5-il)piridin-3- il)metoxi)benzaldehido. | |
| MX2017008416A (es) | Formas solidas de un inhibidor de ask1. | |
| Gruber et al. | Resolving the gap between laboratory and field rates of feldspar weathering | |
| TW201612179A (en) | A process for preparing a crystalline organic semiconductor material | |
| MY183935A (en) | Solar cell production method and solar cell treatment method | |
| MX2017008717A (es) | Metodos para el tratamiento termico de articulos de vidrio. | |
| EP3554995C0 (en) | DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING HIGHLY CONCENTRATED LOW TEMPERATURE NITROGEN OXIDE | |
| WO2014140901A3 (en) | Directional solidification system and method | |
| MY161721A (en) | Bonding Wire for Semiconductor Device Use and Method of Production of Same | |
| TW201612961A (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, program | |
| MY185184A (en) | Cold-adapted temperature sensitive strains of enterovirus 71 and processes of developing cold-adapted temperature sensitive virus strains | |
| SG10201902318UA (en) | Coating liquid for forming n-type oxide semiconductor film, method for producing n-type oxide semiconductor film, and method for producing field-effect transistor | |
| PL409496A1 (pl) | Sposób stabilizacji parametrów elektrycznych monokryształu krzemu wytwarzanego metodą topienia strefowego z zastosowaniem domieszkowania za pomocą transmutacji neutronowej oraz produkt krzemowy o ustabilizowanych tym sposobem parametrach elektrycznych | |
| TW201614757A (en) | Film forming method and film forming apparatus | |
| EP3520883A4 (en) | MODULE FOR CONCENTRATING INCUBED THROMBOYCYTES AND METHOD FOR PRODUCING A THROMBOYCYTE PREPARATION THEREFOR | |
| EP3474295A4 (en) | ELECTRODE STRUCTURE, ELECTRONIC DEVICE THEREWITH AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF | |
| PL404149A1 (pl) | Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal i monokrystaliczny azotek zawierający gal, wytwarzany tym sposobem | |
| UA106944U (uk) | Солітонний генератор | |
| PL407357A1 (pl) | Proces wzrostu kryształów azotku galu metodą HVPE | |
| UA106366U (uk) | Спосіб отримання наночастинок оксидів металів заданого розміру в пиловому полум'ї металів |