PL409775A1 - Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych - Google Patents
Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznychInfo
- Publication number
- PL409775A1 PL409775A1 PL409775A PL40977514A PL409775A1 PL 409775 A1 PL409775 A1 PL 409775A1 PL 409775 A PL409775 A PL 409775A PL 40977514 A PL40977514 A PL 40977514A PL 409775 A1 PL409775 A1 PL 409775A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- insulation layer
- electronic components
- semiconductor structure
- mixture
- chemical extraction
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 title abstract 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Weting (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych polega na tym, że badany podzespół umieszcza się w zlewce na płycie grzejnej, nagrzanej do temperatury 90°C, po czym zalewa się go roztworem trawiącym z mieszaniny stężonego kwasu azotowego i kwasu siarkowego w proporcji 1 :1 z dodatkiem kwasu solnego w ilości od 10 do 20 ml na 1 dcm3 mieszaniny lub z mieszaniny stężonego kwasu azotowego i stężonego kwasu solnego w proporcji HCl:HNO3:H2O 1:1:1, a proces wydzielenia struktury wykonuje się manualnie od spodniej części podzespołu elektronicznego poprzez selektywne trawienie najpierw metalowego podłoża a następnie kolejnych warstw podzespołu wraz z obudową.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL409775A PL227418B1 (pl) | 2014-10-13 | 2014-10-13 | Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL409775A PL227418B1 (pl) | 2014-10-13 | 2014-10-13 | Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL409775A1 true PL409775A1 (pl) | 2016-04-25 |
| PL227418B1 PL227418B1 (pl) | 2017-11-30 |
Family
ID=55762066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL409775A PL227418B1 (pl) | 2014-10-13 | 2014-10-13 | Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL227418B1 (pl) |
-
2014
- 2014-10-13 PL PL409775A patent/PL227418B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL227418B1 (pl) | 2017-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201614104A (en) | Etching method, method of manufacturing article, and etching solution | |
| TW201614840A (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
| SG11201702331YA (en) | Substrate processing device, manufacturing method for semiconductor device, and reaction tube | |
| SG11201705487QA (en) | Metal hardmask composition and processes for forming fine patterns on semiconductor substrates | |
| SG10201707397YA (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and program | |
| PL408660A1 (pl) | Sposób przenoszenia warstwy grafenowej | |
| PH12017501562A1 (en) | Activation method for silicon substrates | |
| TW201614724A (en) | Substrate processing method | |
| WO2015038367A3 (en) | Forming through wafer vias in glass | |
| JP2016063227A5 (pl) | ||
| MX2017008821A (es) | Mitigacion de corrosion en sistemas geotermicos. | |
| MY168456A (en) | Method for aligning electronic components | |
| TWI560286B (zh) | 高強度鈦銅箔及其製造方法 | |
| SG10201704204RA (en) | Process For The Manufacture Of A High Resistivity Semiconductor Substrate | |
| KR20180084887A (ko) | 저류 장치, 기화기, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| TW201611914A (en) | Method for cleaning semiconductor substrate and method for fabricating semiconductor device | |
| TW201613114A (en) | Method and apparatus for structuring the topside and underside of a semiconductor substrate | |
| MX387012B (es) | Metodo para reducir incrustaciones en el proceso bayer. | |
| PL409775A1 (pl) | Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych | |
| MY172318A (en) | Cleaning fluid for semiconductor, and cleaning method using the same | |
| SA515370062B1 (ar) | طريقة لإنتاج نيتروبنزين بواسطة نيترة كاظمة للحرارة | |
| SI3055437T1 (sl) | Hidrometalurški postopek za pridobivanje materialov iz elektronskih plošč | |
| CL2016003152A1 (es) | Métodos de extracción de cobre | |
| Pham et al. | Novel approach to predict the varying thicknesses of a PVA film during a roll-to-roll process | |
| TW201612659A (en) | Stripping solution, stripping method using the stripping solution, manufacturing method of semiconductor substrate products |