PL411268A1 - Enkapsulant warstw aktywnych w ogniwach fotowoltaicznych III generacji i sposób jego nanoszenia na podłoża elektrod tych ogniw i szczelnego połączenia ze sobą tych elektrod - Google Patents
Enkapsulant warstw aktywnych w ogniwach fotowoltaicznych III generacji i sposób jego nanoszenia na podłoża elektrod tych ogniw i szczelnego połączenia ze sobą tych elektrodInfo
- Publication number
- PL411268A1 PL411268A1 PL411268A PL41126815A PL411268A1 PL 411268 A1 PL411268 A1 PL 411268A1 PL 411268 A PL411268 A PL 411268A PL 41126815 A PL41126815 A PL 41126815A PL 411268 A1 PL411268 A1 PL 411268A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- electrodes
- encapsulant
- glass frit
- terpineol
- ethylcellulose
- Prior art date
Links
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest enkapsulant warstw aktywnych w ogniwach fotowoltaicznych III generacji i sposób jego nanoszenia na podłoża elektrod tych ogniw i szczelnego połączenia ze sobą tych elektrod. Enkapsulant charakteryzuje się tym, że składa się on z proszku fryty szklanej o ziarnistości d50=0,4 - 0,5 μm, tlenków krzemu (IV), cyny (IV) i bizmutu (III) o stosunku wagowym SiO2 : SnO2 : Bi2O3 = (4,0 : 4,5) : (0,8 : 1,0) : (13,0 : 13,5) oraz z lepiszcza organicznego złożonego z α-terpineolu i etylocelulozy, przy czym stosunek wagowy tej fryty szklanej do α-terpineolu i etylocelulozy wynosi jak (4,0 : 4,5) : (3,0 : 4,0) : (0,8 : 1). Z kolei istota sposobu nanoszenia tego enkapsulantu na podłoża elektrod ogniw fotowoltaicznych polega na tym, że sporządzoną uprzednio pastę drukarską, składającą się z proszku z fryty szklanej o ziarnistości d50 = 0,4 - 0,5 μm, tlenków krzemu (IV), cyny (IV) i bizmutu (III) o stosunku wagowym SiO2 : SnO2 : Bi2O3 = (4,0 : 4,5) : (0,8 : 1,0) : (13,0 : 13,5) oraz z lepiszcza organicznego złożonego z α-terpineolu i etylocelulozy, przy czym stosunek wagowy tej fryty szklanej do α -terpineolu i etylocelulozy wynosi jak (4,0 : 4,5) : (3,0 : 4,0) : (0,8 : 1) nanosi się na szklane podłoża TCO techniką sitodruku oddzielnie na każdą elektrodę tego ogniwa, używając do tego celu sita z siatką PW posiadającą liczbę mesh = 63 oraz gumy raklowej o twardości w skali „Shore'a” wynoszącej 75 – 90 - 75 Sha, po czym tak zadrukowane podłoża TCO obu elektrod warstwą tej pasty umieszcza się w piecu komorowym i poddaje procesowi suszenia w temperaturze 140 - 160°C w czasie od 10 do 20 minut, a następnie w tym samym cyklu poddaje się je procesowi spiekania w temperaturze 470 - 490°C w czasie 40 - 50 minut, po czym tak dopasowane do siebie obie elektrody poddano procesowi enkapsulacji metodą fusingu w komorowym piecu w temp 630 - 650°C i w czasie 40 - 50 minut, doprowadzając do stopienia proszku fryty szklanej i szczelnego połączenia ze sobą fotoelektrody i przeciwelektrody tego ogniwa.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL411268A PL232041B1 (pl) | 2015-02-27 | 2015-02-27 | Enkapsulant warstw aktywnych w ogniwach fotowoltaicznych III generacji |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL411268A PL232041B1 (pl) | 2015-02-27 | 2015-02-27 | Enkapsulant warstw aktywnych w ogniwach fotowoltaicznych III generacji |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL411268A1 true PL411268A1 (pl) | 2016-08-29 |
| PL232041B1 PL232041B1 (pl) | 2019-05-31 |
Family
ID=56760141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL411268A PL232041B1 (pl) | 2015-02-27 | 2015-02-27 | Enkapsulant warstw aktywnych w ogniwach fotowoltaicznych III generacji |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL232041B1 (pl) |
-
2015
- 2015-02-27 PL PL411268A patent/PL232041B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL232041B1 (pl) | 2019-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101510658B1 (ko) | 염료감응 태양전지 및 그 제조방법 | |
| TW200735388A (en) | Paste for solar cell electrodes, method for the manufacture of solar cell electrodes, and the solar cell | |
| EP2615613A3 (en) | A solar cell back side electrode | |
| TW200731292A (en) | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices | |
| RU2010135770A (ru) | Проводящие пасты с металлоорганическими модификаторами | |
| JP2011514397A5 (pl) | ||
| WO2012019065A3 (en) | Conductive paste for a solar cell electrode | |
| CN101449421A (zh) | 电极基板的制造方法、电极基板、光电转换元件及染料敏化太阳能电池 | |
| BR112015028867A8 (pt) | Célula solar sensibilizada por corante e método de fabricação de célula solar sensibilizada por corante | |
| CN105679403B (zh) | 含无铅玻璃料的导电浆及其制品 | |
| JP2012527782A5 (pl) | ||
| CN104009124A (zh) | 太阳能电池超精细电极转移薄膜、制备方法及其应用方法 | |
| KR20110069593A (ko) | 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용한 태양전지 | |
| CN105679402A (zh) | 含无铅玻璃料的导电浆 | |
| MY186101A (en) | Solar battery cell and manufacturing method for the solar battery cell | |
| JP2012527781A5 (pl) | ||
| MY189426A (en) | Paste composition used for forming solar cell electrode, solar cell electrode, and solar cell | |
| PL411268A1 (pl) | Enkapsulant warstw aktywnych w ogniwach fotowoltaicznych III generacji i sposób jego nanoszenia na podłoża elektrod tych ogniw i szczelnego połączenia ze sobą tych elektrod | |
| PL426745A1 (pl) | Sposób nanoszenia enkapsulantu warstw aktywnych na podłoża elektrod ogniw fotowoltaicznych III generacji | |
| EP2584645A1 (en) | Dye-sensitized solar cell electrode, manufacturing method thereof, and dye-sensitized solar cell | |
| KR101219330B1 (ko) | 박판 유리 기판을 이용한 염료감응 태양전지 모듈 및 그 제조방법 | |
| JP5284296B2 (ja) | 色素増感太陽電池 | |
| KR101896728B1 (ko) | 광전기 화학 전지의 수직 전기 연결 장치 | |
| WO2015084801A3 (en) | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith | |
| CN110690303A (zh) | 一种提高转换效率的光伏瓷砖及其制备方法 |