PL411465A1 - Układ cieplny urządzenia do wytwarzania monokryształów, zwłaszcza Pr <sub>x</sub> La <sub>1</sub>- <sub>x</sub> AlO <sub>3</sub> , metodą Czochralskiego - Google Patents

Układ cieplny urządzenia do wytwarzania monokryształów, zwłaszcza Pr <sub>x</sub> La <sub>1</sub>- <sub>x</sub> AlO <sub>3</sub> , metodą Czochralskiego

Info

Publication number
PL411465A1
PL411465A1 PL411465A PL41146515A PL411465A1 PL 411465 A1 PL411465 A1 PL 411465A1 PL 411465 A PL411465 A PL 411465A PL 41146515 A PL41146515 A PL 41146515A PL 411465 A1 PL411465 A1 PL 411465A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
sub
production
crucible
thermal system
czochralski method
Prior art date
Application number
PL411465A
Other languages
English (en)
Other versions
PL239251B1 (pl
Inventor
Sebastian Turczyński
Dorota Anna Pawlak
Marek Świrkowicz
Original Assignee
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych filed Critical Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Priority to PL411465A priority Critical patent/PL239251B1/pl
Publication of PL411465A1 publication Critical patent/PL411465A1/pl
Publication of PL239251B1 publication Critical patent/PL239251B1/pl

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest układ cieplny urządzenia do wytwarzania monokryształów, zwłaszcza PrxLa1-xAlO3, metodą Czochralskiego. Wynalazek ma zastosowanie zwłaszcza w procesach wytwarzania wysokotemperaturowych monokryształów, wymagających zastosowania wysokich i stabilnych warunków termicznych oraz określonych gradientów temperaturowych. Układ cieplny pod strefą wzrostu (1) monokryształu ma tygiel (2), z materiału odpowiedniego do warunków procesu, o wysokiej temperaturze topnienia i odpowiednio wysokiej odporności na utlenianie w wysokich temperaturach. Tygiel jest bezpośrednio otoczony zasypką ceramiczną (3) o odpowiednio wysokiej wytrzymałości mechanicznej i o adekwatnie niskim współczynniku przewodności cieplnej w wysokich temperaturach i jest umieszczony rozłącznie na co najmniej jednej tulei (4), usytuowanej na płycie (6) oraz zawiera stos tulei (5, 7), oddzielających od siebie obszary zasypek (4, 11) i opierających się odpowiednio na płytach (6, 8), a ponadto w strefie wzrostu (1) ma zaródź (17) zamocowaną do pręta wyciągającego (16), usytuowanego współosiowo nad tyglem (2).
PL411465A 2015-03-03 2015-03-03 Układ cieplny urządzenia do wytwarzania monokryształów, PrxLa1-xAlO3, metodą Czochralskiego PL239251B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL411465A PL239251B1 (pl) 2015-03-03 2015-03-03 Układ cieplny urządzenia do wytwarzania monokryształów, PrxLa1-xAlO3, metodą Czochralskiego

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL411465A PL239251B1 (pl) 2015-03-03 2015-03-03 Układ cieplny urządzenia do wytwarzania monokryształów, PrxLa1-xAlO3, metodą Czochralskiego

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL411465A1 true PL411465A1 (pl) 2016-09-12
PL239251B1 PL239251B1 (pl) 2021-11-22

Family

ID=56855144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL411465A PL239251B1 (pl) 2015-03-03 2015-03-03 Układ cieplny urządzenia do wytwarzania monokryształów, PrxLa1-xAlO3, metodą Czochralskiego

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL239251B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL239251B1 (pl) 2021-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Gao et al. Dislocation-density-based modeling of the plastic behavior of 4H–SiC single crystals using the Alexander–Haasen model
RU2010130676A (ru) Способ и устройство для получения монокристалла сапфира
PL390896A1 (pl) Sposób wytwarzania kryształów, zwłaszcza węglika krzemu, z fazy gazowej
Miyagawa et al. Demonstration of crack-free c-axis sapphire crystal growth using the vertical Bridgman method
Shiramomo et al. Study of the effect of doped impurities on polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory
WO2020139584A8 (en) Improved resistivity stabilization measurement of fat neck slabs for high resistivity and ultra-high resistivity single crystal silicon ingot growth
Yokota et al. Growth and crystallinity of shaped and multiple sapphire crystals by a micro-pulling-down method
Komatsu et al. Growth rate and surface morphology of 4H-SiC single crystal grown under various supersaturations using Si-C solution
Ma et al. Thermal system design and dislocation reduction for growth of wide band gap crystals:: application to SiC growth
Moskovskih et al. The low thermal gradient CZ technique as a way of growing of dislocation-free germanium crystals
Gao et al. Optimization of power control in the reduction of basal plane dislocations during PVT growth of 4H-SiC single crystals
PL411465A1 (pl) Układ cieplny urządzenia do wytwarzania monokryształów, zwłaszcza Pr &lt;sub&gt;x&lt;/sub&gt; La &lt;sub&gt;1&lt;/sub&gt;- &lt;sub&gt;x&lt;/sub&gt; AlO &lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt; , metodą Czochralskiego
Tsuge et al. Growth of low basal plane dislocation density 4H-SiC crystals in controlled temperature distribution inside the crucible
CN204325549U (zh) 一种碳化硅晶体生长装置
PL411695A1 (pl) Sposób wytwarzania długich kryształów węglika krzemu z fazy gazowej
CN205313715U (zh) 一种温场梯度水平移动法制备片状单晶的装置
Nozawa et al. Liquid immiscibility in a CTGS (Ca3TaGa3Si2O14) melt
Chourou et al. Modelling of SiC sublimation growth process: analyses of macrodefects formation
Li et al. Influence of an axial uniform magnetic field on the solid/liquid interface curvature and macrosegregation in directionally solidified the Al–0.85 wt.% Cu alloy
Stelian et al. Modeling effects of solute concentration in Bridgman growth of cadmium zinc telluride
Fujimoto et al. Fundamental Study of Sublimation-Recrystallization Phenomena in PVT-Growth of SiC Single Crystals
Liu et al. Effects of rotating magnetic field on Bi12SiO20 crystal growth by vertical zone-melting technique
MD402Y (en) Process for rapid growth of bismuth monocrystal
Yang et al. Microstructure and field emission property of Bridgman-grown Si–TaSi2 eutectic in situ composite
UA101807C2 (ru) Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов методов чохральского