PL414751A1 - Układ przeciwsobnego wzmacniacza mocy z wyjściem prądowym - Google Patents

Układ przeciwsobnego wzmacniacza mocy z wyjściem prądowym

Info

Publication number
PL414751A1
PL414751A1 PL414751A PL41475115A PL414751A1 PL 414751 A1 PL414751 A1 PL 414751A1 PL 414751 A PL414751 A PL 414751A PL 41475115 A PL41475115 A PL 41475115A PL 414751 A1 PL414751 A1 PL 414751A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
resistor
base
collector
emitter
Prior art date
Application number
PL414751A
Other languages
English (en)
Other versions
PL228028B1 (pl
Inventor
Adam Kristof
Original Assignee
Politechnika Śląska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Śląska filed Critical Politechnika Śląska
Priority to PL414751A priority Critical patent/PL228028B1/pl
Publication of PL414751A1 publication Critical patent/PL414751A1/pl
Publication of PL228028B1 publication Critical patent/PL228028B1/pl

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Układ tranzystorowego przeciwsobnego wzmacniacza mocy, charakteryzujący się tym, że wejście (1) układu doprowadza się poprzez rezystor (R7) do węzła łączącego kolektor tranzystora (Q3), bazę tranzystora (Q3) i bazę tranzystora (Q5) oraz jednocześnie poprzez rezystor (R8) do węzła łączącego kolektor tranzystora (Q4), bazę tranzystora (Q4) i bazę tranzystora (Q6), dalej kolektor tranzystora (Q5) połączony jest z bazą tranzystora (Q7) i jednocześnie poprzez rezystor (R9) z punktem masy układu, podobnie kolektor tranzystora (Q6) połączony jest z bazą tranzystora (Q8) i jednocześnie poprzez rezystor (R10) z punktem masy układu, dalej jedna z (pozostałych) elektrod tranzystora (Q7) połączona jest bezpośrednio lub poprzez dodatkowe elementy z bramką tranzystora (Q1) i analogicznie jedna z (pozostałych) elektrod tranzystora (Q8) połączona jest bezpośrednio lub poprzez dodatkowe elementy z bramką tranzystora (Q2) emiter tranzystora (Q3) poprzez rezystor (R3) albo (w innym wariancie rozwiązania) emiter tranzystora (Q5) poprzez rezystor (R5) połączony jest ze źródłem tranzystora (Q1) podobnie emiter tranzystora (Q4) poprzez rezystor (R4) albo (w innym wariancie) emiter tranzystora (Q6) poprzez rezystor (R6) połączony jest ze źródłem tranzystora (Q2), jednocześnie źródło tranzystora (Q1) poprzez rezystor (R1) połączone jest z szyną dodatniego napięcia zasilającego (3), a źródło tranzystora (Q2) poprzez rezystor (R2) połączone jest z szyną ujemnego napięcia zasilającego (4), dren tranzystora (Q1) połączony jest do węzła stanowiącego wyjście (2) układu i jednocześnie dren tranzystora (Q2) połączony jest do węzła stanowiącego wyjście (2) układu.
PL414751A 2015-11-10 2015-11-10 Układ przeciwsobnego wzmacniacza mocy z wyjsciem pradowym PL228028B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL414751A PL228028B1 (pl) 2015-11-10 2015-11-10 Układ przeciwsobnego wzmacniacza mocy z wyjsciem pradowym

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL414751A PL228028B1 (pl) 2015-11-10 2015-11-10 Układ przeciwsobnego wzmacniacza mocy z wyjsciem pradowym

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL414751A1 true PL414751A1 (pl) 2017-05-22
PL228028B1 PL228028B1 (pl) 2018-02-28

Family

ID=58709017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL414751A PL228028B1 (pl) 2015-11-10 2015-11-10 Układ przeciwsobnego wzmacniacza mocy z wyjsciem pradowym

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL228028B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL228028B1 (pl) 2018-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009152680A5 (pl)
NZ596258A (en) High temperature gate drivers for wide bandgap semiconductor power jfets and integrated circuits including the same
JP2015188214A5 (pl)
JP2012257197A5 (ja) 半導体装置
JP2014241589A5 (pl)
JP2017521963A5 (pl)
JP2015062278A5 (ja) 信号処理回路
WO2014138693A3 (en) Low threshold voltage comparator
TWI554861B (zh) Reference voltage circuit
TW201530285A (zh) 低偏移帶隙電路和校正器
SG10201803548PA (en) Terminal device including reference voltage circuit
RU2008109506A (ru) Каскодный дифференциальный усилитель с малым напряжением питания
CN105094206B (zh) 偏置电路
CN105607684A (zh) 一种自偏置带隙基准源电路
PL414751A1 (pl) Układ przeciwsobnego wzmacniacza mocy z wyjściem prądowym
RU2008138006A (ru) Аналоговый перемножитель напряжений
RU2008110769A (ru) Мультидифференциальный усилитель
JP2018019119A5 (pl)
CN207053479U (zh) 一种零功耗开关电路
CN104977975B (zh) 温度非相关的整合电压源与电流源
CN211296165U (zh) 一种cmos工艺过温保护结构
UA117379U (uk) Підсилювач постійного струму
CN107168454A (zh) 一种偏置电流产生电路
UA128519U (uk) Генератор струму зсуву нуля
TWI522770B (zh) 能隙參考電路