PL417459A1 - Sposób wytwarzania domieszkowanych warstw węglowych na podłożach metalicznych metodą RF PACVD - Google Patents
Sposób wytwarzania domieszkowanych warstw węglowych na podłożach metalicznych metodą RF PACVDInfo
- Publication number
- PL417459A1 PL417459A1 PL417459A PL41745916A PL417459A1 PL 417459 A1 PL417459 A1 PL 417459A1 PL 417459 A PL417459 A PL 417459A PL 41745916 A PL41745916 A PL 41745916A PL 417459 A1 PL417459 A1 PL 417459A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layers
- doped carbon
- pacvd
- producing doped
- carbon layers
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title abstract 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 title abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania domieszkowanych warstw węglowych na podłożach metalicznych metodą RF PACVD, charakteryzuje się tym, że w reaktorze plazmowo - chemicznym, w trakcie nanoszenia warstwy węglowej, prowadzi się równocześnie proces rozpylania materiału domieszki z dodatkowej elektrody wysokiej częstotliwości reaktora zasilanej potencjałem ujemnym z odrębnego źródła energii, w drodze bombardowania jonowego tej elektrody, wzbudzonego plazmą wysokiej częstotliwości.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL417459A PL232687B1 (pl) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | Sposób wytwarzania domieszkowanych warstw węglowych na podłożach metalicznych metodą RF PACVD |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL417459A PL232687B1 (pl) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | Sposób wytwarzania domieszkowanych warstw węglowych na podłożach metalicznych metodą RF PACVD |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL417459A1 true PL417459A1 (pl) | 2017-12-18 |
| PL232687B1 PL232687B1 (pl) | 2019-07-31 |
Family
ID=60655690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL417459A PL232687B1 (pl) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | Sposób wytwarzania domieszkowanych warstw węglowych na podłożach metalicznych metodą RF PACVD |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL232687B1 (pl) |
-
2016
- 2016-06-07 PL PL417459A patent/PL232687B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL232687B1 (pl) | 2019-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201614725A (en) | Methods for high precision plasma etching of substrates | |
| KR20180084647A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| TW201614727A (en) | Method of depositing insulation layer on deep trench having high aspect ratio | |
| SG10201808248RA (en) | Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof | |
| SG10201806990UA (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| MY183557A (en) | Plasma cvd device and plasma cvd method | |
| EP3581209A3 (en) | Reactive gas generation system and method of treatment using reactive gas | |
| TW201614097A (en) | Improved defect control and stability of DC bias in RF plasma-based substrate processing systems using molecular reactive purge gas | |
| JP2015505421A5 (pl) | ||
| JP2014007432A5 (pl) | ||
| WO2011139775A3 (en) | Process chamber lid design with built-in plasma source for short lifetime species | |
| MX368879B (es) | Dispositivo de bombardeo de iones y metodo para usar el mismo para limpiar una superficie de sustrato. | |
| WO2013062831A3 (en) | Process chamber for etching low k and other dielectric films | |
| EA201791234A1 (ru) | Плазменный источник с полым катодом | |
| GB2563349A (en) | Fabrication of correlated electron material devices method to control carbon | |
| WO2013070472A3 (en) | System, method and apparatus for plasma sheath voltage control | |
| CN112020574A (zh) | 具有周期性高电压偏压的等离子体增强cvd | |
| TW201613421A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| NZ720017A (en) | Photovoltaic systems and spray coating processes for producing photovoltaic systems | |
| JP2012182447A5 (ja) | 半導体膜の作製方法 | |
| WO2014022872A3 (de) | Vorrichtung und verfahren zur plasmabeschichtung eines substrats, insbesondere eines pressblechs | |
| WO2020161139A3 (en) | Method of producing ions and apparatus | |
| MX2016012991A (es) | Proceso y dispositivo para generar un plasma energizado mediante una energia de microondas en el campo de una resonancia ciclotronica electronica (rce) para ejecutar un tratamiento de superficie o aplicar un recubrimiento alrededor de un componente filiforme. | |
| PL417459A1 (pl) | Sposób wytwarzania domieszkowanych warstw węglowych na podłożach metalicznych metodą RF PACVD | |
| EP2482303A3 (en) | Deposition apparatus and methods |