PL419347A1 - Cienka powłoka termoelektryczna - Google Patents
Cienka powłoka termoelektrycznaInfo
- Publication number
- PL419347A1 PL419347A1 PL419347A PL41934716A PL419347A1 PL 419347 A1 PL419347 A1 PL 419347A1 PL 419347 A PL419347 A PL 419347A PL 41934716 A PL41934716 A PL 41934716A PL 419347 A1 PL419347 A1 PL 419347A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- thin
- thermoelectric
- thermoelectric layer
- layers
- series
- Prior art date
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Cienka powłoka termoelektryczna działająca według zjawiska Seebeck'a, zawierająca warstwę termoelektryczną z elementami półprzewodnikowymi "p" i "n" połączonymi ze sobą szeregowo, charakteryzuje się tym, że wykonana jest technologią PVD, przy czym elementy półprzewodnikowe warstwy termoelektrycznej (1) uformowane są w postaci nie stykających się ze sobą podwarstw półprzewodnikowych "p" i "n" o grubości (d1) od 1 µm do 10 µm, połączonych ze sobą szeregowo cienkowarstwowymi elementami przewodzącymi (2a, 2b) zaopatrzonymi w końcówki przyłączeniowe (4, 5) do wyprowadzenia powstałej energii elektrycznej, przy czym warstwa termoelektryczna (1) izolowana jest obustronnie warstwami (3 a, 3b) izolatora elektrycznego na bazie tlenków nieorganicznych.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL419347A PL234445B1 (pl) | 2016-11-03 | 2016-11-03 | Cienka powłoka termoelektryczna |
| EP17808190.7A EP3535785B1 (en) | 2016-11-03 | 2017-10-27 | Thin thermoelectric layer |
| ES17808190T ES2878282T3 (es) | 2016-11-03 | 2017-10-27 | Capa termoeléctrica fina |
| PCT/PL2017/000110 WO2018084727A1 (en) | 2016-11-03 | 2017-10-27 | Thin thermoelectric layer |
| PL17808190T PL3535785T3 (pl) | 2016-11-03 | 2017-10-27 | Cienka powłoka termoelektryczna |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL419347A PL234445B1 (pl) | 2016-11-03 | 2016-11-03 | Cienka powłoka termoelektryczna |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL419347A1 true PL419347A1 (pl) | 2018-05-07 |
| PL234445B1 PL234445B1 (pl) | 2020-02-28 |
Family
ID=60543628
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL419347A PL234445B1 (pl) | 2016-11-03 | 2016-11-03 | Cienka powłoka termoelektryczna |
| PL17808190T PL3535785T3 (pl) | 2016-11-03 | 2017-10-27 | Cienka powłoka termoelektryczna |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL17808190T PL3535785T3 (pl) | 2016-11-03 | 2017-10-27 | Cienka powłoka termoelektryczna |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP3535785B1 (pl) |
| ES (1) | ES2878282T3 (pl) |
| PL (2) | PL234445B1 (pl) |
| WO (1) | WO2018084727A1 (pl) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101157216B1 (ko) * | 2003-12-02 | 2012-07-03 | 바텔리 메모리얼 인스티튜트 | 열전 디바이스 및 그 응용 장치 |
| JP3879769B1 (ja) * | 2006-02-22 | 2007-02-14 | 株式会社村田製作所 | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 |
| JP2009194309A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 熱電モジュール |
| CN104538542A (zh) | 2014-12-26 | 2015-04-22 | 上海大学 | 利用物理气相沉积方法制备多层膜热电材料的工艺 |
-
2016
- 2016-11-03 PL PL419347A patent/PL234445B1/pl unknown
-
2017
- 2017-10-27 WO PCT/PL2017/000110 patent/WO2018084727A1/en not_active Ceased
- 2017-10-27 PL PL17808190T patent/PL3535785T3/pl unknown
- 2017-10-27 ES ES17808190T patent/ES2878282T3/es active Active
- 2017-10-27 EP EP17808190.7A patent/EP3535785B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL234445B1 (pl) | 2020-02-28 |
| EP3535785A1 (en) | 2019-09-11 |
| ES2878282T3 (es) | 2021-11-18 |
| WO2018084727A1 (en) | 2018-05-11 |
| PL3535785T3 (pl) | 2021-07-19 |
| EP3535785B1 (en) | 2021-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MX385371B (es) | Bobinas hts parcialmente aisladas | |
| JP2012160742A5 (pl) | ||
| SG10201804609UA (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US9178032B2 (en) | Gas sensor and manufacturing method thereof | |
| ES2570133T3 (es) | Pastas en forma de película espesa que contienen óxidos de plomo y teluro y su uso en la fabricación de dispositivos semiconductores | |
| JP2017028252A5 (ja) | トランジスタ | |
| JP2014135478A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2015188064A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011054949A5 (ja) | 半導体装置 | |
| WO2020072314A3 (en) | Optoelectronic devices and methods of making the same | |
| JP2010056546A5 (ja) | 半導体装置 | |
| SG10201803196YA (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
| DE502007000284D1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit gegeneinander elektrisch isolierten Anschlusselementen | |
| RU2016150397A (ru) | Электрические, механические, вычислительные и/или другие устройства, сформированные из материалов с чрезвычайно низким сопротивлением | |
| JP2011077512A5 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
| JP2012068627A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2014099595A5 (pl) | ||
| JP2011044696A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| WO2010142880A3 (fr) | Micro-structure pour générateur thermoélectrique à effet seebeck et procédé de fabrication d'une telle micro-structure | |
| TW200735428A (en) | Electronic element, current control device, arithmetic device, and display device | |
| KR20160024199A (ko) | 열전 모듈 및 그 제조 방법 | |
| JP2015079951A5 (ja) | 半導体装置 | |
| WO2014074933A3 (en) | Microelectronic assembly with thermally and electrically conductive underfill | |
| GB2514711A (en) | Power semiconductor device and method for manufacturing thereof | |
| JP2012019092A5 (pl) |