JP2010056546A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. ゲート電極と、
    前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
    前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれた、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜と、
    前記酸化物半導体層に対して前記ゲート電極側とは反対側に設けられた、第３の絶縁膜及び第４の絶縁膜と、を有し、
    前記第１の絶縁膜と前記酸化物半導体層との間に前記第２の絶縁膜が設けられ、
    前記第４の絶縁膜と前記酸化物半導体層との間に前記第３の絶縁膜が設けられ、
    前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜とは、酸化珪素を含み、
    前記第１の絶縁膜と前記第４の絶縁膜とは、窒化珪素を含むことを特徴とする半導体装置。
  2. ゲート電極と、
    前記ゲート電極と重なる領域を有し、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層と、
    前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれた、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜と、
    前記酸化物半導体層に対して前記ゲート電極側とは反対側に設けられた、第３の絶縁膜及び第４の絶縁膜と、を有し、
    前記第１の絶縁膜と前記酸化物半導体層との間に前記第２の絶縁膜が設けられ、
    前記第４の絶縁膜と前記酸化物半導体層との間に前記第３の絶縁膜が設けられ、
    前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜とは、酸化珪素を含み、
    前記第１の絶縁膜と前記第４の絶縁膜とは、窒化珪素を含むことを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記ゲート電極は銅を含むことを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記第１の絶縁膜または前記第２の絶縁膜は、ハロゲン元素を含むことを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記第３の絶縁膜は、ハロゲン元素を含むことを特徴とする半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056541A (ja) 2008-07-31 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TWI622175B (zh) * 2008-07-31 2018-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI770659B (zh) 2008-07-31 2022-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP5616038B2 (ja) 2008-07-31 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20100023151A (ko) * 2008-08-21 2010-03-04 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5442234B2 (ja) 2008-10-24 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
US9991311B2 (en) 2008-12-02 2018-06-05 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US9721825B2 (en) 2008-12-02 2017-08-01 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
US20140008651A1 (en) * 2008-12-02 2014-01-09 Arizona Board of Regents, a body corporate of the State of Arizona Acting for and on behalf of Arizo Dual active layers for semiconductor devices and methods of manufacturing the same
US9601530B2 (en) 2008-12-02 2017-03-21 Arizona Board Of Regents, A Body Corporated Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
EP2256814B1 (en) 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
KR101422362B1 (ko) 2009-07-10 2014-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 패널 및 전자 기기
KR20120051727A (ko) 2009-07-31 2012-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
KR102490468B1 (ko) 2009-07-31 2023-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
EP2284891B1 (en) 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
DE102009038589B4 (de) * 2009-08-26 2014-11-20 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg TFT-Struktur mit Cu-Elektroden
KR101460869B1 (ko) * 2009-09-04 2014-11-11 가부시끼가이샤 도시바 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR20130026404A (ko) 2009-09-24 2013-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
KR20120084751A (ko) * 2009-10-05 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102295450B1 (ko) 2009-10-09 2021-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011048959A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI467770B (zh) * 2009-10-26 2015-01-01 Prime View Int Co Ltd 顯示器及其薄膜電晶體陣列基板與薄膜電晶體
KR102142450B1 (ko) 2009-10-30 2020-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
KR101506304B1 (ko) 2009-11-27 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
JP5679143B2 (ja) * 2009-12-01 2015-03-04 ソニー株式会社 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器
KR101623961B1 (ko) * 2009-12-02 2016-05-26 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
EP2513893A4 (en) * 2009-12-18 2016-09-07 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device and electronic device
CN107886916B (zh) * 2009-12-18 2021-09-21 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及其驱动方法
WO2011089844A1 (en) * 2010-01-24 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR20120130763A (ko) * 2010-02-05 2012-12-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20110093113A (ko) * 2010-02-11 2011-08-18 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR101906151B1 (ko) * 2010-02-19 2018-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치
WO2011102248A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR20130009978A (ko) * 2010-02-26 2013-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자의 제조 방법 및 성막 장치
KR102357474B1 (ko) * 2010-02-26 2022-02-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
WO2011108382A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
DE112011101069B4 (de) 2010-03-26 2018-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung
WO2011118741A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101465192B1 (ko) 2010-04-09 2014-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN111326435B (zh) * 2010-04-23 2023-12-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
WO2011132556A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US20110263079A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Applies Materials, Inc. Interface protection layaer used in a thin film transistor structure
WO2011132548A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101831147B1 (ko) * 2010-04-28 2018-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 표시 장치 및 그 구동 방법
US9349325B2 (en) * 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
WO2011135987A1 (en) * 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9490368B2 (en) 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
WO2011145537A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8629438B2 (en) 2010-05-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2011249674A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Fujifilm Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US8946046B1 (en) 2012-05-02 2015-02-03 Crossbar, Inc. Guided path for forming a conductive filament in RRAM
US9601692B1 (en) 2010-07-13 2017-03-21 Crossbar, Inc. Hetero-switching layer in a RRAM device and method
US9570678B1 (en) 2010-06-08 2017-02-14 Crossbar, Inc. Resistive RAM with preferental filament formation region and methods
CN102939659B (zh) * 2010-06-11 2016-08-17 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及半导体器件的制造方法
KR101862808B1 (ko) * 2010-06-18 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8441010B2 (en) * 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102986034A (zh) 2010-07-02 2013-03-20 惠普发展公司，有限责任合伙企业 薄膜晶体管
TWI541782B (zh) 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR101108176B1 (ko) 2010-07-07 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 더블 게이트형 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
US8884261B2 (en) 2010-08-23 2014-11-11 Crossbar, Inc. Device switching using layered device structure
US8569172B1 (en) 2012-08-14 2013-10-29 Crossbar, Inc. Noble metal/non-noble metal electrode for RRAM applications
KR102115344B1 (ko) * 2010-08-27 2020-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치, 반도체 장치
WO2012032749A1 (ja) 2010-09-09 2012-03-15 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法、表示装置
KR101856722B1 (ko) * 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
TWI487034B (zh) * 2010-09-24 2015-06-01 Au Optronics Corp 薄膜電晶體及其製造方法
KR101778224B1 (ko) 2010-10-12 2017-09-15 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
KR20120045178A (ko) * 2010-10-29 2012-05-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법
USRE46335E1 (en) 2010-11-04 2017-03-07 Crossbar, Inc. Switching device having a non-linear element
US8502185B2 (en) 2011-05-31 2013-08-06 Crossbar, Inc. Switching device having a non-linear element
TWI555205B (zh) * 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20120063809A (ko) * 2010-12-08 2012-06-18 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8536571B2 (en) * 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI570809B (zh) * 2011-01-12 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8921948B2 (en) * 2011-01-12 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9171940B2 (en) * 2011-01-13 2015-10-27 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor substrate, display device, and method for manufacturing thin film transistor substrate
CN102610652A (zh) * 2011-01-20 2012-07-25 元太科技工业股份有限公司 金属氧化物半导体结构及其制造方法
TWI657580B (zh) 2011-01-26 2019-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置及其製造方法
JP5766467B2 (ja) * 2011-03-02 2015-08-19 株式会社東芝 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置
TWI624878B (zh) 2011-03-11 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP2012204548A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
TWI582999B (zh) * 2011-03-25 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
US9219159B2 (en) * 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US9082860B2 (en) 2011-03-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8541266B2 (en) * 2011-04-01 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9960278B2 (en) * 2011-04-06 2018-05-01 Yuhei Sato Manufacturing method of semiconductor device
US9012905B2 (en) * 2011-04-08 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
CN102184966B (zh) * 2011-04-15 2013-02-13 福州华映视讯有限公司 晶体管数组基板
KR101597886B1 (ko) * 2011-04-18 2016-02-26 샤프 가부시키가이샤 박막 트랜지스터, 표시패널 및 박막 트랜지스터의 제조방법
TW202414842A (zh) 2011-05-05 2024-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101854197B1 (ko) * 2011-05-12 2018-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR20120132130A (ko) * 2011-05-27 2012-12-05 한국전자통신연구원 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
US9620206B2 (en) 2011-05-31 2017-04-11 Crossbar, Inc. Memory array architecture with two-terminal memory cells
US8619459B1 (en) 2011-06-23 2013-12-31 Crossbar, Inc. High operating speed resistive random access memory
US8673426B2 (en) * 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8946669B1 (en) 2012-04-05 2015-02-03 Crossbar, Inc. Resistive memory device and fabrication methods
US9627443B2 (en) 2011-06-30 2017-04-18 Crossbar, Inc. Three-dimensional oblique two-terminal memory with enhanced electric field
US9564587B1 (en) 2011-06-30 2017-02-07 Crossbar, Inc. Three-dimensional two-terminal memory with enhanced electric field and segmented interconnects
US9166163B2 (en) * 2011-06-30 2015-10-20 Crossbar, Inc. Sub-oxide interface layer for two-terminal memory
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102629574A (zh) * 2011-08-22 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 一种氧化物tft阵列基板及其制造方法和电子器件
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
US8716708B2 (en) 2011-09-29 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013093561A (ja) * 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
KR20130043063A (ko) * 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102067051B1 (ko) * 2011-10-24 2020-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6076038B2 (ja) * 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
WO2013080900A1 (en) * 2011-12-02 2013-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN202423298U (zh) * 2011-12-31 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 一种tft、阵列基板以及显示器件
KR102101167B1 (ko) * 2012-02-03 2020-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102543867A (zh) * 2012-03-08 2012-07-04 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法
KR20130103077A (ko) * 2012-03-09 2013-09-23 한국과학기술원 산화물 반도체용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
US8901556B2 (en) * 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9685608B2 (en) 2012-04-13 2017-06-20 Crossbar, Inc. Reduced diffusion in metal electrode for two-terminal memory
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8658476B1 (en) 2012-04-20 2014-02-25 Crossbar, Inc. Low temperature P+ polycrystalline silicon material for non-volatile memory device
CN102709189A (zh) * 2012-05-21 2012-10-03 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法及一种阵列基板
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
CN103531100B (zh) * 2012-07-05 2015-12-09 瀚宇彩晶股份有限公司 显示装置及其操作方法
JP6006558B2 (ja) * 2012-07-17 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその製造方法
WO2014013959A1 (en) * 2012-07-20 2014-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US20140027762A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
US9583701B1 (en) 2012-08-14 2017-02-28 Crossbar, Inc. Methods for fabricating resistive memory device switching material using ion implantation
US9741765B1 (en) 2012-08-14 2017-08-22 Crossbar, Inc. Monolithically integrated resistive memory using integrated-circuit foundry compatible processes
US9576616B2 (en) 2012-10-10 2017-02-21 Crossbar, Inc. Non-volatile memory with overwrite capability and low write amplification
WO2014073585A1 (en) 2012-11-08 2014-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide film and method for forming metal oxide film
JP2014135474A (ja) * 2012-12-14 2014-07-24 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 薄膜トランジスタの製造方法
CN103887343B (zh) 2012-12-21 2017-06-09 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
US20140273525A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Intermolecular, Inc. Atomic Layer Deposition of Reduced-Leakage Post-Transition Metal Oxide Films
JP2014192264A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 薄膜トランジスタの製造方法
US9040416B2 (en) * 2013-05-10 2015-05-26 Samsung Display Co., Ltd. Manufacturing method of metal wire and thin transistor array panel
US9099861B2 (en) * 2013-05-23 2015-08-04 Inpaq Technology Co., Ltd. Over-voltage protection device and method for preparing the same
TWI502748B (zh) * 2013-06-21 2015-10-01 Ye Xin Technology Consulting Co Ltd 薄膜電晶體基板的製造方法
JP5956968B2 (ja) 2013-09-13 2016-07-27 株式会社東芝 受光素子および光結合型信号絶縁装置
WO2015045213A1 (ja) * 2013-09-30 2015-04-02 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
US20150155313A1 (en) * 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9627413B2 (en) * 2013-12-12 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
KR20150070648A (ko) * 2013-12-17 2015-06-25 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터
US9397149B2 (en) * 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9401432B2 (en) * 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10381224B2 (en) 2014-01-23 2019-08-13 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2017034644A2 (en) 2015-06-09 2017-03-02 ARIZONA BOARD OF REGENTS a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2015156891A2 (en) 2014-01-23 2015-10-15 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
JP6523695B2 (ja) * 2014-02-05 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10290801B2 (en) 2014-02-07 2019-05-14 Crossbar, Inc. Scalable silicon based resistive memory device
JP2015185610A (ja) * 2014-03-20 2015-10-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
JP6722980B2 (ja) 2014-05-09 2020-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および発光装置、並びに電子機器
KR102466741B1 (ko) 2014-05-13 2022-11-15 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 전자 디바이스를 제공하는 방법
KR102314466B1 (ko) * 2014-10-06 2021-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN104392928A (zh) * 2014-11-20 2015-03-04 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管的制造方法
JP6427595B2 (ja) * 2014-11-28 2018-11-21 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
US10446582B2 (en) 2014-12-22 2019-10-15 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an imaging system and imaging system thereof
US9741742B2 (en) 2014-12-22 2017-08-22 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device
US10056497B2 (en) * 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN104934444B (zh) * 2015-05-11 2018-01-02 深圳市华星光电技术有限公司 共平面型氧化物半导体tft基板结构及其制作方法
JP2016225615A (ja) * 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、該半導体装置の作製方法、または該半導体装置を有する表示装置
CN104992951A (zh) * 2015-06-19 2015-10-21 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制成方法、显示面板
CN105161494A (zh) * 2015-06-19 2015-12-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制成方法、显示面板
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
KR102439506B1 (ko) * 2015-10-16 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10312373B2 (en) * 2015-11-17 2019-06-04 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor (FET) having oxide insulating layer disposed on gate insulating film and between source and drain electrodes, and display element, display and system including said FET, and method of manufacturing said FET
JP6607013B2 (ja) * 2015-12-08 2019-11-20 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
CN105572990B (zh) * 2015-12-21 2019-07-12 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板
CN105576038A (zh) * 2016-01-12 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置
US10015671B2 (en) * 2016-01-19 2018-07-03 T-Mobile Usa, Inc. Network service access control
US10388738B2 (en) * 2016-04-01 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite oxide semiconductor and method for manufacturing the same
US11302717B2 (en) 2016-04-08 2022-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the same
US10242617B2 (en) 2016-06-03 2019-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and driving method
WO2017212363A1 (en) 2016-06-06 2017-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering apparatus, sputtering target, and method for forming semiconductor film with the sputtering apparatus
CN105914187B (zh) * 2016-06-23 2019-02-05 四川洪芯微科技有限公司 一种半导体设备及其制作方法
CN106057746A (zh) * 2016-08-09 2016-10-26 四川洪芯微科技有限公司 一种半导体设备及其制作方法
US9978879B2 (en) * 2016-08-31 2018-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102662677B1 (ko) * 2016-11-30 2024-04-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108172624B (zh) 2016-12-07 2020-11-06 清华大学 一种薄膜晶体管及其制备方法
KR102676341B1 (ko) * 2016-12-30 2024-06-17 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조방법, 및 그를 포함한 표시장치
TWI778959B (zh) 2017-03-03 2022-10-01 日商半導體能源硏究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US10506418B2 (en) * 2017-05-12 2019-12-10 Huawei Technologies Co., Ltd. Method and apparatus for provisioning physical signals and channels in a wireless network
KR102343573B1 (ko) * 2017-05-26 2021-12-28 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
CN107293493A (zh) * 2017-06-06 2017-10-24 武汉华星光电技术有限公司 铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法
CN110998863A (zh) 2017-07-31 2020-04-10 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
CN107564922B (zh) * 2017-09-19 2020-03-13 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
JP2019121685A (ja) * 2018-01-05 2019-07-22 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP7180989B2 (ja) * 2018-03-30 2022-11-30 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置および表示装置
TWI694521B (zh) * 2019-03-22 2020-05-21 友達光電股份有限公司 半導體結構及其製作方法
CN112635570B (zh) * 2019-09-24 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板
JP7598745B2 (ja) * 2020-12-01 2024-12-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7790950B2 (ja) 2021-12-09 2025-12-23 株式会社Magnolia White Ｔｆｔ基板及びｔｆｔ基板の製造方法
CN114783881B (zh) * 2022-03-31 2025-10-03 西安交通大学 一种氧化铝/a-IGZO薄膜晶体管及其制备方法
US12364014B2 (en) 2022-04-24 2025-07-15 Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel
CN114743992A (zh) * 2022-04-24 2022-07-12 广州华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
JP2024005760A (ja) * 2022-06-30 2024-01-17 富士通株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置

Family Cites Families (178)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JP2692914B2 (ja) 1988-12-19 1997-12-17 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP2585118B2 (ja) 1990-02-06 1997-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
EP0445535B1 (en) 1990-02-06 1995-02-01 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming an oxide film
DE69125886T2 (de) 1990-05-29 1997-11-20 Semiconductor Energy Lab Dünnfilmtransistoren
JP2652267B2 (ja) * 1990-10-29 1997-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
JP3360139B2 (ja) * 1991-03-13 2002-12-24 株式会社アルバック ゲート絶縁膜形成方法
JP3059514B2 (ja) 1991-03-18 2000-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置ならびにイメージセンサおよびそれらの作製方法
JP3410411B2 (ja) * 1991-03-18 2003-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ及びその作製方法
JP3118037B2 (ja) * 1991-10-28 2000-12-18 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3729870B2 (ja) * 1992-03-05 2005-12-21 シャープ株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US6323071B1 (en) * 1992-12-04 2001-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a semiconductor device
JPH0766423A (ja) * 1993-08-31 1995-03-10 Toshiba Corp 液晶表示装置用アレイ基板
JPH07221316A (ja) 1994-02-03 1995-08-18 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JPH11505377A (ja) * 1995-08-03 1999-05-18 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体装置
US5847410A (en) 1995-11-24 1998-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co. Semiconductor electro-optical device
US5831283A (en) * 1995-11-30 1998-11-03 International Business Machines Corporation Passivation of copper with ammonia-free silicon nitride and application to TFT/LCD
JP3625598B2 (ja) * 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP3476320B2 (ja) 1996-02-23 2003-12-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法
JPH09270517A (ja) 1996-03-29 1997-10-14 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
US5959312A (en) * 1996-09-27 1999-09-28 Xerox Corporation Sensor with doped microcrystalline silicon channel leads with bubble formation protection means
TW405155B (en) * 1997-07-15 2000-09-11 Toshiba Corp Semiconductor device and its manufacture
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP4174862B2 (ja) 1998-08-04 2008-11-05 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置の製造方法
JP2000150861A (ja) * 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) * 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
CN1260599A (zh) * 1998-12-22 2000-07-19 佳能株式会社 处理衬底的设备和方法
JP4472073B2 (ja) 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
TW460731B (en) * 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
CN1195243C (zh) * 1999-09-30 2005-03-30 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法
JP2001217423A (ja) * 2000-02-01 2001-08-10 Sony Corp 薄膜半導体装置及び表示装置とその製造方法
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) * 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
US6858308B2 (en) * 2001-03-12 2005-02-22 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor element, and method of forming silicon-based film
JP3997731B2 (ja) * 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7189997B2 (en) * 2001-03-27 2007-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2002368229A (ja) 2001-04-04 2002-12-20 Canon Inc 半導体装置、及びその製造方法、並びに放射線検出装置
US6794682B2 (en) 2001-04-04 2004-09-21 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device, method for manufacturing the same, and radiation detector
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
EP1443130B1 (en) * 2001-11-05 2011-09-28 Japan Science and Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) * 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
US7049190B2 (en) * 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7115913B2 (en) 2002-03-27 2006-10-03 Tfpd Corporation Array substrate used for a display device and a method of making the same
US7339187B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) * 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
CN1260599C (zh) 2002-11-26 2006-06-21 统宝光电股份有限公司 具单一电路板的发光模组及平面显示器
KR100968560B1 (ko) * 2003-01-07 2010-07-08 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 박막 트랜지스터 기판의금속배선 형성방법
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2003273366A (ja) * 2003-03-06 2003-09-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜半導体装置
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
CN1806322A (zh) 2003-06-20 2006-07-19 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法以及电子设备
US8319219B2 (en) * 2003-07-14 2012-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP4483235B2 (ja) 2003-09-01 2010-06-16 カシオ計算機株式会社 トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板
KR100585873B1 (ko) * 2003-11-03 2006-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 폴리실리콘 액정표시소자 및 그 제조방법
KR101195165B1 (ko) 2003-11-14 2012-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치의 제조 방법
JP2005203678A (ja) * 2004-01-19 2005-07-28 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
CN103121799A (zh) 2004-03-09 2013-05-29 出光兴产株式会社 溅射靶、透明导电膜、薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法及液晶显示装置
US7282782B2 (en) * 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) * 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7297977B2 (en) * 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
EP1737044B1 (en) 2004-03-12 2014-12-10 Japan Science and Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
CN101032027B (zh) * 2004-09-02 2010-10-13 卡西欧计算机株式会社 薄膜晶体管及其制造方法
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4138719B2 (ja) * 2004-09-10 2008-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタの作製方法
US7285501B2 (en) * 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) * 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
EP1815530B1 (en) * 2004-11-10 2021-02-17 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7453065B2 (en) * 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7829444B2 (en) * 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
KR100998527B1 (ko) * 2004-11-10 2010-12-07 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
RU2358354C2 (ru) * 2004-11-10 2009-06-10 Кэнон Кабусики Кайся Светоизлучающее устройство
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
JP5118810B2 (ja) 2004-11-10 2013-01-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP4569295B2 (ja) 2004-12-28 2010-10-27 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI505473B (zh) * 2005-01-28 2015-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI481024B (zh) * 2005-01-28 2015-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) * 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) * 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) * 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) * 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) * 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) * 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4280736B2 (ja) * 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP2007073705A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5064747B2 (ja) * 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
EP1998373A3 (en) 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5427340B2 (ja) * 2005-10-14 2014-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2007043493A1 (en) 2005-10-14 2007-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101577231B (zh) * 2005-11-15 2013-01-02 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP5395994B2 (ja) 2005-11-18 2014-01-22 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
TWI292281B (en) * 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) * 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) * 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) * 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) * 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
JP2007250982A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置
JP5110803B2 (ja) * 2006-03-17 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
KR20070101595A (ko) * 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
JP5135709B2 (ja) * 2006-04-28 2013-02-06 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US20070252928A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP4200458B2 (ja) 2006-05-10 2008-12-24 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
TWI412079B (zh) 2006-07-28 2013-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 製造顯示裝置的方法
JP4999400B2 (ja) * 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP5128792B2 (ja) 2006-08-31 2013-01-23 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタの製法
JP4332545B2 (ja) * 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) * 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7501305B2 (en) * 2006-10-23 2009-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming deposited film and photovoltaic element
US7463065B1 (en) 2006-11-13 2008-12-09 Nvidia Corporation Low power single-rail-input voltage level shifter
US7772021B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140984A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Sharp Corp 半導体素子、半導体素子の製造方法、及び表示装置
JP2008140684A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
WO2008069255A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
KR101146574B1 (ko) * 2006-12-05 2012-05-16 캐논 가부시끼가이샤 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치
JP5305630B2 (ja) * 2006-12-05 2013-10-02 キヤノン株式会社 ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
JP2008153550A (ja) * 2006-12-19 2008-07-03 Seiko Epson Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
KR101303578B1 (ko) * 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR101410926B1 (ko) * 2007-02-16 2014-06-24 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR100858088B1 (ko) * 2007-02-28 2008-09-10 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR100851215B1 (ko) * 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) * 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) * 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) * 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) * 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) * 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
JP4340982B2 (ja) * 2007-05-18 2009-10-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP5245287B2 (ja) * 2007-05-18 2013-07-24 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法、薄膜トランジスタ基板の製造方法および表示装置の製造方法
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5406449B2 (ja) 2007-05-30 2014-02-05 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法および表示装置
US7768080B2 (en) * 2007-07-30 2010-08-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multilayer dielectric
JP5567770B2 (ja) * 2007-09-21 2014-08-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
JP5213422B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-19 キヤノン株式会社 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
US8202365B2 (en) * 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
JP2009178356A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Seiko Epson Corp 紙パック切断装置
US20090278120A1 (en) * 2008-05-09 2009-11-12 Korea Institute Of Science And Technology Thin Film Transistor
JP5305730B2 (ja) * 2008-05-12 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の製造方法ならびにその製造装置
KR100982311B1 (ko) * 2008-05-26 2010-09-15 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
KR101468591B1 (ko) * 2008-05-29 2014-12-04 삼성전자주식회사 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
US7732265B2 (en) * 2008-06-03 2010-06-08 Toppan Printing Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same and film formation apparatus
TWI770659B (zh) * 2008-07-31 2022-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
TWI622175B (zh) 2008-07-31 2018-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP4623179B2 (ja) * 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) * 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP2013029223A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Mitsubishi Electric Corp 超小型誘導飛しょう体、超小型誘導飛しょう体の誘導システム

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