PL424834A1 - Sposób wytwarzania otworu przelotowego w złożonej strukturze półprzewodnikowej i złożona struktura półprzewodnikowa - Google Patents

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania otworu przelotowego w złożonej strukturze półprzewodnikowej, zawierającej monokrystaliczne podłoże półprzewodnikowe (1) i umieszczone na jednej z jego stron co najmniej dwie warstwy epitaksjalne (2), które razem tworzą próbkę, w którym to sposobie a) szlifuje się podłoże półprzewodnikowe (1), następnie c) próbkę wygrzewa się, po czym d) próbkę poddaje się ekspozycji w urządzeniu do fotolitografii umożliwiającym dwustronne centrowanie, e) ponownie dwukrotnie wygrzewa się próbkę, następnie f) próbkę poddaje się procesowi wywoływania w dedykowanym roztworze wywoływacza wykonując otwory (6). Przedmiotowy sposób charakteryzuje się tym, że podłoże (1) stanowi objętościowy monokrystaliczny azotek galu oraz po etapie a) przeprowadza się etap b), w którym na próbkę od strony podłoża (1) nanosi się warstwę emulsji fotoczułej (5) metodą rozwirowania, a po etapie f) przeprowadza się etap g), w którym w komorze reaktora do trawienia ICP naprzemiennie trawi się i chłodzi próbkę uzyskując otwór przelotowy (7) przechodzący przez podłoże (1) i warstwy epitaksjalne (2). Przedmiotem zgłoszenia jest również złożona struktura półprzewodnikowa z otworami przelotowymi wykonanymi zgodnie z opisanym sposobem.