JP2000233993A - 半導体結晶の製造方法 - Google Patents
半導体結晶の製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 昇華法を用いた半導体結晶の製造方法におい
て、成長速度の増大及び原料の変質を防ぐ。 【解決手段】 反応容器１内に基板２及び原料４を対向
配置する。原料ガスを導入し、基板２と原料４をヒータ
７で加熱して原料を昇華させ、原料ガスと反応させて基
板２上に半導体結晶を成長させる。基板２と原料４との
間に障壁５を設け、障壁５の通気孔により原料ガスの原
料４への流入を規制し、原料４の変質を抑制する。原料
４としてＧａＮｘＨｙを用い、原料ガスとしてアンモニ
アを用いることで、基板２上にＧａＮ結晶を成長させる
ことができる。
て、成長速度の増大及び原料の変質を防ぐ。 【解決手段】 反応容器１内に基板２及び原料４を対向
配置する。原料ガスを導入し、基板２と原料４をヒータ
７で加熱して原料を昇華させ、原料ガスと反応させて基
板２上に半導体結晶を成長させる。基板２と原料４との
間に障壁５を設け、障壁５の通気孔により原料ガスの原
料４への流入を規制し、原料４の変質を抑制する。原料
４としてＧａＮｘＨｙを用い、原料ガスとしてアンモニ
アを用いることで、基板２上にＧａＮ結晶を成長させる
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化ガリウム（Ｇ
ａＮ）系半導体発光素子に用いられるＧａＮ結晶等の半
導体結晶の製造に関する。
ａＮ）系半導体発光素子に用いられるＧａＮ結晶等の半
導体結晶の製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ結晶を基板上に形成する方法とし
て、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法や昇華法等が
知られている。
て、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法や昇華法等が
知られている。
【０００３】ＨＶＰＥ法では、固体原料としてＧａ金属
を用い、その上にＨＣｌ等ガスを流すことにより揮発性
の物質ＧａＣｌを生成する。そして、ＧａＣｌにアンモ
ニアガスを混合して加熱基板に吹き付け、原料ガスを分
解させて基板上にＧａＮ結晶を成長させるものである。
供給するアンモニアガスのモル分量は、ＧａＣｌのモル
分量よりも多くするのが通常である。
を用い、その上にＨＣｌ等ガスを流すことにより揮発性
の物質ＧａＣｌを生成する。そして、ＧａＣｌにアンモ
ニアガスを混合して加熱基板に吹き付け、原料ガスを分
解させて基板上にＧａＮ結晶を成長させるものである。
供給するアンモニアガスのモル分量は、ＧａＣｌのモル
分量よりも多くするのが通常である。
【０００４】このＨＶＰＥ法では、成長速度が比較的大
きいものの実用的には十分な速度と言えず、１００ミク
ロン以上の膜を得るためには成長時間が１時間を超えて
しまうとともに、余分なアンモニアガスが必要となる問
題がある。また、余分に流したアンモニアガスが未分解
のＧａＣｌと反応部の下流で反応して固体となり、配管
を詰まらせるので生産性が低下する問題もある。さらに
この方法では膜状結晶しか成長できず、バルク結晶を成
長できない問題もある。
きいものの実用的には十分な速度と言えず、１００ミク
ロン以上の膜を得るためには成長時間が１時間を超えて
しまうとともに、余分なアンモニアガスが必要となる問
題がある。また、余分に流したアンモニアガスが未分解
のＧａＣｌと反応部の下流で反応して固体となり、配管
を詰まらせるので生産性が低下する問題もある。さらに
この方法では膜状結晶しか成長できず、バルク結晶を成
長できない問題もある。
【０００５】一方、昇華法によるＧａＮ製造の一例が図
２に示されている。図において、反応容器１の中に支持
台３を介して基板２を配置し、この基板２と対向するよ
うに固体原料としてＧａＮ粉８を配置する。そして、原
料ガスのアンモニアを供給し、アンモニア雰囲気におい
て基板２及びＧａＮ粉をヒータ７で加熱し、ＧａＮを昇
華させて基板２に再結晶させる。
２に示されている。図において、反応容器１の中に支持
台３を介して基板２を配置し、この基板２と対向するよ
うに固体原料としてＧａＮ粉８を配置する。そして、原
料ガスのアンモニアを供給し、アンモニア雰囲気におい
て基板２及びＧａＮ粉をヒータ７で加熱し、ＧａＮを昇
華させて基板２に再結晶させる。
【０００６】この昇華法では、原料ガスであるアンモニ
アは少量でよく、ＧａＮのバルク結晶を成長できる利点
もある。
アは少量でよく、ＧａＮのバルク結晶を成長できる利点
もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、昇華法
においては、固体原料と結晶を析出させる基板あるいは
種結晶を近接して対向配置させる必要があるため原料ガ
スにより固体原料が変質してしまい、成長が止まってし
まう問題があった。このため、大型のＧａＮ結晶が得ら
れない問題があった。
においては、固体原料と結晶を析出させる基板あるいは
種結晶を近接して対向配置させる必要があるため原料ガ
スにより固体原料が変質してしまい、成長が止まってし
まう問題があった。このため、大型のＧａＮ結晶が得ら
れない問題があった。
【０００８】一方、特開平１０−２６５２９７号公報に
記載されているように、Ｇａ金属をアンモニアガス流通
下で熱処理した粉を用いて昇華法によりＧａＮ結晶を成
長させる方法も提案されている。この場合、活発な成長
種はＧａ、Ｎ、Ｈ等からなる複雑な分子ＧａＮｘＨｙ
（ｘ、ｙは正の実数）であることが知られており、成長
速度が速く、アンモニアガスの消費効率も１００％に近
いなど大型結晶あるいは厚膜を成長させるのに適してい
るが、ＧａＮと同様に原料のＧａＮｘＨｙがアンモニア
ガスと反応して変質してしまう問題が生じる。
記載されているように、Ｇａ金属をアンモニアガス流通
下で熱処理した粉を用いて昇華法によりＧａＮ結晶を成
長させる方法も提案されている。この場合、活発な成長
種はＧａ、Ｎ、Ｈ等からなる複雑な分子ＧａＮｘＨｙ
（ｘ、ｙは正の実数）であることが知られており、成長
速度が速く、アンモニアガスの消費効率も１００％に近
いなど大型結晶あるいは厚膜を成長させるのに適してい
るが、ＧａＮと同様に原料のＧａＮｘＨｙがアンモニア
ガスと反応して変質してしまう問題が生じる。
【０００９】本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑
みなされたものであり、その目的は、成長速度が速く、
かつ原料の変質と短時間の枯渇を抑制して効率的にＧａ
Ｎ結晶等の半導体結晶を成長させることができる方法を
提供することにある。
みなされたものであり、その目的は、成長速度が速く、
かつ原料の変質と短時間の枯渇を抑制して効率的にＧａ
Ｎ結晶等の半導体結晶を成長させることができる方法を
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板を原料に対向配置し、前記原料を昇
華させて原料ガス存在下において前記基板上に半導体結
晶を成長させる半導体結晶の製造方法であって、前記基
板と前記原料との間に障壁を設け、前記原料ガスの前記
原料への流入量を規制しつつ前記原料を昇華させること
を特徴とする。
に、本発明は、基板を原料に対向配置し、前記原料を昇
華させて原料ガス存在下において前記基板上に半導体結
晶を成長させる半導体結晶の製造方法であって、前記基
板と前記原料との間に障壁を設け、前記原料ガスの前記
原料への流入量を規制しつつ前記原料を昇華させること
を特徴とする。
【００１１】従来のように、単に基板と原料を近接して
対向配置させた場合には、基板のみならず原料にも原料
ガスが流入し、原料と反応して変質してしまうが、本発
明のように基板と原料との間に障壁を設け、この障壁に
より原料ガスの原料への流入を規制することで、原料の
変質を有効に防止することができる。なお、「規制」と
は、原料ガスの原料への流入を完全に遮断することでは
なく、流入量を所定量に制限することを意味する。障壁
に通気孔が形成されている場合、この通気孔の径により
規制の度合いを制御することができる。昇華した原料
は、この通気孔を通って基板に達し、原料ガスと反応し
結晶として成長する。
対向配置させた場合には、基板のみならず原料にも原料
ガスが流入し、原料と反応して変質してしまうが、本発
明のように基板と原料との間に障壁を設け、この障壁に
より原料ガスの原料への流入を規制することで、原料の
変質を有効に防止することができる。なお、「規制」と
は、原料ガスの原料への流入を完全に遮断することでは
なく、流入量を所定量に制限することを意味する。障壁
に通気孔が形成されている場合、この通気孔の径により
規制の度合いを制御することができる。昇華した原料
は、この通気孔を通って基板に達し、原料ガスと反応し
結晶として成長する。
【００１２】前記原料にＧａＮｘＨｙを用い、前記原料
ガスにアンモニアを含むガスを用いることで、前記基板
上に窒化ガリウム結晶を成長させることができる。Ｇａ
ＮｘＨｙは、ＧａＮに比べて蒸発し易く、成長速度を向
上させることができる。原料であるＧａＮｘＨｙも加熱
されるが、アンモニアの流入量が規制されているため、
原料自身がアンモニアと反応してＧａＮに変質して成長
が止まる、あるいは成長速度が低下することを有効に防
止できる。
ガスにアンモニアを含むガスを用いることで、前記基板
上に窒化ガリウム結晶を成長させることができる。Ｇａ
ＮｘＨｙは、ＧａＮに比べて蒸発し易く、成長速度を向
上させることができる。原料であるＧａＮｘＨｙも加熱
されるが、アンモニアの流入量が規制されているため、
原料自身がアンモニアと反応してＧａＮに変質して成長
が止まる、あるいは成長速度が低下することを有効に防
止できる。
【００１３】また、前記原料にＧａを用い、前記原料ガ
スにアンモニアを含むガスを用いることで、前記基板上
に窒化ガリウム結晶を成長させることができる。原料に
Ｇａを用いた場合、原料ガスのアンモニアの流入を規制
しない場合には、短時間にＧａが変質してＧａＮｘＨｙ
あるいはＧａＮとなるが、アンモニアの流入量を規制す
ることで、Ｇａの表面のみにＧａＮｘＨｙを形成し、基
板２上にＧａＮ結晶を成長させることができる。ＧａＮ
ｘＨｙは成長速度が速いため短時間に原料が枯渇するお
それがあるが、このように表面のみにＧａＮｘＨｙを形
成することで、成長速度を確保するとともに原料である
Ｇａの枯渇も防止することができる。
スにアンモニアを含むガスを用いることで、前記基板上
に窒化ガリウム結晶を成長させることができる。原料に
Ｇａを用いた場合、原料ガスのアンモニアの流入を規制
しない場合には、短時間にＧａが変質してＧａＮｘＨｙ
あるいはＧａＮとなるが、アンモニアの流入量を規制す
ることで、Ｇａの表面のみにＧａＮｘＨｙを形成し、基
板２上にＧａＮ結晶を成長させることができる。ＧａＮ
ｘＨｙは成長速度が速いため短時間に原料が枯渇するお
それがあるが、このように表面のみにＧａＮｘＨｙを形
成することで、成長速度を確保するとともに原料である
Ｇａの枯渇も防止することができる。
【００１４】前記障壁としては、例えばポーラスカーボ
ン（多孔性カーボン）あるいはポーラス石英（多孔性石
英）を用いることが好適である。ポーラスカーボンある
いはポーラス石英では、粒子の間に多数の隙間が形成さ
れており、これが通気孔となって原料ガスの原料への流
入量を規制することができる。
ン（多孔性カーボン）あるいはポーラス石英（多孔性石
英）を用いることが好適である。ポーラスカーボンある
いはポーラス石英では、粒子の間に多数の隙間が形成さ
れており、これが通気孔となって原料ガスの原料への流
入量を規制することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
形態について説明する。
形態について説明する。
【００１６】図１には、本実施形態におけるＧａＮ結晶
成長装置の概念構成図が示されている。カーボン、ＢＮ
あるいは石英などの反応容器１内に密閉容器６が設けら
れており、この密閉容器の中に固体原料４としてＧａＮ
ｘＨｙ（ｘ、ｙは正の実数）が配置される。ＧａＮｘＨ
ｙは、Ｇａ金属をアンモニアガス流通下で高温（１００
０度）で１時間加熱処理することで得られる。ＧａＮｘ
ＨｙはＧａあるいはＧａＮに比べて、水素Ｈが結合して
いる分だけ蒸発し易く、成長速度が速い。
成長装置の概念構成図が示されている。カーボン、ＢＮ
あるいは石英などの反応容器１内に密閉容器６が設けら
れており、この密閉容器の中に固体原料４としてＧａＮ
ｘＨｙ（ｘ、ｙは正の実数）が配置される。ＧａＮｘＨ
ｙは、Ｇａ金属をアンモニアガス流通下で高温（１００
０度）で１時間加熱処理することで得られる。ＧａＮｘ
ＨｙはＧａあるいはＧａＮに比べて、水素Ｈが結合して
いる分だけ蒸発し易く、成長速度が速い。
【００１７】また、密閉容器６の一面にはポーラスカー
ボンやポーラス石英などから構成される障壁５が形成さ
れており、この障壁を挟むように支持台３を介して基板
２が対向配置されている。ポーラスカーボンやポーラス
石英には、直径が１〜５０ミクロン程度の通気孔が多数
形成されており、この通気孔を通ってアンモニアなどの
原料ガスが密閉容器６内に流入するとともに、原料４か
ら昇華したＧａＮｘＨｙが通気孔を通って基板２に到達
する。この障壁５の存在により、障壁５がない従来の昇
華法に比べて原料に流入するアンモニアなどの原料ガス
の量が制限され、かつ、原料４であるＧａＮｘＨｙの蒸
発量も制限される。密閉容器６内は、原料４から蒸発し
たＧａＮｘＨｙの蒸気圧により反応容器１の他の部分、
具体的には原料ガスが導入される空間１０よりも圧力が
高くなり、したがってこの圧力差によっても原料ガスの
密閉容器６への流入は抑制される。ポーラスカーボンや
ポーラス石英は、それぞれカーボン、石英の粉末を高圧
で圧縮し熱処理して製造することができ、原料ガスであ
るアンモニアの密閉容器６への流入量、すなわち原料で
あるＧａＮｘＨｙへの流入量は、通気孔の経、具体的に
はカーボンあるいは石英粉末の粒径を制御することで調
整できる。
ボンやポーラス石英などから構成される障壁５が形成さ
れており、この障壁を挟むように支持台３を介して基板
２が対向配置されている。ポーラスカーボンやポーラス
石英には、直径が１〜５０ミクロン程度の通気孔が多数
形成されており、この通気孔を通ってアンモニアなどの
原料ガスが密閉容器６内に流入するとともに、原料４か
ら昇華したＧａＮｘＨｙが通気孔を通って基板２に到達
する。この障壁５の存在により、障壁５がない従来の昇
華法に比べて原料に流入するアンモニアなどの原料ガス
の量が制限され、かつ、原料４であるＧａＮｘＨｙの蒸
発量も制限される。密閉容器６内は、原料４から蒸発し
たＧａＮｘＨｙの蒸気圧により反応容器１の他の部分、
具体的には原料ガスが導入される空間１０よりも圧力が
高くなり、したがってこの圧力差によっても原料ガスの
密閉容器６への流入は抑制される。ポーラスカーボンや
ポーラス石英は、それぞれカーボン、石英の粉末を高圧
で圧縮し熱処理して製造することができ、原料ガスであ
るアンモニアの密閉容器６への流入量、すなわち原料で
あるＧａＮｘＨｙへの流入量は、通気孔の経、具体的に
はカーボンあるいは石英粉末の粒径を制御することで調
整できる。
【００１８】反応容器１にはヒータ７が設けられてお
り、基板２及び原料４のＧａＮｘＨｙを加熱する。な
お、支持台３をサセプタとし、ヒータ７をＲＦコイルと
して誘導加熱により基板２及び原料４を加熱してもよ
い。
り、基板２及び原料４のＧａＮｘＨｙを加熱する。な
お、支持台３をサセプタとし、ヒータ７をＲＦコイルと
して誘導加熱により基板２及び原料４を加熱してもよ
い。
【００１９】このような装置において、基板として石英
基板を用い、基板及び原料を９５０度〜１１５０度に加
熱し、一分間に１００ｃｃ程度のアンモニアを原料ガス
として供給すると、アンモニアは障壁５により密閉容器
６への流入が規制され、原料であるＧａＮｘＨｙのアン
モニアによる変質、具体的には原料４のＧａＮへの変質
が防止される。一方、原料であるＧａＮｘＨｙは昇華
し、障壁５を通って基板２に到達し、アンモニアと反応
して基板２上にＧａＮ結晶が成長する。本実施形態で
は、基板として石英ガラスを用いると、２時間の成長で
長さが約３ｍｍ程度のＧａＮ単結晶が得られており、成
長を６時間程度継続しても結晶サイズの飽和は起こら
ず、原料４の変質も認められなかった。これにより、長
時間成長を続けることで大型のＧａＮバルク結晶を得る
ことができる。
基板を用い、基板及び原料を９５０度〜１１５０度に加
熱し、一分間に１００ｃｃ程度のアンモニアを原料ガス
として供給すると、アンモニアは障壁５により密閉容器
６への流入が規制され、原料であるＧａＮｘＨｙのアン
モニアによる変質、具体的には原料４のＧａＮへの変質
が防止される。一方、原料であるＧａＮｘＨｙは昇華
し、障壁５を通って基板２に到達し、アンモニアと反応
して基板２上にＧａＮ結晶が成長する。本実施形態で
は、基板として石英ガラスを用いると、２時間の成長で
長さが約３ｍｍ程度のＧａＮ単結晶が得られており、成
長を６時間程度継続しても結晶サイズの飽和は起こら
ず、原料４の変質も認められなかった。これにより、長
時間成長を続けることで大型のＧａＮバルク結晶を得る
ことができる。
【００２０】なお、本実施形態では、原料４としてＧａ
金属をアンモニアガス流通下で加熱処理して得られるＧ
ａＮｘＨｙを用いているが、Ｇａ金属自体を用いること
も可能である。
金属をアンモニアガス流通下で加熱処理して得られるＧ
ａＮｘＨｙを用いているが、Ｇａ金属自体を用いること
も可能である。
【００２１】原料４としてＧａ金属を用いる場合、原料
ガスであるアンモニアの密閉容器６への流入は障壁５に
より規制されるが、ある程度は流入する。すると、原料
４はヒータ７により９００度以上で加熱されているた
め、アンモニア雰囲気中でＧａ金属が熱処理されること
と等価となり、Ｇａ金属の表面には上述した実施形態と
同様にＧａＮｘＨｙが形成されることになり、このＧａ
ＮｘＨｙが昇華して基板２に到達し、そこでアンモニア
と反応して基板２上にＧａＮ結晶が成長する。ＧａＮｘ
Ｈｙの蒸発速度と、Ｇａ金属の表面におけるＧａＮｘＨ
ｙ形成速度を障壁５の通気孔の経で調整することで、成
長を止めることなく持続的にＧａＮ結晶を成長させるこ
とができる。
ガスであるアンモニアの密閉容器６への流入は障壁５に
より規制されるが、ある程度は流入する。すると、原料
４はヒータ７により９００度以上で加熱されているた
め、アンモニア雰囲気中でＧａ金属が熱処理されること
と等価となり、Ｇａ金属の表面には上述した実施形態と
同様にＧａＮｘＨｙが形成されることになり、このＧａ
ＮｘＨｙが昇華して基板２に到達し、そこでアンモニア
と反応して基板２上にＧａＮ結晶が成長する。ＧａＮｘ
Ｈｙの蒸発速度と、Ｇａ金属の表面におけるＧａＮｘＨ
ｙ形成速度を障壁５の通気孔の経で調整することで、成
長を止めることなく持続的にＧａＮ結晶を成長させるこ
とができる。
【００２２】以上、本発明の実施形態について説明した
が、原料としてＧａＮｘＨｙあるいはＧａ金属を用いた
場合には、原料としてＧａＮを用いた場合に比べて成長
速度はそれぞれ約１００倍、約５０倍程度を得ることが
できる。特に、原料としてＧａ金属を用い、アンモニア
の流入量を規制しつつその表面にＧａＮｘＨｙを形成し
て昇華させる方法では、原料の枯渇も有効に防止でき、
長時間（２４時間以上）の成長が可能となる。
が、原料としてＧａＮｘＨｙあるいはＧａ金属を用いた
場合には、原料としてＧａＮを用いた場合に比べて成長
速度はそれぞれ約１００倍、約５０倍程度を得ることが
できる。特に、原料としてＧａ金属を用い、アンモニア
の流入量を規制しつつその表面にＧａＮｘＨｙを形成し
て昇華させる方法では、原料の枯渇も有効に防止でき、
長時間（２４時間以上）の成長が可能となる。
【００２３】なお、本実施形態では窒化ガリウム結晶を
成長させる場合について説明したが、１種類のＳｉＣ粉
末を原料とするＳｉＣ結晶の成長や、ＡｌＮ、ＩｎＮの
結晶成長にも同様に用いることが可能である。
成長させる場合について説明したが、１種類のＳｉＣ粉
末を原料とするＳｉＣ結晶の成長や、ＡｌＮ、ＩｎＮの
結晶成長にも同様に用いることが可能である。
【００２４】また、本実施形態では基板２上に直接Ｇａ
Ｎ結晶を成長させているが、種結晶上に成長させてもよ
い。
Ｎ結晶を成長させているが、種結晶上に成長させてもよ
い。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、成長速度が速く、かつ
原料の変質と短時間の枯渇を抑制して効率的にＧａＮ結
晶等の半導体結晶を成長させることができる。
原料の変質と短時間の枯渇を抑制して効率的にＧａＮ結
晶等の半導体結晶を成長させることができる。
【図１】 実施形態の装置構成図である。
【図２】 従来装置の構成図である。
１ 反応容器、２ 基板、３ 支持台、４ 原料、５
障壁、６ 密閉容器、７ ヒータ。
障壁、６ 密閉容器、７ ヒータ。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板を原料に対向配置し、前記原料を昇
華させて原料ガス存在下において前記基板上に半導体結
晶を成長させる半導体結晶の製造方法であって、 前記基板と前記原料との間に障壁を設け、前記原料ガス
の前記原料への流入量を規制しつつ前記原料を昇華させ
ることを特徴とする半導体結晶の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法において、 前記原料にＧａＮｘＨｙを用い、 前記原料ガスにアンモニアを含むガスを用い、 前記基板上に窒化ガリウム結晶を成長させることを特徴
とする半導体結晶の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の方法において、 前記原料にＧａを用い、 前記原料ガスにアンモニアを含むガスを用い、 前記基板上に窒化ガリウム結晶を成長させることを特徴
とする半導体結晶の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の方法に
おいて、 前記障壁には通気孔が形成され、前記通気孔により規制
の度合いを制御することを特徴とする半導体結晶の製造
方法。 - 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかに記載の方法に
おいて、 前記障壁はポーラスカーボンあるいはポーラス石英であ
ることを特徴とする半導体結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35161499A JP2000233993A (ja) | 1998-12-11 | 1999-12-10 | 半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35251098 | 1998-12-11 | ||
| JP10-352510 | 1998-12-11 | ||
| JP35161499A JP2000233993A (ja) | 1998-12-11 | 1999-12-10 | 半導体結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000233993A true JP2000233993A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=26579450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35161499A Pending JP2000233993A (ja) | 1998-12-11 | 1999-12-10 | 半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000233993A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005225681A (ja) * | 2003-01-20 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法およびそれにより得られるｉｉｉ族窒化物基板ならびに半導体装置およびその製造方法 |
| WO2006030918A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Showa Denko K.K. | Method for fabrication of group iii nitride semiconductor |
| US7361220B2 (en) | 2003-03-26 | 2008-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing group III nitride single crystal, device used for the method and group III nitride single crystal obtained by the method |
| PL424834A1 (pl) * | 2018-03-09 | 2019-09-23 | Instytut Technologii Elektronowej | Sposób wytwarzania otworu przelotowego w złożonej strukturze półprzewodnikowej i złożona struktura półprzewodnikowa |
| KR20240036340A (ko) * | 2022-09-13 | 2024-03-20 | (주) 세라컴 | 단결정 성장용 도가니 및 이를 이용한 종자결정 설치방법 |
-
1999
- 1999-12-10 JP JP35161499A patent/JP2000233993A/ja active Pending
Cited By (9)
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| KR100894878B1 (ko) | 2004-09-13 | 2009-04-30 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | Ⅲ족 질화물 반도체의 제조방법 |
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| KR102703484B1 (ko) * | 2022-09-13 | 2024-09-06 | (주) 세라컴 | 단결정 성장용 도가니 및 이를 이용한 종자결정 설치방법 |
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