PL428877A1 - Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych - Google Patents
Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznychInfo
- Publication number
- PL428877A1 PL428877A1 PL428877A PL42887719A PL428877A1 PL 428877 A1 PL428877 A1 PL 428877A1 PL 428877 A PL428877 A PL 428877A PL 42887719 A PL42887719 A PL 42887719A PL 428877 A1 PL428877 A1 PL 428877A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- kesterite
- cu2snzns4
- hours
- photovoltaic cells
- intended
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 title abstract 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 abstract 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 abstract 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 abstract 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 abstract 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 abstract 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, przeznaczonego do produkcji, warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych, który polega na tym, że najpierw rozdrabnia się materiały odpadowe i zużyte wyroby w postaci dwuskładnikowych brązów cynowych Cu+Sn i dwuskładnikowych mosiądzów Cu+Zn, o znanym typie i na podstawie składu chemicznego tych materiałów określa się zawartość rzeczywistą pojedynczych metali Cu, Sn i Zn w mieszaninie, dążąc do uzyskania zawartości teoretycznej występującej w kesterycie, a mianowicie stosunku molowego Cu:Sn:Zn = 2:1:1. W przypadku niedoboru metali Zn i Sn uzupełnia się brakującą ilość w stosunku do teoretycznej poprzez dodatek proszków czystych metali Sn i Zn. Następnie rozdrobnione materiały wsadowe mieli się w wysokoenergetycznym młynie kulowym z dodatkiem cieczy dyspergującej w postaci wysokowrzących ciekłych węglowodorów alifatycznych lub aromatycznych wybranych z grupy obejmującej heksan, toluen i ksylen w czasie od 30 minut do 100 godzin, przy prędkości obrotowej młyna 200 do 1100 obr/min, po czym do mieszaniny dodaje się siarkę elementarną w ilości od stechiometrycznej do 100% nadmiaru w stosunku do ilości teoretycznej siarki występującej w kesterycie typu Cu2SnZnS4 i dalej mieli przez 30 minut do 100 godzin przy prędkości obrotowej młyna kulowego 200 - 1100 obr/min. Po zakończeniu procesu odparowuje się ciecz dyspergującą, a uzyskaną mieszaninę ogrzewa się w atmosferze gazu obojętnego w temperaturze od 400 do 700°C przez okres od 0,5 do 36 godzin, uzyskując proszkowy czysty kesteryt o średniej wielkości krystalitów w zakresie od 10 do 200 nm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL428877A PL241416B1 (pl) | 2019-02-11 | 2019-02-11 | Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL428877A PL241416B1 (pl) | 2019-02-11 | 2019-02-11 | Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL428877A1 true PL428877A1 (pl) | 2019-10-21 |
| PL241416B1 PL241416B1 (pl) | 2022-09-26 |
Family
ID=68238710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL428877A PL241416B1 (pl) | 2019-02-11 | 2019-02-11 | Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL241416B1 (pl) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL441793A1 (pl) * | 2022-07-20 | 2023-07-03 | Akademia Górniczo-Hutnicza Im.Stanisława Staszica W Krakowie | Sposób wytwarzania spieków z nanoproszków półprzewodnika typu kesterytu Cu2ZnSnS4 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010135622A1 (en) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper zinc tin chalcogenide nanoparticles |
| US20120055554A1 (en) * | 2009-05-21 | 2012-03-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Copper zinc tin chalcogenide nanoparticles |
| US20120100664A1 (en) * | 2010-10-26 | 2012-04-26 | International Business Machines Corporation | Fabricating kesterite solar cells and parts thereof |
| US8366975B2 (en) * | 2010-05-21 | 2013-02-05 | E I Du Pont De Nemours And Company | Atypical kesterite compositions |
| US20130037111A1 (en) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | International Business Machines Corporation | Process for Preparation of Elemental Chalcogen Solutions and Method of Employing Said Solutions in Preparation of Kesterite Films |
| PL406175A1 (pl) * | 2013-11-21 | 2015-05-25 | Stanley Aleksander Rokicki | Kompozyt nośny ogniw fotowoltaicznych |
| US20180069146A1 (en) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | International Business Machines Corporation | Minimizing Tin Loss During Thermal Processing of Kesterite Films |
| WO2018065156A1 (en) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | Haldor Topsøe A/S | KESTERITE MATERIAL OF CZTS, CZTSe OR CZTSSe TYPE |
| PL229752B1 (pl) * | 2014-10-27 | 2018-08-31 | Politechnika Slaska | Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania |
-
2019
- 2019-02-11 PL PL428877A patent/PL241416B1/pl unknown
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010135622A1 (en) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper zinc tin chalcogenide nanoparticles |
| US20120055554A1 (en) * | 2009-05-21 | 2012-03-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Copper zinc tin chalcogenide nanoparticles |
| US8366975B2 (en) * | 2010-05-21 | 2013-02-05 | E I Du Pont De Nemours And Company | Atypical kesterite compositions |
| US20120100664A1 (en) * | 2010-10-26 | 2012-04-26 | International Business Machines Corporation | Fabricating kesterite solar cells and parts thereof |
| US20130037111A1 (en) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | International Business Machines Corporation | Process for Preparation of Elemental Chalcogen Solutions and Method of Employing Said Solutions in Preparation of Kesterite Films |
| PL406175A1 (pl) * | 2013-11-21 | 2015-05-25 | Stanley Aleksander Rokicki | Kompozyt nośny ogniw fotowoltaicznych |
| PL229752B1 (pl) * | 2014-10-27 | 2018-08-31 | Politechnika Slaska | Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania |
| US20180069146A1 (en) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | International Business Machines Corporation | Minimizing Tin Loss During Thermal Processing of Kesterite Films |
| WO2018065156A1 (en) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | Haldor Topsøe A/S | KESTERITE MATERIAL OF CZTS, CZTSe OR CZTSSe TYPE |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA IM. JAROSŁAWA DĄBROWSKIEGO, ADVANCES IN CZTS THIN FILMS AND NANOSTRUCTURED, 201S * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL441793A1 (pl) * | 2022-07-20 | 2023-07-03 | Akademia Górniczo-Hutnicza Im.Stanisława Staszica W Krakowie | Sposób wytwarzania spieków z nanoproszków półprzewodnika typu kesterytu Cu2ZnSnS4 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL241416B1 (pl) | 2022-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hages et al. | Controlled grain growth for high performance nanoparticle-based kesterite solar cells | |
| Wang et al. | Cu2ZnSnS4 thin films: facile and cost-effective preparation by RF-magnetron sputtering and texture control | |
| Zhang et al. | Metal–metal chalcogenide molecular precursors to binary, ternary, and quaternary metal chalcogenide thin films for electronic devices | |
| Bouaziz et al. | Growth of Cu2SnS3 thin films by solid reaction under sulphur atmosphere | |
| Yang et al. | Kesterite Cu2ZnSn (S, Se) 4 absorbers converted from metastable, wurtzite-derived Cu2ZnSnS4 nanoparticles | |
| US20130126346A1 (en) | Chalcogenide alloy sputter targets for photovoltaic applications and methods of manufacturing the same | |
| CN106611871B (zh) | 固体电解质材料及其制备方法和固体电解质和电池 | |
| Nolas et al. | Synthesis, crystal structure and electrical properties of the tetrahedral quaternary chalcogenides CuM2InTe4 (M= Zn, Cd) | |
| TW201224071A (en) | A selenium/Group 1b/Group 3a ink and methods of making and using same | |
| Zhang et al. | Cation substitution induced structural transition, band gap engineering and grain growth of Cu2CdxZn1− xSnS4 thin films | |
| Yin et al. | Controllable colloidal synthesis of tin (II) chalcogenide nanocrystals and their solution‐processed flexible thermoelectric thin films | |
| Chen et al. | Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films using oxides nanoparticles ink for solar cell | |
| TW201131665A (en) | Aqueous-based method of forming semiconductor film and photovoltaic device including the film | |
| US8470287B2 (en) | Preparation of copper zinc tin sulfide | |
| Chen et al. | Low-temperature growth of Na doped CIGS films on flexible polymer substrates by pulsed laser ablation from a Na containing target | |
| Lei et al. | A novel in situ hydrothermal preparation route for Sb2S3 and its solar cell application | |
| Park et al. | Mechanochemically synthesized SnS nanocrystals: impact of nonstoichiometry on phase purity and solar cell performance | |
| Wubet et al. | Process limitation for p-type CuSbS2 semiconductor with high electrical mobility of 20 cm2 V− 1 s− 1 | |
| Kuo et al. | Single-step sputtered Cu2SnSe3 films using the targets composed of Cu2Se and SnSe2 | |
| CN102476791A (zh) | 一种铜铟硒纳米粉体的制备方法 | |
| Tsega et al. | The performance of the donor and acceptor doping in the Cu-rich Cu2ZnSnSe4 bulks with different Zn/Sn ratios | |
| Ueda et al. | Crystallographic and optical properties of CuGa3S5, CuGa3Se5 and CuIn3 (S, Se) 5 and CuGa3 (S, Se) 5 systems | |
| Sun et al. | High-sulfur Cu2ZnSn (S, Se) 4 films by sulfurizing as-deposited CZTSe film: The evolutions of phase, crystallinity and S/(S+ Se) ratio | |
| Li et al. | Mechanism study of structure and morphology control of solvothermal synthesized Cu2ZnSnS4 nanoparticles by using different sulfur precursors | |
| PL428877A1 (pl) | Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych |