PL441793A1 - Sposób wytwarzania spieków z nanoproszków półprzewodnika typu kesterytu Cu2ZnSnS4 - Google Patents
Sposób wytwarzania spieków z nanoproszków półprzewodnika typu kesterytu Cu2ZnSnS4Info
- Publication number
- PL441793A1 PL441793A1 PL441793A PL44179322A PL441793A1 PL 441793 A1 PL441793 A1 PL 441793A1 PL 441793 A PL441793 A PL 441793A PL 44179322 A PL44179322 A PL 44179322A PL 441793 A1 PL441793 A1 PL 441793A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- sub
- nanopowders
- kesterite
- sinters
- type semiconductor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania spieków z nanoproszków półprzewodnika typu kesterytu Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>, przeznaczonych do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych. Nanoproszki beztlenowego półprzewodnika typu kesterytu Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>, z prekursorów metalicznych Cu, Sn, Zn i siarki S lub siarczków Cu<sub>2</sub>S, ZnS, SnS i siarki S, mieli się w wysokoenergetycznym młynie kulowym z dodatkiem cieczy dyspergującej w postaci ksylenu przy prędkości obrotowej młyna od 900 do 1100 obr./min., w stosunku masowym 1:1, przez okres od 4 do 20 godzin. Następnie formuje się kształtki i poddaje je spiekaniu pod ciśnieniem od 3 do 11 GPa, w temperaturze od 300 do 800°C, przez okres od 1 minuty do 10 godzin. Korzystnie, przed uformowaniem kształtek wygrzewa się przereagowaną mieszaninę prekursorów w temperaturze od 400 do 600°C w atmosferze przepływającego argonu, przez okres od 4 do 12 godzin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL441793A PL441793A1 (pl) | 2022-07-20 | 2022-07-20 | Sposób wytwarzania spieków z nanoproszków półprzewodnika typu kesterytu Cu2ZnSnS4 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL441793A PL441793A1 (pl) | 2022-07-20 | 2022-07-20 | Sposób wytwarzania spieków z nanoproszków półprzewodnika typu kesterytu Cu2ZnSnS4 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL441793A1 true PL441793A1 (pl) | 2023-07-03 |
Family
ID=87000480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL441793A PL441793A1 (pl) | 2022-07-20 | 2022-07-20 | Sposób wytwarzania spieków z nanoproszków półprzewodnika typu kesterytu Cu2ZnSnS4 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL441793A1 (pl) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL428877A1 (pl) * | 2019-02-11 | 2019-10-21 | Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie | Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych |
| PL428878A1 (pl) * | 2019-02-11 | 2019-10-21 | Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie | Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄ |
-
2022
- 2022-07-20 PL PL441793A patent/PL441793A1/pl unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL428877A1 (pl) * | 2019-02-11 | 2019-10-21 | Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie | Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych |
| PL428878A1 (pl) * | 2019-02-11 | 2019-10-21 | Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie | Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄ |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| CHAO-QIAN LIU ET AL.: "", Journal of Alloys and Compounds Volume 708, 25 June 2017, Pages 428-436", PHASE EVOLUTION AND SINTERING BEHAVIORS OF CU2ZNSNS4 POWDERS SYNTHESIZED BY MECHANOCHEMICAL PROCESS WITH DIFFERENT MILLING PARAMETERS * |
| KATARZYNA LEJDA ET AL.: "Materials 2020, 13, 3487; doi:10.3390/ma13163487", MAGNETISM OF KESTERITE CU2ZNSNS4 SEMICONDUCTOR NANOPOWDERS PREPARED BY MECHANOCHEMICALLY ASSISTED SYNTHESIS METHOD * |
| YI-MING LI ET AL.: "Chinese Physics Letters, Volume 33, Number 7, DOI 10.1088/0256-307X/33/7/076101", HIGH-PRESSURE PREPARATION OF HIGH-DENSITY CU2ZNSNS4 MATERIALS * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Razykov et al. | Characterisation of SnSe thin films fabricated by chemical molecular beam deposition for use in thin film solar cells | |
| Chen et al. | Influence of annealing temperature on structural and optical properties of Cu2MnSnS4 thin films fabricated by sol–gel technique | |
| Pawar et al. | Synthesis of Cu2ZnSnS4 (CZTS) absorber by rapid thermal processing (RTP) sulfurization of stacked metallic precursor films for solar cell applications | |
| Wang et al. | Cu2ZnSnS4 thin films: facile and cost-effective preparation by RF-magnetron sputtering and texture control | |
| Hages et al. | Controlled grain growth for high performance nanoparticle-based kesterite solar cells | |
| Wangperawong et al. | Aqueous bath process for deposition of Cu2ZnSnS4 photovoltaic absorbers | |
| Su et al. | Fabrication of Cu 2 ZnSnS 4 solar cells with 5.1% efficiency via thermal decomposition and reaction using a non-toxic sol–gel route | |
| Zhou et al. | CZTS nanocrystals: a promising approach for next generation thin film photovoltaics | |
| CN102347398B (zh) | 大规模cigs基薄膜光伏材料的钠溅射掺杂方法 | |
| Chen et al. | Composition dependence of the structure and optical properties of Cu2MnxZn1− xSnS4 thin films | |
| Werner et al. | 8.3% efficient Cu2ZnSn (S, Se) 4 solar cells processed from sodium-containing solution precursors in a closed reactor | |
| Chen et al. | Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films using oxides nanoparticles ink for solar cell | |
| Chen et al. | Low cost preparation of Cu2ZnSnS4 and Cu2ZnSn (SxSe1− x) 4 from binary sulfide nanoparticles for solar cell application | |
| Chalapathi et al. | Two-stage processed CuSbS2 thin films for photovoltaics: effect of Cu/Sb ratio | |
| Kim et al. | Influence of precursor type on non-toxic hybrid inks for high-efficiency Cu 2 ZnSnS 4 thin-film solar cells | |
| Wei et al. | An investigation on phase transition for as-sputtered Cu2ZnSnSe4 absorbers during selenization | |
| Zhang et al. | Effect of sulfurization temperature of solution-processed Cu2SnS3 absorber for low cost photovoltaic cells | |
| Feng et al. | Influence of annealing temperature on CZTS thin film surface properties | |
| Hernádez-Mota et al. | Thin film photovoltaic devices prepared with Cu3BiS3 ternary compound | |
| Dobrozhan et al. | Structural and optical properties of Cu2ZnSnS4 films obtained by pulsed spray pyrolysis | |
| PL441793A1 (pl) | Sposób wytwarzania spieków z nanoproszków półprzewodnika typu kesterytu Cu2ZnSnS4 | |
| Shin et al. | A facile and low-cost synthesis of promising absorber materials on Cu 2 ZnSn (S x, Se 1− x) 4 nanocrystals consisting of earth abundant elements with tunable band gap characteristics | |
| CN107010609B (zh) | 一种p-型Cu4Ga6Te11基中温热电半导体 | |
| Sun et al. | A promising photovoltaic material Cu2MnSn (S, Se) 4: Film growth and its application in solar cell | |
| van Duren et al. | Pre-annealing of metal stack precursors and its beneficial effect on kesterite absorber properties and device performance |