PL439368A1 - Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej - Google Patents

Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej

Info

Publication number
PL439368A1
PL439368A1 PL439368A PL43936821A PL439368A1 PL 439368 A1 PL439368 A1 PL 439368A1 PL 439368 A PL439368 A PL 439368A PL 43936821 A PL43936821 A PL 43936821A PL 439368 A1 PL439368 A1 PL 439368A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
sup
channel
ion
mask
generating
Prior art date
Application number
PL439368A
Other languages
English (en)
Inventor
Marta SAWICKA
Grzegorz Muzioł
Natalia FIUCZEK
Mateusz HAJDEL
Czesław Skierbiszewski
Original Assignee
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Unipress
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Unipress filed Critical Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Unipress
Priority to PL439368A priority Critical patent/PL439368A1/pl
Priority to PL22461628.4T priority patent/PL4175079T3/pl
Priority to EP22461628.4A priority patent/EP4175079B1/en
Publication of PL439368A1 publication Critical patent/PL439368A1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1231—Grating growth or overgrowth details
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1861—Reflection gratings characterised by their structure, e.g. step profile, contours of substrate or grooves, pitch variations, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/61—Electrolytic etching
    • H10P50/617—Electrolytic etching of Group III-V materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Sposób polega na tym, że po wytworzeniu wybranej warstwy epitaksjalnej (2) przerywa się proces wzrostu i nanosi się na górną powierzchnię wytworzonej struktury (1, 2) maskę lokalnie blokującą implantację jonową. Maska zawiera szereg równoległych względem siebie podłużnych okien. Górną warstwę epitaksjalną (2) poddaje procesowi implantacji jonowej jonami germanu lub krzemu, na głębokość i do poziomu koncentracji zaimplantowanych atomów wyższego niż 5 x 10<sup>18</sup> cm<sup>-3</sup>. Po zakończeniu implantacji usuwa się maskę, po czym wygrzewa się strukturę epitaksjalną w temperaturze z zakresu od 1000 do 1400°C przez okres od dziesięciu sekund do jednej godziny. W wygrzanej strukturze (1, 2), zabezpiecza się jej górną powierzchnię przed wpływem medium trawiącego, po czym w tej powierzchni wykonuje się co najmniej jeden kanał (7) na to medium. Kanał (7) sięga w głąb (L6) struktury co najmniej do połowy grubości obszarów poddanych implantacji jonowej. Następnie usuwa się materiał poddany implantacji jonowej, poprzez wytrawianie elektrochemiczne kwaśnym medium trawiącym podawanym przez wspomniany kanał (7).
PL439368A 2021-10-30 2021-10-30 Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej PL439368A1 (pl)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL439368A PL439368A1 (pl) 2021-10-30 2021-10-30 Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej
PL22461628.4T PL4175079T3 (pl) 2021-10-30 2022-10-30 Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w warstwowej strukturze półprzewodnikowej
EP22461628.4A EP4175079B1 (en) 2021-10-30 2022-10-30 Method of fabrication of region with regulary varying refractive index in a layered semiconductor structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL439368A PL439368A1 (pl) 2021-10-30 2021-10-30 Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL439368A1 true PL439368A1 (pl) 2023-05-02

Family

ID=84785385

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL439368A PL439368A1 (pl) 2021-10-30 2021-10-30 Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej
PL22461628.4T PL4175079T3 (pl) 2021-10-30 2022-10-30 Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w warstwowej strukturze półprzewodnikowej

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL22461628.4T PL4175079T3 (pl) 2021-10-30 2022-10-30 Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w warstwowej strukturze półprzewodnikowej

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP4175079B1 (pl)
PL (2) PL439368A1 (pl)

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2486251A1 (fr) * 1980-07-03 1982-01-08 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un reseau optique
US4722092A (en) 1985-01-30 1988-01-26 Massachusetts Institute Of Technology GaInAsP/InP distributed feedback laser
US4777148A (en) 1985-01-30 1988-10-11 Massachusetts Institute Of Technology Process for making a mesa GaInAsP/InP distributed feedback laser
DE29815522U1 (de) 1998-08-31 1998-12-03 Forchel, Alfred, Prof. Dr., 97074 Würzburg Halbleiterlaser mit Gitterstruktur
CA2254275C (en) * 1998-11-20 2007-06-26 Patrik Schmuki Selective electrochemical process for creating semiconductor nano- and micro-patterns
EP1094345A1 (en) 1999-10-19 2001-04-25 BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company Method of making a photonic band gap structure
US6365428B1 (en) 2000-06-15 2002-04-02 Sandia Corporation Embedded high-contrast distributed grating structures
US6649439B1 (en) 2002-08-01 2003-11-18 Northrop Grumman Corporation Semiconductor-air gap grating fabrication using a sacrificial layer process
US8823057B2 (en) 2006-11-06 2014-09-02 Cree, Inc. Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices
JP5961557B2 (ja) 2010-01-27 2016-08-02 イェイル ユニヴァーシティ ＧａＮデバイスのための導電率ベースの選択的エッチング及びその用途
WO2014004261A1 (en) 2012-06-28 2014-01-03 Yale University Lateral electrochemical etching of iii-nitride materials for microfabrication
US11137536B2 (en) * 2018-07-26 2021-10-05 Facebook Technologies, Llc Bragg-like gratings on high refractive index material
PL3767762T3 (pl) 2019-07-14 2022-12-12 Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Dioda laserowa z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym i sposób wytwarzania takiej diody
WO2021150304A1 (en) * 2020-01-23 2021-07-29 Yale University Stacked high contrast gratings and methods of making and using thereof

Also Published As

Publication number Publication date
PL4175079T3 (pl) 2025-12-15
EP4175079C0 (en) 2025-09-10
EP4175079B1 (en) 2025-09-10
EP4175079A1 (en) 2023-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101137155B1 (ko) 리트로그레이드 탄소 프로파일을 가지는 저결함 ｓｉ：ｃ 층
US6878978B2 (en) CMOS performance enhancement using localized voids and extended defects
US20110114996A1 (en) Inducement of Strain in a Semiconductor Layer
DE60130205D1 (de) Implantierungsverfahren unter verwendung substöchiometrischer sauerstoffdosen bei verschiedenen energien
DE69129430D1 (de) Verfahren zum Herstellen von MOS-Anordnungen in VLSI-Strukturen
US4238694A (en) Healing radiation defects in semiconductors
PL439368A1 (pl) Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej
Linnarsson et al. Surface erosion of ion-implanted 4H-SiC during annealing with carbon cap
Jiang et al. Ion beam analysis of irradiation effects in 6H–SiC
Skorupa et al. High energy implantation and annealing of phosphorus in silicon
Jiang et al. Damage formation and recovery in C+-irradiated 6H–SiC
Jiang et al. Strain buildup in 4H-SiC implanted with noble gases at low dose
Liang et al. Mechanical properties and structure evolution of single-crystalline silicon irradiated by 1 MeV Au+ and Cu+ ions
Spinella et al. Ion beam induced transient amorphous nucleation in silicon
JPS6437835A (en) Formation of layer of semiconductor device through ion implantation
Jiang et al. Damage Response to Irradiation Temperature and Ion Fluence in C+-Irradiated 6H-SiC
TW200501276A (en) Method of manufacturing semiconductor device
Gąsiorek et al. Epitaxial recrystallization of Rb-irradiated α-quartz during thermal annealing in air
Liefting et al. Avoiding Dislocation Formation for B, P, and As Implants in Silicon
JPS57112031A (en) Formation of insulating film
Royal et al. Diffusion and trapping of implanted hydrogen in a Si/Si: B/Si structure
Shemukhin et al. Influence of ion-irradiation parameters on defect formation in silicon films
Capello et al. Solid-phase epitaxial regrowth of a shallow amorphised Si layer studied by X-ray and medium energy ion scattering
Komarov et al. Simulation of rapid thermal annealing of low− energy implanted arsenic in silicon
Ishida et al. The chemical effect of fluorine on boron transient enhanced diffusion