PL444423A1 - Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem - Google Patents

Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem

Info

Publication number
PL444423A1
PL444423A1 PL444423A PL44442323A PL444423A1 PL 444423 A1 PL444423 A1 PL 444423A1 PL 444423 A PL444423 A PL 444423A PL 44442323 A PL44442323 A PL 44442323A PL 444423 A1 PL444423 A1 PL 444423A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
photovoltaic plate
temperature
layered photovoltaic
subjected
laminar layered
Prior art date
Application number
PL444423A
Other languages
English (en)
Other versions
PL249304B1 (pl
Inventor
Dawid CYCOŃ
Paweł Kwaśnicki
Original Assignee
Ml System Spółka Akcyjna
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ml System Spółka Akcyjna filed Critical Ml System Spółka Akcyjna
Priority to PL444423A priority Critical patent/PL249304B1/pl
Priority to EP24460016.9A priority patent/EP4447129B1/en
Priority to US18/634,948 priority patent/US12402419B2/en
Publication of PL444423A1 publication Critical patent/PL444423A1/pl
Publication of PL249304B1 publication Critical patent/PL249304B1/pl

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B33/00—Layered products characterised by particular properties or particular surface features, e.g. particular surface coatings; Layered products designed for particular purposes not covered by another single class
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/66—Crystals of complex geometrical shape, e.g. tubes, cylinders
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S20/00—Supporting structures for PV modules
    • H02S20/20—Supporting structures directly fixed to an immovable object
    • H02S20/22—Supporting structures directly fixed to an immovable object specially adapted for buildings
    • H02S20/26—Building materials integrated with PV modules, e.g. façade elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • H10F19/804—Materials of encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • H10F19/807—Double-glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/137—Batch treatment of the devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej oraz laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem, przy czym sposób realizowany jest w kolejnych następujących po sobie etapach, polegających na tym, że: uprzednio wzmocnioną chemicznie taflę szklaną (1) umieszcza się w komorze procesowej urządzenia magnetronowego i poddaje się procesowi czyszczenia jonowego, po czym na górną powierzchnię tafli szklanej (1) nanosi się metodą napylania magnetronowego PVD w temperaturze 80°C - 90°C warstwę tytanową (2) o grubości G1 = 25 nm — 30 nm, a następnie na tak otrzymaną jednorodną warstwę tytanową (2) nanosi się za pomocą dysz drukujących nadruki ceramiczne nanocząstek odwzorowujących rozdrobnione kruszywa budowlane, uzyskując mikroobiekty o kształcie toroidalnym (3) o średnicy zewnętrznej ø = 0,8 mm — 1 mm i średnicy wewnętrznej ø1 = 0,4 - 0,5 mm, oddalonych od siebie o odległość L2 = 1 mm — 1,25 mm, po czym taflę szklaną (1) zanurza się w roztworze wodnego kwasu fluorowodorowego o stężeniu 0,29% i poddaje się procesowi elektrochemicznemu w czasie 18 min — 20 min i w temperaturze 30°C — 32°C, w wyniku czego na powierzchni warstwy tytanowej (2) pomiędzy ceramicznymi toroidami (3) wzrastają tytanowe nanorurki o średnicy zewnętrznej ø2 = 25 nm — 80 nm, wysokości H = 0,5 µm — 5 µm, następnie tak przygotowaną taflę szklaną (1) umieszcza się w piecu i poddaje się procesowi utrwalania temperaturowego w temperaturze 560°C — 620°C w czasie 250 s – 300 s, po czym taflę tę za pomocą foliowego polimeru laminacyjnego (5) i foliowego polimeru laminacyjnego (6) z umieszczonym na nim zestawem ogniw PV laminuje się z taflą szklaną (9) typu float o grubości G3 = 4 mm — 6 mm.
PL444423A 2023-04-15 2023-04-15 Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem PL249304B1 (pl)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL444423A PL249304B1 (pl) 2023-04-15 2023-04-15 Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem
EP24460016.9A EP4447129B1 (en) 2023-04-15 2024-04-08 Laminar layered photovoltaic panel and method for manufacturing thereof
US18/634,948 US12402419B2 (en) 2023-04-15 2024-04-14 Method for manufacturing a laminar layered photovoltaic panel and a laminar layered photovoltaic panel manufactured with the method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL444423A PL249304B1 (pl) 2023-04-15 2023-04-15 Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL444423A1 true PL444423A1 (pl) 2024-10-21
PL249304B1 PL249304B1 (pl) 2026-03-23

Family

ID=91073097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL444423A PL249304B1 (pl) 2023-04-15 2023-04-15 Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem

Country Status (3)

Country Link
US (1) US12402419B2 (pl)
EP (1) EP4447129B1 (pl)
PL (1) PL249304B1 (pl)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070277875A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-06 Kishor Purushottam Gadkaree Thin film photovoltaic structure
US20130186452A1 (en) * 2005-08-22 2013-07-25 The Regents Of The University Of California Nanostructure and Photovoltaic Cell Implementing Same
WO2022040445A1 (en) * 2020-08-21 2022-02-24 Solaria Corporation Photovoltaic structure and method of fabrication

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL210946A1 (pl) 1978-11-14 1980-07-01 Opolskie Zaklady Przemyslu Cuk
HU179190B (en) 1979-04-06 1982-09-28 Gyogyszerkutato Intezet Process for preparing new phenthiazine derivatives
PL216601A1 (pl) 1979-06-26 1981-05-22 Przed Robot Gorniczych
PL132099B1 (en) 1980-07-07 1985-01-31 Przemyslowy Inst Motoryzacji Modular system of development of small-dimensions electrical controlling devices connected by throw-over switches with terminals of flat plug connector,especially for automotive vehicle
PL161268B1 (pl) 1990-01-19 1993-06-30 Legnica Huta Miedzi Kom Gornic Sposób i urządzenie do dozowania zapraw przy ciągłym odlewaniu stopów miedzi
US7863080B1 (en) * 2008-01-07 2011-01-04 Atomic Energy Council-Institute Of Nuclear Energy Process for making multi-crystalline silicon thin-film solar cells
DE102008056792B4 (de) * 2008-11-11 2018-06-28 Schott Ag Verfahren zum Aufbringen einer porösen selbstreinigenden Entspiegelungsschicht sowie Glas mit dieser Entspiegelungsschicht und Verwendung einer selbstreinigenden porösen Entspiegelungsschicht
CN110137285A (zh) * 2018-02-08 2019-08-16 光之科技发展(昆山)有限公司 一种用于建筑领域的太阳电池组件及其制备方法
KR20210122270A (ko) * 2019-01-31 2021-10-08 포톤 테크놀로지 (쿤산) 컴퍼니, 리미티드 발전 건축 자재 및 그 제조방법
PL432642A1 (pl) 2020-01-21 2021-07-26 Politechnika Wrocławska Kompozyt szklany o właściwościach przewodzących, warstwa przewodząca oraz sposób otrzymywania warstwy przewodzącej
PL437888A1 (pl) 2021-05-18 2022-11-21 Smart Nanotechnologies Spółka Akcyjna Nanokompozyt epoksydowy o właściwościach absorbujących promieniowanie elektromagnetyczne i sposób wytwarzania nanokompozytu epoksydowego o właściwościach absorbujących promieniowanie elektromagnetyczne

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130186452A1 (en) * 2005-08-22 2013-07-25 The Regents Of The University Of California Nanostructure and Photovoltaic Cell Implementing Same
US20070277875A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-06 Kishor Purushottam Gadkaree Thin film photovoltaic structure
WO2022040445A1 (en) * 2020-08-21 2022-02-24 Solaria Corporation Photovoltaic structure and method of fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
PL249304B1 (pl) 2026-03-23
EP4447129A1 (en) 2024-10-16
EP4447129B1 (en) 2025-04-23
US20240347658A1 (en) 2024-10-17
US12402419B2 (en) 2025-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yu et al. Ultra-short pulsed laser manufacturing and surface processing of microdevices
EP3183375B1 (de) Metallisierung für ein dünnschichtbauelement, verfahren zu deren herstellung und sputtering target
CN106209003B (zh) 利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法
US20160159684A1 (en) Thermo-electric method for texturing of glass surfaces
Tölke et al. Processing of Foturan® glass ceramic substrates for micro-solid oxide fuel cells
JP5790303B2 (ja) 強化ガラス板の製造方法
CN102574725A (zh) 基板用玻璃板、其制造方法及tft面板的制造方法
TW201404735A (zh) 強化玻璃板之切斷方法
TW201329009A (zh) 通過玻璃與電壓的應用控制鎘銦鎵硒化物薄膜內的鹼金屬
CN109166792B (zh) 基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜
Gerace et al. Piezoelectric glass‐ceramics: Crystal chemistry, orientation mechanisms, and emerging applications
DE202019005936U1 (de) Vakuum-Isolierglaseinheit mit lasergraviertem Code
CN1844963A (zh) 单侧熔盐电场辅助离子交换制备掩埋式玻璃光波导的方法
DE102007004060B4 (de) Verwendung einer Ätzlösung aufweisend Wasser, Salpetersäure und Schwefelsäure und Ätzverfahren
US20120023719A1 (en) Manufacturing method for a zinc oxide piezoelectric thin-film with high c-axis orientation
PL444423A1 (pl) Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem
CN121017870A (zh) 基于脉冲飞秒激光复合化学蚀刻制备微通道板的方法与微通道板
US20170271716A1 (en) Miniaturized electronic component with reduced risk of breakage and method for producing same
Zhang et al. DNA immobilization and SAW response in ZnO nanotips grown on LiNbO/sub 3/substrates
Mills et al. Surface texturing of Si, porous Si and TiO2 by laser ablation
JP7401886B2 (ja) 両面化学強化ガラス板、その製造方法、並びに両面化学強化ガラス板を含む製品
CN116751077A (zh) 基于二次沉淀-热处理在氧化锆表面制备氧化铝微纳结构层的方法及其产品和应用
DE102018132945B4 (de) Plattenförmiger Gegenstand, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung
Leng et al. Linear and nonlinear optical properties of (Pb, La)(Zr, Ti) O3 ferroelectric thin films grown by radio-frequency magnetron sputtering
CN107367531A (zh) 一种用于电化学反应的电极表面气体行为调控方法