PL249304B1 - Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem - Google Patents

Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem

Info

Publication number
PL249304B1
PL249304B1 PL444423A PL44442323A PL249304B1 PL 249304 B1 PL249304 B1 PL 249304B1 PL 444423 A PL444423 A PL 444423A PL 44442323 A PL44442323 A PL 44442323A PL 249304 B1 PL249304 B1 PL 249304B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
titanium
thickness
glass sheet
toroids
temperature
Prior art date
Application number
PL444423A
Other languages
English (en)
Other versions
PL444423A1 (pl
Inventor
Dawid CYCOŃ
Dawid Cycoń
Paweł Kwaśnicki
Original Assignee
Ml System Spolka Akcyjna
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ml System Spolka Akcyjna filed Critical Ml System Spolka Akcyjna
Priority to PL444423A priority Critical patent/PL249304B1/pl
Priority to EP24460016.9A priority patent/EP4447129B1/en
Priority to US18/634,948 priority patent/US12402419B2/en
Publication of PL444423A1 publication Critical patent/PL444423A1/pl
Publication of PL249304B1 publication Critical patent/PL249304B1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B33/00—Layered products characterised by particular properties or particular surface features, e.g. particular surface coatings; Layered products designed for particular purposes not covered by another single class
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/66—Crystals of complex geometrical shape, e.g. tubes, cylinders
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S20/00—Supporting structures for PV modules
    • H02S20/20—Supporting structures directly fixed to an immovable object
    • H02S20/22—Supporting structures directly fixed to an immovable object specially adapted for buildings
    • H02S20/26—Building materials integrated with PV modules, e.g. façade elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • H10F19/804—Materials of encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • H10F19/807—Double-glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/137—Batch treatment of the devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej oraz laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem, przy czym sposób realizowany jest w kolejnych następujących po sobie etapach, polegających na tym, że: uprzednio wzmocnioną chemicznie taflę szklaną (1) umieszcza się w komorze procesowej urządzenia magnetronowego i poddaje się procesowi czyszczenia jonowego, po czym na górną powierzchnię tafli szklanej (1) nanosi się metodą napylania magnetronowego PVD w temperaturze 80°C - 90°C warstwę tytanową (2) o grubości G1 = 25 nm — 30 nm, a następnie na tak otrzymaną jednorodną warstwę tytanową (2) nanosi się za pomocą dysz drukujących nadruki ceramiczne nanocząstek odwzorowujących rozdrobnione kruszywa budowlane, uzyskując mikroobiekty o kształcie toroidalnym (3) o średnicy zewnętrznej ø = 0,8 mm — 1 mm i średnicy wewnętrznej ø1 = 0,4 - 0,5 mm, oddalonych od siebie o odległość L2 = 1 mm — 1,25 mm, po czym taflę szklaną (1) zanurza się w roztworze wodnego kwasu fluorowodorowego o stężeniu 0,29% i poddaje się procesowi elektrochemicznemu w czasie 18 min — 20 min i w temperaturze 30°C — 32°C, w wyniku czego na powierzchni warstwy tytanowej (2) pomiędzy ceramicznymi toroidami (3) wzrastają tytanowe nanorurki o średnicy zewnętrznej ø2 = 25 nm — 80 nm, wysokości H = 0,5 µm — 5 µm, następnie tak przygotowaną taflę szklaną (1) umieszcza się w piecu i poddaje się procesowi utrwalania temperaturowego w temperaturze 560°C — 620°C w czasie 250 s – 300 s, po czym taflę tę za pomocą foliowego polimeru laminacyjnego (5) i foliowego polimeru laminacyjnego (6) z umieszczonym na nim zestawem ogniw PV laminuje się z taflą szklaną (9) typu float o grubości G3 = 4 mm — 6 mm.

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej, bazujący na technologii wytwarzania nanorurek oraz laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem, mająca zastosowanie do pokrywania fasad budynków, dachówek fotowoltaicznych, okładzin i dachów pojazdów w tym samochodów, pojazdów wojskowych, wagonów kolejowych, tramwajów i innych pojazdów szynowych, autobusów, płyt warstwowych wykorzystywanych w budownictwie.
Znany jest z opisu patentowego polskiego zgłoszenia wynalazku nr P.432642 kompozyt szklany o właściwościach przewodzących, zawierający nanorurki węglowe i szkło oraz sposób otrzymywania warstwy przewodzącej, polegający na zmieszaniu nanorurek węglowych jedno lub wielościennych w postaci proszku w ilości 1-50% wagowych kompozytu oraz szkła w postaci proszku o granulacji wynoszącej od 0,5 μm - 1,0 μm z dodatkiem mieszaniny dyspergatora organicznego, po czym tak uzyskaną mieszaninę nanosi się na podłoże elektrod do akumulatorów lub do reaktorów oraz poddaje się go obróbce termicznej w temperaturze powyżej 100°C celem otrzymania warstwy przewodzącej, którą poddaje się obróbce cieplnej w temperaturze 700°C w atmosferze gazów obojętnych.
Z opisu polskiego zgłoszenia patentowego wynalazku nr P.437888 znany jest nanokompozyt epoksydowy o właściwościach absorbcyjnych promieniowanie elektromagnetyczne, którego matrycę stanowi usieciowana postać żywicy epoksydowej, zaś wypełniacz zapewniający właściwości absorbujące to promieniowanie kompozytu stanowią nanorurki węglowe charakteryzujący się tym, że wypełniacz w postaci nanorurek węglowych stanowią wielościenne nanorurki węglowe otrzymane metodą katalitycznego - chemicznego osadzania z fazy gazowej (CCVD), o czystości wynoszącej 90% i powierzchni właściwej mieszczącej się w zakresie od 250 do 300 m2/g modyfikowane powierzchniowo i mające celowo wytworzone defekty strukturalne powierzchni, zaś na tak zmodyfikowanej powierzchni nanorurek węglowych osadzone są grupy aminowe pełniące funkcje dodatku poprawiającego ich dyspersję, przy czym wymienione nanorurki węglowe stanowią od 0,5 do 5% wagowych względem całej masy tego kompozytu.
Poza tym z polskich opisów patentowych nr PL210946, PL216601, PL225515, PL223267 oraz P.283373 znane są sposoby wytwarzania nanorurek węglowych lub bromowanych nanorurek węglowych, które jednak nie są wykorzystywane w sposobach wytwarzania laminarnych warstwowych płyt fotowoltaicznych z warstwami ze szkła wzmocnionego chemicznie.
Znany jest również powszechnie stosowany sposób prowadzenia procesu wzmacniania chemicznego metodą wymiany jonowej w kąpieli solankowej tafli szklanych powodujący wygładzanie ich powierzchni, zminimalizowanie ilości mikropęknięć powierzchniowych a zarazem poprawę ich właściwości mechanicznych, w tym wytrzymałości na ściskanie.
Ze znanego stanu techniki wynika, że nie są znane sposoby wytwarzania laminarnych warstwowych płyt fotowoltaicznych zawierających nanorurki.
Zatem celem wynalazku jest opracowanie nowego sposobu wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej, z aktywnym elementem konwertującym promieniowanie elektromagnetyczne na prąd elektryczny i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem, zapewniająca wysokie uzyski energetyczne przy dowolnym kącie instalacji tej płyty w stosunku do padającego promieniowania oraz wysoką odporność na warunki zewnętrzne, w tym na temperaturę i wilgotność, przy zachowaniu jej dużych walorów estetycznych.
Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej według wynalazku charakteryzuje się tym, że:
- uprzednio wzmocnioną chemicznie metodą wymiany jonowej w kąpieli solankowej taflę szklaną umieszcza się w komorze procesowej urządzenia magnetronowego i poddaje się procesowi czyszczenia jonowego przy wytworzonej próżni na poziomie 10-4 Pa w obecności zjonizowanego gazu - argonu o energii rzędu 1000 eV, po czym na górną powierzchnię tafli szklanej nanosi się metodą napylania magnetronowego PVD w temperaturze 80°C - 90°C i temperaturze podłoża wynoszącym 85°C - 95°C warstwę tytanową (2) o grubości G1 = 25 nm - 30 nm otrzymaną z targetu tytanowego Ti o czystości wynoszącej minimum 99,5%, o temperaturze topnienia wynoszącej 1725°C oraz przy ciśnieniu ewaporacji 10-4 Torr i gęstości wynoszącej 16,6 g/cc ± 10%, przy czym proces ten prowadzi się w czasie 15-20 minut zwiększając stopniowo napięcie od 0 V do 1,6 kV w czasie pierwszych 5 minut, w którym target tytanowy Ti bombardowany był jonami o energii rzędu 1 keV, po czym
- na tak otrzymaną jednorodną warstwę tytanową nanosi się za pomocą dysz drukujących o rozdzielczości 1440 DPI, nadruki ceramiczne nanocząstek odwzorowujące rozdrobnione kruszywa budowlane w ich naturalnym kolorze i kształcie, uzyskując mikroobiekty o kształcie toroidalnym o średnicy zewnętrznej 0 = 0,8 mm - 1 mm i średnicy wewnętrznej 01 = 0,4 mm - 0,5 mm, oddalonych od siebie o odległość L2 = 1 mm - 1,25 mm, a następnie
- taflę szklaną z tak przygotowaną górną powierzchnią z warstwą tytanową oraz z nadrukiem ceramicznym w postaci toroidów zanurza się w roztworze wodnego kwasu fluorowodorowego o stężeniu 0,29% i poddaje się procesowi elektrochemicznemu przy natężeniu pola elektrycznego wynoszącym 106 Vm-1 do 108 Vm-1 oraz przy napięciu prądu elektrycznego wynoszącym 12 V - 35 V, w czasie 18 min - 20 min i w temperaturze 30°C - 32°C, w wyniku czego na powierzchni warstwy tytanowej pomiędzy ceramicznymi toroidami wzrastają tytanowe nanorurki o średnicy zewnętrznej 02 = 25 nm - 80 nm, wysokości H = 0,5 μm - 5 μm, a odległość pomiędzy tytanowymi nanorurkami wynosi L1 = 1 nm - 3 nm, przy czym odległość tytanowych nanorurek od toroidów wynosi L3 = 2 nm - 3 nm, zaś grubość ścianki pojedynczej tytanowej nanorurki nie przekracza 4 nm, po czym
- tak przygotowaną taflę szklaną umieszcza się w piecu i poddaje się procesowi utrwalania temperaturowego w temperaturze 560°C - 620°C w czasie 250 s - 300 s, po czym
- utrwaloną temperaturowo taflę szklaną z warstwą tytanową z toroidami i tytanowymi nanorurkami na jej górnej powierzchni łączy się za pomocą foliowego polimeru laminacyjnego (5) o grubości G2 = 500 μm - 0,85 mm i foliowego polimeru laminacyjnego o grubości G2 = 500 μm - 0,85 mm z umieszczonym na nim zestawem ogniw PV I lub II lub III generacji wyposażonym w przewody elektryczne z taflą szklaną typu float o grubości G3 = 4 mm 6 mm, i dokonuje się zlaminowania ze sobą tych elementów otrzymując monolityczną laminarną warstwową płytę fotowoltaiczną o długość wynosi L = 150 cm - 200 cm, i szerokość S = 50 cm - 150 cm.
Korzystnym jest, gdy nadruki ceramiczne odwzorowują kruszywa marmuru lub granitu lub betonu w naturalnym kolorze i kształcie.
Z kolei, laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona sposobem według wynalazku charakteryzuje się tym, że górna powierzchnia jej górnej tafli szklanej o grubości G = 1 mm - 4 mm posiada napyloną na nią jednorodną warstwę tytanową o grubości G1 = 25 nm - 30 nm z niesionymi na nią ceramicznymi toroidami odwzorowującymi rozdrobnione kruszywa budowlane w ich naturalnym kolorze i kształcie, o średnicy zewnętrznej 0 = 0,8 mm - 1 mm i średnicy wewnętrznej 01 = 0,4 mm - 0,5 mm, oddalonych od siebie o odległość L2 = 1 mm - 1,25 mm, oraz z umieszczonymi pomiędzy toroidami tytanowymi nanorurkami, o średnicy zewnętrznej 02 = 25 mm - 80 nm, wysokości H = 0,5 μm - 5 μm, oraz w odległości pomiędzy nimi wynoszącej L1 = 1 nm - 3 nm, przy czym odległość tytanowych nanorurek od toroidów wynosi L3 = 2 nm - 3 nm, zaś zlaminowana z tą taflą szklaną za pomocą foliowych polimerów laminacyjnych o grubości G2 = 500 μm do 0,85 mm, druga tafla szklana typu float posiadała grubość G3 = 4 mm - 6 mm.
Korzystnym jest, gdy ceramiczne toroidy odwzorowują rozdrobnione kruszywa marmuru lub granitu lub betonu w ich naturalnych kolorach i kształtach, a umieszczony pomiędzy obu taflami szklanymi zlaminowany z nimi zestaw ogniw PV stanowią ogniwa I lub II lub III generacji.
Zastosowanie na górnej powierzchni tafli szklanej wchodzącej w skład laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej według wynalazku, nanorurek tytanowych jako układów falowodowych o określonych parametrach wymiarowych (średnicy i wysokości) pozwala na maksymalne wykorzystanie energii promieniowania słonecznego padającego na powierzchnię tej płyty fotowoltaicznej, gdyż wiązka światła o długości fali od 300 do 950 nm jest efektywnie transmitowana w falowodzie do ogniwa PV znajdującego się w laminacie szklanym. Poza tym promieniowanie z zakresu podczerwieni dla którego zakres energetyczny nie pozwala na absorpcję na elemencie fotowoltaicznym jest odbijany od powierzchni nie powodując nagrzewania się układu, zwłaszcza dzięki zastosowaniu nanorurek o profilu walca. Z kolei wykorzystanie nadruku ceramicznego dla uzyskania toroidów na górnej powierzchni tafli szklanej laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej zapewnia efektywny transfer energii fali elektromagnetycznej do układu konwertującego ją na prąd elektrycznych w efekcie fotowoltaicznym. Wykorzystanie nadruku ceramicznego zawierającego w swoim składzie nanocząsteczki odwzorowywanych na powierzchni tafli szklanej materiałów (na przykład dla marmuru - nanocząsteczek marmuru, dla granitu - nanocząsteczek granitu, dla betonu - nanocząsteczek betonu) pozwala na uzyskanie pożądanych efektów wizualnych.
Poza tym wykorzystanie nanorurek tytanowych o średnicy rzędu od kilku do kilkudziesięciu nanometrów stwarza możliwość kontrolowania właściwości powierzchniowych w tym: zwilżalności, aktywności fotokatalitycznej oraz bioaktywności. Parametry te znacząco poprawiają efektywność pracy układu fotowoltaicznego oraz gwarantują zachowanie aspektu wizualnego (utrzymanie kolorystyki), zaś niska zwilżalność poprawia efekt hydrofobowy zapobiegający gromadzeniu się zanieczyszczeń, a aktywność fotokatalityczna i bioaktywność nie pozwala na bytowanie na powierzchni drobnoustrojów, zwłaszcza grzybów, porostów i mchu. Ponadto wytworzone na powierzchni tytanowej nanorurki pozwalają na efektywne wprowadzenie fali elektromagnetycznej do układu konwertującego jej energię na prąd elektryczny bez względu na kąt padania oraz przy zachowaniu ustalonej kolorystyki powierzchni laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej.
Przedmiot wynalazku w przykładzie jego wykonania został opisany i przedstawiony na rysunku fig. 1-7, na którym fig. 1 przedstawia powiększoną prostokątną laminarną - warstwową płytę fotowoltaiczną w widoku z góry, fig. 2 - samą prostokątną laminarną płytę fotowoltaiczną w widoku perspektywicznym, fig. 3 - tę samą prostokątną laminarną płytę fotowoltaiczną w stanie rozłożonym jej warstw składowych w widoku perspektywicznym, fig. 4 - tę samą płytę w pionowym przekroju podłużnym wzdłuż linii A-A na fig. 1, fig. 5 - powiększony szczegół „B” na fig. 1 górnej powłoki nanorurkowo-toroidalnej w widoku z góry, fig. 6 - powiększony szczegół „C” na fig. 3 tej samej powłoki nanorurkowotoroidalnej w widoku perspektywicznym, a fig. 7 - przykładowy sposób mocowania prostokątnej laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej do fasady budynku w przekroju pionowym.
Przykład 1
Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej według wynalazku polega na tym, że realizowany jest w sześciu następujących po sobie etapach polegających na tym, że:
- w etapie pierwszym taflę szklaną 1 o długości L = 150 cm, szerokości S = 50 cm i o grubości G = 1 mm poddano procesowi wzmacniania chemicznego metodą wymiany jonowej w kąpieli solankowej, uzyskując wygładzoną powierzchnię tej tafli ze minimalizowaną ilością mikropęknięć powierzchniowych oraz ze znaczną poprawą jej parametrów mechanicznych, w tym gęstości i wytrzymałości na ściskanie, po czym
- w etapie drugim tak przygotowaną taflę szklaną umieszczono w komorze procesowej, znanego urządzenia magnetronowego, z której odpompowano powietrze w celu uzyskania próżni na poziomie 10-4 Pa i wprowadzono zjonizowany gaz - argon o energii rzędu 1000 eV poddając tę taflę procesowi czyszczenia jonowego, a następnie na górną powierzchnię tak przygotowanej tafli szklanej 1 naniesiono metodą napylania magnetronowego PVD w temperaturze 80°C i temperaturze podłoża wynoszącym 85°C warstwę tytanową 2 o grubości G1 = 25 nm otrzymaną z targetu tytanowego Ti o czystości wynoszącej minimum 99,5%, o temperaturze topnienia wynoszącej 1725°C oraz przy ciśnieniu ewaporacji 10-4 Torr i gęstości wynoszącej 16,6 g/cc ± 10%, przy czym proces magnetronowego osadzania warstwy tytanowej 2 polegał na nanoszeniu na górną powierzchnię tej zmodyfikowanej tafli szklanej materiału zbudowanego z rozpylonych w polu magnetycznym jonów pochodzących z powierzchni targetu tytanowego Ti wykorzystując w tym procesie oddziaływanie naładowanych cząstek z polem magnetycznym, zaś strumień jonów generowany był w wyniku bombardowania powierzchni tego targetu cząstkami zjonizowanego gazu - argonu powstałego w wyniku przyłożenia napięcia elektrycznego pomiędzy powierzchnie nośnika i źródła. Czas trwania tego procesu wynosił 15 minut zwiększając stopniowo napięcie od 0 V do 1,6 kV w czasie pierwszych 5 minut, w którym target tytanowy Ti bombardowany był jonami o energii rzędu 1 keV;
- w etapie trzecim na tak otrzymaną jednorodną warstwę tytanową 2 naniesioną na górną powierzchnię tafli szklanej 1 naniesiono metodą nadruku ceramicznego nanocząstki rozdrobnionego materiału odwzorowującego marmur w jego naturalnym kolorze i kształcie, za pomocą ośmiu dysz drukujących w rozdzielczości 1440 DPI, uzyskując mikroobiekty o kształcie toroidalnym 3 (toroidy) o średnicy zewnętrznej 0 = 1 mm i średnicy wewnętrznej 01 = 0,5 mm, oddalone od siebie o odległość L2 = 1 mm, a następnie
- w etapie czwartym taflę szklaną 1 z tak przygotowaną górną powierzchnią z warstwą tytanową 2 oraz z nadrukiem ceramicznym w postaci toroidów 3 zanurzono w roztworze wodnego kwasu fluorowodorowego o stężeniu 0,29% i poddano procesowi elektrochemicznemu przy natężeniu pola elektrycznego wynoszącym 106 Vm'1 oraz przy napięciu prądu elektrycznego wynoszącym 12 V, w czasie 18 min i w temperaturze 30°C, w wyniku czego na powierzchni warstwy tytanowej 2 w miejscach gdzie nie zostały nadrukowane ceramiczne toroidy 3 wzrosły otaczające te toroidy tytanowe nanorurki 4 o średnicy zewnętrznej 02 = 25 nm, wysokości H = 0,5 μm i grubości ścianki pojedynczej nanorurki wynoszącej 4 nm, zaś odległość pomiędzy pojedynczymi tytanowymi nanorurkami 4 wynosiła L1 = 1 nm, a odległość tych nanorurek od toroidów 3 wynosiła L3 = 2 nm, przy czym proces wzrastania nanorurek odbywał się pod wpływem wytworzonego pola elektrycznego, dzięki któremu nastąpiła migracja jonów w stronę granicy fazowej metalu i tworzącej się warstwy nanorurek, a następnie dalej w kierunku granicy z elektrolitem. Przyłożone napięcie generowało pole elektryczne, dzięki któremu jony metaliczne pokonywały barierę energetyczną i dyfundowały z fazy metalicznej do fazy tlenkowej, a następnie zachodził proces migracji jonów przez warstwę tlenkową w stronę granicy tlenku i elektrolitu.
- w etapie piątym tak przygotowaną w etapie czwartym taflę szklaną 1 umieszczono w piecu i w temperaturze 560°C w czasie 250 s poddano procesowi utrwalania temperaturowego, po czym
- w etapie szóstym tak utrwaloną temperaturowo taflę szklaną 1 z warstwą tytanową 2 z toroidami 3 i tytanowymi nanorurkami 4 zlaminowano za pomocą foliowego polimeru laminacyjnego 5 typu EVA o grubości G2 = 500 μm i foliowego polimeru laminacyjnego 6 typu EVA o grubości G2 = 500 μm z umieszczonym na nim zestawem 7 ogniw PV generacji I wyposażonym w przewody elektryczne 8 z taflą szklaną 9 typu float o grubości G3 = 4 mm otrzymując monolityczną laminarną warstwową płytę fotowoltaiczną.
Przykład 2
Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej według wynalazku polega na tym, że realizowany jest w sześciu następujących po sobie etapach polegających na tym, że:
- w etapie pierwszym taflę szklaną 1 o długości L = 250 cm, szerokości S = 150 cm i o grubości G = 4 mm poddano procesowi wzmacniania chemicznego metodą wymiany jonowej w kąpieli solankowej uzyskując wygładzoną powierzchnię tej tafli ze minimalizowaną ilością mikropęknięć powierzchniowych oraz ze znaczną poprawą jej parametrów mechanicznych, w tym gęstości i wytrzymałości na ściskanie, po czym
- w etapie drugim tak przygotowaną taflę szklaną umieszczono w komorze procesowej, znanego urządzenia magnetronowego, z której odpompowano powietrze w celu uzyskania próżni na poziomie 10-4 Pa i wprowadzono zjonizowany gaz - argon o energii rzędu 1000 eV poddając tę taflę procesowi czyszczenia jonowego, a następnie na górną powierzchnię tak przygotowanej tafli szklanej 1 naniesiono metodą napylania magnetronowego PVD w temperaturze 90°C i temperaturze podłoża wynoszącym 95°C warstwę tytanową 2 o grubości G1 = 30 nm otrzymaną z targetu tytanowego Ti o czystości wynoszącej minimum 99,5%, o temperaturze topnienia wynoszącej 1725°C oraz przy ciśnieniu ewaporacji 10-4 Torr i gęstości wynoszącej 16,6 g/cc ± 10%, przy czym proces magnetronowego osadzania warstwy tytanowej 2 polegał na nanoszeniu na górną powierzchnię tej zmodyfikowanej tafli szklanej materiału zbudowanego z rozpylonych w polu magnetycznym jonów pochodzących z powierzchni targetu tytanowego Ti wykorzystując w tym procesie oddziaływanie naładowanych cząstek z polem magnetycznym, zaś strumień jonów generowany był w wyniku bombardowania powierzchni tego targetu cząstkami zjonizowanego gazu - argonu powstałego w wyniku przyłożenia napięcia elektrycznego pomiędzy powierzchnie nośnika i źródła. Czas trwania tego procesu wynosił 20 minut zwiększając stopniowo napięcie od 0 V do 1,6 kV w czasie pierwszych 5 minut, w którym target tytanowy Ti bombardowany był jonami o energii rzędu 1 keV;
- w etapie trzecim na tak otrzymaną jednorodną warstwę tytanową 2 naniesioną na górną powierzchnię tafli szklanej 1 naniesiono metodą nadruku ceramicznego nanocząstki rozdrobnionego materiału odwzorowującego granit w jego naturalnym kolorze i kształcie, za pomocą ośmiu dysz drukujących w rozdzielczości 1440 DPI, uzyskując mikroobiekty o kształcie toroidalnym 3 (toroidy) o średnicy zewnętrznej 0 = 0,8 mm i średnicy wewnętrznej 01 = 0,4 mm, oddalone od siebie o odległość L2 = 1,25 mm, a następnie
- w etapie czwartym taflę szklaną 1 z tak przygotowaną górną powierzchnią z warstwą tytanową 2 oraz z nadrukiem ceramicznym w postaci toroidów 3 zanurzono w roztworze wodnego kwasu fluorowodorowego o stężeniu 0,29% i poddano procesowi elektrochemicznemu przy natężeniu pola elektrycznego wynoszącym 108 Vm-1 oraz przy napięciu prądu elektrycznego wynoszącym 35 V, w czasie 20 min i w temperaturze 32°C, w wyniku czego na powierzchni warstwy tytanowej 2 w miejscach gdzie nie zostały nadrukowane ceramiczne toroidy 3 wzrosły otaczające te toroidy tytanowe nanorurki 4 o średnicy zewnętrznej 02 = 80 nm, wysokości H = 5 μm i grubości ścianki pojedynczej nanorurki wynoszącej 4 nm, zaś odległość pomiędzy pojedynczymi tytanowymi nanorurkami 4 wynosiła L1 = 3 nm, a odległość tych nanorurek od toroidów 3 wynosiła L3 = 3 nm, przy czym proces wzrastania nanorurek odbywał się pod wpływem wytworzonego pola elektrycznego, dzięki któremu nastąpiła migracja jonów w stronę granicy fazowej metalu i tworzącej się warstwy nanorurek, a następnie dalej w kierunku granicy z elektrolitem. Przyłożone napięcie generowało pole elektryczne, dzięki któremu jony metaliczne pokonywały barierę energetyczną i dyfundowały z fazy metalicznej do fazy tlenkowej, a następnie zachodził proces migracji jonów przez warstwę tlenkową w stronę granicy tlenku i elektrolitu,
- w etapie piątym tak przygotowaną w etapie czwartym taflę szklaną 1 umieszczono w piecu i w temperaturze 620°C w czasie 300 s poddano procesowi utrwalania temperaturowego, po czym
- w etapie szóstym tak utrwaloną temperaturowo taflę szklaną 1 z warstwą tytanową 2 z toroidami 3 i tytanowymi nanorurkami 4 zlaminowano za pomocą foliowego polimeru laminacyjnego 5 typu EVA o grubości G2 = 0,85 mm i foliowego polimeru laminacyjnego 6 typu EVA o grubości G2 = 0,85 mm z umieszczonym na nim zestawem 7 ogniw PV generacji I wyposażonym w przewody elektryczne 8 z taflą szklaną 9 typu float o grubości G3 = 6 mm, otrzymując monolityczną laminarną warstwową płytę fotowoltaiczną.
W dalszych przykładach sposobu wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej według wynalazku nadrukiem ceramicznym wykonywano toroidy o wzorze i w kolorze betonu, a zamiast foliowego polimeru laminacyjnego typu EVA zastosowano polimer laminacyjny typu PVB.
Przykład 3
Laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona sposobem według wynalazku składała się z:
- tafli szklanej 1 o długości L = 150 cm, szerokości S = 50 cm i o grubości G = 1 mm wzmocnionej chemicznie metodą wymiany jonowej w kąpieli solankowej z napyloną na górną jej powierzchnię jednorodną warstwą tytanową 2 o grubości G1 = 25 nm z niesionymi na nią ceramicznymi toroidami 3 odwzorowującymi marmur w jego naturalnym kolorze i kształcie, o średnicy zewnętrznej 0 = 1 mm i średnicy wewnętrznej 01 = 0,5 mm, oddalonych od siebie o odległość L2 = 1 mm oraz z usytuowanymi pomiędzy toroidami 3 i otaczającymi je tytanowymi nanorurkami 4, o średnicy zewnętrznej 02 = 25 nm, wysokości H = 0,5 μm, oraz w odległości pomiędzy nimi wynoszącej L1 = 1 nm i odległości tytanowych nanorurek 4 od toroidów 3 wynoszącej L2 = 2 nm, przy czym grubość ścianki pojedynczej tytanowej nanorurki 4 wynosiła 4 nm, oraz
- z tafli szklanej 9 typu float o grubości G3 = 4 mm, przy czym pomiędzy taflami szklanymi 1 i 9 umieszczony jest foliowy polimer laminacyjny 5 typu EVA o grubości G2 = 500 μm i foliowy polimer laminacyjny 6 typu EVA o grubości G2 = 500 μm z umieszczonym na nim zestawem 7 ogniw PV generacji I, wyposażonym w przewody elektryczne 8, przy czym foliowe polimery laminacyjne 5 i 6 łączą ze sobą metodą laminowania obie tafle szklane 1 i 9 tworząc monolityczną laminarną warstwową płytę fotowoltaiczną.
Przykład 4
W tym przykładzie wykonania wytworzona sposobem według wynalazku laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna składała się z:
- tafli szklanej 1 o długości L = 200 cm, szerokości S = 150 cm i o grubości G = 4 mm wzmocnionej chemicznie metodą wymiany jonowej w kąpieli solankowej z napyloną na górną jej powierzchnię jednorodną warstwą tytanową 2 o grubości G1 = 30 nm z naniesionymi na nią ceramicznymi toroidami 3 odwzorowującymi granit w jego naturalnym kolorze i kształcie, o średnicy zewnętrznej 0 = 0,8 mm i średnicy wewnętrznej 01 = 0,4 mm, oddalonych od siebie o odległość L2 = 1,25 mm, oraz z usytuowanymi pomiędzy toroidami 3 i otaczającymi je tytanowymi nanorurkami 4 o średnicy zewnętrznej 02 = 80 nm, wysokości H = 5 μm, oraz w odległości pomiędzy nimi wynoszącej L1 = 3 nm, i odległości nanorurek 4 od toroidów 3 wynoszącej L2 = 3 nm, przy czym grubość ścianki pojedynczej nanorurki tytanowej 4 wynosiła 4 nm, oraz
- z tafli szklanej 9 typu float o grubości G3 = 6 mm, przy czym pomiędzy taflami szklanymi 1 i 9 umieszczony jest foliowy polimer laminacyjny 5 typu EVA o grubości G2 = 0,85 mm i foliowy polimer laminacyjny 6 typu EVA o grubości G2 = 0,85 mm z umieszczonym na nim zestawem 7 ogniw PV generacji I, wyposażonym w przewody elektryczne 8, przy czym foliowe polimery laminacyjne 5 i 6 łączą ze sobą metodą laminowania obie tafle szklane 1 i 9 tworząc monolityczną laminarną warstwową płytę fotowoltaiczną.
W innych przykładach wykonania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej według wynalazku toroidy odwzorowywały beton w jego naturalnym kolorze i kształcie, zaś foliowy polimer laminacyjny typu EVA zastąpiono polimerem laminacyjnym typu PVB.
Przykładowy sposób montażu laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej do fasady budynku 10 pokazany na rys. fig. 7 polegał na tym, że do przedniej ściany tej fasady wyposażonej w konstrukcje nośne 11 z płaskimi zewnętrznymi ich powierzchniami przykleja się za pomocą kleju silikonowego 12 płaskie powierzchnie tafli szklanych 9 warstwowej płyty fotowoltaicznej.

Claims (5)

1. Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej, znamienny tym, że jest realizowany w kolejnych następujących po sobie etapach polegających na tym, że
- uprzednio wzmocnioną chemicznie metodą wymiany jonowej w kąpieli solankowej taflę szklaną (1) umieszcza się w komorze procesowej urządzenia magnetronowego i poddaje się procesowi czyszczenia jonowego przy wytworzonej próżni na poziomie 10-4 Pa w obecności zjonizowanego gazu - argonu o energii rzędu 1000 eV, po czym na górną powierzchnię tafli szklanej (1) nanosi się metodą napylania magnetronowego PVD w temperaturze 80°C 90°C i temperaturze podłoża wynoszącym 85°C - 95°C warstwę tytanową (2) o grubości G1 = 25 nm - 30 nm otrzymaną z targetu tytanowego Ti o czystości wynoszącej minimum 99,5%, o temperaturze topnienia wynoszącej 1725°C oraz przy ciśnieniu ewaporacji 10-4 Torr i gęstości wynoszącej 16,6 g/cc ± 10%, przy czym proces ten prowadzi się w czasie 15 min 20 minut zwiększając stopniowo napięcie od 0 V do 1,6 kV w czasie pierwszych 5 minut, w którym target tytanowy Ti bombardowany był jonami o energii rzędu 1 keV, po czym
- na tak otrzymaną jednorodną warstwę tytanową (2) nanosi się za pomocą dysz drukujących o rozdzielczości 1440 DPI, nadruki ceramiczne nanocząstek odwzorowujących rozdrobnione kruszywa budowlane w ich naturalnym kolorze i kształcie uzyskując mikroobiekty o kształcie toroidalnym (3) o średnicy zewnętrznej 0 = 0,8 mm - 1 mm i średnicy wewnętrznej 01 = 0,4 mm - 0,5 mm, oddalonych od siebie o odległość L2 = 1 mm - 1,25 mm, a następnie
- taflę szklaną (1) z tak przygotowaną górną powierzchnią z warstwą tytanową (2) oraz z nadrukiem ceramicznym w postaci toroidów (3) zanurza się w roztworze wodnego kwasu fluorowodorowego o stężeniu 0,29% i poddaje się procesowi elektrochemicznemu przy natężeniu pola elektrycznego wynoszącym 106 Vm-1 do 108 Vm-1 oraz przy napięciu prądu elektrycznego wynoszącym 12 V - 35 V, w czasie 18 min - 20 min i w temperaturze 30°C - 32°C, w wyniku czego na powierzchni warstwy tytanowej (2) pomiędzy ceramicznymi toroidami (3) wzrastają tytanowe nanorurki (4) o średnicy zewnętrznej 02 = 25 nm - 80 nm, wysokości H = 0,5 μm - 5 μm, a odległość pomiędzy tytanowymi nanorurkami (4) wynosi L1 = 1 nm 3 nm, przy czym odległość nanorurek tytanowych od toroidów (3) wynosi L3 = 2 nm - 3 nm, zaś grubość ścianki pojedynczej tytanowej nanorurki (4) nie przekracza 4 nm, po czym
- tak przygotowaną taflę szklaną (1) umieszcza się w piecu i poddaje się procesowi utrwalania temperaturowego w temperaturze 560°C - 620°C w czasie 250 s - 300 s, po czym
- utrwaloną temperaturowo taflę szklaną (1) z naniesioną na jej górną powierzchnię warstwą tytanową (2) z toroidami (3) i tytanowymi nanorurkami (4) łączy się za pomocą foliowego polimeru laminacyjnego o grubości G2 = 500 μm - 0,85 mm i foliowego polimeru laminacyjnego (6) o grubości G2 = 500 μm - 0,85 mm z umieszczonym na nim zestawem (7) ogniw PV I lub II lub III generacji wyposażonym w przewody elektryczne (8), z taflą szklaną (9) typu float o grubości G3 = 4 mm - 6 mm, dokonując zlaminowania ze sobą tych elementów i otrzymując monolityczną laminarną warstwową płytę fotowoltaiczną o długości L = 150 cm - 200 cm i szerokość S = 50 cm - 150 cm.
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że nadruki ceramiczne odwzorowują kruszywa marmuru lub granitu lub betonu w naturalnym kolorze i kształcie.
3. Laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona sposobem według zastrz. 1 i 2 składająca się z prostokątnej tafli szklanej (1) wzmocnionej chemicznie metodą wymiany jonowej w kąpieli solankowej i z prostokątnej płyty szklanej (9) typu float oraz z umieszczonego pomiędzy nimi zestawu ogniw fotowoltaicznych (7) z przewodami elektrycznymi (8), zlaminowanych ze sobą za pomocą foliowych polimerów laminacyjnych (5 i 6) tworząc jeden monolit warstwowej płyty fotowoltaicznej, znamienna tym, że górna powierzchnia tafli szklanej (1) o grubości G = 1 mm - 4 mm posiada napyloną na nią jednorodną warstwę tytanową (2) o grubości G1 = 25 nm - 30 nm z naniesionymi na nią ceramicznymi toroidami (3) odwzorowującymi rozdrobnione kruszywa budowlane w ich naturalnym kolorze i kształcie o średnicy zewnętrznej 0 = 0,8 mm - 1 mm i średnicy wewnętrznej 01 = 0,4 mm - 0,5 mm, oddalonymi od siebie o odległość L2 = 1 mm - 1,25 mm oraz z umieszczonymi pomiędzy toroidami (3) tytanowymi nanorurkami (4), o średnicy zewnętrznej 02 = 25 nm - 80 nm, wysokości H = 0,5 μm - 5 μm, oraz w odległości pomiędzy nimi wynoszącej L1 = 1 nm - 3 nm, przy czym odległość tytanowych nanorurek (4) od toroidów (3) wynosi L3 = 2 nm - 3 nm, zaś zlaminowana z taflą szklaną (1) za pomocą foliowych polimerów laminacyjnych (5 i 6) o grubości G2 = 500 μm do 0,85 mm tafla szklana (9) posiadała grubość G3 = 4 mm - 6 mm.
4. Laminarna warstwowa płyta według zastrz. 3, znamienna tym, że ceramiczne toroidy (3) odwzorowują kruszywa marmuru lub granitu lub betonu w ich naturalnych kolorach.
5. Laminarna warstwowa płyta według zastrz. 3, znamienna tym, że umieszczony pomiędzy taflami szklanymi (1) i (9) zlaminowany z nimi zestaw (7) ogniw PV stanowią ogniwa I lub II lub III generacji.
PL444423A 2023-04-15 2023-04-15 Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem PL249304B1 (pl)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL444423A PL249304B1 (pl) 2023-04-15 2023-04-15 Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem
EP24460016.9A EP4447129B1 (en) 2023-04-15 2024-04-08 Laminar layered photovoltaic panel and method for manufacturing thereof
US18/634,948 US12402419B2 (en) 2023-04-15 2024-04-14 Method for manufacturing a laminar layered photovoltaic panel and a laminar layered photovoltaic panel manufactured with the method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL444423A PL249304B1 (pl) 2023-04-15 2023-04-15 Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL444423A1 PL444423A1 (pl) 2024-10-21
PL249304B1 true PL249304B1 (pl) 2026-03-23

Family

ID=91073097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL444423A PL249304B1 (pl) 2023-04-15 2023-04-15 Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem

Country Status (3)

Country Link
US (1) US12402419B2 (pl)
EP (1) EP4447129B1 (pl)
PL (1) PL249304B1 (pl)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070277875A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-06 Kishor Purushottam Gadkaree Thin film photovoltaic structure
US20130186452A1 (en) * 2005-08-22 2013-07-25 The Regents Of The University Of California Nanostructure and Photovoltaic Cell Implementing Same
WO2022040445A1 (en) * 2020-08-21 2022-02-24 Solaria Corporation Photovoltaic structure and method of fabrication

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL210946A1 (pl) 1978-11-14 1980-07-01 Opolskie Zaklady Przemyslu Cuk
HU179190B (en) 1979-04-06 1982-09-28 Gyogyszerkutato Intezet Process for preparing new phenthiazine derivatives
PL216601A1 (pl) 1979-06-26 1981-05-22 Przed Robot Gorniczych
PL132099B1 (en) 1980-07-07 1985-01-31 Przemyslowy Inst Motoryzacji Modular system of development of small-dimensions electrical controlling devices connected by throw-over switches with terminals of flat plug connector,especially for automotive vehicle
PL161268B1 (pl) 1990-01-19 1993-06-30 Legnica Huta Miedzi Kom Gornic Sposób i urządzenie do dozowania zapraw przy ciągłym odlewaniu stopów miedzi
US7863080B1 (en) * 2008-01-07 2011-01-04 Atomic Energy Council-Institute Of Nuclear Energy Process for making multi-crystalline silicon thin-film solar cells
DE102008056792B4 (de) * 2008-11-11 2018-06-28 Schott Ag Verfahren zum Aufbringen einer porösen selbstreinigenden Entspiegelungsschicht sowie Glas mit dieser Entspiegelungsschicht und Verwendung einer selbstreinigenden porösen Entspiegelungsschicht
CN110137285A (zh) * 2018-02-08 2019-08-16 光之科技发展(昆山)有限公司 一种用于建筑领域的太阳电池组件及其制备方法
KR20210122270A (ko) * 2019-01-31 2021-10-08 포톤 테크놀로지 (쿤산) 컴퍼니, 리미티드 발전 건축 자재 및 그 제조방법
PL432642A1 (pl) 2020-01-21 2021-07-26 Politechnika Wrocławska Kompozyt szklany o właściwościach przewodzących, warstwa przewodząca oraz sposób otrzymywania warstwy przewodzącej
PL437888A1 (pl) 2021-05-18 2022-11-21 Smart Nanotechnologies Spółka Akcyjna Nanokompozyt epoksydowy o właściwościach absorbujących promieniowanie elektromagnetyczne i sposób wytwarzania nanokompozytu epoksydowego o właściwościach absorbujących promieniowanie elektromagnetyczne

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130186452A1 (en) * 2005-08-22 2013-07-25 The Regents Of The University Of California Nanostructure and Photovoltaic Cell Implementing Same
US20070277875A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-06 Kishor Purushottam Gadkaree Thin film photovoltaic structure
WO2022040445A1 (en) * 2020-08-21 2022-02-24 Solaria Corporation Photovoltaic structure and method of fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
EP4447129A1 (en) 2024-10-16
PL444423A1 (pl) 2024-10-21
EP4447129B1 (en) 2025-04-23
US20240347658A1 (en) 2024-10-17
US12402419B2 (en) 2025-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101496980B1 (ko) 서브밀리미터 개구부를 갖는 서브밀리미터 그리드 제조용 마스크 제조 방법 및 서브밀리리터 그리드
CA2300828C (en) Photovoltaic module and a procedure for its manufacture
US8697186B2 (en) Method for manufacturing a mask having submillimetric apertures for a submillimetric electrically conductive grid, and mask and submillimetric electrically conductive grid
CN102450093B (zh) 可大面积电加热透明物体及其制造方法及其应用
US20170352907A1 (en) Amorphous cathode material for battery device
US20100101624A1 (en) Photovoltaic module and modular panel made with it to collect radiant solar energy
CN216915146U (zh) 一种光伏背板
EP1808928B1 (en) Multilayer body for dye-sensitized solar cell, electrode for dye-sensitized solar cell and method for producing same
CN102142521A (zh) 有机太阳能电池及其制备方法
WO2023077346A1 (en) Solar module and method for producing the same
EP3427304A1 (de) Photovoltaikmodul und damit ausgestatteter behälter
CN110931657A (zh) 一种钙钛矿薄膜太阳能电池用柔性复合衬底及其制备方法
CN101752453A (zh) 玻璃衬底双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件的制备方法
PL249304B1 (pl) Sposób wytwarzania laminarnej warstwowej płyty fotowoltaicznej i laminarna warstwowa płyta fotowoltaiczna wytworzona tym sposobem
JP5031019B2 (ja) 太陽電池カバー、その製造方法及び融雪方法
WO2010050343A1 (ja) 太陽電池用裏面保護シート及び太陽電池モジュール
JP4397451B2 (ja) 透明導電性薄膜及びその製造方法
KR101212449B1 (ko) 태양전지모듈 백시트용 수지코팅조성물, 태양전지모듈용 백시트, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법
US20250204057A1 (en) Photovolaic module with an alternative electrically insulative back sheet and method of making the same
JPH08242010A (ja) 太陽電池モジュール
RU2374570C1 (ru) Способ получения селективного покрытия
WO2026059440A1 (de) Verbundscheibe mit evakuierter aerogel-lage
CN120417506A (zh) 搪瓷基光伏组件及其制备方法
CN121001406A (zh) 一种光伏组件封装结构及其保护层制备方法
PL231379B1 (pl) Sposób wytwarzania cienkowarstwowego konwertera promieniowania elektromagnetycznego opartego na strukturze quasizerowymiarowej oraz cienkowarstwowy konwerter promieniowania elektromagnetycznego oparty na strukturze quasizerowymiarowej wytworzony tym sposobem