PL447410A1 - Układ napięcia odniesienia RFID - Google Patents

Układ napięcia odniesienia RFID

Info

Publication number
PL447410A1
PL447410A1 PL447410A PL44741023A PL447410A1 PL 447410 A1 PL447410 A1 PL 447410A1 PL 447410 A PL447410 A PL 447410A PL 44741023 A PL44741023 A PL 44741023A PL 447410 A1 PL447410 A1 PL 447410A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
reference voltage
current source
feedback current
tib
Prior art date
Application number
PL447410A
Other languages
English (en)
Other versions
PL248172B1 (pl
Inventor
Piotr Z. Wieczorek
Maciej Radtke
Krzysztof Gołofit
Original Assignee
Talkin Things Spółka Akcyjna
Politechnika Warszawska
Amorphic Technologies Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Talkin Things Spółka Akcyjna, Politechnika Warszawska, Amorphic Technologies Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością filed Critical Talkin Things Spółka Akcyjna
Priority to PL447410A priority Critical patent/PL248172B1/pl
Priority to PCT/IB2024/063213 priority patent/WO2025141510A1/en
Publication of PL447410A1 publication Critical patent/PL447410A1/pl
Publication of PL248172B1 publication Critical patent/PL248172B1/pl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is DC
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B5/00Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

Celem zgłoszenia jest zapewnienie stałego i niezależnego od napięcia zasilania napięcia referencyjnego dla bloków cyfrowych znacznika NFC przy użyciu implementacyjnie oszczędnego, dedykowanego układu elektronicznego, który rozwiąże problem zapewniania powtarzalnego napięcia referencyjnego w układach o dużych rozrzutach technologicznych, gdzie problematyczne jest uzyskanie elementów elektronicznych o stałych parametrach, jak również istnieje możliwość zmiany tych parametrów w czasie. Układ napięcia odniesienia RFID posiada źródło prądowe ze sprzężeniem zwrotnym (IF), które zawiera dwa sprzężone ze sobą tranzystory tak, że bramka pierwszego tranzystora (Tia) dołączona jest do drenu drugiego tranzystora (Tib), a bramka drugiego tranzystora (Tib) dołączona jest do źródła pierwszego tranzystora (Tia), a pomiędzy bramkę i źródło drugiego tranzystora (Tib) włączony jest rezystor (Rif). Pomiędzy źródłem prądowym ze sprzężeniem zwrotnym (IF) a wejściem zasilającym (Vhrv) włączone jest nieprecyzyjne podprogowe źródło prądowe (IT). Pomiędzy źródłem prądowym ze sprzężeniem zwrotnym (IF) a wyjściem napięcia referencyjnego (Vref) włączone jest przynajmniej jedno dodatkowe źródło prądowe ze sprzężeniem zwrotnym (IR). Natomiast, pomiędzy wyjściem napięcia referencyjnego (Vref) a masą układu (gnd) włączony jest konwerter prąd-napięcie (VT).
PL447410A 2023-12-29 2023-12-30 Układ napięcia odniesienia RFID PL248172B1 (pl)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL447410A PL248172B1 (pl) 2023-12-30 2023-12-30 Układ napięcia odniesienia RFID
PCT/IB2024/063213 WO2025141510A1 (en) 2023-12-29 2024-12-27 Rfid analog conditioner circuit, rfid digital block initialization circuit and rfid voltage reference

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL447410A PL248172B1 (pl) 2023-12-30 2023-12-30 Układ napięcia odniesienia RFID

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL447410A1 true PL447410A1 (pl) 2024-12-30
PL248172B1 PL248172B1 (pl) 2025-11-03

Family

ID=97522442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL447410A PL248172B1 (pl) 2023-12-29 2023-12-30 Układ napięcia odniesienia RFID

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL248172B1 (pl)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5315230A (en) * 1992-09-03 1994-05-24 United Memories, Inc. Temperature compensated voltage reference for low and wide voltage ranges
JP2799535B2 (ja) * 1992-10-16 1998-09-17 三菱電機株式会社 基準電流発生回路
US9767861B2 (en) * 2015-07-28 2017-09-19 Synopsys, Inc. Regulated voltage supply with low power consumption and small chip area
JP2017211941A (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 Simplex Quantum株式会社 低電圧駆動電流源回路

Also Published As

Publication number Publication date
PL248172B1 (pl) 2025-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8519782B2 (en) Constant voltage circuit
TW200511885A (en) Semiconductor device
US9024678B2 (en) Current sensing circuit arrangement for output voltage regulation
KR970008162A (ko) 저소비전력의 내부전원회로
KR970018993A (ko) 증폭 회로 및 휴대폰용 반도체 집적 회로 장치(amplifier and semiconductor integrated circuit device for portable telephone)
JP7311939B2 (ja) 高電圧ゲートドライバ電流源
KR870002650A (ko) 자체에 공급된 전원 전압의 조정수단을 가지는 반도체 장치
KR102537312B1 (ko) 기준 전압 회로 및 반도체 장치
EP3576081A3 (en) Pixel circuits for light emitting elements
TW200502899A (en) Semiconductor device
TW200629730A (en) Input circuits configured to operate using a range of supply voltages
TWI266166B (en) Source follower and stabilizing current feedback circuit thereof
JP2021502049A5 (pl)
KR102669037B1 (ko) 전압 레귤레이터
KR100848740B1 (ko) 기준 전압 회로
US9996097B2 (en) Constant voltage generating circuit
US20190103804A1 (en) Circuit for Driving a Power Switch
SG10201803548PA (en) Terminal device including reference voltage circuit
US9811105B2 (en) Reference voltage circuit
PL447410A1 (pl) Układ napięcia odniesienia RFID
PL447411A1 (pl) Układ napięcia odniesienia RFID
US9853629B2 (en) Oscillator circuit
KR20170038158A (ko) 볼티지 레귤레이터
US10355648B2 (en) Regulator amplifier circuit for outputting a fixed output voltage independent of a load current
KR101337209B1 (ko) 전원순차 인가회로