PL447411A1 - Układ napięcia odniesienia RFID - Google Patents

Układ napięcia odniesienia RFID

Info

Publication number
PL447411A1
PL447411A1 PL447411A PL44741123A PL447411A1 PL 447411 A1 PL447411 A1 PL 447411A1 PL 447411 A PL447411 A PL 447411A PL 44741123 A PL44741123 A PL 44741123A PL 447411 A1 PL447411 A1 PL 447411A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
reference voltage
current source
tib
gate
Prior art date
Application number
PL447411A
Other languages
English (en)
Other versions
PL248173B1 (pl
Inventor
Piotr Z. Wieczorek
Krzysztof Gołofit
Original Assignee
Talkin Things Spółka Akcyjna
Politechnika Warszawska
Amorphic Technologies Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Talkin Things Spółka Akcyjna, Politechnika Warszawska, Amorphic Technologies Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością filed Critical Talkin Things Spółka Akcyjna
Priority to PL447411A priority Critical patent/PL248173B1/pl
Priority to PCT/IB2024/063213 priority patent/WO2025141510A1/en
Publication of PL447411A1 publication Critical patent/PL447411A1/pl
Publication of PL248173B1 publication Critical patent/PL248173B1/pl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B5/00—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

Celem zgłoszenia jest zapewnienie stałego i niezależnego od napięcia zasilania napięcia referencyjnego dla bloków cyfrowych znacznika NFC przy użyciu implementacyjnie oszczędnego, dedykowanego układu elektronicznego, który rozwiąże problem zapewniania powtarzalnego napięcia referencyjnego w układach o dużych rozrzutach technologicznych, gdzie problematyczne jest uzyskanie elementów elektronicznych o stałych parametrach, jak również istnieje możliwość zmiany tych parametrów w czasie. Układ napięcia odniesienia RFID posiada źródło prądowe ze sprzężeniem zwrotnym (IF), które zawiera dwa sprzężone ze sobą tranzystory tak, że bramka pierwszego tranzystora (Tia) dołączona jest do drenu drugiego tranzystora (Tib), a bramka drugiego tranzystora (Tib) dołączona jest do źródła pierwszego tranzystora (Tia), a pomiędzy bramkę i źródło drugiego tranzystora (Tib) włączony jest rezystor (Rif). Pomiędzy źródłem prądowym ze sprzężeniem zwrotnym (IF) a wejściem zasilającym (Vhrv) włączone jest nieprecyzyjne podprogowe źródło prądowe (IT). Natomiast, pomiędzy źródłem prądowym ze sprzężeniem zwrotnym (IF) a masą układu (gnd) włączony jest wyjściowy układ napięcia odniesienia (VR), z którego wyprowadzone jest wyjście napięcia referencyjnego (Vref).
PL447411A 2023-12-29 2023-12-30 Układ napięcia odniesienia RFID PL248173B1 (pl)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL447411A PL248173B1 (pl) 2023-12-30 2023-12-30 Układ napięcia odniesienia RFID
PCT/IB2024/063213 WO2025141510A1 (en) 2023-12-29 2024-12-27 Rfid analog conditioner circuit, rfid digital block initialization circuit and rfid voltage reference

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL447411A PL248173B1 (pl) 2023-12-30 2023-12-30 Układ napięcia odniesienia RFID

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL447411A1 true PL447411A1 (pl) 2024-12-30
PL248173B1 PL248173B1 (pl) 2025-11-03

Family

ID=97522441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL447411A PL248173B1 (pl) 2023-12-29 2023-12-30 Układ napięcia odniesienia RFID

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL248173B1 (pl)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5315230A (en) * 1992-09-03 1994-05-24 United Memories, Inc. Temperature compensated voltage reference for low and wide voltage ranges
JP2799535B2 (ja) * 1992-10-16 1998-09-17 三菱電機株式会社 基準電流発生回路
US9767861B2 (en) * 2015-07-28 2017-09-19 Synopsys, Inc. Regulated voltage supply with low power consumption and small chip area
JP2017211941A (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 Ｓｉｍｐｌｅｘ Ｑｕａｎｔｕｍ株式会社 低電圧駆動電流源回路

Also Published As

Publication number Publication date
PL248173B1 (pl) 2025-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6822727B2 (ja) 浮動電圧基準を用いる低ドロップアウト電圧レギュレータ
TW200511885A (en) Semiconductor device
KR970008162A (ko) 저소비전력의 내부전원회로
US10078015B2 (en) Temperature detection circuit and semiconductor device
CN106020315B (zh) 半导体装置
TW200502899A (en) Semiconductor device
TWI266166B (en) Source follower and stabilizing current feedback circuit thereof
KR102669037B1 (ko) 전압 레귤레이터
KR100848740B1 (ko) 기준 전압 회로
US9811105B2 (en) Reference voltage circuit
TW201805754A (zh) 寬電源範圍精準啓動電流源
US10114393B2 (en) Voltage regulator with reference voltage soft start
KR20200054281A (ko) 스위칭 가능한 전류 바이어스 회로를 갖는 증폭기
PL447411A1 (pl) Układ napięcia odniesienia RFID
US12374862B2 (en) Low side driver for laser diode
US9853629B2 (en) Oscillator circuit
PL447410A1 (pl) Układ napięcia odniesienia RFID
KR20130024556A (ko) 전력 증폭 시스템
KR102066203B1 (ko) 기준 전류의 오프셋 보정을 위한 반도체 장치
US10355648B2 (en) Regulator amplifier circuit for outputting a fixed output voltage independent of a load current
KR101337209B1 (ko) 전원순차 인가회로
US11507123B2 (en) Constant voltage circuit
JP2009294978A (ja) 基準電圧回路
JP6371713B2 (ja) 定電圧装置及び基準電圧生成回路
US10634712B2 (en) Current sensing circuit for sensing current flowing through load switch