Przedmiotem wynalazku jest uklad transforma¬ torowego sterowania tranzystora z szybkim wyla¬ czaniem, który moze byc zastosowany w ukladach wybierajacych pamieci ferrytowych, cienkowar¬ stwowych. 5 W .znamyeh ukladach wybierajacych pamieci ferrytowych, cienkowarstwowych, w ukladach ge¬ neracji impulsów zakazu stosowane sa tranzysto¬ ry sredniej mocy, od których wymaga sie malego spadku napiecia w obwodzie kolektor-emiter w 10 stanie przewodzenia — praca z nasyceniem, oraz szybkiego wylaczania.Rozwiazanie takie wymaga stosowania tranzys¬ torów o wysokich czestotliwosciach granicznych lub dodatkowych obwodów magnetycznych dla 15 likwidacji pradu przewodzenia bazy przy stero¬ waniu tranzystora tanim ukladem — transforma¬ torem.Celem wynalazku jest umozliwienie stosowania w ukladzie tranzystorów o srednich czestotliwos- 2o ciach granicznych, wyeliminowanie dodatkowych obwodów magnetycznych oraz uzyslkanie krótkie¬ go czasu wylaczania tranzystora.Cel ten osiagnieto poprzez realizacje ukladu, w kjtórym tranzystor kluczujacy sterowany i wy-- 25 laczany jest w obwodzie baza-emiter wtórnym uzwojeniem transformatora posiadajacego dwa uzwojenia pierwotne, z których jedno sluzy do wysterowania tranzystora kluczujacego, a drugie do zatykania tego tranzystora. Likwidacja pradu 30 przewodzenia bazy tranzystora kluczujacego od¬ bywa sie pradem o takiej samej wartosci, jak pradu wprowadzajacego 'ten tranzystor w stan na¬ sycenia.Rozwiazanie wedlug wynalazku pozwala na za¬ stapienie specjalnych mikroukladów mikrouklada¬ mi standardowymi, umozliwia zastosowanie tran¬ zystorów ó srednich czestotliwosciach granicznych, pozwala na uzyskanie krótkiego czasu wylaczania tranzystora oraz eliminuje dodatkowe obwody ma¬ gnetyczne.Przedmiot wynalazku jest pokazany w przykla¬ dzie wykonania na rysunku, na którym przedsta¬ wiono schemat polaczen ukladu sterowania tran¬ zystora do nasycenia z szybkim wylaczaniem. Na wejscie 10 podlaczony jest mikrouklad pobudzaja¬ cy 1 serii TTL. Wyjscie mikroukladu pobudzaja¬ cego 1 laczy sie z kondensatorem 8. Równolegle do kondensatora 8 wlaczony jest obwód z (Szerego¬ wo polaczonymi: tranzystorem wylaczajacym 4, uzwojeniami pierwotnymi transformatora 2 i dio¬ da 7.Baza tranzystora wylaczajacego 4 laczy sie z kondensatorem 8, a kolektor tranzystora wylacza¬ jacego 4 z poczatkiem drugiego uzwojenia pierwot¬ nego transformatora 2. Pomdedzy pierwszym i dru¬ gim uzwojeniem pierwotnym transformatora 2, a punktem zasilania +5V wlaczony jest rezystor. 5.Pomiedzy baze tranzystora wylaczajacego 4, a ma¬ se wlaczony jesit rezystor 9. Poczatek uzwojenia 92 77192 771 wtórnego transformatora 2 laczy sie z baza tran¬ zystora kluczujacego 3, a koniec uzwojenia wtór¬ nego — z emiterem tego tranzystora,.Emiter i kolektor tranzystora kluczujacego 3 stanowia wyjscie ukladu (punkity 11 i 12 na ry¬ sunku). Dzialanie ukladu opiera sie na zasadzie likwidacji pradu przewodzenia bazy tranzystora kluczujacego 3 pradem o takiej samej wartosci, jak pradu wprowadzajacego ten tranzystor w stan nasycania. W chwili wysterowania wejscia 10 stan¬ dardowym dla ukladów TTL impulsem dodatnim, wyjscie mikroukladu pobudzajacego 1 zmienia po¬ tencjal z +5V do okolo 0,4V.W obwodzie: napiecie zasilania +5V — rezystor — pierwotne uzwojenie transformatora 2 skoja¬ rzone z dioda 7 — dioda 7 — mikrouklad pobu¬ dzajacy 1 plynie prad okreslony wartoscia napie¬ cia zasilania +5V i suma spadków napiec na zla¬ czu baza-emiter tranzystora kluczujacego 3, dio¬ dzie 7, mikroukladzie pobudzajacym 1 oraz rezy¬ storze 5. W tym czasie kondensator 8 rozladowuje sie w obwodzie: wyjscie mikroukladu pobudzaja¬ cego 1 — rezystor 9, dajac ujemne zatykajace na¬ piecie na bazie (tranzystora wylaczajacego 4 w stosunku do jego emitera.Przez uzwojenie wtórne transformatora 2 oraz zlacze baza-emiter tranzystora kluczujacego 3 ply¬ nie prad o wartosci zaleznej od przekladni tran¬ sformatora 2. Prad ten wprowadza tranzystor klu¬ czujacy 3 w stan nasycenia. Kiedy konczy sie do¬ datni impuls sterujacy na wejsciu 10, energia prze¬ rzutu transformatora 2 jest niewystarczajaca do szybkiego zlikwidowania pradu przewodzenia bazy tranzystora kluczujacego 3. Przejscie wyjscia mi- kroukiadu pobudzajacego 1 z potencjalu 0,4V do okolo 3,5V powoduje wysterowanie bazy tranzy¬ stora wylaczajacego 4 poprzez kondensator 8.Tranzystor wylaczajacy 4 zaczyna przewodzic, a prad plynacy przez rezystor 5 wplywa do dru¬ giego uzwojenia pierwotnego transformatora 2, polaczonego z kolektorem' tranzystora wylaczaja¬ cego 4. Prad ten dodaje sie do piradu przerzutu transformatora 2 i likwiduje sitan nasycenia tran¬ zystora kluczujacego 3. W tym czasie wzrost po¬ tencjalu na anodach diod 6 i 7 powoduje podtrzy¬ manie stanu przewodzenia tranzystora wylaczaja¬ cego 4. Dobierajac kondensator 8 do stanów przej¬ sciowych ukladu lub wprowadzajac dodatkowy re¬ zystor w obwodzie bazy tranzystora wylaczajacego 4, mozna okreslic wartosc i czas trwania pradu bazy tego tranzystora. Ze wzgledu na to, ze ener¬ gia przerzutu transformatora 2 likwidowana jest równiez dzialaniem tranzystora wylaczajacego 4 przy wiekszej róznicy potencjalów, uklad w krót¬ kim czasie po zakonczeniu sterowania z wejscia 10 jest gotowy do ponownego pobudzenia. PLThe present invention relates to a transistor transformer control system with fast shutdown which can be used in thin film ferrite memory selecting systems. 5 In the known circuits of selecting ferrite, thin-film memories, medium-power transistors are used in the forbidden pulse generation systems, which require a small voltage drop in the collector-emitter circuit in the conduction state - work with saturation, and fast switching off Such a solution requires the use of transistors with high limit frequencies or additional magnetic circuits to eliminate the base conduction current while controlling the transistor with a cheap circuit - a transformer. The aim of the invention is to enable the use of transistors with medium frequency limits in the system, elimination of additional magnetic circuits and obtaining a short turn-off time of the transistor. This goal was achieved by the implementation of a system in which the keying transistor is controlled and switched off in the base-emitter circuit by a secondary winding of a transformer having two primary windings, one of which is used for drivers the keying transistor, and the other to block the transistor. The cancellation of the base conduction current of the keying transistor is carried out with a current of the same value as the current inducing this transistor into a saturation state. The solution according to the invention allows for the replacement of special microcircuits with standard microcircuits, making it possible to use transistors Medium frequency limits, allows to obtain a short transistor off time and eliminates additional magnetic circuits. The subject of the invention is shown in the embodiment in the drawing, which shows the connection diagram of the transistor control circuit for saturation with fast shutdown. An excitation microcircuit 1 of the TTL series is connected to input 10. The output of the excitation microcircuit 1 connects to the capacitor 8. Parallel to the capacitor 8 is connected a circuit with (in series connected: switch-off transistor 4, primary windings of transformer 2 and diode 7.Base of switch-off transistor 4 connects to capacitor 8, and the collector of the switch-off transistor 4 with the beginning of the second primary winding of the transformer 2. Between the first and the second primary winding of transformer 2, and the + 5V supply point, a resistor is switched on. 5. Between the base of switch-off transistor 4 and the ma-se This is the resistor 9. The beginning of the winding 92 77 192 771 of the secondary transformer 2 connects to the base of the keying transistor 3, and the end of the secondary winding - to the emitter of this transistor. The emitter and collector of the transistor 3 constitute the output of the circuit (points 11 and 12 on The operation of the circuit is based on the principle of the liquidation of the base conduction current of the transistor keying the current with the same value as the which puts this transistor into a saturation state. At the moment of controlling the input 10 with a standard positive impulse for TTL circuits, the output of the excitation microcircuit 1 changes the potential from + 5V to about 0.4V. In the circuit: supply voltage + 5V - resistor - primary winding of transformer 2 associated with the diode 7 - diode 7 - excitation microcircuit 1 flows current determined by the supply voltage + 5V and the sum of voltage drops on the base-emitter junction of keying transistor 3, diode 7, excitation microcircuit 1 and resistance 5. W at this time, the capacitor 8 discharges in the circuit: the output of the excitation microcircuit 1 - resistor 9, giving a negative clogging voltage on the base (switching off transistor 4 in relation to its emitter. Through the secondary winding of transformer 2 and the base-emitter junction of keying transistor 3) a current flows with a value depending on the ratio of the transistor 2. This current causes the switching transistor 3 to become saturated. When the positive control pulse at the input 10 ends, the energy The projection of the transformer 2 is insufficient to quickly eliminate the conduction current of the base of keying transistor 3. The transition of the output of the excitation micro-circuit 1 from the potential of 0.4V to about 3.5V causes the base of the switching off transistor 4 to be driven through the capacitor 8. Switching off transistor 4 begins to conduct and the current flowing through the resistor 5 flows into the second primary winding of transformer 2, connected to the collector of the trip transistor 4. This current is added to the metering pike of transformer 2 and cancels the saturation sieve of keying transistor 3. At this time, the increase The potential on the anodes of diodes 6 and 7 causes the conduction state of the switching off transistor 4 to be maintained. By selecting the capacitor 8 for the transient states of the system or by introducing an additional resistor in the base circuit of the switching off transistor 4, the value and duration of the current can be determined the base of this transistor. Due to the fact that the transfer energy of the transformer 2 is also canceled by the action of the switching-off transistor 4 at a greater potential difference, the circuit is ready to be excited again shortly after the end of control from input 10. PL