Przedmiotem wynalazku jest uklad transforma¬ torowego sterowania tranzystora z szybkim wyla¬ czaniem, który moze byc zastosowany w ukladach wybierajacych pamieci ferrytowych, cienkowar¬ stwowych. 5 W .znamyeh ukladach wybierajacych pamieci ferrytowych, cienkowarstwowych, w ukladach ge¬ neracji impulsów zakazu stosowane sa tranzysto¬ ry sredniej mocy, od których wymaga sie malego spadku napiecia w obwodzie kolektor-emiter w 10 stanie przewodzenia — praca z nasyceniem, oraz szybkiego wylaczania.Rozwiazanie takie wymaga stosowania tranzys¬ torów o wysokich czestotliwosciach granicznych lub dodatkowych obwodów magnetycznych dla 15 likwidacji pradu przewodzenia bazy przy stero¬ waniu tranzystora tanim ukladem — transforma¬ torem.Celem wynalazku jest umozliwienie stosowania w ukladzie tranzystorów o srednich czestotliwos- 2o ciach granicznych, wyeliminowanie dodatkowych obwodów magnetycznych oraz uzyslkanie krótkie¬ go czasu wylaczania tranzystora.Cel ten osiagnieto poprzez realizacje ukladu, w kjtórym tranzystor kluczujacy sterowany i wy-- 25 laczany jest w obwodzie baza-emiter wtórnym uzwojeniem transformatora posiadajacego dwa uzwojenia pierwotne, z których jedno sluzy do wysterowania tranzystora kluczujacego, a drugie do zatykania tego tranzystora. Likwidacja pradu 30 przewodzenia bazy tranzystora kluczujacego od¬ bywa sie pradem o takiej samej wartosci, jak pradu wprowadzajacego 'ten tranzystor w stan na¬ sycenia.Rozwiazanie wedlug wynalazku pozwala na za¬ stapienie specjalnych mikroukladów mikrouklada¬ mi standardowymi, umozliwia zastosowanie tran¬ zystorów ó srednich czestotliwosciach granicznych, pozwala na uzyskanie krótkiego czasu wylaczania tranzystora oraz eliminuje dodatkowe obwody ma¬ gnetyczne.Przedmiot wynalazku jest pokazany w przykla¬ dzie wykonania na rysunku, na którym przedsta¬ wiono schemat polaczen ukladu sterowania tran¬ zystora do nasycenia z szybkim wylaczaniem. Na wejscie 10 podlaczony jest mikrouklad pobudzaja¬ cy 1 serii TTL. Wyjscie mikroukladu pobudzaja¬ cego 1 laczy sie z kondensatorem 8. Równolegle do kondensatora 8 wlaczony jest obwód z (Szerego¬ wo polaczonymi: tranzystorem wylaczajacym 4, uzwojeniami pierwotnymi transformatora 2 i dio¬ da 7.Baza tranzystora wylaczajacego 4 laczy sie z kondensatorem 8, a kolektor tranzystora wylacza¬ jacego 4 z poczatkiem drugiego uzwojenia pierwot¬ nego transformatora 2. Pomdedzy pierwszym i dru¬ gim uzwojeniem pierwotnym transformatora 2, a punktem zasilania +5V wlaczony jest rezystor. 5.Pomiedzy baze tranzystora wylaczajacego 4, a ma¬ se wlaczony jesit rezystor 9. Poczatek uzwojenia 92 77192 771 wtórnego transformatora 2 laczy sie z baza tran¬ zystora kluczujacego 3, a koniec uzwojenia wtór¬ nego — z emiterem tego tranzystora,.Emiter i kolektor tranzystora kluczujacego 3 stanowia wyjscie ukladu (punkity 11 i 12 na ry¬ sunku). Dzialanie ukladu opiera sie na zasadzie likwidacji pradu przewodzenia bazy tranzystora kluczujacego 3 pradem o takiej samej wartosci, jak pradu wprowadzajacego ten tranzystor w stan nasycania. W chwili wysterowania wejscia 10 stan¬ dardowym dla ukladów TTL impulsem dodatnim, wyjscie mikroukladu pobudzajacego 1 zmienia po¬ tencjal z +5V do okolo 0,4V.W obwodzie: napiecie zasilania +5V — rezystor — pierwotne uzwojenie transformatora 2 skoja¬ rzone z dioda 7 — dioda 7 — mikrouklad pobu¬ dzajacy 1 plynie prad okreslony wartoscia napie¬ cia zasilania +5V i suma spadków napiec na zla¬ czu baza-emiter tranzystora kluczujacego 3, dio¬ dzie 7, mikroukladzie pobudzajacym 1 oraz rezy¬ storze 5. W tym czasie kondensator 8 rozladowuje sie w obwodzie: wyjscie mikroukladu pobudzaja¬ cego 1 — rezystor 9, dajac ujemne zatykajace na¬ piecie na bazie (tranzystora wylaczajacego 4 w stosunku do jego emitera.Przez uzwojenie wtórne transformatora 2 oraz zlacze baza-emiter tranzystora kluczujacego 3 ply¬ nie prad o wartosci zaleznej od przekladni tran¬ sformatora 2. Prad ten wprowadza tranzystor klu¬ czujacy 3 w stan nasycenia. Kiedy konczy sie do¬ datni impuls sterujacy na wejsciu 10, energia prze¬ rzutu transformatora 2 jest niewystarczajaca do szybkiego zlikwidowania pradu przewodzenia bazy tranzystora kluczujacego 3. Przejscie wyjscia mi- kroukiadu pobudzajacego 1 z potencjalu 0,4V do okolo 3,5V powoduje wysterowanie bazy tranzy¬ stora wylaczajacego 4 poprzez kondensator 8.Tranzystor wylaczajacy 4 zaczyna przewodzic, a prad plynacy przez rezystor 5 wplywa do dru¬ giego uzwojenia pierwotnego transformatora 2, polaczonego z kolektorem' tranzystora wylaczaja¬ cego 4. Prad ten dodaje sie do piradu przerzutu transformatora 2 i likwiduje sitan nasycenia tran¬ zystora kluczujacego 3. W tym czasie wzrost po¬ tencjalu na anodach diod 6 i 7 powoduje podtrzy¬ manie stanu przewodzenia tranzystora wylaczaja¬ cego 4. Dobierajac kondensator 8 do stanów przej¬ sciowych ukladu lub wprowadzajac dodatkowy re¬ zystor w obwodzie bazy tranzystora wylaczajacego 4, mozna okreslic wartosc i czas trwania pradu bazy tego tranzystora. Ze wzgledu na to, ze ener¬ gia przerzutu transformatora 2 likwidowana jest równiez dzialaniem tranzystora wylaczajacego 4 przy wiekszej róznicy potencjalów, uklad w krót¬ kim czasie po zakonczeniu sterowania z wejscia 10 jest gotowy do ponownego pobudzenia. PL