RS1004A - Preparati za čišćenje mikroelektronike koji sadrže fluoridne soli bez amonijaka - Google Patents

Preparati za čišćenje mikroelektronike koji sadrže fluoridne soli bez amonijaka

Info

Publication number
RS1004A
RS1004A YUP-10/04A YUP1004A RS1004A RS 1004 A RS1004 A RS 1004A YU P1004 A YUP1004 A YU P1004A RS 1004 A RS1004 A RS 1004A
Authority
RS
Serbia
Prior art keywords
group
cleaning
heteroatoms selected
hydroxyethyl
fluoride
Prior art date
Application number
YUP-10/04A
Other languages
English (en)
Inventor
Sherman Hsu Chien-Pin
Original Assignee
Mallinckrodt Baker Inc.,
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mallinckrodt Baker Inc., filed Critical Mallinckrodt Baker Inc.,
Publication of RS1004A publication Critical patent/RS1004A/sr
Publication of RS51684B publication Critical patent/RS51684B/sr

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/38—Cationic compounds
    • C11D1/62—Quaternary ammonium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0073—Anticorrosion compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/04—Water-soluble compounds
    • C11D3/046—Salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2068—Ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/28—Heterocyclic compounds containing nitrogen in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/32—Amides; Substituted amides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/43—Solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/10—Salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5009—Organic solvents containing phosphorus, sulfur or silicon, e.g. dimethylsulfoxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/286—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials
    • H10P50/287—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/20—Cleaning during device manufacture
    • H10P70/23—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating materials
    • H10P70/234—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating materials the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/20—Cleaning during device manufacture
    • H10P70/27—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive materials, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H10P70/273—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive materials, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation of conductive layers, e.g. by RIE
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/263—Ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Abstract

Preparati za čišćenje bez amonijaka za čišćenje fotozaštitnog sloja i ostataka spaljivanja plazmom na mikroelektronskim substratima, a naročito oni preparati za čišćenje koji su korisni zato što imaju bolju kompatibilnost prema mikroelektronskim substratima, koje karakterišu osetljivi porozni dielektrici sa niskom-k i visokom-k, i metalizacija sa bakrom. Preparat za čišćenje sadrži jednu ili više fluoridnih soli koje ne proizvode amonijak i koje ne proizvode HF (neamonijacna, kvaternerna amonijum-fluoridna so), u pogodnoj matrici rastvarača.

Description

PREPARATI ZA ČIŠĆENJE MIKROELEKTRONIKE KOJI
SADRŽE FLUORIDNE SOLI BEZ AMONIJAKA
Ovaj pronalazak se odnosi na preparate za čišćenje koji sadrže fluoridnu so bez amonijaka, za čišćenje mikroelektronskih substrata, a naročito na one preparate za čišćenje koji su korisni zato što imaju bolju kompatibilnost prema mikroelektronskim substratima koje karakterišu osetljivi porozni dielektrici niske-Ki visoke-K i metalizacija sa bakrom. Ovaj pronalazak se takođe odnosi na upotrebu ovih preparata za skidanje fotozaštitnih slojeva, čišćenje ostataka organskih, organometalnih i neorganskih jedinjenja generisanih plazmom i čišćenje ostataka od procesa planarizacije, kao što je hemijsko mehaničko poliranje (CMP), i od aditiva u ostacima guste suspenzije za planarizaciju.
Predolžena su mnoga sredstva za skidanje i uklanjanje ostataka fotozaštitnog sloja za upotrebu na polju mikroelektronike, kao izlazna ili krajnja faza proizvodne linije čišćenja. U proizvodnom procesu, taloži se tanak film fotozaštitnog materijala na pločicu kao substrat, a zatim se na ovaj tanki film fotozaštitnog materijala na pločicu kao substrat, a zatim se na ovaj tanki film prenosi lik sheme elektronskog kola. Nakon pečenja, nepolimerizovani zaštitni sloj se uklanja sa razvijačem za materijal fotozaštitnog sloja. Slika koja iz toga proizilazi prenosi se na materijal podloge, koji je obično dielektrik ili metal, preko gasova za nagrizanje iz reaktivne plazme ili rastvora za hemijsko nagrizanje. Gasovi za nagrizanje ili rastvori za hemijsko nagrizanje selektivno napadaju nezaštićenu površinu fotozaštitnog sloja na substratu. Kao rezultat procesa nagrizanja plazmom, talože se sporedni proizvodi fotozaštitnog sloja, gasa za nagrizanje i nagriženog materijala, kao ostaci u okolini ili na bočnim zidovima nagriženih otvora na substratu.
Pored toga, po završetku koraka nagrizanja, maska od zaštitnog sloja se mora ukloniti sa zaštićene površine pločice, tako da se može obaviti završna operacija. Ovo se može učiniti u koraku spaljivanja u plazmi, korišćenjem pogodnih gasova za spaljivanje u plazmi, ili pomoću vlažnih hemijskih sredstava za skidanje. Nalaženje pogodnog preparata za čišćenje za uklanjanje ovog materijala maske zaštitnog sloja, bez štetnih uticaja na metalnu shemu kola, npr. korodiranjem, rastvaranjem ili zaobljavanjem, pokazalo se takođe problematičnim.
Pošto je nivo integracije u proizvodnji mikroelektronike porastao, a dimenzije šablonizovanih mikroelektronskih uređaja se smanjile, u stanju tehnike je porasla potreba za metalizacijom sa bakrom i dielektricima niske-K i visoke-K. Ovi materijali predstavljaju dodatne izazove u nalaženju prihvatljivih preparata za čišćenje. Mnogi preparati u procesnoj tehnologiji koji su prethodno razvijeni za "tradicionalne" ili "konvencionalne" uređaje, koji sadrže Al/Si02ili AI(Cu)/Si02strukture, ne mogu da se koriste za strukture dielektrika sa niskim-Kili visokim-Kmetalizovanih bakrom. Na primer, sredstva za skidanje ili sredstva za uklanjanje ostataka koja se sa uspehom koriste za čišćenje uređaja sa Al metalizacijama, praktično su neupotrebljiva u onima sa bakarnim metalizacijama. Slično, mnoga sredstva za skidanje sa podloge metalizovane bakrom/niske-K, nisu pogodna za Al metalizovane uređaje, ukoliko se ne učine značajna podešavanja u sastavima. Uklanjanje ovih ostataka nagrizanja i/ili spaljivanja, zaostalih posle nagrizanja i/ili procesa spaljivanja, pokazalo se problematičnim. Neuspeh u potpunom uklanjanju ili neutralizaciji ovih ostataka može da dovede do absorpcije vlage i stvaranja neželjenih materijala, koji mogu da izazovu koroziju na metalnim strukturama. Materijali za elektronska kola korodiraju sa nepoželjnim materijalima i stvaraju diskontinuitete u kolima, povećavajući neželjeno električnu otpornost.
Današnja završna sredstva za čišćenje pokazuju širok opseg kompatibilnosti sa nekim osetljivim dielektricima i metalizacijama, koja se kreće od potpune neprihvatljivosti do marginalno zadovoljavajuće prihvatljivosti. Mnoga od današnjih sredstava za skidanje ili sredstava za čišćenje ostataka nisu prihvatljiva za savremene materijale za premošćavanje, kao što su dielektrici niske-Ki metalizacije sa bakrom. Pored toga, tipični alkalni rastvori za čišćenje koji su u upotrebi, preterano su agresivni prema dielektricima niske-K i visoke-Ki/ili bakarnim metalizacijama. Pored toga, mnogi od ovih alkalnih prpearata za čišćenje sadrže organske rastvarače koji pokazuju nisku stabilnost proizvoda, naročito u opsezima viših pH i na višim procesnim temperaturama.
Prema tome, postoji potreba za preparatima za čišćenje mikroelektronike, pogodnih u završnoj operaciji čišćenja, za preparatima koji su efikasna sredstva za čišćenje, a primenljivi su za skidanje fotozaštitnih slojeva, čišćenje ostataka organskih, organometalnih i neorganskih materijala generisanih procesom plazme, i čišćenje ostataka iz koraka procesa planarizacije, kao što je hemijsko mehaničko poliranje i slično. Ovaj pronalazak se odnosi na preparate koji su efikasni za skidanje fotozaštitnog sloja, pripremu/čišćenje poluprovodničkih površina i struktura, sa dobrom kompatibilnošću prema savremenim materijalima za premošćavanje, kao što su dielektrici niske-Ki visoke-K, i metalizacije sa bakrom.
Pronađeno je da su amonijak (NH3) i soli izvedene iz amonijaka, kao što je NH4X, gde je X fluorid, fluoroborat ili slično, u stanju da rastvaraju/korodiraju metale, kao što je bakar, preko stvaranja kompleksa. Dakle, oni su slab izbor za upotrebu u formulacijama za čišćenje poluprovodnika, kada se zahteva kompatibilnost sa dielektricima niske-Ki metalizacijama sa bakrom. Ova jedinjenja mogu da generišu amonijak preko procesa ravnoteže. Amonijak može da formira kompleks sa metalima, kao što je bakar, koji dovodi do korozije/rastvaranja metala, kao što je pokazano jednačinama koje slede.
Dakle, amonijum-fluorid može, preko procesa ravnoteže opisane Jednačinama 1 i 2, da obezbedi nukleofilni i za helatiranje metala neophodni amonijak (NH3), naročito kada se dodaju druge baze, kao što su amini i alkanolamini. U prisustvu kiseonika metali, kao što je bakar, mogu da se rastvaraju/korodiraju preko stvaranja kompleksa sa amonijakom, kao što opisuje Jednačina 3. Ovo stvaranje kompleksa može da dodatno pomeri ravnotežu (Jednačina 1 ili 2) u smeru na desno, dajući još amonijaka, što vodi još većem rastvaranju/koroziji metala.
Fluorovodonična kiselina (HF) napada i uništava osetljive dielektrike niske-K, kao što je vodonik silseskvioksan (HSQ) i metil silseskvioksan (MSQ), naročito u kiselom opsegu pH. Prisustvo HF, čak i u malim procentima, može biti veoma štetno. Amonijak i soli izvedene iz amonijaka takođe pokazuju slabu kompatibilnost sa osetljivim dielektricima, kao što je vodonik silseskvioksan (HSQ) i metil silseskvioksan (MSQ). Ponovo, oni mogu stvoriti amonijak i/ili druge nukleofile i tako dovesti do reakcije/degradacije osetljivih dielektrika. Fluorid ne soli, izvedene iz primarnih ili sekundarnih amina su nepoželjne za osetljive dielektrike niske-K. One mogu dati efikasne nukleofile, kao što su odgovarajući primami ili sekundarni amini, preko mehanizama koji su slični gore pomenutim jednačinama 1 do 3.
Pronađeno je da formulacije za čišćenje, koje sadrže fluoridne soli koje proizvode amonijak i ne proizvode HF (ne-amonijačne, kvaterneme amonijum-fluoridne soli) pokazuju znatno bolju kompatibilnost sa osetljivim, poroznim dielektricima niske-Ki visokeki prema metalizaciji sa bakrom. Bilo koja pogodna fluoridna so, koja ne proizvodi amonijak i ne proizvodi HF, može da se koristi u preparatima za čišćenje iz ovog pronalaska.
Novi preparat za završno čišćenje iz ovog pronalaska sadrži jednu ili više pogodnih fluoridnih soli, koje ne proizvode amonijak, koje ne proizvode HF (ne-amonijačna, kvatemerna-fluoridna so), u pogodnom rastvaraču. Između pogodnih fluoridnih soli, koje ne proizvode amonijak i ne proizvode HF, mogu se pomenuti tetraalkilamonijum-fluoridi formule (R)4N+ F", gde je svaki R nezavisno, supstituisani ili nesupstituisani alkil, poželjno alkil sa od 1 do 22, poželjnije 1 do 6, atoma ugljenika (R*H); kao što su soli tetremetilamonijum-fluorid i tetrabutilamonijum-fluorid; kao i fluoroborati, tetrabutilamonijum-fluoroborati, aluminijum-heksafluoridi, antimon-fluorid slično. ;Fluoridne soli, koje ne proizvode amonijak i ne proizvode HF, pokazuju značajno bolju kompatibilnost prema dielektricima niske-Ki metalizaciji sa bakrom. Tetraalkilamonijumove soli, kao što je tetrametilamonijum-fluorid (TMAF), mogu se mešati i rastvoriti u vodi, nekim anhidrovanim organskim rastvaračima, ili u vodi i jednom ili više polarnim, mešljivih sa vodom, organskih rastvarača. Pogodan je takođe izbor "dobrog" rastvarača, kompatibilnog prema bakru/niskoj-k. Pogodan je i poželjno je da se koristi bilo koji rastvarač bez jakih nukleofila, kao što su stemo ometeni primami ili sekundarni amini. Poželjni su rastvarači koji nisu neometeni nukleofili, a to su na primer, dimetilsulfoksid (DMSO), sulfolan (SFL), dimetilpiperidon, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon (HEP), 1-metil-2-pirolidinon i dimetilacetamid, i slično. Polarni rastvarači, koji sadrže nitril, kao što su acetonitril, izobutilnitril i slično, mogu biti naročito pogodni. ;Poreci toga, pošto je anhidrovani amonijum-fluorid praktično nerastvoran u većini organskih rastvarača, suprotno tome, tetraalkilamonijum-fluoridne soli, kao što je na primer, tetrametilamonijum-fluorid (TMAF), mogu se mešati i potpuno rastvarati u organskim rastvaračima, kao što je na primer, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon (HEP). Dakle, mogu se lako pripremati vrlo jednostavni, potpuno anhidrovani, a efikasni preparati za čišćenje fotozaštitnog sloja i ostataka spaljivanja, na substratima koji imaju dielektrik niske-Ki metalizaciju sa bakrom. Primer takvog, potpuno anhidrovanog preparata za čišćenje je 50 masenih delova HEP i 0,8 masenih delova TMAF. ;Pored toga, iako preparti za čišćenje koji sadrže fluoridnu so to ne zahtevaju, u nekim primerima može biti poželjno da se u preparatima za čišćenje opciono sadrži i jedan ili više "rastvarača koji inhibiraju koroziju", tj. jedinjenje rastvarača koje ima najmanje dva mesta koja su u stanju da se kompleksiraju sa metalom. ;Poželjni ovakvi rastvarači koji inhibiraju koroziju su jedinjenja koja imaju dva ili više mesta koja su u stanju da se kompleksiraju sa metalom, a imaju jednu od dve opšte formule koje slede: ;gde se ;W i Y, svaki nezavisno, biraju između =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(O)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2, -N, -NH-R, - NR, R2, -NC(0)-R, -NRrC(0)-R2, -P(O), -P(0)-OR i -P(0)-(OR)2; ;X je alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; a svaki od ;R,Rii R2se nezavisno bira između: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril, ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i ;z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; ;T se bira između -O, -S, -N i -P; ;Z se bira između vodonik, -OR5, -N(R5)2i - SR5, ;R3, R4i R5, svaki nezavisno, se bira između vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i aril ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; ;m je ceo broj od 0 do 6, i ;y je ceo broj od 1 do 6. ;Ovakvi rastvarači koji inhibiraju koroziju mogu opciono da budu prisutni u preparatima iz ovog pronalaska u sadržaju od oko 0 do oko 80, poželjno od oko 0 do oko 50, a najpoželjnije od oko 5 do oko 40 mas%. ;U gornjim definicijama poželjno je da alkil i alkilen sadrže od 1 do 6 atoma ugljenika, poželjnije od 1 do 3 atoma ugljenika, cikloalkil i cikloalkilen poželjno je da sadrže od 3 do 6 atoma ugljenika, a aril i arilen poželjno je da sadrže od oko 3 do 14 atoma ugljenika, poželjnije od oko 3 do 10 atoma ugljenika. Alkil je poželjno metil, etil ili propil; alkilen je poželjno metilen, etilen ili propilen; aril je poželjno fenil; arilen je poželjno fenilen; heterosupstituisani cikloalkil je poželjno doksil, morfolinil i pirolidinil; a heterosupstituisani aril je poželjno piridinil. ;Neki pogodni primeri ovih rastvarača koji inhibiraju koroziju su, na primer, ali ne i ograničeni njima, etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N,N-dimetiletanolamin, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-1-propanol, 1 -amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-(dietilamino)-1,2-propandiol. ;lako je u prethodnim pokušajma kontrole ili inhibicije korozije metala pažljivo kontrolisano pH i/ili su korišćena druga jedinjenja koja inhibiraju koroziju, kao što je benzotriazol (BT) pri relativno niskim koncnetracijama od <2mas%, pronađeno je da se neočekivano, značajno poboljšanje u kontrolisanju korozije metalnog bakra može obezbediti sa preperatima za čišćenje iz ovog pronalaska, i bez potrebe za ovim jedinjenjima koja inhibiraju koroziju. Međutim, ukoliko se želi, ova jedinjenja koja inhibiraju koroziju, mogu opciono da budu prisutna u preparatima za čišćenje iz ovog pronalaska. Primeri takvih drugih jedinjenja koja inhibiraju koroziju su na primer, benzotriazol, i aril jedinjenja koja sadrže 2 ili više OH ili OR grupa, gde je R alkil ili aril, kao što su na primer katehol, pirogalol, rezorcinol i slično. Ovakva druga jedinjenja koja inhibiraju koroziju mogu opciono da budu prisutna u sadržaju od oko 0 do oko 40 mas%. ;Preparati za čišćenje mogu takođe da sadrže i surfaktante, kao što su na primer, dimetilheksinol (Surfynol-61), etoksilovani tetrametildecindiol (Syrfinol-465), politetrafluoroetilen cetoksipropilbetain (Zonyl FSK), (Zonyl FSH) i slično. ;U preparatima iz ovog pronalaska može se koristiti bilo koji silikat bez jona metala. Ovakvi poželjni silikati su kvatememi amonijum-silikati, kao što je tetraalkilamonijum-silikat (uključujući alkil koji sadrži hidroksi i alkoksi grupe, obično sa od 1 do 4 atoma ugljenika u alkil ili alkoksi grupi). Najpoželjnija silikatna komponenta bez jona metala je tetrametilamonijum-silikat. Drugi izvori silikata bez jona metala pogodni za ovaj pronalazak se mogu generisatiin situ,rastvaranjem jednog ili više sledećih materijala, u jako alkalnom sredstvu za čišćenje. Pogodni materijali bez jona metala, korisni za generisanje silikata u sredstvu za čišćenje, su čvrste pločice silicijuma, silicijumova kiselina, koloidni silicijum-dioksid, dimljeni silicijum-dioksid ili bilo koji drugi pogodan oblik silicijuma ili silicijum-dioksida. Mogu se koristiti metalni silikati, kao što je natrijum-metasilikat, ali se ne preporučuju zbog štetnih efekata i kontaminacije integralnih kola sa metalima. Ovakvi silikati mogu biti prisutni u ovom preparatu u sadržaju od oko 0 do 10 mas%, poželjno u sadržaju od oko 0,1 do oko 5 mas%. ;Preparati iz ovog pronalaska se mogu takođe formulisati sa pogodnim agensima za helatiranje metala, da se poveća kapacitet formulacije za zadržavanje metala u rastvoru i da se poboljša rastvaranje ostataka metala na pločici substrata. Agens za helatiranje je obično prisutan u ovim preparatima u sadržaju od oko 0 do 5 mas%, poželjno u sadržaju od oko 0,1 do 2 mas%. Tipični primeri agenasa za helatiranje korisnih za ovu svrhu su sledeće organske kiseline, njihovi izomeri i soli: (etilendinitrilo)tetrasirćetna kiselina (EDTA), butilendiamintetrasirćetna kiselina, (1,2-cikloheksilendinitrilo)tetrasirćetna kiselina (CyDTA), dietilentiraminpentasirćetnakiselina (DETPA), etilendiamintetrapropionska kiselina, (hidroksietil)etilendiamintetrasirćetna kiselina (HEDTA), N,N,N',N'-etilendiamintetra(metilenfosfonska) kiselina (EDTMP), trietilentetraminheksa-sirćetna kiselina (TTHA), 1,3-diamino-2-hidroksiproan-N,N,N',N'-tetrasirćetna kiselina (DHPTA), metiliminodisirćetna kiselina, propilendiamintetrasirćetna kiselina, nitrolotrisirćetna kiselina (NTA), limunska kiselina, vinska kiselina, glukonska kiselina, saharinska kiselina, glicerinska kiselina, oksalna kiselina, ftalna kiselina, maleinska kiselina, bademova kiselina, malonska kiselina, mlečna kiselina, salicilna kiselina, katehol, galinska kiselina, propilgalat, pirogalol, 8-hidroksihinolin i cistein. Poželjni agensi za helatiranje su aminokarboksilne kiseline, kao što su EDTA, CyDTA i aminofosfonske kiseline kao što je EDTMP. ;Preparati za čišćenje iz ovog pronalaska sadrže soli koje ne proizvode amonijak i ne proizvode HF, formulisane u vodenim, poluvodenim preparatima ili u preparatima na bazi organskih rastvarača. Soli koje ne proizvode amonijak i ne proizvode HF mogu se koristiti sa bilo kojim pogodnim, stabilnim rastvaračima, poželjno sa jednim ili više polarnih organskih rastvarača, otpornih prema jakim bazama, a koji ne sadrže stemo neometene nukleofile, kao što su dimetilsulfoksid (DMSO), sulfolan (SFL), dimetilpiperidon, HEP, 1-metil-2-pirolidinon i dimetilacetamid, i slično. Naročito pogodni mogu biti polarni rastvarači koji sadrže nitril, kao što su acetonitril, izobutilnitril i slično. Preparat za čišćenje može opciono da sadrži organske ili neorganske kiseline, poželjno slabe organske ili neorganske kiseline, stemo ometene amine, stemo ometene alkanolamine i stemo ometene hidroksilamine, kao što je triizopropilamin i druge inhibitore korozije. ;Tako, za efikasno uklanjanje i čišćenje fotozaštitnih slojeva, ostataka posle nagrizanja/spaljivanja plazmom, pomoćnih materijala za absorpciju svetlosti i anti-refleksivnih prevlaka (ARC) sa substrata sa poroznim dielektricima ili dielektricima sa niskom-Kili visokom-K, ili metalizacijom sa bakrom, može se koristiti širok opseg procesnih/radnih pH i temperatura. ;Preparati za čišćenje iz ovog pronalaska obično sadrže od oko 0,05 do oko 20 mas% fluoridnih soli, koje ne proizvode amonijak i ne proizvode HF; od oko 5 do oko 99,95 mas% vode ili organskog rastvarača, ili i vode i organskog rastvarača; od oko 0 do 80 mas% rastvarača koji inhibira koroziju; od oko 0 do 40 mas% stemo ometenih amina, ili alkanolamina i hidroksilamina; oko 0 do 40 mas% organskih ili neorganskih kiselina; oko 0 do 40 mas% drugog jedinjenja koje je inhibitor korozije; oko 0 do 5 mas% surfaktanta; 0 do 10 mas% jedinjenja silikata bez jona metala; i oko 0 do 10 mas% agensa za helatiranje. ;U delu ove prijave koji sledi koriste se sledeće skraćenice kojima se označavaju naznačena jedinjenja. ;HEP = 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidonon ;TMAF = 25% tetrametilamonijum-fluorid ;BT = benzotriazol ;DMSO = dimetilsulfoksid ;TEA = trietanolamin ;SFL = sulfolan ;DMPD = dimetilpiperidon ;TBAF = 75% tetrabutilamonijum-fluorid ;DMAc = dimetilacetamid ;NMP = N-metilpirolidon ;Primeri preparata iz ovog pronalaska su dati u Tabeli 1 koja sledi. ;Brzine nagrizanja dielektrika unutar sloja (ILD) za Preparat B iz Tabele 1, za razne dielektrike izračunavaju se u skladu sa sledećom procedurom testiranja. ;Debljina filma na komadima pločica se meri pomoću interferometra Rudolph. Komadi pločica (sa materijalom ILD nanetim na silicijumove pločice) se urone 30 min u naznačene preparate za čišćenje, na naznačenoj temperaturi, posle čega se ispiraju dejonizovanom vodom i suše u protoku struje azota. Nakon ovog tretmana se ponovo meri debljina, a brzine nagrizanja se izračunavaju na bazi promene debljine filma, izazvane naznačenim tretmanima. Rezultati su dati u Tabelama 2, 3 i 4. ;U Tabelama 2, 3 i 4, su sledeći dielektrici: ;CDO = oksid dopiran ugljenikom ;Black Diamon™ = brend oksida dopiranog ugljenikom ;SiLK™ = organski polimer ;Coral™ = brend oksida dopiranog ugljenikom ;FSG = fluorovano silikatno staklo ;TEOS = tetraetilortosilikat ;FOx-16™ = tečljivi oksid (vrsta HSQ) ;SiN = silicijum-nitrid ;Primeri koji slede odlično ilustruju kompatibilnost preparata iz ovog pronalska prema Cu, u poređenju sa relativno slabom kompatibilnošću prema Al za preparate iz ovog pronalaska. ;Brzina nagrizanja bakra i aluminijuma u preparatima za čišćenje iz ovog pronalaska je demonstrirana podacima o brzini nagrizanja u Tabelama 5 i 6. Brzina nagrizanja je određivana koristeći sledeću proceduru testiranja. ;Koriste se komadi aluminijumske ili bakarne folije od približno 13*50 mm. Izmeri se masa komada folije. Posle čišćenja komada folije sa 2-propanolom, destilovanom vodom i acetonom, komadi folije se osuše u sušnici. Očišćeni, suvi komadi folije se zatim stavljaju u pokrivene tegle u prethodno zagrejane preparate iz ovog pronalaska, pa se stave u vakuum sušnicu za vreme od 2 do 24 h, na naznačenu temperaturu. Posle tretmana i uklanjanja iz sušnice i teglii, očišćene folije se obilno isperu destilovanom vodom i suše 1 h u sušnici, zatim ostave da se ohlade na sobnu temperaturu, pa se brzina nagrizanja određuje na bazi gubitka mase ili promene mase.
Koristeći istu proceduru, poređena je brzina nagrizanja bakra preparatima iz ovog pronalaska sa brzinom nagrizanja bakra u odgovarajućem preparatu u kome se koristi amonijum-fluorid (NH4F), umesto tetrametilamonijum-fluorida, komponente preparata iz ovog pronalaska. Brzine nagrizanja bakra za ova dva preparata su date u Tabeli 7.
Sledeći primer pokazuje superiornu kompatibilnost soli kvatememog amonijum-fluorida bez-amonijaka iz ovog pronalaska, npr. TMAF, u poređenju sa solima na bazi amonijačnih fluorida, npr. amonijum-fluoridom (NH4F), prema osetljivim dielektricima niske-K, kao što je vodonik silseskvioksan (HSQ), tip tečljivog oksida Fox-15™. Procedura testa je sledeća. Uzorci pločica obloženi filmom dielektrika se urone u hemijski rastvor, koji se meša magnetnom mešalicom (brzina mešanja 300 o/min), posle koga sledi ispiranje sa izopropanolom i destilovanom vodom. Uzorci se zatim suše u struji azota, pre IR analize.
IR spektri propustljivosti se dobijaju sa spektrometrom Nicolet 740 FTIR, koristeći deuterizovani triglicilsulfat (DTGS) kao detektor. Spektri su dobijeni sa razdvajanjem od 4 cm"<1>i uprosečeni za 32 skenovanja. Analiza Furieove transformacije infracrvenog spektra (FTIR) pruža način za praćenje strukturnih pramena dielektrika HSQ. Infracrvene absorpcione trake pripisane tipičnim istaloženim filmovima HSQ su kao što sledi.
Infracrvene absorpcione trake pripisane dielektriku HSQ
Sadržaj Si-H veza u filmovima HSQ se može odrediti merenjem površina ispod pika absorpcionih traka Si-H na 2250 cm"<1>. Koristeći kao interni standard/ referencu absorpciju svojstvenu silicijumskoj pločici na 650-525 cm"<1>(iz veza Si-Si u rešetki i Si-C nečistoćama), dobije se dobra preciznost u kvantitativnim analizama IR (relativno odstupanje u standardu: 2-5%).
Za dielektrik Black Diamond koriste se sledeće IR trake:
Si-H: traka na 2100-2300 cm"<1>;
Si-CH3: traka na 1245-1300 cm"<1>.
Ovi rezultati su prikazani u Tabelama 8 i 9.
Sposobnost čišćenja preparata iz ovog pronalaska je upoređena sa sposobnošću čišćenja komercijalno dostupnog preparata za čišćenje (ATMI ST-250), a ilustrovana je sledećim testom, u kome se se mikroelektronska struktura, koja se sastoji od pločice sledeće strukture: fotozaštitni pTEOS(Coral™ oksid dopiran ugljenikom(SiN/Coral/SiN/Cu, uroni u rastvore za čišćenje u naznačenom vremenu i naznačenoj temperaturi, pa ispere vodom, osuši i zatim se određuje efekat čišćenja ispekcijom pomoću SEM. Rezultati su dati u Tabeli 10.
Pomoću prethodnog opisa ovog pronalaska, oni koji su verzirani u stanje tehnike podrazumevaju da se mogu načiniti modifikacije ovog pronalaska bez odstupanja od njegovog duha i obima. Stoga, namera je da obim obog pronalaska ne bude ograničen na specifične realizacije koje su ilustrovane i prikazane.

Claims (25)

1. Preparat za čišćenje, za čišćenje mikroelektronskih substrata koji imaju najmanje jedan porozni dielektrik, dielektrik niske-Kili visoke-Ki metalizaciju sa bakrom, naznačen time, što pomenuti preparat za čišćenje sadrži: od oko 0,05 do 20 mas% jedne ili više fluoridnih soli koje ne proizvode amonijak i koje ne proizvode HF; od oko 0,5 do oko 99,95 mas% vode, organskog rastvarača, ili vode i organskog rastvarača; od oko 0 do oko 80 mas% rastvarača koji inhibira koroziju; od oko 0 do oko 40 mas% stemo ometenog amina ili alkanolamina; od oko 0 do 40 mas% organske ili neorganske kiseline; od oko 0 do 40 mas% drugog jedinjenja koje je inhibitor korozije; od oko 0 do 5 mas% surfaktanta; od oko 0 do 10 mas% silikatnog jedinjenja bez jona metala; i od oko 0 do 5 mas% agensa za helatiranje metala.
2. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što fluoridnu so predstavlja tetraalkilamonijum-fluorid.
3. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 2, naznačen time, što je tetraalkilamonijum-fluoridna so jedinjenje formule: gde je svaki R nezavisno, supstituisana ili nesupstituisana alkil grupa.
4. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 3, naznačen time, što je R alkil grupa koja sadrži od 1 do 22 atoma ugljenika.
5. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 4, naznačen time, što je R alkil grupa sa od 1 do 6 atoma ugljenika.
6. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 5, naznačen time, što fluoridnu so čini tetrabutilamonijum-fluorid.
7. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što je rastvarač koji inhibira koroziju jedinjenje koje se bira između formula: gde se W i Y, svaki nezavisno, biraju iz grupe koju čine: =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(0)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2l-N, -NH-R, -NRiR2, -NC(0)-R, -NR^CCO)^, -P(0), -P(0)-OR i -P(0)-(OR)2; X se bira iz grupe koju čine alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; a svaki od R, Rii R2se svaki nezavisno, bira iz grupe koju čine: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril, ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; T se bira iz grupe koju čine -0, -S, -N i -P; Z se bira iz grupe koju čine vodonik, -OR5, -N(R5)2i -SR5; R3, R4i R5, svaki nezavisno, se bira iz grupe koju čine vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i aril ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; m je ceo broj od 0 do 6, i y je ceo broj od 1 do 6.
8. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 7, naznačen time, što u definicijama od R do R5alkil grupa ima 1 do 6 atoma ugljenika, a aril grupa ima od 3 do 14 atoma ugljenika.
9. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 7, naznačen time, što je rastvarač koji inhibira koroziju jedinjenje koje se bira grupe koju čine: etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N,N-dimetiletanolamin, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-{2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-(dietilamino)-1,2-propandiol.
10. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što sadrži vodu ili organski rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan i dimetilpiperidon.
11. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što sadrži anhidrovani preparat tetrabutilamonijum-fluorida i 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon.
12. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što sadrži tetrabutilamonijum-fluorid, dimetilsulfoksid, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, vodu, trietanolamin i benzotriazol.
13. Postupak za čišćenje fotozaštitnog sloja ili ostatka nagrizanja ili spaljivanja plazmom sa mikroelektronskog substrata koji ima najmanje jedan porozni dielektrik, dielektrik niskek, dielektrik visoke-Ki metalizaciju sa bakrom, naznačen time, što se taj postupak sastoji u dovođenju u kontakt ovog substrata sa preparatom za čišćenje fotozaštitnog sloja ili ostatka nagrizanja ili spaljivanja plazmom sa substrata, pri čemu taj rastvor za čišćenje sadrži: od oko 0,05 do 20 mas% jedne ili više fluoridnih soli koje ne proizvode amonijak i koje ne proizvode HF; od oko 0,5 do oko 99,95 mas% vode, organskog rastvarača, ili vode i organskog rastvarača; od oko 0 do oko 80 mas% rastvarača koji inhibira koroziju; od oko 0 do oko 40 mas% stemo ometenog amina ili alkanolamina; od oko 0 do 40 mas% organske ili neorganske kiseline; od oko 0 do 40 mas% drugog jedinjenja koje je inhibitor korozije; od oko 0 do 5 mas% surfaktanta; od oko 0 do 10 mas% silikatnog jedinjenja bez jona metala; i od oko 0 do 5 mas% agensa za helatiranje metala.
14. Postupak prema Zahtevu 13, naznačen time, što fluoridnu so predstavlja tetraalkilamonijum-fluorid.
15. Postupak prema Zahtevu 14, naznačen time, što je tetraalkilamonijum-fluoridna so jedinjenje formule: gde je svaki R nezavisno, supstituisana ili nesupstituisana alkil grupa.
16. Postupak prema Zahtevu 15, naznačen time, što je R alkil grupa koja sadrži od 1 do 22 atoma ugljenika.
17. Postupak prema Zahtevu 16, naznačen time, što je R alkil grupa sa od 1 do 6 atoma ugljenika.
18. Postupak prema Zahtevu 17, naznačen time, što fluoridnu so predstavlja tetrabutilamonijum-fluorid.
19. Postupak prema Zahtevu 13, naznačen time, što je rastvarač koji inhibira koroziju jedinjenje koje se bira između formula: gde se W i Y, svaki nezavisno, biraju iz grupe koju čine: =0, -OR, -0-C(0)-R, -C(0)-, -C(0)-R, -S, -S(0)-R, -SR, -S-C(0)-R, -S(0)2-R, -S(0)2, -N, -NH-R, -N^Rz, -NC(0)-R, -NRi-C(0)-R2, -P(0), -P(0)-OR i -P(0)-(OR)2; X se bira iz grupe koju čine alkilen, cikloalkilen ili cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, i arilen ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; a svaki od R, Ri i R2se nezavisno biraju iz grupe koju čine: vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril, ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; n1 i n2, svaki nezavisno, su ceo broj od 0 do 6; i z je ceo broj od 1 do 6, kada X predstavlja alkilen, cikloalkilen ili arilen; a z je ceo broj od 0 do 5 kada X predstavlja cikloalkilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P, ili arilen koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma O, S, N i P; T se bira iz grupe koju čine -0, -S, -N i -P; Z se bira iz grupe koju čine vodonik, -OR5, -N(Rs)2 i -SR5; R3, R4i R5, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine vodonik, alkil, cikloalkil ili cikloalkil koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P, i aril ili aril koji sadrži jedan ili više heteroatoma, koji se biraju između atoma 0, S, N i P; m je ceo broj od 0 do 6, i y je ceo broj od 1 do 6.
20. Postupak prema Zahtevu 19, naznačen time, što u definicijama od R do R5alkil grupa ima od 1 do 6 atoma ugljenika, a aril grupa ima od 3 do 14 atoma ugljenika.
21. Postupak prema Zahtevu 18, naznačen time, što se rastvarač koji inhibira koroziju bira iz grupe koju čine: etilenglikol, dietilenglikol, glicerin, dietilenglikol dimetiletar, monoetanolamin, dietanolamin, trietanolamin, N,N-dimetiletanolamin, 1 -(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, 4-(2-hidroksietil)morfolin, 2-(metilamino)etanol, 2-amino-2-metil-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksi)-etanol, N-(2-hidroksietil)acetamid, N-(2-hidroksietil)sukcinimid i 3-(dietilamino)-1,2-propandiol.
22. Postupak prema Zahtevu 13, naznačen time, što rastvarač čini voda ili organski rastvarač, koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan i dimetilpiperidon.
23. Postupak prema Zahtevu 13, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži anhidrovani preparat tetrabutilamonijum-fluorida i 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon.
24. Postupak prema Zahtevu 13, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži tetrabutilamonijum-fluorid, dimetilsulfoksid, 1-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon, vodu, trietanolamin i benzotriazol.
25. Postupak prema Zahtevu 13, naznačen time, što se metalizacija sa bakrom sastoji od metalizacije substrata suštinski čistim bakrom.
YU1004A 2001-07-09 2002-07-08 Preparati za čišćenje mikroelektronike koji sadrže fluoridne soli bez amonijaka RS51684B (sr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30403301P 2001-07-09 2001-07-09
PCT/US2002/021436 WO2003006599A1 (en) 2001-07-09 2002-07-08 Microelectronic cleaning compositions containing ammonia-free fluoride salts

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RS1004A true RS1004A (sr) 2007-02-05
RS51684B RS51684B (sr) 2011-10-31

Family

ID=23174742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
YU1004A RS51684B (sr) 2001-07-09 2002-07-08 Preparati za čišćenje mikroelektronike koji sadrže fluoridne soli bez amonijaka

Country Status (21)

Country Link
US (2) US7247208B2 (sr)
EP (1) EP1404795B1 (sr)
JP (1) JP4188232B2 (sr)
KR (1) KR101031926B1 (sr)
CN (1) CN100513545C (sr)
AT (1) ATE487785T1 (sr)
AU (1) AU2002316588A1 (sr)
BR (1) BR0210895A (sr)
CA (1) CA2452921C (sr)
DE (1) DE60238258D1 (sr)
DK (1) DK1404795T3 (sr)
ES (1) ES2358256T3 (sr)
IL (2) IL159760A0 (sr)
MY (1) MY143399A (sr)
NO (1) NO20040070L (sr)
PL (1) PL199393B1 (sr)
PT (1) PT1404795E (sr)
RS (1) RS51684B (sr)
TW (1) TWI281944B (sr)
WO (1) WO2003006599A1 (sr)
ZA (1) ZA200400065B (sr)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7208049B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants used as post-chemical mechanical planarization treatment
US7348300B2 (en) * 1999-05-04 2008-03-25 Air Products And Chemicals, Inc. Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and processes for their manufacture
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
MY131912A (en) * 2001-07-09 2007-09-28 Avantor Performance Mat Inc Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
TW200428512A (en) * 2003-05-02 2004-12-16 Ekc Technology Inc Reducing oxide loss when using fluoride chemistries to remove post-etch residues in semiconductor processing
CA2590325A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-23 Advanced Technology Materials, Inc. Resist, barc and gap fill material stripping chemical and method
BRPI0418529A (pt) 2004-02-11 2007-05-15 Mallinckrodt Baker Inc composições de limpeza para microeletrÈnicos contendo ácidos de halogênio oxigenados, sais e derivados dos mesmos
US8030263B2 (en) * 2004-07-01 2011-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for stripping and cleaning and use thereof
KR100606187B1 (ko) * 2004-07-14 2006-08-01 테크노세미켐 주식회사 반도체 기판 세정용 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법
JP4463054B2 (ja) * 2004-09-17 2010-05-12 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法
KR20060064441A (ko) * 2004-12-08 2006-06-13 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물
TWI538033B (zh) * 2005-01-27 2016-06-11 安堤格里斯公司 半導體基板處理用之組成物
KR20060108436A (ko) * 2005-04-13 2006-10-18 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자 세정용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의세정 방법
EP1883863B1 (en) * 2005-05-06 2014-01-22 Avantor Performance Materials, Inc. Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist
TWI282363B (en) * 2005-05-19 2007-06-11 Epoch Material Co Ltd Aqueous cleaning composition for semiconductor copper processing
CN101233456B (zh) 2005-06-07 2013-01-02 高级技术材料公司 金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物
TWI339780B (en) * 2005-07-28 2011-04-01 Rohm & Haas Elect Mat Stripper
US20070151949A1 (en) * 2006-01-04 2007-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor processes and apparatuses thereof
US7534753B2 (en) * 2006-01-12 2009-05-19 Air Products And Chemicals, Inc. pH buffered aqueous cleaning composition and method for removing photoresist residue
US20070179072A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-02 Rao Madhukar B Cleaning formulations
US20070219105A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-20 Georgia Tech Research Corporation Ionic Additives to Solvent-Based Strippers
KR101449774B1 (ko) * 2006-12-21 2014-10-14 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 에칭 후 잔류물의 제거를 위한 액체 세정제
US8026201B2 (en) * 2007-01-03 2011-09-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Stripper for coating layer
TW200925268A (en) * 2007-12-06 2009-06-16 Mallinckrodt Baker Inc Fluoride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction
CN101481640B (zh) * 2008-01-10 2011-05-18 长兴开发科技股份有限公司 水性清洗组合物
CN201219685Y (zh) * 2008-04-16 2009-04-15 韩广民 组装结构产品及庭院椅
US20090270299A1 (en) * 2008-04-23 2009-10-29 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for removing protective layer in fabrication of MEMS and method for removing same
CN101666984B (zh) * 2008-09-05 2012-08-22 安集微电子科技(上海)有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
MY160647A (en) 2008-10-09 2017-03-15 Avantor Performance Mat Inc Aqueous acidic formulations for copper oxide etch residue removal and prevention of copper electrodeposition
JP4903242B2 (ja) * 2008-10-28 2012-03-28 アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド 多金属デバイス処理のためのグルコン酸含有フォトレジスト洗浄組成物
JP5622752B2 (ja) 2009-02-25 2014-11-12 アバントールパフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッドＪ Ｔ Ｂａｋｅｒ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 半導体デバイスウェハーからイオン注入フォトレジストを洗浄するためのストリッピング組成物
US8309502B2 (en) * 2009-03-27 2012-11-13 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US8614053B2 (en) 2009-03-27 2013-12-24 Eastman Chemical Company Processess and compositions for removing substances from substrates
US8444768B2 (en) 2009-03-27 2013-05-21 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US8110535B2 (en) * 2009-08-05 2012-02-07 Air Products And Chemicals, Inc. Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same
US8518865B2 (en) 2009-08-31 2013-08-27 Air Products And Chemicals, Inc. Water-rich stripping and cleaning formulation and method for using same
CN102483590B (zh) * 2009-09-09 2014-05-21 东友Fine-Chem股份有限公司 用于形成铜基配线的光刻胶剥离剂组合物
CN102498188B (zh) * 2009-09-18 2014-09-17 默克专利股份有限公司 喷墨可印刷的蚀刻油墨及相关方法
TWI470119B (zh) * 2009-11-13 2015-01-21 Avantor Performance Mat Inc 用於氧化銅蝕刻殘留物之移除及避免銅電鍍之水相酸性調配物
US20120309661A1 (en) * 2010-01-21 2012-12-06 Adams Joerg Low-voc solvent systems
CN103003923A (zh) 2010-07-16 2013-03-27 高级技术材料公司 用于移除蚀刻后残余物的水性清洁剂
JP2012058273A (ja) * 2010-09-03 2012-03-22 Kanto Chem Co Inc フォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物
US8889609B2 (en) 2011-03-16 2014-11-18 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations
SG10201605172RA (en) 2011-12-28 2016-08-30 Entegris Inc Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
TWI572711B (zh) * 2012-10-16 2017-03-01 盟智科技股份有限公司 半導體製程用的清洗組成物及清洗方法
US9536730B2 (en) * 2012-10-23 2017-01-03 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations
US9029268B2 (en) 2012-11-21 2015-05-12 Dynaloy, Llc Process for etching metals
WO2014168037A1 (ja) * 2013-04-12 2014-10-16 三菱瓦斯化学株式会社 銅およびチタンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、および該組成物を用いたエッチング方法、多層膜配線の製造方法、基板
KR102261638B1 (ko) 2013-11-15 2021-06-08 삼성디스플레이 주식회사 세정제 조성물 및 이를 이용한 금속배선 제조방법
KR102157278B1 (ko) * 2015-03-19 2020-09-17 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 제거용 세정액 조성물
JP6495230B2 (ja) * 2016-12-22 2019-04-03 花王株式会社 シリコンウェーハ用リンス剤組成物
KR20240167944A (ko) 2018-07-20 2024-11-28 엔테그리스, 아이엔씨. 부식 억제제를 갖는 세정 조성물
JP7405100B2 (ja) * 2019-01-15 2023-12-26 株式会社レゾナック 分解洗浄組成物、接着性ポリマーの洗浄方法、及びデバイスウェハの製造方法
CN115427547A (zh) * 2020-04-09 2022-12-02 昭和电工株式会社 组合物、及粘接性聚合物的洗涤方法
CN116134584A (zh) * 2020-08-25 2023-05-16 巴斯夫欧洲公司 用于去除蚀刻后残留物的组合物、其用途和方法
US12374639B2 (en) * 2022-04-04 2025-07-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Non-DMSO stripper for advance package metal plating process

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4744834A (en) 1986-04-30 1988-05-17 Noor Haq Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide
EP0301044A4 (en) 1987-02-05 1989-03-29 Macdermid Inc ETCHING COMPOSITION FOR PHOTORESERVE.
US5091103A (en) 1990-05-01 1992-02-25 Alicia Dean Photoresist stripper
US6110881A (en) 1990-11-05 2000-08-29 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
JP3160344B2 (ja) * 1991-01-25 2001-04-25 アシュランド インコーポレーテッド 有機ストリッピング組成物
AU2494092A (en) 1992-09-03 1994-03-29 Circuit Chemical Products Gmbh Cleaning-agent mixture for cleaning printed circuits and a method of cleaning such circuits
US5308745A (en) 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US5320709A (en) 1993-02-24 1994-06-14 Advanced Chemical Systems International Incorporated Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution
JP3264405B2 (ja) * 1994-01-07 2002-03-11 三菱瓦斯化学株式会社 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
US5466389A (en) 1994-04-20 1995-11-14 J. T. Baker Inc. PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates
US5498293A (en) 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5447884A (en) 1994-06-29 1995-09-05 International Business Machines Corporation Shallow trench isolation with thin nitride liner
US5478436A (en) 1994-12-27 1995-12-26 Motorola, Inc. Selective cleaning process for fabricating a semiconductor device
US5563119A (en) 1995-01-26 1996-10-08 Ashland Inc. Stripping compositions containing alkanolamine compounds
US5571447A (en) 1995-03-20 1996-11-05 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
JP3236220B2 (ja) * 1995-11-13 2001-12-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
US5783495A (en) 1995-11-13 1998-07-21 Micron Technology, Inc. Method of wafer cleaning, and system and cleaning solution regarding same
DE19543161A1 (de) 1995-11-18 1997-05-22 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von verzweigten Polyamiden
US6030932A (en) 1996-09-06 2000-02-29 Olin Microelectronic Chemicals Cleaning composition and method for removing residues
US5855811A (en) 1996-10-03 1999-01-05 Micron Technology, Inc. Cleaning composition containing tetraalkylammonium salt and use thereof in semiconductor fabrication
US5989353A (en) 1996-10-11 1999-11-23 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5709756A (en) 1996-11-05 1998-01-20 Ashland Inc. Basic stripping and cleaning composition
US5698503A (en) 1996-11-08 1997-12-16 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
US6755989B2 (en) * 1997-01-09 2004-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
WO1998030677A1 (en) 1997-01-10 1998-07-16 The Scripps Research Institute Cataractogenesis and disruption of d3 connexin gene in mammals and methods of use
JPH1167632A (ja) * 1997-08-18 1999-03-09 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体装置用洗浄剤
US6012469A (en) 1997-09-17 2000-01-11 Micron Technology, Inc. Etch residue clean
US6211126B1 (en) * 1997-12-23 2001-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1, 3-dicarbonyl compound chelating agent for stripping residues from semiconductor substrates
US6225030B1 (en) 1998-03-03 2001-05-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Post-ashing treating method for substrates
US6432209B2 (en) * 1998-03-03 2002-08-13 Silicon Valley Chemlabs Composition and method for removing resist and etching residues using hydroxylazmmonium carboxylates
JPH11323394A (ja) * 1998-05-14 1999-11-26 Texas Instr Japan Ltd 半導体素子製造用洗浄剤及びそれを用いた半導体素子の製造方法
ES2328309T3 (es) 1998-05-18 2009-11-11 Mallinckrodt Baker, Inc. Composiciones alcalinas que contienen silicato para limpiar sustratos microelectronicos.
US6043005A (en) * 1998-06-03 2000-03-28 Haq; Noor Polymer remover/photoresist stripper
JP2000147362A (ja) 1998-11-18 2000-05-26 Seiko Epson Corp プリズムへの電気光学装置取り付け方法ならびに投写型表示装置の製造方法
US6103680A (en) 1998-12-31 2000-08-15 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive cleaning composition and method for removing photoresist and/or plasma etching residues
US6248704B1 (en) * 1999-05-03 2001-06-19 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices
US6703319B1 (en) * 1999-06-17 2004-03-09 Micron Technology, Inc. Compositions and methods for removing etch residue
JP3372903B2 (ja) 1999-06-21 2003-02-04 ニチゴー・モートン株式会社 フォトレジスト剥離剤
US6562726B1 (en) 1999-06-29 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Acid blend for removing etch residue
US6235693B1 (en) 1999-07-16 2001-05-22 Ekc Technology, Inc. Lactam compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices
JP3410403B2 (ja) * 1999-09-10 2003-05-26 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
US6361712B1 (en) * 1999-10-15 2002-03-26 Arch Specialty Chemicals, Inc. Composition for selective etching of oxides over metals
US6194366B1 (en) 1999-11-16 2001-02-27 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6417147B2 (en) 2000-02-29 2002-07-09 Showa Denko K.K. Cleaning agent composition, method for cleaning and use thereof
US6777380B2 (en) * 2000-07-10 2004-08-17 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices
US7456140B2 (en) * 2000-07-10 2008-11-25 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices
US6599370B2 (en) 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
WO2002045148A2 (de) 2000-11-29 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Reinigungslösung für halbleiterscheiben im beol-bereich
US6627587B2 (en) * 2001-04-19 2003-09-30 Esc Inc. Cleaning compositions
US20030022800A1 (en) * 2001-06-14 2003-01-30 Peters Darryl W. Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners
MY131912A (en) * 2001-07-09 2007-09-28 Avantor Performance Mat Inc Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
US6916772B2 (en) * 2001-07-13 2005-07-12 Ekc Technology, Inc. Sulfoxide pyrolid(in)one alkanolamine cleaner composition
US6773873B2 (en) * 2002-03-25 2004-08-10 Advanced Technology Materials, Inc. pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates
US7419945B2 (en) * 2002-06-07 2008-09-02 Mallinckrodt Baker, Inc. Microelectronic cleaning compositions containing oxidizers and organic solvents
JP2004029346A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液組成物
US7393819B2 (en) * 2002-07-08 2008-07-01 Mallinckrodt Baker, Inc. Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
PL1664935T3 (pl) * 2003-08-19 2008-01-31 Avantor Performance Mat Inc Kompozycje do usuwania powłok oraz czyszczenia dla mikroelektroniki
JP4620680B2 (ja) * 2003-10-29 2011-01-26 マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド ハロゲン化金属の腐食阻害剤を含有するアルカリ性のプラズマエッチング／灰化後の残渣の除去剤およびフォトレジスト剥離組成物
SG150509A1 (en) * 2004-03-01 2009-03-30 Mallinckrodt Baker Inc Nanoelectronic and microelectronic cleaning compositions
JP4456424B2 (ja) * 2004-06-29 2010-04-28 関東化学株式会社 フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物
EP1701218A3 (en) * 2005-03-11 2008-10-15 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Polymer remover
US7700533B2 (en) * 2005-06-23 2010-04-20 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same
TWI339780B (en) * 2005-07-28 2011-04-01 Rohm & Haas Elect Mat Stripper
TW200722505A (en) * 2005-09-30 2007-06-16 Rohm & Haas Elect Mat Stripper
JP2009075285A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Fujifilm Corp 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20040149309A1 (en) 2004-08-05
US7718591B2 (en) 2010-05-18
IL159760A0 (en) 2004-06-20
MY143399A (en) 2011-05-13
AU2002316588A1 (en) 2003-01-29
CA2452921C (en) 2010-10-19
KR20040019046A (ko) 2004-03-04
US20070232513A1 (en) 2007-10-04
ES2358256T3 (es) 2011-05-09
ATE487785T1 (de) 2010-11-15
JP2005500408A (ja) 2005-01-06
EP1404795B1 (en) 2010-11-10
JP4188232B2 (ja) 2008-11-26
PT1404795E (pt) 2011-02-15
CA2452921A1 (en) 2003-01-23
PL199393B1 (pl) 2008-09-30
CN100513545C (zh) 2009-07-15
KR101031926B1 (ko) 2011-04-29
DK1404795T3 (da) 2011-02-21
TWI281944B (en) 2007-06-01
ES2358256T8 (es) 2011-10-11
CN1526008A (zh) 2004-09-01
US7247208B2 (en) 2007-07-24
PL368044A1 (en) 2005-03-21
ZA200400065B (en) 2005-04-01
RS51684B (sr) 2011-10-31
EP1404795A1 (en) 2004-04-07
NO20040070L (no) 2004-03-09
WO2003006599A1 (en) 2003-01-23
BR0210895A (pt) 2004-06-22
DE60238258D1 (de) 2010-12-23
IL159760A (en) 2006-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2452921C (en) Microelectronic cleaning compositions containing ammonia-free fluoride salts
CA2452885C (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
US7393819B2 (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
CA2452884C (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility