RS65453B1 - Solarna ćelija sa pozadinskim kontaktom - Google Patents

Solarna ćelija sa pozadinskim kontaktom

Info

Publication number
RS65453B1
RS65453B1 RS20240476A RSP20240476A RS65453B1 RS 65453 B1 RS65453 B1 RS 65453B1 RS 20240476 A RS20240476 A RS 20240476A RS P20240476 A RSP20240476 A RS P20240476A RS 65453 B1 RS65453 B1 RS 65453B1
Authority
RS
Serbia
Prior art keywords
highly doped
polarity
layer
silicon layer
electrodes
Prior art date
Application number
RS20240476A
Other languages
English (en)
Inventor
Erik Hoffmann
JüRGEN WERNER
Original Assignee
EnPV GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EnPV GmbH filed Critical EnPV GmbH
Publication of RS65453B1 publication Critical patent/RS65453B1/sr

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H10F77/122—Active materials comprising only Group IV materials
    • H10F77/1223—Active materials comprising only Group IV materials characterised by the dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/164—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells
    • H10F10/165—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/164—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells
    • H10F10/165—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells
    • H10F10/166—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells the Group IV-IV heterojunctions being heterojunctions of crystalline and amorphous materials, e.g. silicon heterojunction [SHJ] photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
    • H10F71/1221—The active layers comprising only Group IV materials comprising polycrystalline silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/42—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H10F77/48—Back surface reflectors [BSR]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • H10F77/703—Surface textures, e.g. pyramid structures of the semiconductor bodies, e.g. textured active layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)

Description

Opis
(0001) Pronalazak se odnosi na solarnu ćeliju i postupak proizvodnje solarne ćelije.
(0002) Solarne ćelije su poznate kao fotovoltaički elementi, koji pretvaraju svetlost u električnu energiju. Parovi nosilaca naelektrisanja koji se generišu apsorpcijom svetlosti u poluprovodničkom supstratu razdvajaju se na prelasku između zone emitera sa prvim tipom dopiranja, na primer n-tipom ili p-tipom (za generisanje prvog polariteta), i zone baze, sa suprotnim tipom dopiranja (za generisanje suprotnog polariteta). Preko kontakata emitera, koji su povezani sa zonom emitera, i baznih kontakata, koji su povezani sa zonom baze, ovi na taj način generisani i razdvojeni parovi nosilaca naelektrisanja mogu da se povežu sa spoljnim strujnim kolom.
(0003) Poznate su solarne ćelije kod kojih su kontakti jednog polariteta raspoređeni na prednjoj strani, dok su kontakti suprotnog polariteta raspoređeni na poleđini. Kao prednja strana označava se strana okrenuta suncu, dok je poleđina na strani koja nije okrenuta suncu. Da bi se minimizirali gubici koji proizilaze iz zasenjivanja usled kontakata na prednjoj strani, razvijene su solarne ćelije sa kontaktima na poleđini, kod kojih su oba tipa kontakata, tj. kontakti emitera i bazni kontakti, raspoređeni na poleđini poluprovodničkog supstrata.
(0004) Solarne ćelije sa pozadinskim kontaktom imaju veliki potencijal za postizanje većih efikasnosti, jer na prednjoj strani solarnih ćelija ne dolazi do zasenjivanja, te dolazi do generisanja više slobodnih nosilaca naelektrisanja od ulaznog zračenja. Elektrode oba polariteta smeštene su jedna pored druge na zadnjoj strani solarne ćelije. Generisani nosioci naelektrisanja moraju zato da teku lateralno kroz solarnu ćeliju. Da bi se minimizirali gubici usled otpora uzrokovani ovim lateralnim tokom i sprečilo rekombinovanje slobodnih nosilaca naelektrisanja pre nego što dosegnu elektrode, elektrode oba polariteta trebaju da budu što bliže jedna drugoj. Pošto su elektrode u zavisnosti od polariteta povezane silicijumom p-tipa odn. n-tipa, i spojevi p-n se po mogućstvu nalaze što bliže. Spojevi p-n, fine češljaste strukture s rezolucijom manjom od 500 pm, mogu npr. da se realizuju putem laserskog zračenja. U okviru tog procesa impulsni laserski zrak ubrizgava lokalno u silicijum dva različita dopanta, kao što su bor i fosfor, putem vremenski i prostorno razdvojenog topljenja površine, te stvara visoku dopiranost tipa p ili n, u zavisnosti od dopanta. Takve fine strukture omogućavaju niske unutrašnje serijske otpore i efikasnosti η do η = 24 %. Veći stepeni efikasnosti uglavnom su ograničeni rekombinacionim mehanizmima u bazi, kao i na visoko dopiranim kontaktiranim i nekontaktiranim površinama. Rekombinacija u bazi zavisi od kvaliteta vafera i na istu može samo neznatno da se utiče u okviru procesa proizvodnje solarnih ćelija. Rekombinacija na visoko dopiranim površinama tipa n i p ograničena je u nekontaktiranoj oblasti u slučaju dobre površinske pasivizacije, kao npr. amorfno hidrogenizovanim silicijumom, putem Augerove rekombinacije, koja raste sa koncentracijom dopanata u silicijumu. U kontaktiranoj oblasti silicijum je u kontaktu sa metalom, što za posledicu ima visoku rekombinaciju granične površine. Pri procesu proizvodnje solarnih ćelija, Augerova rekombinacija na nekontaktiranim površinama može biti smanjena ako se tamo nalazi što manje dopanata u silicijumu, dok se rekombinacija graničnih površina na kontaktima metala i silicijuma može smanjiti što manjom kontaktom površinom. Međutim, jednostavno smanjenje dopanata i kontaktnih površina dovodi do povećanja serijskog otpora, koji postaje limitirajući faktor efikasnosti.
(0005) Zbog toga se koriste pasivirani ili selektivni kontakti. Metalne elektrode pri tome nisu direktno električno povezane sa kristalnom bazom, već su odvojene tankim slojem tunelskog oksida, koji pasivira silicijumsku površinu, ali je istovremeno dovoljno tanak da elektroni u zavisnosti od polariteta mogu kroz oksid da prođu od elektrode u poluprovodnik odn. iz poluprovodnika u elektrodu. Da bi se elektroni podstakli na prolazak odn. tzv. tuneliranje, na tunelskom oksidu mora da postoji električno polje. Električno polje može biti generisano visoko dopiranim silicijumom na tunelskom oksidu tipa n ili p. S obzirom na to da dopiranje ovog silicijuma iznad tunelskog oksida dovodi do krivljenja energetskih pojaseva u silicijumskoj bazi ispod tunelskog oksida, dalje dopiranje silicijumske baze više nije potrebno. Na visoko dopiranom silicijumu tipa n samo elektroni prolaze kroz tunelski oksid, što se naziva i tok elektrona, dok na visoko dopiranom silicijumu tipa p dolazi do tzv. protoka šupljina: elektroni ulaze iz visoko dopiranog silicijuma tipa p u silicijumsku bazu. Same metalne elektrode su u električnom i mehaničkom kontaktu samo još sa visoko dopiranim silicijumom tipa n ili p iznad tunelskog oksida. Selektivnost visoko dopiranih zona silicijuma u kombinaciji sa tunelskim oksidom u zavisnosti od dopiranja omogućava transport skoro isključivo jedne vrste nosioca naelektrisanja na metalno/silicijumskim kontaktima i minimizira rekombinaciju granične površine. Predstavljena struktura dalje smanjuje Augerovu rekombinaciju na površini silicijumske baze prema tunelskom oksidu, jer na toj graničnoj površini nije potrebno visoko dopiranje za pn-spoj ili omski kontakt sa bazom. Solarne ćelije sa pozadinskim kontaktima i pasiviranim kontaktima do sada su postigle rekordnu efikasnost od η = 26,7 %. Međutim, proizvodnja takvih ćelija do sada je bila vrlo zahtevna, jer oba različito dopirana selektivna kontakta mogu da se nanose samo kroz različite složene korake maskiranja i strukturiranja. Pri tome mora da se obrati pažnja na veliku preciznost i finu rezoluciju maskiranja/strukturiranja. Rastojanje između selektivnih kontakata ne sme da bude preveliko i da premaši difuznu dužinu slobodnih nosilaca naelektrisanja, niti da dovede do povećanja internog serijskog otpora zbog lateralnog toka struje u bazi. Proizvodni procesi sa koracima maskiranja su npr. poznati iz patenta EP 2955 760 A1, US 2014/096821 A1 i EP 2804 219 A1.
(0006) Ovi nedostaci se prevazilaze kroz inventivni postupak za proizvodnju solarne ćelije i inventivne solarne ćelije izrađene prema ovom postupku.
(0007) U skladu sa pronalaskom, za solarne ćelije sa pozadinskim kontaktom koristi se poluprovodnički supstrat, posebno silicijumski vafer, koji obuhvata stranu okrenutu suncu na prednjoj strani, kao i zadnju stranu, pri čemu solarna ćelija na zadnjoj strani obuhvata elektrode prvog polariteta i elektrode drugog polariteta, pri čemu se ispod elektroda prvog polariteta nalazi tunelski sloj i visoko dopirani sloj silicijuma, dok su elektrode drugog polariteta u direktnom električnom i mehaničkom kontaktu sa poluprovodničkim supstratom u visoko dopiranim baznim oblastima, pri čemu visoko dopirane bazne oblasti obuhvataju selektivno prekompenzovane delove visoko dopiranog sloja silicijuma.
(0008) Visoka dopiranost visoko dopiranih baznih oblasti potrebna je u svrhu malog otpora kontakta.
(0009) U okviru jedne forme izvođenja predviđeno je da nekontaktirana, slabo dopirana zona razdvaja visoko dopirani sloj silicijuma od baznog područja. U ovom nekontaktiranom, pasiviranom području može biti od koristi niža dopiranost nego u kontaktiranom visoko dopiranom baznom području.
(0010) Dalje forme izvođenja odnose se na postupak proizvodnje solarne ćelije sa pozadinskim kontaktom u skladu sa gore opisanim formama izvođenja. Izrada strukture sa finom rezolucijom na poleđini obavlja se bez maske. Ista se stvara lokalnim laserskim zračenjem. Postupak će biti opisan u nastavku.
(0011) Poluprovodnički supstrat solarne ćelije, pre svega silicijumski vafer, obuhvata jednu posebno poliranu ili teksturiranu poleđinu, kao i jednu posebno teksturiranu, prednju stranu. U okviru prvog koraka postupka na površinu poleđine, ili na površinu prednje strane i površinu poleđine, nanosi se tunelski sloj, koji pre svega sadrži silicijumski oksid. Tunelski sloj ima poželjnu debljinu od najviše oko četiri nanometra. Tunelski sloj se npr. proizvodi termičkim ili mokro-hemijskim procesom ili depozicijom.
(0012) Nastavak postupka uključuje korak taloženja visoko dopiranog sloja silicijuma prvog polariteta na tunelski sloj na poleđini. Taloženje visoko dopiranog sloja silicijuma prvog polariteta može npr. da se izvrši putem plazma-podržane hemijske depozicije iz gasne faze (PECVD), atmosferske hemijske depozicije iz gasne faze (APCVD), hemijske depozicije iz gasne faze pri niskom pritisku (LPCVD) ili katodnog raspršivanja. Visoko dopirani sloj silicijuma prvog polariteta ima debljinu od oko 100 nanometara do 300 nanometara.
(0013) Taloženje visoko dopiranog sloja silicijuma prvog polariteta može umesto u jednom da se izvrši i u dva koraka. Prema jednoj formi izvođenja, taloženje visoko dopiranog sloja silicijuma prvog polariteta uključuje taloženje nedopiranog silicijuma, a zatim unošenje dopanta. Unošenje dopanta može npr. da se izvrši putem implantacije jona, difuzije u peći ili laserske difuzije. Dopant može npr. da bude bor, aluminijum ili galijum.
(0014) Prema jednoj formi izvođenja, postupak obuhvata korak uklanjanja tunelskog sloja, pre svega silicijum-dioksida, i/ili visoko dopiranog sloja silicijuma prvog polariteta sa prednje strane. Tunelski sloj i/ili visoko dopirani sloj silicijuma prvog polariteta može da se u potpunosti ili lokalno ukloni kauterizacijom.
(0015) Postupak uključuje korak postavljanja sloja prekurzora, koji sadrži dopant drugog polariteta, na visoko dopirani sloj silicijuma prvog polariteta na poleđini.
(0016) Ako je visoko dopirani sloj silicijuma prvog polariteta tipa p, dopant za dopiranje silicijuma u skladu sa drugim polaritetom može npr. da bude fosfor. Za nanošenje sloja prekurzora može npr. da se koristi proces difuzije u peći, kod kojeg fosforno silikatno staklo raste na visoko dopiranom silicijumskom sloju tipa p na zadnjoj i na prednjoj strani. Proces difuzije u peći može da se sprovede tako da nakon njega fosforno silikatno staklo sadrži visok procenat fosfora. Tokom procesa difuzije u peći fosfor difundira u prednju stranu solarne ćelije i dopira površinu prednje strane u tip n. Na zadnjoj strani fosfor takođe difundira u visoko dopirani silicijumski sloj tipa p. Parametri difuzije u peći biraju se tako da koncentracija dopanta fosfora ne prekoračuje koncentraciju dopanta bora u silicijumskom sloju tipa p. Sloj prekurzora, kao što je sloj fosforsilikatnog stakla, može da se nanese i primenom drugih metoda, kao što je npr. PECVD.
(0017) Tokom procesa difuzije u peći, deo drugog dopanta iz sloja prekurzora difundira u visoko dopirani silicijumski sloj. Proces difuzije u peći sprovodi se tako da koncentracija difuziranog drugog dopanta ne premašuje koncentraciju prvog dopanta u visoko dopiranom silicijumskom sloju. Na taj način se tokom procesa difuzije u peći sprečava prekompenzacija prvog dopanta. Ako je visoko dopirani silicijumski sloj prvog polariteta tipa p, a dopant drugog polariteta je fosfor, visoko dopirani silicijumski sloj ostaje dopiran kao tip p. Nasuprot tome, količina drugog dopanta, koja se još uvek nalazi u sloju prekurzora, veća je od količine prvog dopanta u visoko dopiranom silicijumskom sloju. Postupak obuhvata korak laserskog zračenja zadnje strane radi stvaranja lokalno visoko dopiranih baznih oblasti drugog polariteta. Ukoliko je prethodno naneti dopant drugog polariteta fosfor, fosforno silikatno staklo služi kao izvor dopiranja tokom laserskog zračenja radi stvaranja lokalno visoko dopiranih baznih oblasti tipa n. Energija laserskog zračenja topi fosforno silikatno staklo, visoko dopirani silicijumski sloj tipa p, tunelski sloj i površinu zadnje strane u izabranim zonama. Dopanti iz fosforsilikatnog stakla i visoko dopiranog silicijumskog sloja tipa p difundiraju u silicijumsku rastopinu na površini zadnje strane. Nakon prestanka laserskog zračenja rastopina se hladi i stvrdnjava. Obadva dopanta ostaju u silicijumu, pri čemu može doći do povećanje količine jednog ili obadva dopanta na površini. Zbog veće količine dopanta drugog polariteta u sloju prekurzora, koncentracija drugog dopanta u stvrdnutoj silicijumskoj površini značajno je veća od koncentracije prvog dopanta iz visoko dopiranog silicijumskog sloja tipa p, što putem prekompenzacije dovodi do lokalno visoke dopiranosti tipa n u selektovanim oblastima. Odgovarajućim izborom parametara lasera, u selektovanim oblastima takođe mogu da se generišu lokalno selektivno različito visoko dopirani delovi silicijuma tipa n.
(0018) U okviru jedne forme izvođenja predviđeno je da postupak uključuje korak selektivnog uklanjanja visoko dopiranih slojeva silicijuma prvog polariteta i/ili sloja prekurzora. Uklanjanjem sloja ili slojeva u susednim oblastima različitog polariteta prekida se kontakt između dva različito dopirana područja, što može da spreči visoku rekombinaciju ili kratke spojeve na kontaktnim područjima. Selektivno uklanjanje visoko dopiranih slojeva silicijuma prvog polariteta može npr. da se izvede laserskim zračenjem, hemijskim nagrizanjem u tečnosti ili kombinacijom oba procesa. Uklanjanje sloja prekurzora, posebno fosforsilikatnog stakla, može npr. da se izvede hemijskim nagrizanjem u tečnosti. Ako je visoko dopirani sloj silicijuma prvog polariteta tipa p, i ako je dopant drugog polariteta fosfor, tada povratnim nagrizanjem nekoliko nanometara sloja silicijuma tipa p može da se ukloni deo sloja sa visokim sadržajem fosfora, te da se ograniči otpor sloja silicijuma tipa p difuzijom fosfora.
(019) Kod jedne forme izvođenja predviđeno je da postupak obuhvata korak nanošenja pasivacionog sloja na površinu prednje i/ili zadnje strane. Pasivacioni sloj obuhvata npr. termički rastvoreni silicijum-dioksid, silicijum-nitrid, aluminijum-oksid ili slojeviti sistem od dva ili više dielektričnih slojeva. Pri tome, debljina, indeks prelamanja i sastav pasivacionog sloja na zadnjoj strani mogu da se razlikuju od debljine, indeksa prelamanja i sastava pasivacionog sloja na prednjoj strani. Debljine pasivacionih slojeva su optimalno podešene tako da se smanji refleksija na prednjoj, a poveća na zadnjoj strani.
(0020) Kod jedne forme izvođenja predviđeno je da postupak obuhvata korak nanošenja elektroda na zadnju stranu solarne ćelije. Nanošenje elektroda može npr. da se izvede sito štampom, postupkom isparavanja, raspršivanjem ili galvanskim taloženjem jednog ili više metala ili drugih provodnih slojeva. Elektrode mogu npr. da obuhvataju pastu od srebra, pastu od srebra/aluminijuma, pastu od aluminijuma ili čist aluminijum, bakar, kalaj, paladijum, srebro, titan, nikl ili slojeviti sistem ili legure navedenih metala ili druge provodne slojeve, posebno provodne polimere ili okside, ili kombinaciju takvih slojeva sa metalima. Sastav i proces taloženja elektroda mogu se razlikovati kod oba polariteta. Posebno u okviru koraka visoke temperature nakon sito štampe elektrode mogu lokalno da probiju pasivacioni sloj, te da, u zavisnosti od polariteta elektroda, ostvare kontakt ili sa visoko dopiranim slojem silicijuma tipa p, ili sa visoko dopiranim baznim oblastima.
(0021) Kod jedne forme izvođenja predviđeno je da postupak obuhvata korak selektivnog uklanjanja pasivacionog sloja. Pre depozicije elektroda pasivacioni sloj može lokalno da se ukloni, npr. laserskim zračenjem.
(0022) Dodatne karakteristike, mogućnosti primene i prednosti pronalaska proizlaze iz sledećeg opisa primera izvođenja pronalaska, koji su prikazani na slikama crteža.
(0023) Crtež prikazuje:
Slika 1: sistematski prikaz isečka solarne ćelije prema pronalasku, i
Slike 2a do 2h: solarna ćelija prema slici 1 u različitim koracima postupka proizvodnje solarne ćelije.
(0024) Slika 1 prikazuje isečak solarne ćelije 10 sa poluprovodničkim supstratom 12, pre svega silicijumskim vaferom, poleđinom 14 i prednjom stranom 16, okrenutom ka suncu. Silicijumska ploča 12 može biti dopirana tipom n ili p. Solarna ćelija 10 se kao primer objašnjava kroz dopiranje silicijumske ploče 12, tzv. "baze", tipom n.
(0025) Na poleđini 14 predviđen je polikristalni visoko dopirani sloj silicijuma tipa p 20. Ovaj sloj formira prvi polaritet na poleđini 14. U predelu visoko dopiranog sloja silicijuma tipa p 20 tunelski sloj 18, koji sadrži pre svega silicijum-oksid, pasivizira površinu silicijumskog vafera 12.
(0026) Solarna ćelija 10 sadrži na zadnjoj strani 14 elektrode 34 prvog polariteta i elektrode 36 drugog polariteta. Između elektroda 34 prvog polariteta nalazi se tunelski sloj 18 i visoko dopirani sloj silicijuma tipa p 20. Elektrode 36 drugog polariteta u direktnom su električnom i mehaničkom kontaktu sa poluprovodničkim supstratom 12. Elektrode 36 drugog polariteta u kontaktu su sa poluprovodničkim supstratom 12 u skladu sa prikazanom formom izvođenja u visoko dopiranim baznim oblastima 26. Ivični predeo bez kontakta 28 razdvaja visoko dopirani sloj silicijuma tipa p 20 i visoko dopirane bazne oblasti tipa n 26.
(0027) Proces proizvodnje solarne ćelije 10 dalje će biti objašnjen kroz slike 2a do 2h. Slike 2a do 2h ilustruju tok procesa izrade solarne ćelije 10 bez korišćenja maski sa jednom vrstom selektivnih kontakata. Početni materijal može biti silicijumski vafer 12 sa prednjom stranom 14 i zadnjom stranom 16, koji može biti dopiran tipom n ili p. Tok procesa će biti objašnjen kroz dopiranje vafera odnosno "bazne oblasti" tipom n.
(0028) Slika 2a prikazuje silicijumski vafer 12 sa teksturisanom zadnjom stranom 14 i teksturisanom prednjom stranom 16. Na obadve površine, ili poželjno samo na zadnjoj strani 14, nanosi se tunelski sloj 18, npr. silicijum-dioksid, debljine maksimalno oko četiri nanometra, npr. u termičkom ili hemijskom procesu ili depozicijom.
(0029) U sledećem koraku u okviru procesa nanosi se visoko dopirani silicijumski sloj 20 prvog polariteta na tunelski sloj 18 na zadnjoj strani 14. Dalje se pretpostavlja dopiranje tipa o kao prvi polaritet. Slika 2b prikazuje potpunu depoziciju visoko dopiranog silicijumskog sloja tipa p 20 na tunelski sloj 18 na zadnjoj strani 14. Depozicija visoko dopirane silicijumske površine tipa p 20 može npr. da se izvrši pomoću plazmom poboljšanog hemijskog taloženja pare (PECVD), CVD atmosferskog pritiska (APCVD), CVD niskog pritiska (LPCVD) ili katodnog raspršivanja. Visoko dopirana silicijumska površinska tipa p 20 ima debljinu od oko 100 nanometara do 300 nanometara.
(0030) Depozicija visoko dopiranog silicijumskog sloja tipa p 20 može da se sprovede u jednom ili dva koraka. U ovom slučaju, depozicija silicijumskog sloja tipa p 20 uključuje depoziciju nedopiranog silicijuma, a zatim unošenje dopanta. Unošenje dopanata može npr. da se izvrši putem implantacije jona, difuzije u peći ili laserske difuzije. Dopant može npr. da bude bor, aluminijum ili galijum.
(0031) Ukoliko se na prednjoj strani 16 nalazi tunelski sloj 18 i/ili visoko dopirani silicijumski sloj tipa p 20, kod koje je možda nenamerno izvršena depozicija, u sledećem koraku procesa tunelski sloj 18 i/ili visoko dopirani silicijumski sloj tipa p 20 se uklanjaju sa prednje strane 16. Tunelski sloj 18 i/ili visoko dopirani silicijumski sloj tipa p 20 mogu biti uklonjeni potpuno ili delimično hemijskim nagrizanjem. To je prikazano na slici 2c. U sledećem koraku postupka, prikazanom na slici 2d, na visoko dopirani silicijumski sloj 20 prvog polariteta na zadnjoj strani 14 nanosi se sloj prekurzora 22, koji sadrži dopant, pre svega fosfor. Prema prikazanoj formi izvođenja, dopant drugog polariteta je fosfor. Za nanošenje sloja prekurzora 22 se npr. pokreće se proces difuzije u peći ili PECVD taloženje, pri čemu fosforsilikatno staklo 22 raste na visoko dopiranom silicijumskom sloju tipa p 20 na zadnjoj strani 14 i na prednjoj strani 16. Tokom procesa difuzije u peći fosfor difundira iz fosforsilikatnog stakla 22 u prednju stranu 16 solarne ćelije 10 i dopira površinu prednje strane 16 u n-tip. Na zadnjoj strani 14, fosfor takođe difundira u visoko dopirani silicijumski sloj tipa p 20. Proces difuzije u peći izvodi se na način da posle njega fosforsilikatno staklo 22 sadrži visok udeo fosfora. Koncentracija dopanta u visoko dopiranom silicijumskom sloju tipa p 20 i sloju prekurzora 22 odabrana je tako da s jedne strane nakon procesa difuzije u peći u visoko dopiranom silicijumskom sloju tipa p 20 koncentracija prvog dopanta bude veća od koncentracije drugog dopanta, te da s druge strane sloju prekurzora količina drugog dopanta bude veća od količine prvog dopanta u visoko dopiranom silicijumskom sloju tipa p 20. Na taj način se sprečava prekompenzacija prvog dopanta tokom procesa difuzije u peći. Visoko dopirani silicijumski sloj tipa p ostaje dopiran u tipu p. Međutim, za sledeći korak laserskog zračenjau fosforsilikatnom staklu 22 postoji dovoljno dopanta da se tokom laserskog zračenja prekompenzuje dopant prvog polariteta.
(0032) Postupak obuhvata korak laserskog zračenja zadnje strane 14 radi stvaranja lokalno visoko dopiranih baznih oblasti tipa n 26. Slika 2e prikazuje solarnu ćeliju 10 nakon što je zadnja strana 14 lokalno ozračena laserom. Fosforsilikatno staklo 22 služi kao izvor dopanta tokom laserskog zračenja za stvaranje lokalno visoko dopirane bazne površine tipa n u lokalno visoko dopiranim baznim oblastima tipa n 26. Energija laserskog zračenja topi fosforsilikatno staklo 22, visoko dopirani silicijumski sloj tipa p 20, tunelski sloj, odnosno silicijum-dioksid 18, kao i površinu zadnje strane 14, što rezultira stvaranjem lokalno visoko dopiranih baznih oblasti tipa n 26. Dopanti iz fosforsilikatnog stakla 22 i visoko silicijumskog sloja tipa p 20 difundiraju u silicijumsku rastopinu na površini zadnje strane 14. Nakon prestanka laserskog zračenja, rastopina se hladi i stvrdnjava. Obadva dopanta ostaju u silicijumu, pri čemu može doći do povećanja koncentracije jednog ili oba dopanta na površini. Zbog veće količine dopanta drugog polariteta u fosforsilikatnom staklu 22, koncentracija drugog dopanta u stvrdnutoj površini silicijuma značajno je veća od koncentracije prvog dopanta iz visoko dopiranog silicijumskog sloja tipa p 20, što putem prekompenzacije dovodi do lokalno visoke dopiranosti tipa n u lokalno visoko dopiranim baznim oblastima tipa n 26. Odgovarajućim odabirom parametara lasera, u lokalno visoko dopiranim baznim oblastima tipa n 26 takođe mogu da se generišu lokalno selektivno različito visoko dopirani segmenti silicijuma tipa n.
(0033) Kod solarnih ćelija sa pozadinskim kontaktima sa selektivnim kontaktima obadva polariteta može da dođe do visoke rekombinacije, ukoliko u kontakt dođu dva različito dopirana silicijumske sloja. Zbog toga proces uključuje korak selektivnog uklanjanja visoko dopiranog silicijumskog sloja 20 prvog polariteta i/ili sloja prekurzora 22.
(0034) Slika 2f prikazuje solarnu ćeliju 10 nakon što je uklonjen visoko dopirani silicijumski sloj tipa p 20 u ivičnim područjima 28 lokalno visoko dopiranih baznih oblasti tipa n 26. Uklanjanje silicijumskog sloja tipa p 20 u ivičnim područjima 28 može npr. da se izvrši laserskim zračenjem, hemijskim nagrizanjem ili kombinacijom obadva procesa. Takođe može da se koristi hemijski proces, kako bi se fosforsilikatno staklo 22 uklonilo sa visoko dopiranog silicijumskog sloja tipa p i prednje strane 16 solarne ćelije. Delimično nagrizanje nekoliko nanometara visoko dopiranog silicijumskog sloja tipa p 20 može da ukloni sloj silicijuma sa visokim sadržajem fosfora i ograniči povećanje otpora visoko dopiranog silicijumskog sloja tipa p 20 putem difuzije fosfora.
(0035) Slika 2g prikazuje solarnu ćeliju 10 nakon što je na površini prednje strane 16 i/ili zadnje strane 14 postavljen pasivirajući sloj 30, 32. Pasivirajući sloj 30, 32 može npr. da obuhvata termički rastvoreni silicijum dioksid, silicijum nitrid, aluminijum oksid ili kombinaciju dva ili više dielektričnih slojeva. Pri tome, debljina, indeks prelamanja i sastav pasivirajućeg sloja 30 na zadnjoj strani 14 mogu se razlikovati od debljine, indeksa prelamanja i sastava pasivirajućeg sloja 32 na prednjoj strani 16. Debljine, sastav i indeksi prelamanja pasivirajućih slojeva 30, 32 optimizuju se na način da se smanji refleksija na prednjoj strani 16, dok se povećava na zadnjoj strani 14.
(0036) Slika 2h prikazuje solarnu ćeliju 10 nakon što su elektrode 34, 36 postavljene na zadnju stranu 14 solarne ćelije 10. Postavljanje elektroda 34, 36 može npr. da se izvrši putem sito štampe, isparavanja, raspršivanja ili galvanske depozicije jednog ili više metala ili drugih provodnih slojeva. Elektrode 34, 36 mogu npr. da sadrže srebrnu pastu, pastu od srebra/aluminijuma, aluminijumsku pastu ili čist aluminijum, bakar, kalaj, paladijum, srebro, titan, nikl ili slojeve ili legure navedenih metala ili druge

Claims (10)

  1. provodne slojeve, posebno provodne polimere ili okside, ili kombinaciju takvih slojeva sa metalima. Sastav i proces depozicije elektroda 34, 36 mogu se razlikovati kod oba polariteta. Elektrode 34, 36 mogu pre svega tokom visokotemperaturnog koraka nakon sito štampe lokalno da prodru kroz pasivirajući sloj, te da u zavisnosti od polariteta elektroda dođu u kontakt ili sa visoko dopiranim silicijumskim slojem tipa p 20, ili sa lokalno visoko dopiranim baznim oblastima tipa n 26.
    (0037) Kao opcija, pre nanošenja elektroda 34, 36 može selektivno da se ukloni pasivirajući sloj, npr. laserskim zračenjem, tako da su elektrode u direktnom kontaktu sa silicijumskim slojem tipa p 20, ili lokalno visoko dopiranim baznim oblastima tipa n 26.
    Zahtevi vezani za patent
    1. Proces izrade solarne ćelije sa kontaktom na poleđini (10), gde supstrat poluprovodnika (12) solarne ćelije (10) obuhvata prvenstveno poliranu ili teksturisanu poleđinu (14), te prvenstveno teksturisanu prednju stranu (16), obuhvata sledeće korake: Nanošenje tunelskog sloja (18), prvenstveno sa silicijum dioksidom, na površinu poleđine (14), ili na površinu prednje strane (16) i površinu poleđine (14), kao i depoziciju prvenstveno visoko dopiranog silicijumskog sloja (20) prvog polariteta na tunelski sloj (18) na poleđini (14), što karakteriše to da postupak uključuje korak nanošenja sloja prekurzora (22), koji sadrži dopirajuću supstancu, prvenstveno fosfor, na visoko dopirani silicijumski sloj (20) prvog polariteta na poleđini (14), pri čemu se koncentracija dopirajućih supstanci u visoko dopiranom silicijumskom sloju (20) prvog polariteta i sloju prekurzora (22) se tako da je količina dopirajuće supstance drugog polariteta u sloju prekurzora (22) veća od količine dopirajuće supstance prvog polariteta u visoko dopiranom silicijumskom sloju (20) prvog polariteta, kao i da postupak obuhvata korak laserskog zračenja poleđine (14) radi stvaranja lokalno visoko dopiranih baznih oblasti (26), pri čemu dopirajuća supstanca drugog polariteta tokom laserskog zračenja kompenzuje dopirajuću supstancu prvog polariteta, te se tako putem prekompenzacije stvaraju lokalno visoko dopirane bazne oblasti (26).
  2. 2. Postupak prema zahtevu 1, koji karakteriše to da depozicija visoko dopiranog silicijumskog sloja (20) prvog polariteta uključuje depoziciju nedopiranog silicijuma, a zatim unošenje dopirajuće supstance.
  3. 3. Postupak prema barem jednom od zahteva 1 do 2, koji karakteriše to da uključuje korak uklanjanja tunelskog sloja (18), prvenstveno silicijum oksida, i/ili visoko dopiranog silicijumskog sloja (20) prvog polariteta sa prednje strane (16).
  4. 4. Postupak prema barem jednom od zahteva 1 do 3, koji karakteriše to da uključuje korak nanošenja sloja prekurzora (22), koji sadrži dopirajuću supstancu, prvenstveno fosfor, na visoko dopiranom silicijumskom sloju (20) prvog polariteta na prednjoj strani (16).
  5. 5. Postupak prema barem jednom od zahteva 1 do 4, koji karakteriše to da uključuje korak selektivnog uklanjanja visoko dopiranog silicijumskog sloja (20) prvog polariteta i/ili sloja prekurzora (22).
  6. 6. Postupak prema barem jednom od zahteva 1 do 5, koji karakteriše to da uključuje korak nanošenja pasivirajućeg sloja (30, 32) na površinu prednje strane (16) i/ili poleđine (14).
  7. 7. Postupak prema barem jednom od zahteva 1 do 6, koji karakteriše to da uključuje korak nanošenja elektroda (34, 36) na poleđini (14) solarne ćelije (10).
  8. 8. Postupak prema barem jednom od zahteva 6 do 7, koji karakteriše to da uključuje korak selektivnog uklanjanja pasivirajućeg sloja (30, 32).
  9. 9. Solarna ćelija sa kontaktima na poleđini (10), proizvedena u skladu s postupkom prema barem jednom od zahteva 1 do 8, uključujući solarne ćelije (10) koje sadrže poluprovodničku podlogu (12), prvenstveno silicijumski vafer, sa prednjom stranom (16) i poleđinom (14), pri čemu solarna ćelija (10) na poleđini obuhvata elektrode (30) prvog polariteta i elektrode (32) drugog polariteta, pri čemu se ispod elektroda (34) prvog polariteta nalazi tunelski sloj (18) i visoko dopirani silicijumski sloj (20), a elektrode (36) drugog polariteta su u direktnom električnom i mehaničkom kontaktu sa poluprovodničkom podlogom (12) u visoko dopiranim baznim oblastima (26), što karakteriše da visoko dopirane bazne oblasti (26) obuhvataju selektivno prekompensovane oblasti visoko dopiranog silicijumskog sloja (20).
  10. 10. Solarna ćelija prema zahtevu 9, koju karakteriše to da slabo dopirana oblast bez kontakta (28) razdvaja visoko dopirani silicijumski sloj (20) od bazne oblasti (26).
RS20240476A 2020-05-04 2021-03-22 Solarna ćelija sa pozadinskim kontaktom RS65453B1 (sr)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020111997.6A DE102020111997A1 (de) 2020-05-04 2020-05-04 Rückseitenkontaktierte Solarzelle
EP21715183.6A EP4147277B1 (de) 2020-05-04 2021-03-22 Rückseitenkontaktierte solarzelle
PCT/EP2021/057244 WO2021223932A1 (de) 2020-05-04 2021-03-22 Rückseitenkontaktierte solarzelle

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RS65453B1 true RS65453B1 (sr) 2024-05-31

Family

ID=75277996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RS20240476A RS65453B1 (sr) 2020-05-04 2021-03-22 Solarna ćelija sa pozadinskim kontaktom

Country Status (22)

Country Link
US (1) US20230223483A1 (sr)
EP (1) EP4147277B1 (sr)
JP (1) JP2023527958A (sr)
KR (1) KR20230005821A (sr)
AU (1) AU2021268445A1 (sr)
CA (1) CA3172110A1 (sr)
CY (1) CY1126788T1 (sr)
DE (1) DE102020111997A1 (sr)
DK (1) DK4147277T3 (sr)
ES (1) ES2975536T3 (sr)
FI (1) FI4147277T3 (sr)
HR (1) HRP20240565T1 (sr)
HU (1) HUE066766T2 (sr)
LT (1) LT4147277T (sr)
MX (1) MX2022013553A (sr)
PL (1) PL4147277T3 (sr)
PT (1) PT4147277T (sr)
RS (1) RS65453B1 (sr)
SA (1) SA522441154B1 (sr)
SI (1) SI4147277T1 (sr)
TW (1) TW202143497A (sr)
WO (1) WO2021223932A1 (sr)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8802486B2 (en) * 2011-04-25 2014-08-12 Sunpower Corporation Method of forming emitters for a back-contact solar cell
US10014425B2 (en) * 2012-09-28 2018-07-03 Sunpower Corporation Spacer formation in a solar cell using oxygen ion implantation
CN102856328B (zh) * 2012-10-10 2015-06-10 友达光电股份有限公司 太阳能电池及其制作方法
KR20140135881A (ko) * 2013-05-16 2014-11-27 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
DE102013220753A1 (de) * 2013-10-15 2015-04-16 SolarWorld Industries Thüringen GmbH Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
US9059341B1 (en) * 2014-01-23 2015-06-16 E I Du Pont De Nemours And Company Method for manufacturing an interdigitated back contact solar cell
KR101613846B1 (ko) * 2014-06-10 2016-04-20 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
US9537041B2 (en) * 2014-06-27 2017-01-03 Sunpower Corporation Emitters of a backside contact solar cell
WO2017047311A1 (ja) * 2015-09-18 2017-03-23 シャープ株式会社 光電変換素子及びその製造方法
NL2016382B1 (en) * 2016-03-07 2017-09-19 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Method for manufacturing a solar cell with doped polysilicon surface areas
CN110634964B (zh) 2019-09-26 2021-06-15 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种高效晶硅太阳电池及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102020111997A1 (de) 2021-11-04
PT4147277T (pt) 2024-03-05
LT4147277T (lt) 2024-05-10
AU2021268445A1 (en) 2022-10-13
SI4147277T1 (sl) 2024-07-31
EP4147277B1 (de) 2024-02-28
MX2022013553A (es) 2022-11-30
CY1126788T1 (el) 2026-02-25
FI4147277T3 (fi) 2024-04-19
WO2021223932A1 (de) 2021-11-11
TW202143497A (zh) 2021-11-16
HUE066766T2 (hu) 2024-09-28
US20230223483A1 (en) 2023-07-13
JP2023527958A (ja) 2023-07-03
SA522441154B1 (ar) 2023-11-05
CA3172110A1 (en) 2021-11-11
PL4147277T3 (pl) 2024-07-01
ES2975536T3 (es) 2024-07-08
DK4147277T3 (da) 2024-03-25
EP4147277A1 (de) 2023-03-15
KR20230005821A (ko) 2023-01-10
HRP20240565T1 (hr) 2024-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2021393000B2 (en) Back-contact solar cell, and production thereof
TWI845484B (zh) 具p-型導電性的指叉式背接觸式太陽能電池及其製造方法和光伏打模組
KR101384853B1 (ko) 광기전 태양 전지의 레이저 가공 방법
CN104882513A (zh) 通过局部激光辅助转变太阳能电池中的功能膜得到的局部金属接触
TW201210052A (en) Back junction solar cell with selective front surface field
JPH0520914B2 (sr)
JP2006523025A (ja) 太陽電池用金属コンタクト構造体及び製法
US9252300B2 (en) Method for backside-contacting a silicon solar cell, silicon solar cell and silicon solar module
WO2025214349A1 (zh) 太阳能电池的制备方法和太阳能电池
DE102010006315B4 (de) Verfahren zur lokalen Hochdotierung und Kontaktierung einer Halbleiterstruktur, welche eine Solarzelle oder eine Vorstufe einer Solarzelle ist
DE102011050089A1 (de) Verfahren zum Herstellen von elektrischen Kontakten an einer Solarzelle, Solarzelle und Verfahren zum Herstellen eines Rückseiten-Kontaktes einer Solarzelle
US20110284060A1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
CN111063760A (zh) 一种太阳能电池的制备工艺
RS65453B1 (sr) Solarna ćelija sa pozadinskim kontaktom
DE102011086302A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einer Oberfläche einer Halbleiterstruktur und photovoltaische Solarzelle
RU2815034C1 (ru) Контактирующий задней стороной солнечный элемент и изготовление такого элемента
KR101909821B1 (ko) 태양전지의 전극 제조방법
TW202429724A (zh) 具有鋁金屬化的背接觸式太陽電池及製造方法
KR100971747B1 (ko) 함몰전극형 태양전지 및 그 제조방법
KR101341831B1 (ko) 후면 전극 태양전지의 제조방법
KR20070009160A (ko) 함몰전극형 태양전지 및 그 제조방법