RU2010143337A - Способ текстурирования кремниевых поверхностей и пластины, полученные этим способом - Google Patents
Способ текстурирования кремниевых поверхностей и пластины, полученные этим способом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010143337A RU2010143337A RU2010143337/28A RU2010143337A RU2010143337A RU 2010143337 A RU2010143337 A RU 2010143337A RU 2010143337/28 A RU2010143337/28 A RU 2010143337/28A RU 2010143337 A RU2010143337 A RU 2010143337A RU 2010143337 A RU2010143337 A RU 2010143337A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- minutes
- range
- potential
- koh
- naoh
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/12—Etching of semiconducting materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
- H10F77/703—Surface textures, e.g. pyramid structures of the semiconductor bodies, e.g. textured active layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
1. Способ текстурирования кремниевых пластин, включающий: ! - погружение пластин в щелочной раствор с рН>10, и ! - приложение разности потенциалов между пластиной и платиновым электродом, ! причем ! - щелочной раствор представляет собой раствор КОН или NaOH с концентрацией КОН или NaOH приблизительно от 2 мас.% до приблизительно 40 мас.%, ! - температура ванны составляет приблизительно от 30°С до приблизительно 70°С, !- продолжительность поляризации составляет от 5 мин до приблизительно 30 мин, и ! - потенциал, прикладываемый между пластиной и платиновым противоэлектродом, изменяется импульсно от +20 В до +85 В. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что концентрация щелочи находится в интервале приблизительно от 10 мас.% до приблизительно 40 мас.%, а температура ванны - приблизительно от 30°С до приблизительно 50°С. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что концентрация щелочи находится в интервале от 2 мас.% до 10 мас.%, а температура ванны - в интервале от 30°С до 50°С. ! 4. Способ по п.2, отличающийся тем, что температура ванны находится в интервале от 50°С до точки кипения раствора КОН или NaOH. ! 5. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что пластины подвергают предварительному травлению в течение периода времени перед приложением потенциала путем погружения в щелочной раствор без приложения потенциала. !6. Способ по п.5, отличающийся тем, что период предварительного травления варьирует от 1-2 с до приблизительно 30 мин, предпочтительно приблизительно от 5 мин до 10 мин.
Claims (6)
1. Способ текстурирования кремниевых пластин, включающий:
- погружение пластин в щелочной раствор с рН>10, и
- приложение разности потенциалов между пластиной и платиновым электродом,
причем
- щелочной раствор представляет собой раствор КОН или NaOH с концентрацией КОН или NaOH приблизительно от 2 мас.% до приблизительно 40 мас.%,
- температура ванны составляет приблизительно от 30°С до приблизительно 70°С,
- продолжительность поляризации составляет от 5 мин до приблизительно 30 мин, и
- потенциал, прикладываемый между пластиной и платиновым противоэлектродом, изменяется импульсно от +20 В до +85 В.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что концентрация щелочи находится в интервале приблизительно от 10 мас.% до приблизительно 40 мас.%, а температура ванны - приблизительно от 30°С до приблизительно 50°С.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что концентрация щелочи находится в интервале от 2 мас.% до 10 мас.%, а температура ванны - в интервале от 30°С до 50°С.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что температура ванны находится в интервале от 50°С до точки кипения раствора КОН или NaOH.
5. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что пластины подвергают предварительному травлению в течение периода времени перед приложением потенциала путем погружения в щелочной раствор без приложения потенциала.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что период предварительного травления варьирует от 1-2 с до приблизительно 30 мин, предпочтительно приблизительно от 5 мин до 10 мин.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20081386 | 2008-03-14 | ||
| NO20081386A NO20081386L (no) | 2008-03-14 | 2008-03-14 | Method for texturing silicon surfaces and wafers thereof |
| PCT/NO2009/000092 WO2009113874A2 (en) | 2008-03-14 | 2009-03-12 | Method for texturing silicon surfaces and wafers thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010143337A true RU2010143337A (ru) | 2012-04-20 |
| RU2474008C2 RU2474008C2 (ru) | 2013-01-27 |
Family
ID=41065685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010143337/28A RU2474008C2 (ru) | 2008-03-14 | 2009-03-12 | Способ текстурирования кремниевых поверхностей |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8658544B2 (ru) |
| EP (1) | EP2266142A2 (ru) |
| JP (1) | JP5172975B2 (ru) |
| KR (1) | KR101300074B1 (ru) |
| CN (1) | CN102113123B (ru) |
| CA (1) | CA2718397C (ru) |
| NO (1) | NO20081386L (ru) |
| RU (1) | RU2474008C2 (ru) |
| WO (1) | WO2009113874A2 (ru) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120006790A1 (en) * | 2009-03-31 | 2012-01-12 | Kurita Water Industries Ltd. | Apparatus and method for treating etching solution |
| EP2463410B1 (en) * | 2010-12-13 | 2018-07-04 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Electrochemical etching of semiconductors |
| JP5909671B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2016-04-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池の製造方法及び半導体材料からなる基板の製造方法 |
| CN102730631B (zh) * | 2012-07-10 | 2015-05-20 | 西南交通大学 | 一种多点接触模式下的大面积硅表面织构化加工方法 |
| RU2600076C1 (ru) * | 2015-07-08 | 2016-10-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Способ получения светопоглощающей кремниевой структуры |
| CN111146313B (zh) * | 2019-03-08 | 2024-06-14 | 欧浦登（顺昌）光学有限公司 | 晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法及其应用 |
| CN111524985A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-08-11 | 中国科学院电工研究所 | 一种多晶硅片表面制绒的方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3078219A (en) * | 1958-11-03 | 1963-02-19 | Westinghouse Electric Corp | Surface treatment of silicon carbide |
| US5129982A (en) | 1991-03-15 | 1992-07-14 | General Motors Corporation | Selective electrochemical etching |
| KR950003953B1 (ko) * | 1992-08-14 | 1995-04-21 | 주식회사금성사 | 태양전지의 제조방법 |
| JPH0766437A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Tonen Corp | 光電変換装置用基板の製造方法 |
| US5445718A (en) | 1994-01-24 | 1995-08-29 | General Motors Corporation | Electrochemical etch-stop on n-type silicon by injecting holes from a shallow p-type layer |
| US5949118A (en) * | 1994-03-14 | 1999-09-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Etching method for silicon substrates and semiconductor sensor |
| KR100217006B1 (ko) * | 1995-10-17 | 1999-09-01 | 미따라이 하지메 | 에칭 방법, 이 에칭 방법을 사용한 반도체 소자의 제조 방법 및 이 에칭 방법의 실시에 적합한 장치 |
| US6284670B1 (en) * | 1997-07-23 | 2001-09-04 | Denso Corporation | Method of etching silicon wafer and silicon wafer |
| JP3602323B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2004-12-15 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| RU2139601C1 (ru) * | 1998-12-04 | 1999-10-10 | ООО Научно-производственная фирма "Кварк" | Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой |
| RU2210142C1 (ru) * | 2002-04-17 | 2003-08-10 | Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственный центр завода "Красное знамя" | Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой |
| US20050148198A1 (en) * | 2004-01-05 | 2005-07-07 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Texturing a semiconductor material using negative potential dissolution (NPD) |
| US7494936B2 (en) * | 2005-05-16 | 2009-02-24 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Method for electrochemical etching of semiconductor material using positive potential dissolution (PPD) in solutions free from hydrogen fluoride (HF) |
| ATE514193T1 (de) * | 2006-08-19 | 2011-07-15 | Univ Konstanz | Verfahren zum texturieren von siliziumwafern zur herstellung von solarzellen |
| CN101271775B (zh) * | 2008-04-30 | 2010-09-08 | 天津大学 | 一种铂合金电极及其制备方法 |
-
2008
- 2008-03-14 NO NO20081386A patent/NO20081386L/no not_active Application Discontinuation
-
2009
- 2009-03-12 EP EP09720505A patent/EP2266142A2/en not_active Withdrawn
- 2009-03-12 JP JP2010550624A patent/JP5172975B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-12 KR KR1020107022983A patent/KR101300074B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-12 RU RU2010143337/28A patent/RU2474008C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-03-12 CN CN200980117261.9A patent/CN102113123B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-12 CA CA2718397A patent/CA2718397C/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-12 WO PCT/NO2009/000092 patent/WO2009113874A2/en not_active Ceased
- 2009-03-12 US US12/922,349 patent/US8658544B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NO20081386L (no) | 2009-09-15 |
| JP5172975B2 (ja) | 2013-03-27 |
| CN102113123A (zh) | 2011-06-29 |
| WO2009113874A2 (en) | 2009-09-17 |
| US8658544B2 (en) | 2014-02-25 |
| JP2011515576A (ja) | 2011-05-19 |
| KR20100133434A (ko) | 2010-12-21 |
| RU2474008C2 (ru) | 2013-01-27 |
| KR101300074B1 (ko) | 2013-08-30 |
| WO2009113874A3 (en) | 2010-07-08 |
| CA2718397C (en) | 2015-11-24 |
| US20110059618A1 (en) | 2011-03-10 |
| EP2266142A2 (en) | 2010-12-29 |
| CN102113123B (zh) | 2014-06-18 |
| CA2718397A1 (en) | 2009-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010143337A (ru) | Способ текстурирования кремниевых поверхностей и пластины, полученные этим способом | |
| TR201902209T4 (tr) | Alüminyum alaşımından yapılmış parçalar için anodizasyon. | |
| ATE555235T1 (de) | Pd- und pd-ni-elektrolytbäder | |
| FR2917229B1 (fr) | Procede d'activation d'une electrode a base de diamant, electrode ainsi obtenue et ses utilisations. | |
| KR20140075454A (ko) | 플라즈마 전해산화를 이용한 마그네슘재 표면처리 방법, 이에 의해 형성된 마그네슘 양극산화피막 및 플라즈마 전해산화에 사용되는 마그네슘재 표면처리액 | |
| ES2540875T3 (es) | Método para remover una capa afectada por trabajo formada sobre la superficie de una aleación a base de TiAl mediante trabajo mecanizado | |
| TW200643606A (en) | Method for forming inorganic thin film pattern on polyimide resin | |
| RU2009135767A (ru) | Способ получения фотокаталических материалов | |
| MY159980A (en) | Manufacturing method of a glass substrate for a magnetic disk | |
| CN105648502B (zh) | 一种镁合金表面疏水复合膜层及其制备方法 | |
| SG140530A1 (en) | Alkaline etching solution for semiconductor wafer and alkaline etching method | |
| ES2542619T3 (es) | Pretratamiento de hojalata antes de un lacado | |
| RU2015146338A (ru) | Способ электролитно-плазменной обработки изделий, изготовленных с применением аддитивных технологий и устройство для его осуществления | |
| ES2422175T3 (es) | Procedimiento para producir superficies eléctricamente conductoras | |
| RU2010101527A (ru) | Способ электроконтактноэрозионнохимической обработки | |
| MX2019014863A (es) | Metodo para lavar articulo duro. | |
| CN101603173A (zh) | 交变电场作用下镁合金的锡酸盐化学转化处理方法 | |
| RU2013101201A (ru) | Электролит и способ электрохимического осаждения иридия на арсенид галлия | |
| RU2013156640A (ru) | Способ электролитно-плазменного удаления полимерных покрытий с поверхности детали из легированных сталей | |
| CN101539497B (zh) | 一种用于金属试样低倍检验的热酸电解腐蚀法 | |
| ATE462440T1 (de) | Leinsamenextrakt zur behandlung von xerostomie | |
| RU2009124736A (ru) | Способ обработки подложек в жидкостном травителе | |
| RU2534444C2 (ru) | Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин | |
| WO2018136337A3 (en) | Pretreatment of diaphragms used in electrochemical processes | |
| JP2009130067A (ja) | 電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180313 |