RU2012107130A - Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности - Google Patents

Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности Download PDF

Info

Publication number
RU2012107130A
RU2012107130A RU2012107130/02A RU2012107130A RU2012107130A RU 2012107130 A RU2012107130 A RU 2012107130A RU 2012107130/02 A RU2012107130/02 A RU 2012107130/02A RU 2012107130 A RU2012107130 A RU 2012107130A RU 2012107130 A RU2012107130 A RU 2012107130A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
composition according
composition
integer
alkylene oxide
derivatives
Prior art date
Application number
RU2012107130/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2539895C2 (ru
Inventor
Корнелиа РЕГЕР-ГЕПФЕРТ
Роман Бенедикт РЭТЕР
Дитер Майер
Александра ХААГ
Шарлотте ЭМНЕТ
Original Assignee
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се filed Critical Басф Се
Publication of RU2012107130A publication Critical patent/RU2012107130A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2539895C2 publication Critical patent/RU2539895C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/46—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/46—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
    • H10P14/47—Electrolytic deposition, i.e. electroplating; Electroless plating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
    • H10W20/056—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by filling conductive material into holes, grooves or trenches
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C25D3/40—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper from cyanide baths, e.g. with Cu+

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polyethers (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

1. Композиция, содержащая по меньшей мере один источник меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакцииa) многоатомного спирта, содержащего по меньшей мере 5 гидроксильных функциональных групп,сb) по меньшей мере первым алкиленоксидом и вторым алкиленоксидом из смеси первого алкиленоксида и второго алкиленоксида.2. Композиция по п.1, где многоатомный спирт выбирается из соединений формулы Iгдеm представляет собой целое число от 5 до 10,Х представляет собой m-валентный линейный или разветвленный алифатический или циклоалифатический радикал, имеющий от 5 до 10 атомов углерода, который может быть замещенным или незамещенным.3. Композиция по п.1, где многоатомными спиртами являются линейные или циклические спирты, дающие при окислении моносахариды, представленные формулой (II) или (III)гдеn представляет собой целое число от 3 до 8, ио представляет собой целое число от 5 до 10.4. Композиция по п.3, где спирт, дающий при окислении моносахарид, выбирается из сорбита, маннита, ксилита, рибита и инозитола, и их производных.5. Композиция по п.1, где многоатомными спиртами являются моносахариды формулы (IV) или (V)и их производные,гдер представляет собой целое число от 4 до 5, иq, r представляют собой целые числа, и q+r равно 3 или 4.6. Композиция по п.5, где моносахарид выбирается из альдоз аллозы, альтрозы, галактозы, глюкозы, гулозы, идозы, маннозы, талозы, глюкогептозы, манногептозы или кетоз фруктозы, псикозы, сорбозы, тагатозы, манногептулозы, седогептулозы, талогептулозы, аллогептулозы, и их производных.7. Композиция по п.1, где добавкой является случайный сополимер этиленоксида и пропиленоксида.8. Композиция по п.1, где содержание едини

Claims (15)

1. Композиция, содержащая по меньшей мере один источник меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакции
a) многоатомного спирта, содержащего по меньшей мере 5 гидроксильных функциональных групп,
с
b) по меньшей мере первым алкиленоксидом и вторым алкиленоксидом из смеси первого алкиленоксида и второго алкиленоксида.
2. Композиция по п.1, где многоатомный спирт выбирается из соединений формулы I
Figure 00000001
где
m представляет собой целое число от 5 до 10,
Х представляет собой m-валентный линейный или разветвленный алифатический или циклоалифатический радикал, имеющий от 5 до 10 атомов углерода, который может быть замещенным или незамещенным.
3. Композиция по п.1, где многоатомными спиртами являются линейные или циклические спирты, дающие при окислении моносахариды, представленные формулой (II) или (III)
Figure 00000002
Figure 00000003
где
n представляет собой целое число от 3 до 8, и
о представляет собой целое число от 5 до 10.
4. Композиция по п.3, где спирт, дающий при окислении моносахарид, выбирается из сорбита, маннита, ксилита, рибита и инозитола, и их производных.
5. Композиция по п.1, где многоатомными спиртами являются моносахариды формулы (IV) или (V)
Figure 00000004
Figure 00000005
и их производные,
где
р представляет собой целое число от 4 до 5, и
q, r представляют собой целые числа, и q+r равно 3 или 4.
6. Композиция по п.5, где моносахарид выбирается из альдоз аллозы, альтрозы, галактозы, глюкозы, гулозы, идозы, маннозы, талозы, глюкогептозы, манногептозы или кетоз фруктозы, псикозы, сорбозы, тагатозы, манногептулозы, седогептулозы, талогептулозы, аллогептулозы, и их производных.
7. Композиция по п.1, где добавкой является случайный сополимер этиленоксида и пропиленоксида.
8. Композиция по п.1, где содержание единиц первого оксиалкилена в добавке составляет от 20 до 50 мас.%, предпочтительно от 25 до 40 мас.%.
9. Композиция по п.1, где молекулярная масса Mw добавки составляет от 3000 до 10000 г/моль, предпочтительно от 4000 до 8000 г/моль.
10. Композиция по любому из пп.1-9, дополнительно содержащая один или более ускоряющих агентов.
11. Композиция по любому из пп.1-9, дополнительно содержащая один или более выравнивающих агентов.
12. Применение электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из пп.1-11, в целях осаждения металла на подложки, содержащие элементы поверхности, имеющие размер отверстия 30 нанометров или менее.
13. Способ осаждения металлического слоя на подложку путем:
a) контакта электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из пп.1-11, с подложкой, и
b) создания плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложку.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что подложка содержит элементы поверхности субмикрометрового размера, и осаждение осуществляется с заполнением элементов поверхности микрометрового или субмикрометрового размера.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что элементы поверхности субмикрометрового размера имеют размер отверстия от 1 до 30 нм и/или коэффициент пропорциональности 4 или более.
RU2012107130/02A 2009-07-30 2010-07-19 Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности RU2539895C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US22980909P 2009-07-30 2009-07-30
US61/229,809 2009-07-30
PCT/EP2010/060375 WO2011012475A1 (en) 2009-07-30 2010-07-19 Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012107130A true RU2012107130A (ru) 2013-09-10
RU2539895C2 RU2539895C2 (ru) 2015-01-27

Family

ID=42733749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012107130/02A RU2539895C2 (ru) 2009-07-30 2010-07-19 Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности

Country Status (11)

Country Link
US (1) US9617647B2 (ru)
EP (1) EP2459779B1 (ru)
JP (2) JP5775077B2 (ru)
KR (1) KR101738708B1 (ru)
CN (1) CN102471910B (ru)
IL (1) IL217234A (ru)
MY (1) MY160150A (ru)
RU (1) RU2539895C2 (ru)
SG (2) SG10201404301WA (ru)
TW (1) TWI515341B (ru)
WO (1) WO2011012475A1 (ru)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2655457B1 (en) 2010-12-21 2019-04-10 Basf Se Composition for metal electroplating comprising leveling agent
RU2013158459A (ru) 2011-06-01 2015-07-20 Басф Се Композиция для электроосаждения металла, содержащая добавку для заполнения снизу вверх переходных отверстий в кремнии и межсоединительных элементов
EP2530102A1 (en) 2011-06-01 2012-12-05 Basf Se Additive and composition for metal electroplating comprising an additive for bottom-up filling of though silicon vias
US20130133243A1 (en) 2011-06-28 2013-05-30 Basf Se Quaternized nitrogen compounds and use thereof as additives in fuels and lubricants
JP6411354B2 (ja) 2012-11-09 2018-10-24 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se 平坦化剤を含む金属電気めっきのための組成物
EP3141633B1 (en) 2015-09-10 2018-05-02 ATOTECH Deutschland GmbH Copper plating bath composition
KR102457310B1 (ko) * 2016-12-20 2022-10-20 바스프 에스이 무-보이드 충전을 위한 억제 작용제를 포함하는 금속 도금용 조성물
CN107604414B (zh) * 2017-08-22 2020-03-24 珠海市奥美伦精细化工有限公司 一种铝及铝合金阳极氧化高温无镍封闭剂
EP3679179B1 (en) 2017-09-04 2023-10-11 Basf Se Composition for metal electroplating comprising leveling agent
CN120776404A (zh) * 2017-11-20 2025-10-14 巴斯夫欧洲公司 用于电镀钴的包含流平剂的组合物
ES2881029T3 (es) * 2018-01-09 2021-11-26 Atotech Deutschland Gmbh Aditivo de ureileno, su uso y un método para su preparación
WO2021058334A1 (en) 2019-09-27 2021-04-01 Basf Se Composition for copper bump electrodeposition comprising a leveling agent
EP4034697A1 (en) 2019-09-27 2022-08-03 Basf Se Composition for copper bump electrodeposition comprising a leveling agent
IL296980A (en) 2020-04-03 2022-12-01 Basf Se The composition for electrodeposition of copper bumps containing a polyaminoamide compensator
EP3922662A1 (en) 2020-06-10 2021-12-15 Basf Se Polyalkanolamine
JP7781850B2 (ja) 2020-07-13 2025-12-08 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア コバルトシード上の銅電気メッキ用組成物
EP4409058B1 (en) 2021-10-01 2025-11-05 Basf Se Composition for copper electrodeposition comprising a polyaminoamide type leveling agent
EP4551742A1 (en) 2022-07-07 2025-05-14 Basf Se Use of a composition comprising a polyaminoamide type compound for copper nanotwin electrodeposition
KR20250124348A (ko) 2022-12-19 2025-08-19 바스프 에스이 구리 나노트윈 전착용 조성물
CN116284745B (zh) * 2023-02-21 2026-06-30 深圳市励高表面处理材料有限公司 一种半导体镀铜填孔剂及其制备方法与应用
KR20260046113A (ko) 2023-08-03 2026-04-06 바스프 에스이 금속 시드 상의 구리 전기도금을 위한 조성물
WO2026003954A1 (ja) * 2024-06-25 2026-01-02 Ykk株式会社 硫酸銅めっき液
JP7787368B1 (ja) * 2024-06-25 2025-12-16 Ykk株式会社 硫酸銅めっき液
WO2026037751A1 (en) 2024-08-16 2026-02-19 Basf Se Composition for metal electroplating comprising an additive for defect-free filling of features on electronic substrates

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB602591A (en) * 1945-02-12 1948-05-31 Du Pont Improvements in or relating to the electro-deposition of metals
GB1221688A (en) * 1968-03-09 1971-02-03 Geigy Uk Ltd Tin electroplating bath and process
GB2064585B (en) * 1979-11-19 1983-11-09 Enthone Acid zinc electro plating solutions and methods utilizing ethoxylated/propoxylated polyhydric alcohols
US4505839A (en) 1981-05-18 1985-03-19 Petrolite Corporation Polyalkanolamines
SU1035097A1 (ru) * 1981-07-20 1983-08-15 Днепропетровский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.300-Летия Воссоединения Украины С Россией Электролит меднени
US4430490A (en) * 1982-08-10 1984-02-07 Ppg Industries, Inc. Polyether polyols and their method of preparation
JPS59182986A (ja) * 1983-04-01 1984-10-17 Keigo Obata スズ、鉛及びすず−鉛合金メツキ浴
JPS62182295A (ja) * 1985-08-07 1987-08-10 Daiwa Tokushu Kk 銅メツキ浴組成物
DE4003243A1 (de) 1990-02-03 1991-08-08 Basf Ag Verwendung von trialkanolaminpolyethern als demulgatoren von oel-in-wasser-emulsionen
JPH0641581A (ja) * 1992-07-23 1994-02-15 Seiko Epson Corp コンタクトレンズ用親水性洗浄剤
JP3244866B2 (ja) * 1993-05-25 2002-01-07 株式会社大和化成研究所 すず−鉛合金めっき浴
EP1197587B1 (en) 2000-10-13 2006-09-20 Shipley Co. L.L.C. Seed layer repair and electroplating bath
US6776893B1 (en) 2000-11-20 2004-08-17 Enthone Inc. Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect
EP1422320A1 (en) * 2002-11-21 2004-05-26 Shipley Company, L.L.C. Copper electroplating bath
WO2004050559A1 (ja) 2002-12-03 2004-06-17 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha 酸化銅超微粒子
US20050133376A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Opaskar Vincent C. Alkaline zinc-nickel alloy plating compositions, processes and articles therefrom
US20050199507A1 (en) * 2004-03-09 2005-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical structures and compositions of ECP additives to reduce pit defects
EP1819848A1 (en) * 2004-11-29 2007-08-22 Technic, Incorporated Near neutral ph tin electroplating solution
US20060213780A1 (en) 2005-03-24 2006-09-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Electroplating composition and method
RU2282682C1 (ru) * 2005-04-28 2006-08-27 Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева Электролит и способ меднения
US20070178697A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-02 Enthone Inc. Copper electrodeposition in microelectronics
JP2008266722A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Ebara Udylite Kk パルス銅めっき浴用添加剤およびこれを用いたパルス銅めっき浴
WO2011012462A2 (en) * 2009-07-30 2011-02-03 Basf Se Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Also Published As

Publication number Publication date
SG10201404301WA (en) 2014-09-26
RU2539895C2 (ru) 2015-01-27
TWI515341B (zh) 2016-01-01
JP5775077B2 (ja) 2015-09-09
IL217234A (en) 2016-05-31
SG177418A1 (en) 2012-02-28
US20120118750A1 (en) 2012-05-17
US9617647B2 (en) 2017-04-11
IL217234A0 (en) 2012-02-29
MY160150A (en) 2017-02-28
WO2011012475A1 (en) 2011-02-03
TW201111558A (en) 2011-04-01
CN102471910B (zh) 2016-01-20
JP6117284B2 (ja) 2017-04-19
EP2459779A1 (en) 2012-06-06
KR101738708B1 (ko) 2017-05-22
CN102471910A (zh) 2012-05-23
KR20120049237A (ko) 2012-05-16
JP2013500395A (ja) 2013-01-07
JP2016029210A (ja) 2016-03-03
EP2459779B1 (en) 2015-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013500395A5 (ru)
RU2539895C2 (ru) Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности
WO2007130710B1 (en) Copper electrodeposition in microelectronics
US9683302B2 (en) Composition for metal electroplating comprising leveling agent
KR20150082541A (ko) 레벨링제를 포함하는 금속 전기도금용 조성물
US20200340132A1 (en) Metal or metal alloy deposition composition and plating compound
JP6661128B2 (ja) 複合微粒子及び分散液並びにそれらの製造方法及び用途
SE502525C2 (sv) Användning av alkylglykosid som tensid vid rengöring av hårda ytor samt komposition för detta ändamål
JP2008266722A (ja) パルス銅めっき浴用添加剤およびこれを用いたパルス銅めっき浴
US20160281251A1 (en) Electrodeposition of Copper
US3475186A (en) Electroless copper plating
TWI707989B (zh) 電鍍銅浴
US11512394B2 (en) Electroless gold plating bath
EP2392692A1 (en) Composition for metal electroplating comprising leveling agent
WO2005098088A1 (ja) 無電解金めっき液
CN115812089B (zh) 导电性油墨
JP7457537B2 (ja) 無電解金めっき用組成物
JP2005508392A5 (ru)
CN101080512A (zh) 自催化无电工艺的稳定和性能
EP4074867A1 (en) Alkaline zinc-iron plating bath
EP3190209B1 (en) 1-acylguanidine compounds and the use of said compounds in electroless deposition of nickel and nickel alloy coatings
EP4638837A1 (en) A composition for copper nanotwin electrodeposition
RU2020119175A (ru) Гликозидные производные трепростинила
Wang Bottom-up filling in electroless plating with an addition of JGB-RPE
Wang et al. Bottom-Up Filling in Electroless Plating with an Addition of Janus Green B and Triblock copolymers PEP-3100

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170720