RU2012108891A - Лазерная диодная сборка и способ управления лазерной диодной сборкой - Google Patents

Лазерная диодная сборка и способ управления лазерной диодной сборкой Download PDF

Info

Publication number
RU2012108891A
RU2012108891A RU2012108891/28A RU2012108891A RU2012108891A RU 2012108891 A RU2012108891 A RU 2012108891A RU 2012108891/28 A RU2012108891/28 A RU 2012108891/28A RU 2012108891 A RU2012108891 A RU 2012108891A RU 2012108891 A RU2012108891 A RU 2012108891A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor compound
electrode
laser diode
section
layer
Prior art date
Application number
RU2012108891/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Томоюки ОКИ
Масару КУРАМОТО
Ринтаро КОДА
Хидэки ВАТАНАБЭ
Хироюки ЁКОЯМА
Original Assignee
Сони Корпорейшн
Тохоку Юниверсити
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сони Корпорейшн, Тохоку Юниверсити filed Critical Сони Корпорейшн
Publication of RU2012108891A publication Critical patent/RU2012108891A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0601—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region
    • H01S5/0602—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region which is an umpumped part of the active layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/16—Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
    • H01S2301/166—Single transverse or lateral mode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
    • H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
    • H01S5/1085—Oblique facets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
    • H01S5/3063—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping using Mg
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

1. Лазерная диодная сборка, содержащая:лазерный диод; иотражатель света,при этом лазерный диод включает в себя(a) тело кристалла многослойной структуры, сформированное путем наслоения в следующем порядке: первый слой полупроводникового соединения первого типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, третий слой полупроводникового соединения, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN и включающий область испускания света, и второй слой полупроводникового соединения второго типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, при этом второй тип проводимости отличается от первого типа проводимости,(b) второй электрод, сформированный на втором слое полупроводникового соединения, и(c) первый электрод, электрически соединенный с первым слоем полупроводникового соединения,причем тело кристалла многослойной структуры включает в себя гребневую полосовую структуру,лазерный свет излучается с первой торцевой поверхности гребневой полосовой структуры, и часть лазерного света отражается отражателем обратно в лазерный диод, а оставшаяся часть лазерного света выходит наружу через отражатель света,лазерный свет отражается второй торцевой поверхностью гребневой полосовой структуры,минимальная ширина Wи максимальная ширина Wгребневой полосовой структуры удовлетворяют условию 1<W/W<3,3 или 6≤W/W≤13,3.2. Лазерная диодная сборка, включающая:лазерный диод; иотражатель света,при этом лазерный диод включает в себя(а) тело многослойной структуры, получаемое путем наслоения в следующем порядке: первый слой полупроводникового соединения первого типа пр

Claims (16)

1. Лазерная диодная сборка, содержащая:
лазерный диод; и
отражатель света,
при этом лазерный диод включает в себя
(a) тело кристалла многослойной структуры, сформированное путем наслоения в следующем порядке: первый слой полупроводникового соединения первого типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, третий слой полупроводникового соединения, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN и включающий область испускания света, и второй слой полупроводникового соединения второго типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, при этом второй тип проводимости отличается от первого типа проводимости,
(b) второй электрод, сформированный на втором слое полупроводникового соединения, и
(c) первый электрод, электрически соединенный с первым слоем полупроводникового соединения,
причем тело кристалла многослойной структуры включает в себя гребневую полосовую структуру,
лазерный свет излучается с первой торцевой поверхности гребневой полосовой структуры, и часть лазерного света отражается отражателем обратно в лазерный диод, а оставшаяся часть лазерного света выходит наружу через отражатель света,
лазерный свет отражается второй торцевой поверхностью гребневой полосовой структуры,
минимальная ширина Wmin и максимальная ширина Wmax гребневой полосовой структуры удовлетворяют условию 1<Wmax/Wmin<3,3 или 6≤Wmax/Wmin≤13,3.
2. Лазерная диодная сборка, включающая:
лазерный диод; и
отражатель света,
при этом лазерный диод включает в себя
(а) тело многослойной структуры, получаемое путем наслоения в следующем порядке: первый слой полупроводникового соединения первого типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, третий слой полупроводникового соединения, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN и включающий область испускания света, и второй слой полупроводникового соединения второго типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, при этом второй тип проводимости отличается от первого типа проводимости,
(b) второй электрод, сформированный на втором слое полупроводникового соединения, и
(c) первый электрод, электрически соединенный с первым слоем полупроводникового соединения,
причем тело кристалла многослойной структуры включает в себя гребневую полосовую структуру,
лазерный свет излучается с первой торцевой поверхности гребневой полосовой структуры, и лазерный свет отражается отражателем обратно в лазерный диод,
часть лазерного света выходит наружу из второй торцевой поверхности гребневой полосовой структуры, и
минимальная ширина Wmin и максимальная ширина Wmax гребневой полосовой структуры удовлетворяют условию 1<Wmax/Wmin<3,3 или 6≤Wmax/Wmin≤13,3.
3. Лазерная диодная сборка, содержащая:
лазерный диод и
внешний резонатор,
при этом лазерный диод включает в себя
(a) тело кристалла многослойной структуры, сформированное путем наслоения в следующем порядке: первый слой полупроводникового соединения первого типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, третий слой полупроводникового соединения, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN и включающий в себя область испускания света, и второй слой полупроводникового соединения второго типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, второй тип проводимости отличается от первого типа проводимости,
(b) второй электрод, сформированный на втором слое полупроводникового соединения, и
(c) первый электрод, электрически соединенный с первым слоем полупроводникового соединения,
причем тело кристалла многослойной структуры включает в себя гребневую полосовую структуру,
лазерный свет излучается с первой торцевой поверхности гребневой полосовой структуры, и лазерный свет отражается внешним резонатором обратно в лазерный диод,
лазерный свет, излученный с первой торцевой поверхности или со второй торцевой поверхности гребневой полосовой структуры, выходит наружу, и
минимальная ширина Wmin и максимальная ширина Wmax гребневой полосовой структуры удовлетворяют условию 1<Wmax/Wmin<3,3 или 6≤Wmax/Wmin≤13,3.
4. Лазерная диодная сборка по п.1, в которой
отражатель света выполнен в виде зеркала, чирпированного зеркала, объемной решетки Брэгга или волоконной решетки Брэгга.
5. Лазерная диодная сборка по п.1, в которой
лазерный свет выходит наружу в виде одномодового света.
6. Лазерная диодная сборка по п.1, в которой
удовлетворяется соотношение 1·10-6 м≤Wmin≤3·10-6 м.
7. Лазерная диодная сборка по п.1, в которой
третий слой полупроводникового соединения дополнительно включает в себя область насыщаемого поглощения,
второй электрод имеет первую секцию и вторую секцию, первая секция выполнена с возможностью создавать состояние смещения в прямом направлении путем пропускания тока к первому электроду через область испускания света, вторая секция выполнена с возможностью приложения электрического поля к области насыщаемого поглощения,
причем первая секция и вторая секция второго электрода разделены разделительным пазом.
8. Лазерная диодная сборка по п.7, в которой
область насыщаемого поглощения находится в части тела кристалла многослойной структуры, указанная часть расположена ближе к торцевой поверхности, противоположной торцевой поверхности, из которой лазерный свет выходит наружу.
9. Лазерная диодная сборка по п.7, в которой
лазерный свет, выходящий наружу, является импульсным лазерным светом.
10. Лазерная диодная сборка по п.9, в которой
область насыщаемого поглощения находится в части тела кристалла многослойной структуры, причем указанная часть расположена ближе к торцевой поверхности, противоположной торцевой поверхности, из которой лазерный свет выходит наружу.
11. Лазерная диодная сборка по п.1, в которой
лазерный свет, выходящий наружу, является непрерывным лазерным светом.
12. Лазерная диодная сборка по п.1, в которой
интенсивность Eout лазерного света, излучаемого лазерной диодной сборкой, удовлетворяет условию Eout/Е0>1,5, где интенсивность лазерного света, выходящего наружу при условии, что Wmin=Wmax, равна Е0.
13. Способ управления лазерной диодной сборкой, содержащей лазерный диод и отражатель света, причем лазерный диод включает в себя
(a) тело кристалла многослойной структуры, сформированное путем наслоения в следующем порядке: первый слой полупроводникового соединения первого типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, третий слой полупроводникового соединения, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN и включающий в себя область испускания света, и второй слой полупроводникового соединения второго типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, второй тип проводимости отличается от первого типа проводимости,
(b) второй электрод, сформированный на втором слое полупроводникового соединения, и
(c) первый электрод, электрически соединенный с первым слоем полупроводникового соединения,
третий слой полупроводникового соединения дополнительно включает область насыщаемого поглощения,
при этом второй электрод содержит первую секцию и вторую секцию, первая секция выполнена с возможностью создания состояния смещения в прямом направлении путем пропускания тока к первому электроду через область испускания света, вторая секция выполнена с возможностью приложения электрического поля к области насыщаемого поглощения,
первая секция и вторая секция второго электрода разделены разделительным пазом,
причем тело кристалла многослойной структуры включает в себя гребневую полосовую структуру,
лазерный свет излучается из первой торцевой поверхности гребневой полосовой структуры, и часть лазерного света отражается отражателем света обратно в лазерный диод, а оставшаяся часть лазерного света выходит наружу через отражатель света,
лазерный свет отражается второй торцевой поверхностью гребневой полосовой структуры,
минимальная ширина Wmin и максимальная ширина Wmax гребневой полосовой структуры удовлетворяют условию 1<Wmax/Wmin<3,3 или 6≤Wmax/Wmin≤13,3,
способ включает:
пропускание тока к первому электроду через первую секцию второго электрода и область испускания света, пропускание тока ко второй секции второго электрода через первый электрод и область насыщаемого поглощения, тем самым создавая условия для импульсной генерации; и
пропускание тока к первому электроду через первую секцию второго электрода и область испускания света, пропускание тока к первому электроду через вторую секцию второго электрода и область испускания света, или не пропускание тока к первому электроду через вторую секцию второго электрода и область испускания света, тем самым создавая условия для непрерывной генерации.
14. Способ управления лазерной диодной сборкой, содержащей лазерный диод и отражатель света, при этом лазерный диод включает в себя
(a) тело кристалла многослойной структуры, сформированное путем наслоения в следующем порядке: первый слой полупроводникового соединения первого типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, третий слой полупроводникового соединения, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN и включающий в себя область испускания света, и второй слой полупроводникового соединения второго типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, второй тип проводимости отличается от первого типа проводимости,
(b) второй электрод, сформированный на втором слое полупроводникового соединения, и
(c) первый электрод, электрически соединенный с первым слоем полупроводникового соединения,
третий слой полупроводникового соединения дополнительно включает область насыщаемого поглощения,
при этом второй электрод содержит первую секцию и вторую секцию, первая секция выполнена с возможностью создания состояния смещения в прямом направлении путем пропускания тока к первому электроду через область испускания света, вторая секция выполнена с возможностью приложения электрического поля к области насыщаемого поглощения,
первая секция и вторая секция второго электрода разделены разделительным пазом,
причем тело кристалла многослойной структуры включает в себя гребневую полосовую структуру,
лазерный свет излучается из первой торцевой поверхности гребневой полосовой структуры, и лазерный свет отражается отражателем света обратно в лазерный диод,
часть лазерного света выходит наружу из второй торцевой поверхности гребневой полосовой структуры,
минимальная ширина Wmin и максимальная ширина Wmax гребневой полосовой структуры удовлетворяют условию 1<Wmax/Wmin<3,3 или 6≤Wmax/Wmin≤13,3,
способ включает:
пропускание тока к первому электроду через первую секцию второго электрода и область испускания света, пропускание тока ко второй секции второго электрода через первый электрод и область насыщаемого поглощения, тем самым создавая условия для импульсной генерации; и
пропускание тока к первому электроду через первую секцию второго электрода и область испускания света, пропускание тока к первому электроду через вторую секцию второго электрода и область испускания света, или не пропускание тока к первому электроду через вторую секцию второго электрода и область испускания света, тем самым создавая условия для непрерывной генерации.
15. Способ управления лазерной диодной сборкой, содержащей лазерный диод и внешний резонатор, причем лазерный диод включает в себя
(a) тело кристалла многослойной структуры, сформированнное путем наслоения в следующем порядке: первый слой полупроводникового соединения первого типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, третий слой полупроводникового соединения, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN и включающий в себя область испускания света, и второй слой полупроводникового соединения второго типа проводимости, выполненный из полупроводникового соединения на основе GaN, второй тип проводимости отличается от первого типа проводимости,
(b) второй электрод, сформированный на втором слое полупроводникового соединения, и
(c) первый электрод, электрически соединенный с первым слоем полупроводникового соединения,
третий слой полупроводникового соединения дополнительно включает область насыщаемого поглощения,
при этом второй электрод содержит первую секцию и вторую секцию, первая секция выполнена с возможностью создания состояния смещения в прямом направлении путем пропускания тока к первому электроду через область испускания света, вторая секция выполнена с возможностью приложения электрического поля к области насыщаемого поглощения,
первая секция и вторая секция второго электрода разделены разделительным пазом,
причем тело кристалла многослойной структуры включает в себя гребневую полосовую структуру,
лазерный свет излучается из первой торцевой поверхности гребневой полосовой структуры, и лазерный свет отражается внешним резонатором обратно в лазерный диод,
лазерный свет, излучаемый из первой торцевой поверхности или второй торцевой поверхности гребневой полосовой структуры, выходит наружу,
минимальная ширина Wmin и максимальная ширина Wmax гребневой полосовой структуры удовлетворяют условию 1<Wmax/Wmin<3,3 или 6≤Wmax/Wmin≤13,3,
способ включает:
пропускание тока к первому электроду через первую секцию второго электрода и область испускания света, пропускание тока ко второй секции второго электрода через первый электрод и область насыщаемого поглощения, тем самым создавая условия для импульсной генерации; и
пропускание тока к первому электроду через первую секцию второго электрода и область испускания света, пропускание тока к первому электроду через вторую секцию второго электрода и область испускания света, или не пропускание тока к первому электроду через вторую секцию второго электрода и область испускания света, тем самым создавая условия для непрерывной генерации.
16. Способ управления лазерной диодной сборкой по п.13, в котором
область насыщаемого поглощения находится в части тела кристалла многослойной структуры, причем указанная часть расположена ближе к торцевой поверхности, противоположной торцевой поверхности, из которой лазерный свет выходит наружу.
RU2012108891/28A 2011-03-17 2012-03-07 Лазерная диодная сборка и способ управления лазерной диодной сборкой RU2012108891A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-058899 2011-03-17
JP2011058899A JP5743624B2 (ja) 2011-03-17 2011-03-17 半導体レーザ素子組立体及びその駆動方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012108891A true RU2012108891A (ru) 2013-09-20

Family

ID=46815623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012108891/28A RU2012108891A (ru) 2011-03-17 2012-03-07 Лазерная диодная сборка и способ управления лазерной диодной сборкой

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8483256B2 (ru)
JP (1) JP5743624B2 (ru)
KR (1) KR20120106571A (ru)
CN (1) CN102684067B (ru)
RU (1) RU2012108891A (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010027935A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Sony Corp 半導体レーザ、光ディスク装置および光ピックアップ
JP2011187580A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Sony Corp 自励発振型半導体レーザ素子及びその駆動方法
JP5138023B2 (ja) * 2010-12-08 2013-02-06 ソニー株式会社 半導体レーザ素子
JP2014165328A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Sony Corp 半導体発光素子及び表示装置
CN103887704B (zh) * 2014-03-27 2016-06-01 北京牡丹电子集团有限责任公司 一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉及其制作方法
CN104966984A (zh) * 2015-06-29 2015-10-07 中国科学院半导体研究所 锁模光子晶体半导体激光直接倍频产生短波长激光装置
CN106329310A (zh) * 2016-11-15 2017-01-11 中国科学院福建物质结构研究所 一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器
US11837838B1 (en) * 2020-01-31 2023-12-05 Freedom Photonics Llc Laser having tapered region
WO2022261511A1 (en) 2021-06-10 2022-12-15 Freedom Photonics Llc Designs for lateral current control in optical amplifiers and lasers
CN114975725B (zh) * 2022-06-02 2025-04-11 东莞市中麒光电技术有限公司 Led芯片及其焊接方法
CN115000805B (zh) * 2022-07-18 2022-11-25 度亘激光技术（苏州）有限公司 芯片及半导体激光器

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0730183A (ja) * 1993-07-07 1995-01-31 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザー
JPH09307190A (ja) * 1996-05-15 1997-11-28 Fuji Photo Film Co Ltd ＡｌＩｎＧａＮ系半導体発光素子および半導体発光装置
JPH1075004A (ja) * 1996-08-29 1998-03-17 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体発光装置
JP2000228559A (ja) * 1999-02-05 2000-08-15 Sony Corp 光学装置
US6456638B1 (en) * 1999-02-08 2002-09-24 Fuji Photo Film Co., Ltd. High-power short-wavelength semiconductor light emitting device having active layer with increased indium content
JP2001077426A (ja) * 1999-06-30 2001-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体発光装置
JP3726676B2 (ja) * 2000-11-28 2005-12-14 日本電気株式会社 外部共振器型モード同期半導体レーザ装置
JP5261857B2 (ja) * 2001-09-21 2013-08-14 日本電気株式会社 端面発光型半導体レーザおよび半導体レーザ・モジュール
JP2003152275A (ja) * 2001-11-16 2003-05-23 Fuji Photo Film Co Ltd 外部共振器型波長可変レーザ
JP2003218458A (ja) * 2002-01-23 2003-07-31 Sharp Corp 半導体発光装置
JP3801073B2 (ja) * 2002-03-11 2006-07-26 日本電気株式会社 外部共振器型波長可変パルス光源
DE602004024451D1 (de) * 2003-12-22 2010-01-14 Panasonic Corp Halbleiterlaser-bauelement und laserprojektor
JP4634081B2 (ja) * 2004-03-04 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ
JP4408246B2 (ja) 2004-07-29 2010-02-03 独立行政法人科学技術振興機構 モード同期半導体レーザ
JP5247444B2 (ja) * 2006-07-19 2013-07-24 パナソニック株式会社 半導体レーザ装置
JP2009231367A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ素子および外部共振器型半導体レーザ装置
JP2010027935A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Sony Corp 半導体レーザ、光ディスク装置および光ピックアップ

Also Published As

Publication number Publication date
US20120236886A1 (en) 2012-09-20
KR20120106571A (ko) 2012-09-26
US8483256B2 (en) 2013-07-09
JP5743624B2 (ja) 2015-07-01
CN102684067A (zh) 2012-09-19
JP2012195475A (ja) 2012-10-11
CN102684067B (zh) 2016-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012108891A (ru) Лазерная диодная сборка и способ управления лазерной диодной сборкой
TWI501560B (zh) 光學模組及原子振盪器
Rossetti et al. Superluminescent light emitting diodes: the best out of two worlds
TW200505119A (en) Method and apparatus for suppression of spatial-hole burning in second or higher order DFB lasers
JP2006261424A (ja) 半導体レーザ素子及びガス検知装置
ATE518257T1 (de) Lichtemittierende schlitzwellenleiteranordnung
WO2009050876A1 (ja) 短波長光源及び光学装置
EP2675024A3 (en) Electron beam pumped vertical cavity surface emitting laser
KR20100017390A (ko) 광원 및 장치
WO2012123997A1 (ja) 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置
RU2391756C2 (ru) Диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель
CN103718397A (zh) 半导体发射器以及用于从激光中产生有效光的方法
US7639720B2 (en) Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser
US10490692B2 (en) Semiconductor light-emitting device and display apparatus
US7848379B2 (en) LED-based optical pumping for laser light generation
JP6646942B2 (ja) 発光素子、前記発光素子を有する光源システム、及び前記光源システムを有する光干渉断層計
RU2008151169A (ru) Способ получения инфракрасного излучения и устройство для его осуществления
CN109193341A (zh) 垂直腔面发射激光器及其制作方法
JP6282485B2 (ja) 半導体発光素子
JP2008311320A (ja) レーザダイオードチップおよびその製造方法
JP4872096B2 (ja) フォトニック結晶発光素子及び発光装置
JP5221180B2 (ja) 発光素子
KR100848759B1 (ko) 복수개의 도파관이 형성된 반도체 레이저 다이오드 칩
Suda et al. Simultaneous utilization of spontaneous emission and laser emission in VCSEL for efficiency improvement of optical wireless power transmission
JP2009503887A (ja) インジェクションレーザ

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20150310