RU2012130174A - Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение - Google Patents

Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение Download PDF

Info

Publication number
RU2012130174A
RU2012130174A RU2012130174/02A RU2012130174A RU2012130174A RU 2012130174 A RU2012130174 A RU 2012130174A RU 2012130174/02 A RU2012130174/02 A RU 2012130174/02A RU 2012130174 A RU2012130174 A RU 2012130174A RU 2012130174 A RU2012130174 A RU 2012130174A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
incl
halogen
indium
dispersion medium
solvent
Prior art date
Application number
RU2012130174/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2567142C9 (ru
RU2567142C2 (ru
Inventor
Юрген ШТАЙГЕР
Дуй Ву ФАМ
Хайко ТИМ
Алексей МЕРКУЛОВ
Арне ХОППЕ
Original Assignee
Эвоник Дегусса Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эвоник Дегусса Гмбх filed Critical Эвоник Дегусса Гмбх
Publication of RU2012130174A publication Critical patent/RU2012130174A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2567142C2 publication Critical patent/RU2567142C2/ru
Publication of RU2567142C9 publication Critical patent/RU2567142C9/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1216—Metal oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/06—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
    • C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
    • H10P14/265—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3434—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being oxide semiconductor materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

1. Жидкофазный способ получения слоев, содержащих оксид индия, из безводного раствора,отличающийся тем, чтобезводная композиция, содержащая по меньшей мере один индий-галоген-алкоксид общей формулы InX(OR), где R - алкильный и/или алкоксиалкильный остаток и X - F, Cl, Br или I, и по меньшей мере один растворитель или дисперсионную среду в последовательности пунктов от a) до d) в безводной атмосфереa) наносится на подложку,b) нанесенная на подложку композиция облучается электромагнитным излучением с длиной волны ≤360 нм иc) при необходимости сушится и затемd) термически преобразуется в слой, содержащий оксид индия.2. Способ по п.1,отличающийся тем, чтоалкильные или алкоксиалкильные остатки по меньшей мере одного индий-галоген-алкоксида являются C1-C15-алкокси- или алкоксиалкильными группами.3. Способ по п.2,отличающийся тем, чтоиндий-галоген-алкоксид представляет собой InCl(OMe), InCl(OCHCHOCH), InCl(OEt), InCl(OiPr)или InCl(OtBu).4. Способ по п.1,отличающийся тем, чтобезводная композиция наряду с индий-галоген-алкоксидом имеет еще другие прекурсоры, предпочтительно алкоксиды и галоген-алкоксиды других элементов, особенно предпочтительно алкоксиды и галоген-алкоксиды B, Al, Ga, Ge Sn, Pb, P, Zn и Sb, растворенные или диспергированные.5. Способ по п.1,отличающийся тем, чтоиндий-галоген-алкоксид InX(OR)применяется с содержанием от 0,1 до 10% в пересчете на общую массу композиции.6. Способ по п.1,отличающийся тем, чторастворитель или дисперсионная среда является апротонным или слабопротонным растворителем или дисперсионной средой.7. Способ по п.6,отличающийся тем, чтопо меньшей мере один растворитель или дисперсионная среда является метанолом, этанолом, изопропанолом, тетрагидр�

Claims (16)

1. Жидкофазный способ получения слоев, содержащих оксид индия, из безводного раствора,
отличающийся тем, что
безводная композиция, содержащая по меньшей мере один индий-галоген-алкоксид общей формулы InX(OR)2, где R - алкильный и/или алкоксиалкильный остаток и X - F, Cl, Br или I, и по меньшей мере один растворитель или дисперсионную среду в последовательности пунктов от a) до d) в безводной атмосфере
a) наносится на подложку,
b) нанесенная на подложку композиция облучается электромагнитным излучением с длиной волны ≤360 нм и
c) при необходимости сушится и затем
d) термически преобразуется в слой, содержащий оксид индия.
2. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
алкильные или алкоксиалкильные остатки по меньшей мере одного индий-галоген-алкоксида являются C1-C15-алкокси- или алкоксиалкильными группами.
3. Способ по п.2,
отличающийся тем, что
индий-галоген-алкоксид представляет собой InCl(OMe)2, InCl(OCH2CH2OCH3)2, InCl(OEt)2, InCl(OiPr)2 или InCl(OtBu)2.
4. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
безводная композиция наряду с индий-галоген-алкоксидом имеет еще другие прекурсоры, предпочтительно алкоксиды и галоген-алкоксиды других элементов, особенно предпочтительно алкоксиды и галоген-алкоксиды B, Al, Ga, Ge Sn, Pb, P, Zn и Sb, растворенные или диспергированные.
5. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
индий-галоген-алкоксид InX(OR)2 применяется с содержанием от 0,1 до 10% в пересчете на общую массу композиции.
6. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
растворитель или дисперсионная среда является апротонным или слабопротонным растворителем или дисперсионной средой.
7. Способ по п.6,
отличающийся тем, что
по меньшей мере один растворитель или дисперсионная среда является метанолом, этанолом, изопропанолом, тетрагидрофурфуриловым спиртом, трет-бутанолом, бутилацетатом, метоксиэтанолом или толуолом.
8. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
по меньшей мере один растворитель или дисперсионная среда представлен/а с содержанием от 90 до 99,9% в пересчете на общую массу композиции.
9. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
композиция имеет вязкость от 1 мПа·с до 10 Па·с.
10. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
подложка состоит из стекла, кремния, диоксида кремния, оксида металла или переходного металла, металла или полимерного материала.
11. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
нанесение безводной композиции на подложку осуществляется способом печати, способом распыления, способом центрифугирования, способом погружения или способом, выбранным из группы, состоящей из нанесения покрытия путем создания мениска, щелевого покрытия, нанесения покрытия с помощью щелевой экструзионной головки и наливного покрытия.
12. Способ по п.11,
отличающийся тем, что
нанесение осуществляется способом струйной печати, выбранным из непрерывной, термической и пьезоструной печати.
13. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
облучение безводной композиции происходит электромагнитным излучением с длиной волны 150-300 нм.
14. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
превращение осуществляется термически посредством температур выше 150°C.
15. Способ по одному из пп.1-14,
отличающийся тем, что
перед, в течение или после термической обработки происходит облучение УФ-, ИК- или видимым излучением.
16. Применение по меньшей мере одного слоя, содержащего оксид индия, получаемого способом по пп.1-15 для получения проводниковых или полупроводниковых слоев для электронных структурных элементов, в частности для получения проводниковых или полупроводниковых слоев для транзисторов, диодов, сенсоров или солнечных элементов.
RU2012130174/02A 2009-12-18 2010-11-25 Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение RU2567142C9 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009054997A DE102009054997B3 (de) 2009-12-18 2009-12-18 Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung
DE102009054997.8 2009-12-18
PCT/EP2010/068185 WO2011073005A2 (de) 2009-12-18 2010-11-25 Verfahren zur herstellung von indiumoxid-haltigen schichten, nach dem verfahren hergestellte indiumoxid-haltige schichten und ihre verwendung

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2012130174A true RU2012130174A (ru) 2014-01-27
RU2567142C2 RU2567142C2 (ru) 2015-11-10
RU2567142C9 RU2567142C9 (ru) 2016-10-27

Family

ID=43927323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012130174/02A RU2567142C9 (ru) 2009-12-18 2010-11-25 Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8841164B2 (ru)
EP (1) EP2513355B1 (ru)
JP (1) JP5864434B2 (ru)
KR (1) KR101719853B1 (ru)
CN (1) CN102652187B (ru)
DE (1) DE102009054997B3 (ru)
RU (1) RU2567142C9 (ru)
TW (1) TWI509102B (ru)
WO (1) WO2011073005A2 (ru)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007018431A1 (de) * 2007-04-19 2008-10-30 Evonik Degussa Gmbh Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor
DE102008058040A1 (de) * 2008-11-18 2010-05-27 Evonik Degussa Gmbh Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten
DE102009028801B3 (de) 2009-08-21 2011-04-14 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Indiumoxid-haltige Schicht und deren Verwendung
DE102009028802B3 (de) 2009-08-21 2011-03-24 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung
DE102010031592A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010031895A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010043668B4 (de) 2010-11-10 2012-06-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung
JP5871263B2 (ja) * 2011-06-14 2016-03-01 富士フイルム株式会社 非晶質酸化物薄膜の製造方法
DE102011084145A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung
US9698386B2 (en) 2012-04-13 2017-07-04 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate
US8853070B2 (en) * 2012-04-13 2014-10-07 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate
WO2013157715A1 (ko) 2012-04-16 2013-10-24 전자부품연구원 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조방법, 산화물 박막 및 그 전자소자
DE102012209918A1 (de) 2012-06-13 2013-12-19 Evonik Industries Ag Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102013212017A1 (de) 2013-06-25 2015-01-08 Evonik Industries Ag Verfahren zur Herstellung von Indiumalkoxid-Verbindungen, die nach dem Verfahren herstellbaren Indiumalkoxid-Verbindungen und ihre Verwendung
DE102013212018A1 (de) 2013-06-25 2015-01-08 Evonik Industries Ag Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung
DE102013212019A1 (de) 2013-06-25 2015-01-08 Evonik Industries Ag Formulierungen zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE102014202718A1 (de) 2014-02-14 2015-08-20 Evonik Degussa Gmbh Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
EP3009402A1 (de) * 2014-10-15 2016-04-20 Justus-Liebig-Universität Gießen Verfahren zur Herstellung von gemischten Metallhalogenid-Alkoxiden und Metalloxid-Nanopartikeln
EP3350115A1 (en) 2015-09-14 2018-07-25 University College Cork Semi-metal rectifying junction
JP6828293B2 (ja) 2015-09-15 2021-02-10 株式会社リコー ｎ型酸化物半導体膜形成用塗布液、ｎ型酸化物半導体膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法
CN105836792B (zh) * 2016-05-27 2017-08-25 洛阳瑞德材料技术服务有限公司 一种纳米氧化铟的生产方法
JP2019057698A (ja) * 2017-09-22 2019-04-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 薄膜形成方法および薄膜形成装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59198607A (ja) 1983-04-27 1984-11-10 三菱マテリアル株式会社 保護膜を備えた透明導電膜
JPS59198606A (ja) 1983-04-27 1984-11-10 三菱マテリアル株式会社 透明導電膜形成用組成物
US4681959A (en) 1985-04-22 1987-07-21 Stauffer Chemical Company Preparation of insoluble metal alkoxides
JPH01115010A (ja) * 1987-10-28 1989-05-08 Central Glass Co Ltd 透明導電性膜用組成物およびその膜の形成方法
JPH02113033A (ja) * 1988-10-21 1990-04-25 Central Glass Co Ltd 静電防止処理を施された非金属材料およびこれらの処理方法
JPH02145459A (ja) * 1988-11-28 1990-06-04 Central Glass Co Ltd 複写機用ガラスおよびその製造法
FR2659649B1 (fr) 1990-03-16 1992-06-12 Kodak Pathe Preparation d'alkoxydes d'indium solubles dans les solvants organiques.
RU2118402C1 (ru) * 1994-05-17 1998-08-27 Виктор Васильевич Дроботенко Способ получения металлооксидных покрытий (его варианты)
JPH09157855A (ja) * 1995-12-06 1997-06-17 Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho:Kk 金属酸化物薄膜の形成方法
JPH11106935A (ja) * 1997-09-30 1999-04-20 Fuji Photo Film Co Ltd 金属酸化物薄膜の製造方法及び金属酸化物薄膜
JP2000016812A (ja) * 1998-07-02 2000-01-18 Kansai Shingijutsu Kenkyusho:Kk 金属酸化物膜の製造方法
JP4264145B2 (ja) * 1998-07-08 2009-05-13 株式会社Ｋｒｉ Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液の製造方法
JP4030243B2 (ja) * 1999-12-20 2008-01-09 日本電気株式会社 強誘電体薄膜形成用溶液及び強誘電体薄膜形成方法
JP4073146B2 (ja) 2000-03-17 2008-04-09 株式会社高純度化学研究所 ガリウムアルコキシドの精製方法
JP2005272189A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Japan Science & Technology Agency 紫外光照射による酸化物半導体薄膜の作製法
WO2005115637A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-08 Japan Science And Technology Agency Forming method, unit and material for pattern films, and product gained by said method
JP4767616B2 (ja) * 2005-07-29 2011-09-07 富士フイルム株式会社 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
CN101573471A (zh) 2006-12-29 2009-11-04 3M创新有限公司 固化含有金属烷氧化物的膜的方法
DE102007013181B4 (de) 2007-03-20 2017-11-09 Evonik Degussa Gmbh Transparente, elektrisch leitfähige Schicht
DE102007018431A1 (de) 2007-04-19 2008-10-30 Evonik Degussa Gmbh Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor
GB2454019B (en) 2007-10-27 2011-11-09 Multivalent Ltd Improvements in or relating to synthesis of gallium and indium alkoxides
DE102008058040A1 (de) 2008-11-18 2010-05-27 Evonik Degussa Gmbh Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten
DE102009009337A1 (de) 2009-02-17 2010-08-19 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung
DE102009009338A1 (de) 2009-02-17 2010-08-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE102009050703B3 (de) 2009-10-26 2011-04-21 Evonik Goldschmidt Gmbh Verfahren zur Selbstassemblierung elektrischer, elektronischer oder mikromechanischer Bauelemente auf einem Substrat und damit hergestelltes Erzeugnis

Also Published As

Publication number Publication date
EP2513355B1 (de) 2017-08-23
WO2011073005A3 (de) 2011-09-01
CN102652187A (zh) 2012-08-29
KR101719853B1 (ko) 2017-04-04
EP2513355A2 (de) 2012-10-24
CN102652187B (zh) 2016-03-30
JP5864434B2 (ja) 2016-02-17
US8841164B2 (en) 2014-09-23
KR20120095422A (ko) 2012-08-28
TWI509102B (zh) 2015-11-21
RU2567142C9 (ru) 2016-10-27
DE102009054997B3 (de) 2011-06-01
TW201137170A (en) 2011-11-01
US20130122647A1 (en) 2013-05-16
JP2013514246A (ja) 2013-04-25
WO2011073005A2 (de) 2011-06-23
RU2567142C2 (ru) 2015-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012130174A (ru) Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение
JP2013514246A5 (ru)
JP2012518088A5 (ru)
Li et al. Recent progress towards roll-to-roll manufacturing of perovskite solar cells using slot-die processing
JP6056854B2 (ja) ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス
JP5888329B2 (ja) ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、および電子デバイス
RU2012110476A (ru) Способ получения содержащих оксид металла слоев
WO2014119750A1 (ja) ガスバリア性フィルム
US20140349025A1 (en) Conductive compositions and methods relating thereto
KR20140134320A (ko) 구리막 형성용 조성물 및 상기 조성물을 이용한 구리막의 제조방법
CN103003286A (zh) 用于制备含氧化铟层的铟氧桥醇盐
EP3289394B1 (en) Optical functional film and method for producing the same
RU2015100052A (ru) Способ получения содержащих оксид индия слоев
CN105024017A (zh) 一种柔性基板、柔性显示器及其制备方法
JP5178199B2 (ja) 金属ストリップのコーティングにポリシラザンを使用する方法。
JP5640310B2 (ja) 組成物、反射防止膜基板、並びに、太陽電池システム
CN104830230A (zh) 一种抗空间环境损伤的防护涂层及其制备方法和应用
JP2016022595A (ja) ガスバリア性フィルムおよびその製造方法ならびに当該ガスバリア性フィルムを有する電子デバイス
EP4263452A1 (de) Passiver strahlungskühler
JP5768652B2 (ja) バリアーフィルムの製造方法
JP6107268B2 (ja) 強誘電体薄膜形成用ゾルゲル液
JP6077659B2 (ja) コーティング組成物
US8716053B2 (en) Moisture barrier for photovoltaic cells
TWI583739B (zh) A composition for a transparent film, a method for forming a transparent film, and a transparent film
JP2016022596A (ja) ガスバリア性フィルムおよびその製造方法ならびに当該ガスバリア性フィルムを有する電子デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
TH4A Reissue of patent specification
TK4A Correction to the publication in the bulletin (patent)

Free format text: AMENDMENT TO CHAPTER -FG4A- IN JOURNAL: 31-2015

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20201126