RU2016106926A - Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора - Google Patents

Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора Download PDF

Info

Publication number
RU2016106926A
RU2016106926A RU2016106926A RU2016106926A RU2016106926A RU 2016106926 A RU2016106926 A RU 2016106926A RU 2016106926 A RU2016106926 A RU 2016106926A RU 2016106926 A RU2016106926 A RU 2016106926A RU 2016106926 A RU2016106926 A RU 2016106926A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
field effect
combination
effect transistor
drain electrode
source electrode
Prior art date
Application number
RU2016106926A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2631405C2 (ru
Inventor
Синдзи МАЦУМОТО
Наоюки УЕДА
Юки НАКАМУРА
Микико ТАКАДА
Юдзи СОНЕ
Риоити САОТОМЕ
Саданори АРАЕ
Юкико АБЕ
Original Assignee
Рикох Компани, Лтд
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Рикох Компани, Лтд filed Critical Рикох Компани, Лтд
Publication of RU2016106926A publication Critical patent/RU2016106926A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2631405C2 publication Critical patent/RU2631405C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2092—Details of a display terminals using a flat panel, the details relating to the control arrangement of the display terminal and to the interfaces thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/6737—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the electrode materials
    • H10D30/6739—Conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6757—Thin-film transistors [TFT] characterised by the structure of the channel, e.g. transverse or longitudinal shape or doping profile
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/421—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H10D86/423—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer comprising semiconductor materials not belonging to the Group IV, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/46—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Claims (30)

1. Полевой транзистор, содержащий
электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора;
электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока;
активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока; и
изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом затвора и активным слоем,
при этом работа выхода электрода истока и электрода стока составляет 4,90 эВ или более, и
при этом концентрация электронов - носителей заряда оксидного полупроводника n-типа составляет 4,0×1017 см-3 или более.
2. Полевой транзистор по п. 1, в котором материалом электрода истока и электрода стока является металл, сплав или и тот, и другой.
3. Полевой транзистор по п. 2, в котором металл, сплав или и тот, и другой содержат золото, серебро, палладий, платину, никель, иридий, родий или любую их комбинацию.
4. Полевой транзистор по любому из пп. 1-3, в котором электрод истока и электрод стока образованы обжигом частиц металла, частиц сплава, металлоорганического соединения или любой их комбинации.
5. Полевой транзистор по п. 4, в котором электрод истока и электрод стока образованы нанесением жидкости для нанесения покрытия, содержащей частицы металла, частицы сплава, металлоорганическое соединение или любую их комбинацию, в капельно-струйной системе и обжигом частиц металла, частиц сплава, металлоорганического соединения или любой их комбинации.
6. Полевой транзистор по п. 1, в котором оксидный полупроводник n-типа содержит индий, цинк, олово, галлий, титан или любую их комбинацию.
7. Полевой транзистор по п. 6, в котором оксидный полупроводник n-типа дополнительно содержит щелочноземельный металл.
8. Способ изготовления полевого транзистора по любому из пп. 1-3, включающий
нанесение жидкости для нанесения покрытия, содержащей частицы металла, частицы сплава, металлоорганическое соединение или любую их комбинацию, по меньшей мере на изолирующий слой затвора и обжиг частиц металла, частиц сплава, металлоорганического соединения или любой их комбинации с образованием электрода истока и электрода стока.
9. Способ изготовления полевого транзистора по любому одному из пп. 1-3, включающий
нанесение жидкости для нанесения покрытия, содержащей частицы металла, частицы сплава, металлоорганическое соединение или любую их комбинацию, по меньшей мере на основу и обжиг частиц металла, частиц сплава, металлоорганического соединения или любой их комбинации с образованием электрода истока и электрода стока.
10. Способ по п. 8, в котором частицы металла, частицы сплава, металлоорганическое соединение или любая их комбинация содержат золото, серебро, палладий, платину, никель, иридий, родий или любую их комбинацию.
11. Элемент отображения, содержащий:
светорегулирующий элемент, предназначенный для управления световым выходом в соответствии с сигналом возбуждения; и
цепь возбуждения, которая содержит полевой транзистор по любому из пп. 1-3 и предназначена для возбуждения светорегулирующего элемента.
12. Элемент отображения по п. 11, в котором светорегулирующий элемент содержит электролюминесцентный элемент или электрохромный элемент.
13. Элемент отображения по п. 11, в котором светорегулирующий элемент содержит жидкокристаллический элемент или электрофоретический элемент.
14. Устройство отображения изображения, которое отображает изображение, соответствующее данным изображения, и которое содержит
множество элементов отображения по п. 11, расположенных в виде матрицы;
множество токопроводящих дорожек, предназначенных для раздельного приложения напряжения затвора к полевым транзисторам в каждом из элементов отображения; и
устройство управления отображением, предназначенное для индивидуального управления напряжением затвора каждого из полевых транзисторов посредством токопроводящих дорожек в соответствии с данными изображения.
15. Система, содержащая
устройство отображения изображения по п. 14; и
устройство генерирования данных изображения, предназначенное для генерирования данных изображения на основе информации об отображаемом изображении и вывода сгенерированных данных изображения в устройство отображения изображения.
RU2016106926A 2013-07-31 2014-07-25 Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора RU2631405C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-159290 2013-07-31
JP2013159290 2013-07-31
JP2014-035430 2014-02-26
JP2014035430A JP6264090B2 (ja) 2013-07-31 2014-02-26 電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法
PCT/JP2014/070289 WO2015016333A1 (en) 2013-07-31 2014-07-25 Field-effect transistor and method for producing field-effect transistor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2016106926A true RU2016106926A (ru) 2017-08-31
RU2631405C2 RU2631405C2 (ru) 2017-09-21

Family

ID=52431857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016106926A RU2631405C2 (ru) 2013-07-31 2014-07-25 Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора

Country Status (10)

Country Link
US (1) US10672914B2 (ru)
EP (1) EP3028298A4 (ru)
JP (1) JP6264090B2 (ru)
KR (1) KR101841855B1 (ru)
CN (2) CN105431930A (ru)
BR (1) BR112016002017A2 (ru)
RU (1) RU2631405C2 (ru)
SG (1) SG11201600543YA (ru)
TW (1) TWI565072B (ru)
WO (1) WO2015016333A1 (ru)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104934330A (zh) * 2015-05-08 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板
EP3125296B1 (en) * 2015-07-30 2020-06-10 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor, display element, image display device, and system
JP2017105013A (ja) 2015-12-08 2017-06-15 株式会社リコー ガスバリア性積層体、半導体装置、表示素子、表示装置、システム
JP6862805B2 (ja) * 2015-12-08 2021-04-21 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP6607013B2 (ja) 2015-12-08 2019-11-20 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
US10600916B2 (en) 2015-12-08 2020-03-24 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor, display element, image display device, and system
US10170635B2 (en) 2015-12-09 2019-01-01 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor device, display device, display apparatus, and system
JP6907512B2 (ja) * 2015-12-15 2021-07-21 株式会社リコー 電界効果型トランジスタの製造方法
JP6665536B2 (ja) 2016-01-12 2020-03-13 株式会社リコー 酸化物半導体
CN108496243A (zh) 2016-02-01 2018-09-04 株式会社理光 场效应晶体管、其制造方法、显示元件、显示设备和系统
JP6701835B2 (ja) 2016-03-11 2020-05-27 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
SG11201807956QA (en) 2016-03-18 2018-10-30 Ricoh Co Ltd Field effect transistor, display element, image display device, and system
SG11201807957SA (en) 2016-03-18 2018-10-30 Ricoh Co Ltd Method for manufacturing a field effect transistor
US10818705B2 (en) 2016-03-18 2020-10-27 Ricoh Company, Ltd. Method for manufacturing a field effect transistor, method for manufacturing a volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a display element, method for manufacturing an image display device, and method for manufacturing a system
CN109478560B (zh) 2016-07-20 2022-03-15 株式会社理光 场效应晶体管及其制作方法，显示元件，图像显示装置和系统
JP2018022879A (ja) 2016-07-20 2018-02-08 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、及びその製造方法、並びに表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2018157206A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ及びその製造方法、表示素子、表示装置、システム
CN107634034A (zh) * 2017-09-15 2018-01-26 惠科股份有限公司 主动阵列开关的制造方法
CN108494275B (zh) * 2017-11-16 2025-04-11 广州擎天实业有限公司 一种高导热大功率同步整流模块
US10688811B2 (en) 2018-02-27 2020-06-23 Ricoh Company, Ltd. Air blower, drying device, liquid discharge apparatus, and treatment-liquid application device
JP6986231B2 (ja) 2018-03-16 2021-12-22 株式会社リコー 塗布装置及び画像形成システム
US11426818B2 (en) 2018-08-10 2022-08-30 The Research Foundation for the State University Additive manufacturing processes and additively manufactured products
JP7135682B2 (ja) 2018-09-28 2022-09-13 株式会社リコー 給送装置、画像形成装置及び画像形成システム
CN109282924B (zh) * 2018-11-16 2020-12-29 东南大学 一种压力传感器及其制备方法
JP7326795B2 (ja) 2019-03-20 2023-08-16 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
CN111129083A (zh) * 2019-12-11 2020-05-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制造方法及显示面板
KR20230043634A (ko) * 2021-09-24 2023-03-31 에스케이하이닉스 주식회사 강유전층 및 금속 입자가 내장된 절연층을 포함하는 반도체 장치
JP2023149086A (ja) * 2022-03-30 2023-10-13 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置の製造方法
JP2023149085A (ja) * 2022-03-30 2023-10-13 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5118811B2 (ru) 1972-08-01 1976-06-12
RU2358354C2 (ru) 2004-11-10 2009-06-10 Кэнон Кабусики Кайся Светоизлучающее устройство
KR100647660B1 (ko) * 2004-11-19 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 채용한 평판표시장치
KR100637204B1 (ko) * 2005-01-15 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 구비한 평판 표시장치
KR100637210B1 (ko) * 2005-01-28 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 평판표시 장치
JP4880951B2 (ja) * 2005-09-06 2012-02-22 キヤノン株式会社 半導体素子、薄膜トランジスタ、及び薄膜ダイオード
KR100708720B1 (ko) * 2005-10-19 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한평판 표시 장치
KR100719566B1 (ko) * 2005-10-22 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터, 및 이를 구비한 평판 표시 장치
JP4793679B2 (ja) 2005-11-10 2011-10-12 富士電機株式会社 薄膜トランジスタ
JP5376750B2 (ja) * 2005-11-18 2013-12-25 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
US8129714B2 (en) * 2007-02-16 2012-03-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, complementary transistor circuit device
JP2008270734A (ja) * 2007-03-23 2008-11-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機電界効果トランジスタ
JP2010103451A (ja) * 2007-11-26 2010-05-06 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた電界発光装置
JPWO2010010766A1 (ja) * 2008-07-25 2012-01-05 日本電気株式会社 電界効果型トランジスタおよび回路装置
TWI770659B (zh) * 2008-07-31 2022-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
TWI508282B (zh) 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5602390B2 (ja) * 2008-08-19 2014-10-08 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、及び撮像装置
JP5644071B2 (ja) 2008-08-20 2014-12-24 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
KR20100023151A (ko) * 2008-08-21 2010-03-04 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5258467B2 (ja) * 2008-09-11 2013-08-07 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP5552753B2 (ja) * 2008-10-08 2014-07-16 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
JP2010283190A (ja) 2009-06-05 2010-12-16 Konica Minolta Holdings Inc 薄膜トランジスタ、及びその製造方法
JP2011009619A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 Konica Minolta Holdings Inc 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ
JP5604081B2 (ja) 2009-11-11 2014-10-08 出光興産株式会社 酸化物半導体を用いた、高移動度の電界効果型トランジスタ
WO2011058885A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
WO2011062057A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101800854B1 (ko) * 2009-11-20 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
KR102450889B1 (ko) * 2009-12-04 2022-10-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN109560140A (zh) * 2010-02-05 2019-04-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8283469B2 (en) * 2010-03-24 2012-10-09 National Tsing Hua University Perylene diimide derivative and organic semiconductor element using the same material
KR101271827B1 (ko) * 2010-07-22 2013-06-07 포항공과대학교 산학협력단 탄소 박막 제조 방법
KR101774256B1 (ko) * 2010-11-15 2017-09-05 삼성디스플레이 주식회사 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP5259683B2 (ja) 2010-11-19 2013-08-07 株式会社東芝 サーバ装置及びプログラム
US8691621B1 (en) * 2010-12-14 2014-04-08 Sharp Laboratories Of America, Inc. Thiol bond formation concurrent with silver nanoparticle ink thermal treatment
US9202822B2 (en) * 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2012216780A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Ricoh Co Ltd ｐ型酸化物、ｐ型酸化物製造用組成物、ｐ型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム
US9762246B2 (en) 2011-05-20 2017-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with a storage circuit having an oxide semiconductor
KR101302786B1 (ko) * 2011-05-27 2013-09-03 포항공과대학교 산학협력단 높은 일함수를 가지는 고분자 전극을 채용한 단순화된 유기 전자 소자
KR101237351B1 (ko) * 2011-05-27 2013-03-04 포항공과대학교 산학협력단 전극 및 이를 포함한 전자 소자
US8679905B2 (en) 2011-06-08 2014-03-25 Cbrite Inc. Metal oxide TFT with improved source/drain contacts
JP5965107B2 (ja) 2011-06-13 2016-08-03 出光興産株式会社 薄膜トランジスタ
CN102842491B (zh) * 2011-06-24 2016-10-19 联华电子股份有限公司 金属栅极的制作方法
CN103036643B (zh) * 2011-09-30 2018-03-06 株式会社Ntt都科摩 小区间干扰消除方法、中继节点和基站
JP5783094B2 (ja) 2011-11-30 2015-09-24 株式会社リコー ｐ型酸化物、ｐ型酸化物製造用組成物、ｐ型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム
US8969867B2 (en) * 2012-01-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013108630A1 (ja) * 2012-01-18 2013-07-25 出光興産株式会社 電界効果型トランジスタ
US10005879B2 (en) * 2012-02-03 2018-06-26 Basf Se Method for producing an organic semiconductor device
US20140027762A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
US20140183457A1 (en) * 2013-01-03 2014-07-03 Lisa H. Stecker Transistor with Organic Semiconductor Interface

Also Published As

Publication number Publication date
EP3028298A4 (en) 2016-08-03
BR112016002017A2 (pt) 2017-08-01
TW201511286A (zh) 2015-03-16
CN105431930A (zh) 2016-03-23
RU2631405C2 (ru) 2017-09-21
EP3028298A1 (en) 2016-06-08
SG11201600543YA (en) 2016-02-26
US20160190329A1 (en) 2016-06-30
WO2015016333A1 (en) 2015-02-05
CN109216443A (zh) 2019-01-15
CN109216443B (zh) 2022-05-17
TWI565072B (zh) 2017-01-01
JP6264090B2 (ja) 2018-01-24
JP2015046568A (ja) 2015-03-12
KR20160039656A (ko) 2016-04-11
KR101841855B1 (ko) 2018-03-23
US10672914B2 (en) 2020-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2016106926A (ru) Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора
US9728558B2 (en) Array substrate, manufacturing method thereof and display device
EP3316087B1 (en) In-cell touch display panel, driving method therefor, and display device
CN106024839A (zh) 折叠式oled显示器
JP2012078798A5 (ru)
RU2016130090A (ru) Оксидный полупроводник р-типа, композиция для получения оксидного полупроводника р-типа, способ получения оксидного полупроводника р-типа, полупроводниковый компонент, отображающий элемент, устройство отображения избражений и система
JP2011044697A5 (ru)
JP2012079690A5 (ja) 半導体装置
TW201017871A (en) Display device
TW201514594A (zh) 液晶顯示裝置及電子裝置
JP5477179B2 (ja) 電気泳動表示装置および電子機器
JPWO2019207440A5 (ru)
CN105116602B (zh) 一种显示面板和显示装置
JP2018180436A5 (ru)
CN105137632B (zh) 显示面板及显示装置
JPWO2019150224A5 (ja) 表示装置
JP2016206659A5 (ru)
TW201248864A (en) Semiconductor device and display device
JP2016099629A5 (ru)
CN112114449B (zh) 显示装置
US10042230B2 (en) Display device substrate, display device, electronic apparatus, control method for display device, and manufacturing method for display device substrate
TW200711144A (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US9589990B2 (en) Thin-film transistor array substrate, manufacturing method therefor and display device thereof
ATE492832T1 (de) Elektrolumineszenzanzeigen
JP2011232764A5 (ru)