RU2536775C2 - Способ получения пленок аморфного кремния, содержащего нанокристаллические включения - Google Patents
Способ получения пленок аморфного кремния, содержащего нанокристаллические включения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2536775C2 RU2536775C2 RU2012148196/28A RU2012148196A RU2536775C2 RU 2536775 C2 RU2536775 C2 RU 2536775C2 RU 2012148196/28 A RU2012148196/28 A RU 2012148196/28A RU 2012148196 A RU2012148196 A RU 2012148196A RU 2536775 C2 RU2536775 C2 RU 2536775C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- amorphous
- film
- films
- plasma
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title abstract description 20
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims abstract description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910021425 protocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для формирования активного слоя тонкопленочных солнечных элементов на основе гидрогенизированного кремния со стабильными параметрами относительно световых воздействий, в частности солнечного излучения. Сущность изобретения состоит в способе создания пленок аморфного гидрогенизированного кремния с небольшой долей кремниевых нанокристаллов (объемное отношение кристаллической фазы к аморфной менее 15%), равномерно распределенных по пленке и имеющих размер не более 10 нм. Способ создания заключается в осаждении пленок аморфного кремния методом плазмохимического осаждения из газовой смеси тетрафторида кремния и водорода при повышенном давлении в реакционной камере в условиях, обеспечивающих формирование кремниевых нанокристаллов в плазме тлеющего разряда. Наличие небольшой доли равномерно распределенных нанокристаллических включений в аморфной матрице заметно улучшает стабильность электрических, оптических и фотоэлектрических свойств получаемого материала. Технический результат заключается в повышении КПД и продлении срока службы тонкопленочных солнечных преобразователей, в случае использования в них в качестве активного слоя получаемого указанным способом материала. 2 ил., 1 табл.
Description
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания активного слоя тонкопленочных солнечных элементов на основе аморфного гидрогенизированного кремния.
Возникшие в последние десятилетия социальные и экологические проблемы, связанные с использованием традиционных источников энергии, привели к бурному развитию технологий в наиболее развитых странах, направленных на использование альтернативных источников энергии. Ведущее место среди них занимают работы, направленные на использование солнечной энергии, в частности работы по созданию солнечных фотопреобразователей. Широкое использование солнечных элементов сдерживается сравнительно высокой стоимостью преобразования солнечной энергии с их помощью.
Перспективным направлением снижения стоимости вырабатываемой солнечными фотопреобразователями электроэнергии является разработка технологии тонкопленочных солнечных элементов на основе аморфного гидрогенизированного и протокристаллического кремния. Цена производимой электроэнергии определяется, прежде всего, стоимостью материала, из которого изготовлен солнечный элемент, и затратами технологического процесса производства солнечного элемента. Основным материалом для изготовления тонкопленочных солнечных элементов в настоящее время является аморфный гидрированный кремний (a-Si:H), поскольку его производство наиболее отлажено.
Кроме того, тонкопленочная технология имеет ряд специфических применений, невозможных или затрудненных при использовании кристаллических полупроводников (гибкие модули, полупрозрачные модули и т.д.). Одним из достоинств тонкопленочной технологии является получение слоев аморфного гидрогенизированного кремния при низкой температуре. Это дает возможность создавать полупроводниковые структуры на гибких подложках. Солнечные элементы на гибкой основе имеют малый вес, монтируются на любой поверхности и могут использоваться для изготовления сумок, чехлов, встраиваться в одежду и т.д. Полупрозрачные модули различного цвета находят применение, например, для украшения зданий. Наконец, существенным достоинством тонкопленочной технологии является возможность создания приборных структур на очень больших площадях.
Однако наравне с целым рядом преимуществ, которыми обладают фотопреобразователи на основе a-Si:H, имеются и недостатки, препятствующие более широкому и интенсивному использованию этого материала. К наиболее существенному из таких недостатков следует отнести изменение электрических и фотоэлектрических параметров a-Si:H под действием освещения (эффект Стеблера-Вронского).
Одним из путей преодоления указанного недостатка является использование наномодифицированного аморфного кремния, представляющего собой двухфазную систему, состоящую из матрицы аморфного гидрогенизированного кремния с включениями кремниевых нанокристаллов.
Из уровня техники известно несколько способов получения наномодифицированного аморфного кремния с большой долей кристаллической фазы (более 50%) - так называемого, микрокристаллического кремния (µc-Si:H). К этим методам относятся: метод плазмохимического осаждения из газовой фазы смеси моносилана и водорода с большой концентрацией последнего (PECVD) (Zhou J.H., Ikuta К., Yasuda Т., Umeda Т., Yamasaki S., Tanaka К. //J Non-Cryst. Solids. 1998. V.227-230. P.857; Summonte С., Rizolli R., Desalvo A., Zignani F., Centurioni E., Pinghini R., Bruno G., Losurdo M., Capezzuto P., Genmii M. // Phil. Mag. B. 2000. V.80. No. 4, P.459; Fujiwara H., Toyoshima Y., Kondo M., Matsuda A. //J. Non-Cryst. Solids. 2000. V.266-269. P.38; Hapke P., Finger F. //J Non-Cryst. Solids. 1998. V.227-230. P.861), метод послойного роста (layer-by-layer) (Vetteri О., Hapke P., Houben L., Luysberg M., Wagner H. //1 Non-Cryst. Solids. 1998. V.227-230. P.866; Hong IP., Kirn C.O., Nahm T.U., Kim C.M. // t Appl. Phys. 2000. V. 87. No. 4. P.1676), метод термического разложения смеси моносилана и водорода (hot-wire CVD) (Alpuim P., Chu V., Conde IP. //1 Non-Cryst. Solids. 2000. V. 266-269. P. 110; Niikura С., Guillet 1, Brenot R., Equer В., Bouree J.E., Voz C., Peiro D., Asensi 1M., Bertomeu 1, Andreu J. // J. Non-Cryst. Solids. 2000. V.266-269. P.385), метод химического осаждения из плазмы, возбуждаемой в условиях циклотронного резонанса (ECRCVD) (Beckers I., Nickel N.H., Piiz W., Fuhs W. // J. Non-Cryst. Solids. 1998. V.227-230. P.847), метод лазерной или термической кристаллизации аморфного кремния (Wohllebe A., Carius R., Houben L., Klatt A., Hapke P., Klomfa J., Wagner H. //J Non-Cryst. Solids. 1998. V.227-230. P.925; Szekeres A., Gartner M., Vasiliu F., Marinov M., Beshkov G. // J. Non-Cryst. Solids. 1998. V.227-230. P.954), метод твердофазной кристаллизации (SPC) (Kleider IP., Longeaud C., Bruggemann R., Houze F. // Thin Solid Films. 2001. V.383. P.57).
Наиболее широко среди вышеперечисленных технологий используется метод PECVD. Это связано в основном со сравнительной простотой получения пленок µc-Si:H указанным методом, его дешевизной и большим распространением, которое данный метод получил применительно к a-Si:H. К неоспоримым достоинствам получения микрокристаллического кремния методом PECVD также надо отнести и возможность низкотемпературного осаждения пленок. Температура подложки (Та) в процессе роста пленки этим методом составляет 200-300°С и ниже (Roca P., Cabarrocas I. // J. Non-Cryst. Solids. 2000. V. 266-269. P. 31). Это позволяет формировать структуры из µc-Si:H на гибких носителях.
Из уровня техники известно решение по патенту ЕР 2206156 «Microcrystalline silicon deposition for thin film solar applications», в котором предложен способ получения тонкопленочных многослойных солнечных элементов на основе микрокристаллического кремния. Оригинальность метода состоит в том, что подложка помещается в зону проведения реакции, куда подводятся газы: силан и водород. В плазменном разряде происходит реакция разложения газов, в результате чего на подложку осаждается первый слой микрокристаллического кремния. Второй слой микрокристаллического кремния выращивается при большей по сравнению с первым слоем скорости. Третий слой формируется при скоростях осаждения, меньших, чем для второго слоя, но больших чем для первого.
В патенте RU 2227343 «Тонкие пленки гидрогенезированного поликристаллического кремния и технология их получения» описан метод получения пленок поликристаллического кремния (по сути, данные пленки представляют собой микрокристаллический кремний, см. пояснение ниже) с ориентацией (111) при низкой температуре подложки. Сущность метода заключается в том, что во время вакуумно-плазменного осаждения кремния на подложку увеличивается скорость натекания в реактор молекулярного водорода при снижении температуры подложки. Полученная таким методом пленка гидрогенизированного поликристаллического кремния содержит более 50% кристаллической фазы со средним размером кристаллов не более 10 нм, что позволяет назвать данный материал микрокристаллическим кремнием.
В патенте ЕР 2009140 «Method for microcrystalline silicon film formation» разработан способ получения пленок микрокристаллического кремния при низких потоках водорода в реакционной камере методом плазмохимического осаждения. Использование меньшего потока водорода снижает стоимость тонкопленочного солнечного элемента. Метод заключается в том, что в вакуумной камере устанавливается набор антенн, соединенных одним концом с источником ВЧ-излучения. Другой конец антенн заземлен. Подложка, располагающаяся напротив набора антенн, может быть нагрета от 150 до 250°С. Плазменный разряд создается путем напуска смеси газов водорода и силана в реакционную камеру и подачи ВЧ-напряжения на антенны. При изменении отношения потоков газов R=[Н2]/[SiH4] от 1 до 10 на подложку осаждается аморфный кремний, содержащий кремниевые нанокристаллы с объемной долей более 80% (т.е. микрокристаллический кремний).
Однако все перечисленные выше методы позволяют получать пленки наномодифицированного аморфного кремния с большой объемной долей кристаллической фазы. Несмотря на то, что такие пленки в отличие от a-Si:H не обладают эффектом Стеблера-Вронского, их использование в тонкопленочной солнечной энергетике затруднено. Это связано с тем, что µc-Si:H обладает худшими фотоэлектрическими параметрами по сравнению с a-Si:H.
Отсутствием недостатков, присущих как аморфному (деградация свойств под действием освещения - эффект Стеблера-Вронского), так и микрокристаллическому кремнию (низкая фоточувствительность в видимой области), обладает аморфный кремний с малой долей кремниевых нанокристаллов (с объемной долей кристаллической фазы не более 15%).
Из уровня техники известно получение наномодифицированного аморфного кремния с малой долей кристаллической фазы. Так в работе (Koch С., Ito M., Schubert M.B., Wemer 1H. // Mater. Res. Soc. Symp.Proc. 1999. V.557. P.749) исследовались свойства пленок гидрогенизированного кремния, осажденного на дешевые пластиковые подложки методом плазмохимического осаждения из газовой фазы при температурах, меньших 100°С (Ts=40-75°С). Условия осаждения были выбраны таким образом, чтобы формировалась пленка с переходной структурой (от аморфной к нанокристаллической), т.е. с небольшой долей нанокристаллов. О получении пленок подобного рода сообщается также в работах (Tsu D.V., Chao B.S., Ovshinsky S.R.,.tones SJ., Yang 1, Guha S., Tsu R. // Phys. Rev. B. 2001. V.63. P.125338; Muthamann S., Kohler F., Carius R., Gordijn A. // Phys. Status. Solidi A. 2010. V.207. P. 544; Murayama К., Monji К., Deki H. // Phys. Status. Solidi C. 2010. V.7. P.674; Shcherbyna Ye. S., Torchynska T.V. // Thin Solid Films. 2010. V.518. P.204). Однако получаемые всеми указанными в приведенной литературе способами пленки аморфного кремния являются неоднородными по толщине. По мере увеличения толщины пленки происходит переход структуры от аморфной к микрокристаллической. Неоднородное распределение нанокристаллов по толщине пленки приводит к снижению фоточувствительности (по сравнению с аморфным гидрогенизированным кремнием) и нестабильности при солнечном воздействии таких параметров пленки, как коэффициент поглощения и фотопроводимость.
Наиболее близким к заявляемому решению является способ получения аморфного кремния с малой долей нанокристаллов, описанный в статьях (Shcherbyna Ye. S., Torchynska T.V. // Thin Solid Films. 2010. V.518. P.204; Han D., Yue G., Lorentzen ID., Lin t, Habuchi H., Wang Qi. // 1 Appl. Phys. 2000. V.87. P.1882; Schubert M.B., Merz R. // Philosophical Magazine. 2009. V. 89. P. 2623). В этих работах аморфный кремний с малой долей нанокристаллов получался методом плазмохимического осаждения смеси газов моносилана (SiKt) и водорода (Hz) на стеклянную подложку "Corning 7059". Объемное отношение газов [SiH4]/[H2] при этом было равно 3, а давление в реакционной камере составляло 30 мТорр.
Однако пленки, получаемые таким способом, также являются неоднородными по толщине, а именно доля кристаллической фазы увеличивается от подложки в сторону роста пленки.
Задачей изобретения является создание тонких пленок наномодифицированного аморфного кремния с малой долей кристаллической фазы, в которых кремниевые нанокристаллы распределены равномерно по толщине пленки.
Технический результат, обеспечивающий решение этой задачи, заключается в формировании кремниевых нанокристаллов непосредственно в плазме тлеющего разряда, что достигается использованием давления в реакционной камере на уровне не ниже 2000 мТорр. Именно формирование нанокристаллов до осаждения на подложку, а не в процессе роста пленки, и позволяет достигать их однородного распределения по толщине формируемой пленки, что отличает данный метод от других известных на сегодняшний день.
Решение поставленной задачи обеспечивается посредством плазмохимического осаждения смеси газов водорода (H2) и тетрафторида кремния (SiF4) на твердотельную подложку при объемном отношении газов [H2]/[SiF4] от 4 до 10. В результате при частоте ВЧ-разряда 30÷80 МГц и плотности мощности 5÷110 мВт/см2 получают пленки аморфного гидрогенизированного кремния, содержащие включения нанокристаллов кремния с объемной долей, не превышающей 15%, и размером не более 10 нм. Давление в реакционной камере поддерживают на уровне не ниже 2000 мТорр, что приводит к формированию кремниевых нанокристаллов непосредственно в плазме тлеющего разряда с их последующим однородным распределением по толщине формируемой пленки.
Кроме того, в предлагаемом способе получения вместо «традиционного» моносилана (SiH4) используют SiF4. Результатом введения фтора в кремниевую пленку является появление ряда благоприятных факторов, таких как высокая фотопроводимость, повышенная подвижность носителей заряда и увеличение длины диффузии носителей заряда.
Заявляемый способ заключается в разложении смеси тетрафторида кремния (SiF4) и водорода (H2) в плазме ВЧ тлеющего разряда с частотой f=30÷80 МГц на кварцевую подложку. Температура подложки в процессе осаждения пленки должна лежать в интервале 170÷250°С. Плотность мощности разряда в реакционной камере при этом равна 5÷110 мВт/см2, а давление газов составляет 2000÷4000 мТорр. Объемное отношение газов в реакционной камере RH=[H2]/[SiF4] можно варьировать в диапазоне от 4 до 10. С увеличением RH доля кристаллической фазы будет увеличиваться.
Изобретение поясняется чертежами, где на фиг.1 показана блочная технологическая схема получения пленок наномодифицированного аморфного кремния, на фиг.2 схематично изображена внутренняя часть реакционной камеры.
Позициями на чертежах обозначены: 1 - блок смешивания и подачи газов; 2 -вакуумный агрегат; 3 - шкаф управления; 4 - ВЧ-генератор с двухканальным согласующим устройством; 5 - модуль безмасляной откачки; 6 - ВЧ-электрод; 7 - опорный вал вращения с электроприводом; 8 - барабан-подпожкодержатель; 9 - подложки; 10 - ИК-нагреватель.
Ниже представлен пример осуществления изобретения.
Способ может быть реализован в однокамерной установке (например, в установке плазмохимического газофазного осаждения KAI-1200 фирмы «Oerlikon Solar", Швейцария), позволяющей проводить плазмохимическое осаждение из газовой фазы на нагретые твердотельные подложки.
Конструктивно технологический комплекс включает в себя блок смешивания и подачи газов 1, вакуумный агрегат 2, шкаф управления 3 и ВЧ-генератор с двухканальным согласующим устройством 4 (фиг.1).
Схематичное изображение внутренней части реакционной камеры приведено на фиг.2. Установка снабжена модулем безмасляной откачки 5, позволяющим достигать в реакционной камере вакуума 10-5 Па. Для генерации тлеющего разряда в установке используется ВЧ-электрод 6, работающий на частоте 60 МГц.
Приведенная на фиг.2 реакционная камера позволяет осуществлять осаждение сразу на несколько подложек. В центре камеры расположен опорный вал вращения с электроприводом 7, на который устанавливается съемный барабан-подложкодержатель 8. Барабан-подложкодержатель выполнен в виде шестигранника, на боковых гранях которого располагают подложки 9, суммарная площадь которых может достигать 1400 см2. Подложкодержатель электрически изолирован от камеры. Система ИК-нагрева 10 расположена с внутренней стороны подложкодержателя и позволяет задавать его температуру в диапазоне от 100 до 350°С.
Параметры осаждения пленок приведены в таблице 1.
| Таблица 1. Параметры осаждения пленок | |
| Параметр | Значение |
| Объемная доля газов в реакционной камере | Н2: 70% S1F4:10% Ar:20% |
| Температура подложки | 200°С |
| Частота модуляции электрического поля | 60 МГц |
| Давление смеси газов | 3000 мТорр |
| Плотность мощности ВЧ разряда | 90 мВт/см2 |
Вакуумная система на основе турбомолекулярного и форвакуумного насосов обеспечивает в камере предельное остаточное давление 2·10-4 Па. Контроль предельного вакуума и давления технологических газов осуществляется с помощью тепловых и ионизационных преобразователей. Дросселирование потока откачиваемых газов выполняется с помощью специальной магистрали с диафрагмой. Это обеспечивает малые расходы газовой смеси (0,5-1 л/ч) и устраняет необходимость установки скруббера на выходе форвакуумного насоса.
Исследования структурных свойств полученных образцов показали, что при использовании данного метода разложения с приведенными параметрами получают пленки аморфного гидрогенизированного кремния, содержащего нанокристаллы кремния со средним размером 4 нм. Объемная доля кристаллической фазы в полученных пленках составляет 6%. Отклонение от равномерного распределения нанокристаллов по аморфной матрице не превышает 10%. Полученный материал характеризуется стабильными оптическими и фотоэлектрическими параметрами и высокой фоточувствительностью. При использовании заявляемого материала в качестве активного слоя тонкопленочных солнечных преобразователей повышается их КПД и увеличивается срок службы.
Claims (1)
- Способ получения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, содержащих включения нанокристаллов кремния с объемной долей, не превышающей 15%, и размером не более 10 нм, включающий плазмохимическое осаждение смеси газов водорода (H2) и тетрафторида кремния (SiF4) на твердотельную подложку, отличающийся тем, что нанокристаллы кремния формируются непосредственно в плазме тлеющего разряда и распределяются равномерно по толщине пленки за счет использования сочетания технологических параметров осаждения из следующих диапазонов, а именно: объемное отношение газов [H2]/[SiF4] - 4÷10; частота разряда - 30÷80 МГц; плотность мощности разряда - 5÷110 мВт/см2; давление - 2000÷4000 мТорр; температура подложки - 170÷250°С.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012148196/28A RU2536775C2 (ru) | 2012-11-14 | 2012-11-14 | Способ получения пленок аморфного кремния, содержащего нанокристаллические включения |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012148196/28A RU2536775C2 (ru) | 2012-11-14 | 2012-11-14 | Способ получения пленок аморфного кремния, содержащего нанокристаллические включения |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012148196A RU2012148196A (ru) | 2014-05-20 |
| RU2536775C2 true RU2536775C2 (ru) | 2014-12-27 |
Family
ID=50695522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012148196/28A RU2536775C2 (ru) | 2012-11-14 | 2012-11-14 | Способ получения пленок аморфного кремния, содержащего нанокристаллические включения |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2536775C2 (ru) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2061281C1 (ru) * | 1993-02-04 | 1996-05-27 | Московский институт электронной техники | Способ получения тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния |
| US7655542B2 (en) * | 2006-06-23 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for depositing a microcrystalline silicon film for photovoltaic device |
| US7696091B2 (en) * | 2006-02-17 | 2010-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a silicon layer and method of manufacturing a display substrate by using the same |
-
2012
- 2012-11-14 RU RU2012148196/28A patent/RU2536775C2/ru active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2061281C1 (ru) * | 1993-02-04 | 1996-05-27 | Московский институт электронной техники | Способ получения тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния |
| US7696091B2 (en) * | 2006-02-17 | 2010-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a silicon layer and method of manufacturing a display substrate by using the same |
| US7655542B2 (en) * | 2006-06-23 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for depositing a microcrystalline silicon film for photovoltaic device |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| RU 127516 U1 ("Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе") 27.04.2013 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012148196A (ru) | 2014-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6755151B2 (en) | Hot-filament chemical vapor deposition chamber and process with multiple gas inlets | |
| US20070243338A1 (en) | Plasma deposition apparatus and method for making solar cells | |
| JP2545306B2 (ja) | ＺｎＯ透明導電膜の製造方法 | |
| KR20090031492A (ko) | 광전 소자용 미정질 실리콘 막을 증착하기 위한 방법 및장치 | |
| CN102668032A (zh) | 沉积膜形成装置 | |
| CN113785408A (zh) | 基于化学气相沉积法的钙钛矿太阳能电池吸收层的制备方法 | |
| US20120325284A1 (en) | Thin-film silicon tandem solar cell and method for manufacturing the same | |
| ES2311792T3 (es) | Procedimiento para la deposicion de silicio. | |
| US6470823B2 (en) | Apparatus and method for forming a deposited film by a means of plasma CVD | |
| CN101845620B (zh) | 脉冲加热多匣式化学气相沉积p-i-n镀膜装置 | |
| CN101479403A (zh) | 用于制作太阳能电池的等离子沉积设备和方法 | |
| RU2536775C2 (ru) | Способ получения пленок аморфного кремния, содержащего нанокристаллические включения | |
| CN101626049A (zh) | 薄膜太阳能电池的制造方法 | |
| CN101660132B (zh) | 一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法 | |
| CN101550544B (zh) | 一种改善高速沉积微晶硅材料中非晶孵化层的方法 | |
| CN101235491A (zh) | 脉冲式等离子体镀膜方法 | |
| CN117178074A (zh) | 用于减少非晶硅中的沉积态和亚稳态缺陷的方法和装置 | |
| KR100997110B1 (ko) | Ｐｅｃｖｄ 법에 기반한 박막 구조의 제조방법 | |
| JP4510242B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2003158078A (ja) | シリコン半導体の形成方法 | |
| JPH04342121A (ja) | 水素化非晶質シリコン薄膜の製造方法 | |
| RU2599769C2 (ru) | Способ получения фотоактивной многослойной гетероструктуры на основе микрокристаллического кремния | |
| CN102169925A (zh) | 一种非晶硅薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法 | |
| JP2575397B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| De et al. | Low-hydrogen-content, stable amorphous silicon thin films prepared by ion-assisted method |