RU98103272A - Способ изготовления монокристаллов карбида кремния - Google Patents
Способ изготовления монокристаллов карбида кремнияInfo
- Publication number
- RU98103272A RU98103272A RU98103272/12A RU98103272A RU98103272A RU 98103272 A RU98103272 A RU 98103272A RU 98103272/12 A RU98103272/12 A RU 98103272/12A RU 98103272 A RU98103272 A RU 98103272A RU 98103272 A RU98103272 A RU 98103272A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solvent
- preceding paragraphs
- silicon carbide
- starting material
- silicon
- Prior art date
Links
Claims (13)
1. Способ изготовления монокристаллов карбида кремния, при котором а) в прочный к давлению резервуар вводят растворитель, исходный материал в твердой форме, а также по меньшей мере один затравочный кристалл, b) в резервуаре устанавливают давление, которое лежит выше 105 Па и которое настолько высоко, что по меньшей мере один исходный материал по меньшей мере частично растворяется в растворителе, с) причем растворитель и исходный материал выбраны таким образом, что раствор из исходного материала и растворителя содержит как кремний, так и углерод и при котором d) из раствора на по меньшем мере одном затравочном кристалле растет монокристалл карбида кремния.
2. Способ по п. 1, при котором используют твердый исходный материал, который содержит только один из обоих элементов кремний и углерод.
3. Способ по п. 1, при котором используют твердый исходный материал, который содержит как кремний, так и углерод.
4. Способ по п. 3, при котором в качестве твердого исходного материала используют карбид кремния.
5. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором используют растворитель, который содержит по меньшей мере один из обоих элементов кремний и углерод.
6. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором растворитель содержит воду.
7. Способ по п. 6, при котором водородный показатель рН воды изменяют путем добавки электролита.
8. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором используют растворитель, который содержит углеводородное соединение.
9. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором для легирования наращиваемого монокристалла карбида кремния в прочный к давлению резервуар вводят по меньшей мере один легирующий материал.
10. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором давление в резервуаре устанавливают путем подвода тепла.
11. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором давление в резервуаре устанавливают по меньшей мере 107 Па.
12. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором исходный материал поддерживают при более высокой температуре, чем по меньшей мере один затравочный кристалл.
13. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором физически растворенный в растворителе кислород удаляют по меньшей мере почти полностью.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19527536A DE19527536A1 (de) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | Verfahren zum Herstellen von Siliciumcarbid-Einkristallen |
| DE19527536.5 | 1995-07-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98103272A true RU98103272A (ru) | 1999-12-20 |
| RU2157864C2 RU2157864C2 (ru) | 2000-10-20 |
Family
ID=7767971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98103272/12A RU2157864C2 (ru) | 1995-07-27 | 1996-07-17 | Способ изготовления монокристаллов карбида кремния |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5968265A (ru) |
| EP (1) | EP0840810B1 (ru) |
| JP (1) | JP4017663B2 (ru) |
| KR (1) | KR100454274B1 (ru) |
| CN (1) | CN1085746C (ru) |
| DE (3) | DE19527536A1 (ru) |
| RU (1) | RU2157864C2 (ru) |
| WO (1) | WO1997005303A1 (ru) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU747260B2 (en) | 1997-07-25 | 2002-05-09 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| ATE452445T1 (de) | 1999-03-04 | 2010-01-15 | Nichia Corp | Nitridhalbleiterlaserelement |
| US6514338B2 (en) * | 1999-12-27 | 2003-02-04 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal |
| JP2002220299A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-09 | Hoya Corp | 単結晶SiC及びその製造方法、SiC半導体装置並びにSiC複合材料 |
| US6706114B2 (en) * | 2001-05-21 | 2004-03-16 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide crystals |
| JP4453348B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2010-04-21 | トヨタ自動車株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| WO2006070749A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法及びそれにより得られた炭化珪素(SiC)単結晶 |
| KR20060094769A (ko) * | 2005-02-26 | 2006-08-30 | 네오세미테크 주식회사 | 대구경 탄화규소 단결정 성장 장치 |
| US8980445B2 (en) * | 2006-07-06 | 2015-03-17 | Cree, Inc. | One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed |
| EP2245217A1 (en) * | 2007-12-12 | 2010-11-03 | Dow Corning Corporation | Method to manufacture large uniform ingots of silicon carbide by sublimation/condensation processes |
| JP4697235B2 (ja) | 2008-01-29 | 2011-06-08 | トヨタ自動車株式会社 | p型SiC半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたp型SiC半導体単結晶 |
| TWI362769B (en) | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
| JP5355533B2 (ja) | 2010-11-09 | 2013-11-27 | 新日鐵住金株式会社 | n型SiC単結晶の製造方法 |
| US20230212402A1 (en) * | 2020-05-26 | 2023-07-06 | Unm Rainforest Innovations | Two dimensional silicon carbide materials and fabrication methods thereof |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5815479B2 (ja) * | 1980-08-28 | 1983-03-25 | 藤井 隆 | 炭化硅素単結晶の製造方法 |
| US4753787A (en) * | 1986-07-18 | 1988-06-28 | Pieter Krijgsman | Method and structure for forming a reaction product |
| US4866005A (en) * | 1987-10-26 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide |
| US5069744A (en) * | 1989-10-26 | 1991-12-03 | Borodin Vadim L | Process for producing single crystals of optical calcite |
-
1995
- 1995-07-27 DE DE19527536A patent/DE19527536A1/de not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-07-17 CN CN96195700A patent/CN1085746C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-17 KR KR10-1998-0700459A patent/KR100454274B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-17 DE DE59602288T patent/DE59602288D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-17 EP EP96924741A patent/EP0840810B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-17 DE DE19680622T patent/DE19680622D2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-17 WO PCT/DE1996/001299 patent/WO1997005303A1/de not_active Ceased
- 1996-07-17 JP JP50708297A patent/JP4017663B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-17 RU RU98103272/12A patent/RU2157864C2/ru not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-01-27 US US09/013,990 patent/US5968265A/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0780153A1 (en) | Diamond synthesis | |
| FI951780A0 (fi) | Menetelmä katalyyttikomponenttien valmistamiseksi | |
| KR100454274B1 (ko) | 탄화규소단결정의생성방법 | |
| SU547173A3 (ru) | Способ непрерывного получени многоатомных спиртов | |
| DE50311932D1 (de) | Verfahren zur herstellung von chlorotris (triphenylphosphan)rhodium (i) | |
| ES2127726T3 (es) | Un metodo para la preparacion de hemoglobina piridoxilada. | |
| AU747096C (en) | Crystal of diuridine tetraphosphate or salt thereof and method for preparing the same, and method for producing said compound | |
| KR910019902A (ko) | 알카리금속 하이포아인산염의 제조방법 | |
| JP2021037514A (ja) | 水処理方法 | |
| ES8500228A1 (es) | Procedimiento para desdoblar mezclas racemicas de esteres de acidos imino- -carboxilicos biciclicos | |
| JPH02115034A (ja) | 立方晶窒化ほう素結晶の合成方法 | |
| JPS56133247A (en) | Production of 2-chloroethylamine hydrochloride | |
| SE433265B (sv) | Forfarande for framstellning av ett system av amfotera berare for isoelektriskt fokusering | |
| ATE236989T1 (de) | Verfahren zur herstellung von l-carnitin aus crotonobetain | |
| CA2236117A1 (en) | Process for producing optically active cyanohydrins | |
| JP4544659B2 (ja) | アルミノキサンの製造方法 | |
| US4613688A (en) | Optical resolution process for DL-cysteine | |
| JPH0214315B2 (ru) | ||
| SU1244097A1 (ru) | Способ очистки сточных вод производства пентаэритрита | |
| JPS5669212A (en) | Synthesis of diamond | |
| EP0939068A4 (ru) | ||
| JPS5586586A (en) | Treating method of sewage | |
| SU1629613A1 (ru) | Способ охлаждени сжимаемого газа в винтовом компрессоре | |
| HUP9800167A2 (hu) | Eljárás granulált szerves anyagok előállítására | |
| JPS5228258A (en) | Method for growth of crystals from liquid phase |