RU99123739A - Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления - Google Patents

Claims (2)

1. Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава, включающий изменение температуры расплава за счет управления, скоростей вытягивания и вращения кристалла, скоростей подъема и вращения тигля, при одновременном измерении высоты подъема кристалла и перемещения тигля, при постоянном уровне расплава, с введением в периоды разомкнутого состояния датчика уровня расплава скорости подъема тигля вверх большей, на величину опережения, чем это необходимо для условия постоянства уровня расплава, при данных параметрах скоростей вытягивания, заданного диаметра кристалла и внутреннего диаметра тигля, отличающийся тем, что в периоды замкнутого состояния датчика расплава, скорость подъема тигля вверх снижается на коэффициент снижения, по сравнению со скоростью при разомкнутом состоянии датчика расплава и при соблюдении условия стабилизации уровня расплава в тигле, что позволяет, при периодическом безостановочном движении тигля, с увеличенной и уменьшенной скоростью, за время цикла оценки, на основе замеренных непосредственных перемещений тигля и кристалла, с учетом погрешностей механической системы передач, выделить уточненный разностный сигнал управления, пропорциональный отклонению текущей площади (диаметра) кристалла от заданной, заведя его в систему управления для стабилизации площади (диаметра) вытягиваемого кристалла.

2. Устройство для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава, содержащее датчик и регулятор температуры, приводы скорости вытягивания и вращения кристалла, приводы скорости перемещения и вращения тигля, управляющую микроЭВМ, отличающееся тем, что содержит датчик уровня расплава, срабатывающий относительно поверхности расплава, без использования плавающего экрана, за счет обеспечения температуры нижней, контактируемой с расплавом части датчика, выше температуры кристаллизации расплава, достигаемую за счет расположения датчика между внутренним и наружным тиглем с расплавом и дополнительным подогревом датчика от расположенного на нем нагревателя, питаемого от источника, управляемого ЭВМ; содержит фотоэлектрические датчики перемещением кристалла и тигля, связанные с управляемыми механическими редукторами, что обеспечивает точность замеряемых перемещений кристалла и тигля, с учетом погрешностей механических систем передачи движения по штоку кристалла и тигля.