SE543143C2 - Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt - Google Patents

Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt

Info

Publication number
SE543143C2
SE543143C2 SE1930124A SE1930124A SE543143C2 SE 543143 C2 SE543143 C2 SE 543143C2 SE 1930124 A SE1930124 A SE 1930124A SE 1930124 A SE1930124 A SE 1930124A SE 543143 C2 SE543143 C2 SE 543143C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
wafer
heaters
growth chamber
bending
temperature
Prior art date
Application number
SE1930124A
Other languages
English (en)
Other versions
SE1930124A1 (sv
Inventor
Richard Spengler
Roger Nilsson
Original Assignee
Epiluvac Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epiluvac Ab filed Critical Epiluvac Ab
Priority to SE1930124A priority Critical patent/SE543143C2/sv
Priority to JP2021560636A priority patent/JP7581608B2/ja
Priority to EP20787524.6A priority patent/EP3931369A4/en
Priority to PCT/SE2020/050367 priority patent/WO2020209780A1/en
Priority to US17/594,235 priority patent/US12180592B2/en
Publication of SE1930124A1 publication Critical patent/SE1930124A1/sv
Publication of SE543143C2 publication Critical patent/SE543143C2/sv

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/306—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for measuring evenness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2902—Materials being Group IVA materials
    • H10P14/2905—Silicon, silicon germanium or germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
    • H10P14/3416—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H10P72/3306—Horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7618—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating carrousel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/23—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes
    • H10P74/238—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes comprising acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection or in-situ thickness measurement
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

SAMMANFATTNINGAnordning för att tillförsäkra planhet hos en halvledarwafer (4) under tillväxt vid förhöjd temperatur i en tillväxtkammare (14) inrättad i ett reaktorhölje (11, 12, 13) där anordningen (1) innefattar en tillväxtkammare (14) som har en port för att medge insättning av åtminstone en wafer (4) på en roterande bärarplatta (2) i tillväxtkammaren (14) och för uttag av wafern (4) ur denna, där tillväxtkammaren (14) vidare har en inloppskanal (17) för tillförsel av processgaser (5) och en utloppskanal (18) för utsläpp av ej förbrukade processgaser (5) för att skapa ett processgasflöde mellan nämnda kanaler, och där vidare separata värmare (VI - V6) är arrangerade intill tillväxtkammaren (14) för att värma den roterande wafern (4) medelst individuellt kontrollerade värmarszoner både över och under wafern (4), varvid ett instrument(6) mäter waferns (4) böjning genom att en automatisk reglerkrets är anordnad att använda data från någon av en temperaturgivare (20) eller uppmätta data för effekt tillförd värmama, och instrumentet (6) som mäter waferns böjning för att ändra temperatur i nämnda temperaturzoner så att böjning hos wafern (4) minimeras.

Description

Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt TEKNISKT OMRÅDE 1. 1. id="p-1" id="p-1" id="p-1" id="p-1" id="p-1" id="p-1" id="p-1" id="p-1" id="p-1" id="p-1" id="p-1" id="p-1" id="p-1" id="p-1" id="p-1" id="p-1"
[0001] Den föreliggande uppfinningen hänför sig till en anordning som vid tillväxt av en wafer av ett halvledarmaterial i en tillväxtkammare under hög temperatur övervakar att förutbestämd planhet uppnås hos wafern under tillväxtprocessen.
TEKNIKENS STÅNDPUNKT 2. 2. id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2"
[0002] Vid tillverkning av halvledarmaterial genom gasfasepitaxi (eng; Chemical Vapour Deposition, CVD) är det viktigt att materialet får homogena egenskaper. De erhållna egenskaperna är beroende av olika förhållanden under tillverkningsprocessen, ofta kallad tillväxten av materialet. 3. 3. id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3"
[0003] Tillväxten sker på en wafer som vanligen placeras på en cirkulär bärarplatta som i sin tur är placerad på botten av en tillväxtkammare. Bärarplattan och tillväxtkammaren är tillverkade av ett fast material, exempelvis grafit. Under tillväxten, som sker vid en förhöjd temperatur i en tillväxtkammare, så värms wafern främst genom bärarplattan och tillväxtkamaren. Gaser, inklusive de gaser som innehåller de grundämnen som behövs för tillväxten, dvs. för skapandet av den kristallstruktur som eftersträvas i waferns halvledarmaterial, släpps in i kammaren på ett kontrollerat sätt. Vanligen roteras bärarplattan och wafern under tillväxten. I vissa fall kommer wafern att böja sig under tillväxtprocessen. Detta kan orsakas av ojämn temperatur kring wafern, inre spänningar i wafern eller spänningar som genereras av den tillväxt som skett på wafern. De inre spänningarna är en materialegenskap som vanligtvis inte kan bestämmas före tillväxtprocessen startar. 4. 4. id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4"
[0004] För en wafer med större diameter så kan böjningen förorsaka förödande sprickor när wafern kyls ner igen till rumstemperatur när tillväxtprocessen har avslutats. När wafern försöker återgå till sin ursprungliga form så ökar de inre spänningarna på grund av det tillkomna tillväxtlagret och de inre spänningarna kan inte kompenseras av ändrade avstånd mellan kristallplanen som byggts av atomer från gaserna som används för att åstadkomma ett förutbestämt halvledarmaterial. Detta leder till att sprickor uppkommer. . . id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5"
[0005] Det finns metoder för att mäta böjningen hos wafern och kontrollera den under tillväxtprocessen. Böjningen kan kompenseras t. ex. genom att man genererar en kraft som ger en böjning i motsatt riktning med hjälp av att ändra fördelningen mellan olika gaser i tillväxtkammaren. Men när fördelningen mellan olika gaser ändras så ändras också egenskaperna för det halvledarmaterial man tillverkar på ett oönskat sätt. 6. 6. id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6"
[0006] Patentskriften EP 1275135 förutsätts utgöra den närmaste kända tekniken inom området. I denna skrift nämns något om att åstadkomma olika temperaturzoner i gaserna före och efter flödet över wafern för att skapa förutsättningar för att undvika böjning hos wafern. Däremot nämns inte något i denna skrift om någon teknik eller metod för att detektera eventuell avvikelse i waferns planhet under tillväxtprocessen och åtgärder för att i realtid motverka böjning av wafern baserad på detekterad avvikelse från dess planhet.
BESKRIVNING AV UPPFINNINGEN 7. 7. id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7"
[0007] Enligt en aspekt av uppfinningen utgörs denna av en anordning för att tillförsäkra planhet hos en halvledarwafer under tillväxt vid förhöjd temperatur i en tillväxtkammare där anordningen är innesluten i ett reaktorhölje som omger tillväxtkammaren, och där tillväxtkammaren har en port för att medge insättning av åtminstone en wafer på en roterande bärplatta i tillväxtkammaren och för uttag av wafern ur denna, där tillväxtkammaren vidare har en inloppskanal för tillförsel av processgaser och en utloppskanal för utsläpp av ej förbrukade processgaser för att skapa ett processgasflöde mellan dessa kanaler, där separata värmare är arrangerade intill tillväxtkammaren för att värma den roterande wafern medelst individuellt kontrollerade värmarszoner både över och under wafern. Vidare är ett instrument anordnat för att mäta waferns böjning i minst en position. En automatisk reglerkrets använder som ett alternativ data från temperaturgivare och instrumentet som mäter waferns böjning och ändrar temperatur i nämnda temperaturzoner så att böjning hos wafern minimeras. Vid ett annat alternativ används i stället för indata från temperaturgivare till reglerkretsen mätning av effekttillförsel till värmama och matning av uppmätta effektdata till reglerkretsen 8. 8. id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8"
[0008] Mätningen av waferns böjning kan ske med en optisk metod, exempelvis med metoden enligt EpiCurve®TT Gen 3. Eftersom böjningens storlek beror på diametern på wafern pratar man ofta om böjningens radie, uttryckt i km<-1>. Ju större värde på radien desto mindre är böjningen. Den mätmetod som prövats i denna uppfinning klarar idag att mäta konvexa radier som uppgår till 7000 km<-1 >och i fallet med konkava radier upp till 800 km<-1>. I tillväxtprocess är böjradien ofta runt 50 km<-1>, dvs. väl inom vad mätmetoden klarar av att fastställa. Mätning av böjningen sker vid av varandra oberoende positioner på olika avstånd från waferns centrum genom mätning av reflexionen hos laserstrålar som sänds mot wafern. Genom att mäta skillnaden mellan reflekterade strålars vinkel vid dessas reflexion från två olika positioner på wafern kan böjningen bestämmas. Wafems böjning mäts kontinuerligt. 9. 9. id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9"
[0009] Temperaturen hos värmama justeras medelst den automatiska reglerkretsen vid givna tidsintervall, vilka kan utgöras av perioder om 30:e sekunder. Justeringen görs efter ett tabellvärde i förhållande till den uppmätta böjningen. Om böjningen är konkav, dvs. att kanterna hos wafern är högre än de centrala delarna av denna, så ska generellt ovansidans temperatur höjas i förhållande till undersidans. Det har här nämnts att separata värmare är arrangerade intill tillväxtkammaren. Med begreppet separata värmare avses här värmare vars temperatur mäts och effekt styrs individuellt i förhållande till varandra. . . id="p-10" id="p-10" id="p-10" id="p-10" id="p-10" id="p-10" id="p-10" id="p-10" id="p-10" id="p-10" id="p-10" id="p-10" id="p-10" id="p-10" id="p-10" id="p-10"
[0010] Bärarplattan roterar kring en axel som är vinkelrätt inrättad i förhållande till gasflödet över denna. Utformningen av värmama är inte given utan kan inrättas utefter gasflödets uppträdande i tillväxtkammaren. I den här presenterade lösningen visas ett horisontellt gasflöde där flödet av processgaser passerar i princip horisontellt över den vågrätt placerade bärplattan med en eller flera wafers på dess yta. Processgasema kan i andra tillämpningar introduceras centralt över bärplattan och pumpas bort mot dess periferi. Idag används ett flertal metoder för konfiguration av processgasflöde. 11. 11. id="p-11" id="p-11" id="p-11" id="p-11" id="p-11" id="p-11" id="p-11" id="p-11" id="p-11" id="p-11" id="p-11" id="p-11" id="p-11" id="p-11" id="p-11" id="p-11"
[0011] De i tillväxtkammaren inkommande processgasema kyler tillväxtkammaren varigenom värmama måste utformas efter gasflödets uppträdande. Värmare över och under bärarplattan kan styras individuellt. I föreliggande uppfinning används i det visade utförandet raka värmare som sträcker sig vinkelrätt mot den horisontella gasströmmen genom tillväxtkammaren och är belägna både över och under bärarplattan. Principen för anordningen enligt uppfinningen kan likväl användas för andra utformningar av tillväxtkammaren, bärarplattans placering och processgasemas flöden genom att anordna värmama så att deras design ger möjlighet att skapa individuellt kontrollerade värmezoner över och under bärarplattan och därigenom över och under wafer under tillväxt. 12. 12. id="p-12" id="p-12" id="p-12" id="p-12" id="p-12" id="p-12" id="p-12" id="p-12" id="p-12" id="p-12" id="p-12" id="p-12" id="p-12" id="p-12" id="p-12" id="p-12"
[0012] När wafern tenderar att böja sig på grund av inre spänningar eller spänningar genererade av det tillkomna tillväxtlagret så kan detta hållas plant genom att skapa en kontrollerad ändring i temperaturprofilen över hela waferns yta. Detta görs i en automatiskt kontrollerad återkopplad reglerkrets.
FIGURBESKRIVNING Figur 1 visar schematiskt en principskiss över anordningen enligt uppfinningsaspekten. Figur 2 illustrerar schematiskt i en perspektivvy en anordning enligt uppfinningen där reaktorn, tillväxtkammaren samt processgasemas kanaler är givna i ett längsgående tvärsnitt genom tillväxtkammaren när anordningen är anbringad i en exemplifierad reaktor. Figur 3 visar ett längsgående tvärsnitt genom tillväxtkammaren enligt figur 2, där värmamas placering i förhållande till tillväxtkammare och wafer åskådliggörs.
Figur 4 visar i en planvy från ovan den undre halvan av tillväxtkammaren enligt figur 3, där bärarplatta, wafer och grupperna av värmare under tillväxtkammaren framkommer.
BESKRIVNING AV UTFÖRANDEN 13. 13. id="p-13" id="p-13" id="p-13" id="p-13" id="p-13" id="p-13" id="p-13" id="p-13" id="p-13" id="p-13" id="p-13" id="p-13" id="p-13" id="p-13" id="p-13" id="p-13"
[0013] I det följande beskrivs ett antal utföranden av uppfinningen med stöd av de bilagda ritningarna. Ritningarna visar endast schematiskt principen för anordningen och gör ej anspråk på att skalenligt visa några proportioner mellan olika element av denna. 14. 14. id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14"
[0014] Här redovisas ett utförande av en anordning enligt uppfinningen. Som nämnts kan konfiguration av tillväxtkammare och kanaler för processgaser designas på olika sätt. Genom att anpassa de element som visas i det här redovisade utförandet till andra designer av reaktorer kan principen för uppfinningen överföras till dessa. . . id="p-15" id="p-15" id="p-15" id="p-15" id="p-15" id="p-15" id="p-15" id="p-15" id="p-15" id="p-15" id="p-15" id="p-15" id="p-15" id="p-15" id="p-15" id="p-15"
[0015] Figur 1 visar endast de inre elementen som används i en reaktor för att odla tillväxtlager av ett halvledarmaterial på en wafer. Det visade exemplet av anordningen används i en reaktor för odling av galliumnitrid på kisel . Denna typ av odling kräver mycket höga temperaturer, vanligen mellan 900 och 1500 grader Celsius, varigenom de defekter i kristall material et som diskuterats ovan kan uppkomma. Anordningen enligt uppfinningen betecknas med 1. 1 denna illustreras en bärplatta 2, som är inrättad att rotera runt en axel 3. På bärplatta 2 placeras en wafer 4 som sålunda roterar med bärarplattan. Tillväxten av ett halvledarmaterial sker på waferns 4 ovansida. Processgaser som nyttjas för odlingen av halvledarmaterialet är i figuren visade strömmande från vänster i horisontell led mot ett utlopp till höger i figuren. Processgasflödet är betecknat med hänvisningen 5. Både under och över bärplattan 2 är värmare anordnade, i det visade exemplet anordnade som 6 skilda värmeelement betecknade med V1, V2, V3, V4, V5, V6.
Värmeelementen är exempelvis utförda som grafitelement. Mätningen av böjning hos wafern sker som nämnts medelst laserljus 6 som riktas in mellan värmama mot åtminstone en mer central punkt på wafern och en mer perifer punkt på denna, dock med mycket litet avstånd mellan punkterna. 16. 16. id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16"
[0016] Anordningen 1 är visad, mycket schematiskt, inuti en reaktor 10 i figur 2, där reaktorn är gestaltad med ett cylinderformat hölje utformat med botten 11, lock 12 och cylindrisk vägg 13. En reaktor enligt figur 2 är vanligen utförd i rostfritt stål. Figuren visar ett tvärsnitt genom reaktorn 10, varigenom öppet framkommer inuti denna en tillväxtkammare 14 öppnad i ett längsgående tvärsnitt. Tillväxtkammaren är tillverkad i ett mycket värmetåligt material. Tillväxtkammaren 14 ses här med en botten 15 och en övre vägg 16.
Bärarplattan 2 visas nedsänkt i tillväxtkammarens botten 15, där den är roterbart anordnad i samma plan som denna. Reaktorn 10 har en port för tillförsel av processgaser, vilka förs in till tillväxtkammaren 14 via en inloppskanal 17, där processgasema symboliseras med en pil i inlopp skanalen 17. Vidare har reaktorn 10 en port för utförsel av icke förbrukade processgaser, där dessa leds ut via en utloppskanal 18 från tillväxtkammaren 14. 1 denna utloppskanal 18 är detta flöde av icke förbrukade processgaser visat medelst en pil inuti utloppskanalen 18. Värmama V1 - V6 är för tydlighetens skull icke visade i figur 2. 17. 17. id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17"
[0017] En konfiguration med värmare V1 - V6 inrättade i anordningen 1 applicerad i en reaktor 10 enligt exemplet i figur 2 åskådliggörs i figur 3. I denna figur kan utläsas att 3 grupper av värmare är anordnade med värmarelement både under tillväxtkammarens botten 15 och över tillväxtkammarens övre vägg 16. Värmama V1 - V6 är ordnade gruppvis. Sålunda värms tillväxtkammaren vid processgasemas inflöde i denna med värmama V1 och V4 i en första grupp. En andra grupp värmare, V2 och V5, värmer tillväxtkammaren 14 i dess centrala del, medan en tredje grupp värmare, V3 och V6, värmer tillväxtkammaren 14 vid utflödet av processgaser från denna. Processgasema betecknas här med 5 vid pilarna. Genom placeringen av dessa värmare V1 - V6 vid olika positioner i förhållande till tillväxtkammarens 14 utsträckning i längdled kan härigenom tillförsel av värme till waferns 4 centrala och perifera delar styras och varieras oberoende av varandra i och med att värmargruppema är individuellt styrbara med avseende på energitillförsel till dessa. Temperaturen hos övre eller undre del av tillväxtkammaren 14 kan även styras vid respektive värmargrupp genom att övre resp. undre värmare i en värmargrupp kan styras oberoende av varandra. Värmama V1 - V6 utgörs i utförandet av grafitelement. 18. 18. id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18"
[0018] Figur 4 visar tillväxtkammarens 14 botten 15 i en planvy från ovan. Här kan tydligt utläsas hur de olika värmargruppema värmer olika delar av tillväxtkammaren 14 och sålunda påvisar hur ändringar av tillförsel av värme till wafer 4 kan åstadkommas. En automatisk reglerkrets (ej visad) detekterar böjningsvärden och styr därefter matning av energi till värmama V1 - V6 så att det skapas en kontrollerad temperaturprofil över hela waferns 4 yta för att bibehålla wafern plan. Om exempelvis mätningar av böjning hos en wafer 4 lokaliserad på bärplattan 2 indikerar att kanterna hos wafern 4 är högre än de centrala delarna av denna kommer den automatiska reglerkretsen att höja temperaturen på ovansidan av wafern i de yttre delarna av denna varvid böjning uppåt motverkas hos kanterna på wafern. Detta kan ske genom ökad energitillförsel i värmama V4 och V6. eller sänkning av värmetillförsel via värmama V1 och V3. 19. 19. id="p-19" id="p-19" id="p-19" id="p-19" id="p-19" id="p-19" id="p-19" id="p-19" id="p-19" id="p-19" id="p-19" id="p-19" id="p-19" id="p-19" id="p-19" id="p-19"
[0019] I figur 3 visas hur laserljus enligt mätmetoden enligt känd teknik riktas mot en position på wafern. Genom mätning av vinkeln som skapas mellan den mot wafern infallande ljusstrålen och den reflekterade ljusstrålen enligt hänvisning 6 och jämförelse med motsvarande vinkel för en annan ljusstråle riktad mot en annan position på wafern kan eventuell böjning av wafern bestämmas och sålunda genom automatisk justering av energitillförsel till de olika värmama motverkas. Denna reglering sköts via den nämnda reglerkretsen. Böjningsvärden erhålls medelst mätmetoden. . . id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20"
[0020] Temperaturmätning sker med optisk metod (pyrometrar). Det finns en temperaturgivare 20 i form av en pyrometer för varje värmare. Pyrometem mäter vinkelrätt mot gasernas flödesriktning. Pyrometem är placerad utanför tillväxtkammaren och mäter genom ett optiskt fönster. Detta illustreras med pilar från temperaturgivama 20 som är befintliga utanför tillväxtkammaren. Mätningen sker inte direkt mot värmaren utan mot botten 15 respektive ovandel 16. 21. 21. id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21"
[0021] I stället för mätning av temperatur i tillväxtkammaren kan data avseende tillförd effekt till värmama bestämmas. Uppmätta effektdata används härvid som ett styrmedel till reglerkretsen tillsammans med böjningsvärden.
Den elektriska energin till värmama V1 - V6 förs in genom reaktorns 10 yttre vägg 13 via vacuumtäta elektriska genomföringar. Dessa genomföringar håller också värmama på plats. Mellan värmama och den kalla ytterväggen finns isolering som tål processgasema och den höga temperaturen i reaktorn.

Claims (10)

1. Anordning för att ti11försäkra p1anhet hos en ha1v1edarWafer (4) under tillväxtvid förhöjd temperatur i en ti11väXtkammare (14) inrättad i ett reaktorhö1je (11, 12, 13) däranordningen (1) innefattar: - en ti11väXtkammare (14) som har en port för att medge insättning av åtminstone en Wafer(4) på en roterande susceptor (2) i ti11väXtkammaren (14) och för uttag av Wafern (4) urdenna, där ti11väXtkammaren (14) vidare har en in1oppskana1 (17) för ti11förse1 avprocessgaser (5) och en ut1oppskana1 (18) för utsläpp av ej förbrukade processgaser (5) föratt skapa ett processgasflöde me11an nämnda kanaler, kännetecknad av att: - separata värmare (V1 - V6) är arrangerade inti11 ti11väXtkammaren (14) för att värma denroterande Wafern (4) mede1st individue11t kontro11erade värmarszoner både över och underWafem (4), - ett instrument (6) mäter Waferns (4) böjning, - en automatisk reg1erkrets är anordnad att använda data från någon av a) temperaturgivare (20), b) uppmätta data för effekt ti11 värrnarna,och instrumentet (6) som mäter Waferns böjning, och att ändra temperatur i nämnda temperaturzoner så att böjning hos Wafern (4) minimeras.
2. Anordningen en1igt patentkrav 1, där värmama (V1 - V6) är p1acerade med trevärmare (V1 - V3) under ti11väXtkammaren (14) och med tre värmare (V4 - V6) ovanför ti11väXtkammaren ( 14).
3. Anordningen en1igt patentkrav 2, där värmama V1 - V6 är ordnade gruppvis,varvid ti11väXtkammaren (14) värms vid processgasemas (5) inflöde i denna med värmarnaV1 och V4 i en första grupp; en andra grupp värmare, V2 och V5, värmer ti11väXt-kammaren (14) i dess centra1a de1, medan en tredje grupp värmare, V3 och V6, värmer ti11väXtkammaren (14) vid processgasernas (5) utflöde från denna.
4. Anordningen en1igt patentkrav 1, där böjningen hos Wafern (4) mäts med ettinstrument som beräknar böjningen mede1st1aser1jus (6) sänt mot Wafem (4) och som reflekteras från minst två punkter på Waferns (4) yta.
5. Anordningen en1igt patentkrav 4, där instrumentet (6) är anordnat att beräkna en vinke1 me11an mot Wafem (4) infa11ande 1aserstrå1e (6) och från Wafem reflekterade laserstråle (6) vid minst två punkter på Wafem och att därur beräkna om böjning av Wafern föreligger.
6. Förfarande för att tillförsäkra planhet hos en halvledarwafer (4) under tillväxtvid förhöjd temperatur i en tillväXtkammare (14) enligt patentkrav l, innefattande stegen:- böjning hos Wafem (4) mäts medelst ett instrument som sänder laserstrålar (6) motWafem (4), - en automatisk reglerkrets anpassar tillförsel av energi till något eller några av värrneelementen (Vl - V6) för att motverka påbörjad uppmätt böjning.
7. Förfarandet enligt patentkrav 6, vidare innefattande steget:- enskilda värrnarelement (Vl - V6) styrs individuellt med avseende på energitillförsel till dessa.
8. Förfarande enligt patentkrav 7, vidare innefattande steget:- temperaturen hos övre eller undre del av tillväXtkammaren (14) kan styras genom att övre resp. undre värmare (Vl - V6) styrs oberoende av varandra.
9. Förfarande enligt patentkrav 8, vidare innefattande steget: - vid indikation från mätning av böjning att kanterna hos Wafern (4) är högre än de centraladelama av denna ombesörjer den automatiska reglerkretsen att temperaturen höjs påovansidan av Wafern (4) i de yttre delarna av denna genom ökad energitillförsel till någon av värmarna (V4 -V6) placerade ovan Wafem (4) vid de yttre delarna av denna.
10. l0. Förfarande enligt patentkrav 9, vidare innefattande steget: - vid indikation från mätning av böjning att kanterna hos Wafern (4) är lägre än de centraladelama av denna ombesörjer den automatiska reglerkretsen att temperaturen höjs påundersidan av Wafern (4) i de yttre delarna av denna genom ökad energitillförsel till någon av värmarna (Vl -V3) placerade under Wafem (4) vid de yttre delama av denna.
SE1930124A 2019-04-12 2019-04-12 Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt SE543143C2 (sv)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE1930124A SE543143C2 (sv) 2019-04-12 2019-04-12 Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt
JP2021560636A JP7581608B2 (ja) 2019-04-12 2020-04-08 成長中にウェハの平面性を提供する装置および方法
EP20787524.6A EP3931369A4 (en) 2019-04-12 2020-04-08 DEVICE AND METHOD FOR PLANARITY OF A WAFER DURING GROWTH
PCT/SE2020/050367 WO2020209780A1 (en) 2019-04-12 2020-04-08 Device and method to provide planarity of a wafer during growth
US17/594,235 US12180592B2 (en) 2019-04-12 2020-04-08 Device and method for ensuring planarity of a semiconductor wafer during epitaxial growth

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE1930124A SE543143C2 (sv) 2019-04-12 2019-04-12 Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE1930124A1 SE1930124A1 (sv) 2020-10-13
SE543143C2 true SE543143C2 (sv) 2020-10-13

Family

ID=72749525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE1930124A SE543143C2 (sv) 2019-04-12 2019-04-12 Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12180592B2 (sv)
EP (1) EP3931369A4 (sv)
JP (1) JP7581608B2 (sv)
SE (1) SE543143C2 (sv)
WO (1) WO2020209780A1 (sv)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11994807B2 (en) * 2022-05-03 2024-05-28 Tokyo Electron Limited In-situ lithography pattern enhancement with localized stress treatment tuning using heat zones

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05259082A (ja) * 1992-03-10 1993-10-08 Komatsu Denshi Kinzoku Kk エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法
JPH07283155A (ja) * 1994-04-01 1995-10-27 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JP3206375B2 (ja) * 1995-06-20 2001-09-10 信越半導体株式会社 単結晶薄膜の製造方法
JPH09126913A (ja) * 1995-10-30 1997-05-16 Hitachi Ltd 応力測定装置および半導体製造装置
US5851929A (en) * 1996-01-04 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Controlling semiconductor structural warpage in rapid thermal processing by selective and dynamic control of a heating source
US6780464B2 (en) * 1997-08-11 2004-08-24 Torrex Equipment Thermal gradient enhanced CVD deposition at low pressure
US6331212B1 (en) 2000-04-17 2001-12-18 Avansys, Llc Methods and apparatus for thermally processing wafers
JP2002246318A (ja) 2001-02-16 2002-08-30 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法及び熱処理装置
TWI225279B (en) * 2002-03-11 2004-12-11 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
TWI266104B (en) * 2002-03-14 2006-11-11 Sharp Kk Manufacturing method of liquid crystal display apparatus and substrate assembling apparatus
JP4059694B2 (ja) * 2002-03-27 2008-03-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US7534498B2 (en) * 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
US7570368B2 (en) * 2004-05-12 2009-08-04 Veeco Instruments Inc. Method and apparatus for measuring the curvature of reflective surfaces
US7331583B1 (en) * 2004-12-22 2008-02-19 Hydra-Lock Corporation Workpiece holder with a multi-piece bladder
JP4682001B2 (ja) 2004-12-24 2011-05-11 株式会社ヒューモラボラトリー 水晶薄膜の製造装置
US7452793B2 (en) * 2005-03-30 2008-11-18 Tokyo Electron Limited Wafer curvature estimation, monitoring, and compensation
JP4301251B2 (ja) 2006-02-15 2009-07-22 住友電気工業株式会社 ＧａＮ結晶基板
US7573004B1 (en) * 2006-02-21 2009-08-11 Structured Materials Inc. Filament support arrangement for substrate heating apparatus
JP5226206B2 (ja) 2006-12-22 2013-07-03 三井造船株式会社 誘導加熱を用いた熱処理方法および熱処理装置
WO2009003100A1 (en) * 2007-06-27 2008-12-31 Ii-Vi Incorporated Fabrication of sic substrates with low warp and bow
JP4985547B2 (ja) 2008-06-03 2012-07-25 住友電気工業株式会社 成膜装置
JP2009297734A (ja) * 2008-06-11 2009-12-24 Nitto Denko Corp レーザー加工用粘着シート及びレーザー加工方法
JP5343419B2 (ja) 2008-06-27 2013-11-13 住友電気工業株式会社 成膜方法
US20110073039A1 (en) * 2009-09-28 2011-03-31 Ron Colvin Semiconductor deposition system and method
US20110247556A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-13 Soraa, Inc. Tapered Horizontal Growth Chamber
JP2011246749A (ja) 2010-05-25 2011-12-08 Tokuyama Corp アルミニウム系ｉｉｉ族窒化物製造装置、およびアルミニウム系ｉｉｉ族窒化物の製造方法
JP5615102B2 (ja) * 2010-08-31 2014-10-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造方法及び半導体製造装置
JP2012101977A (ja) 2010-11-10 2012-05-31 Hitachi Cable Ltd 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体自立基板の製造方法
TW201246297A (en) * 2011-04-07 2012-11-16 Veeco Instr Inc Metal-organic vapor phase epitaxy system and process
US8958061B2 (en) 2011-05-31 2015-02-17 Veeco Instruments Inc. Heated wafer carrier profiling
JP2013051351A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Nuflare Technology Inc 気相成長装置及び気相成長方法
US9200965B2 (en) 2012-06-26 2015-12-01 Veeco Instruments Inc. Temperature control for GaN based materials
SG10201800482RA (en) * 2012-07-03 2018-03-28 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Use of vacuum chucks to hold a wafer or wafer sub-stack
US10167571B2 (en) * 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
TWI563542B (en) * 2014-11-21 2016-12-21 Hermes Epitek Corp Approach of controlling the wafer and the thin film surface temperature
US10074827B2 (en) * 2015-02-04 2018-09-11 Lg Chem, Ltd. Encapsulation film
US9627239B2 (en) 2015-05-29 2017-04-18 Veeco Instruments Inc. Wafer surface 3-D topography mapping based on in-situ tilt measurements in chemical vapor deposition systems
US20160355947A1 (en) * 2015-06-05 2016-12-08 Sensor Electronic Technology, Inc. Susceptor Heating For Epitaxial Growth Process
US10090210B2 (en) * 2015-10-01 2018-10-02 Sensor Electronic Technology, Inc. Material growth with temperature controlled layer
DE102016119328A1 (de) * 2016-10-11 2018-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Heizvorrichtung, Verfahren und System zur Herstellung von Halbleiterchips im Waferverbund
US11456161B2 (en) * 2018-06-04 2022-09-27 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
WO2020154708A1 (en) * 2019-01-25 2020-07-30 Lam Research Corporation Integrated wafer bow measurements

Also Published As

Publication number Publication date
JP7581608B2 (ja) 2024-11-13
EP3931369A1 (en) 2022-01-05
WO2020209780A1 (en) 2020-10-15
EP3931369A4 (en) 2022-12-14
SE1930124A1 (sv) 2020-10-13
US20220136109A1 (en) 2022-05-05
JP2022528476A (ja) 2022-06-10
US12180592B2 (en) 2024-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6080842B2 (ja) プロセスチャンバ内の複数区域ヒータの温度を制御するための方法および装置
US6353209B1 (en) Temperature processing module
CN101978481B (zh) 热处理腔室中的晶片支撑件的温度测量及控制
CN104362076B (zh) 半导体设备的温度控制装置、控制系统及其控制方法
KR102709765B1 (ko) 서셉터 지지부
TWI404819B (zh) 成膜裝置及成膜方法
US20080182345A1 (en) Substrate processing method and semiconductor manufacturing apparatus
US9698041B2 (en) Substrate temperature control apparatus including optical fiber heating, substrate temperature control systems, electronic device processing systems, and methods
WO2002071446A2 (en) Method and apparatus for active temperature control of susceptors
JP2007317732A (ja) 熱処理板の温度制御方法、プログラム及び熱処理板の温度制御装置
CN107331595A (zh) 用于等离子处理装置及其温度控制方法和校准方法
CN1973356A (zh) 与晶片发射率无关的有效晶片温度控制的利用
JP2010034474A (ja) エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハ製造方法
JP2016519418A (ja) 効率的な熱サイクリングのためのモジュール式基板ヒータ
SE543143C2 (sv) Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt
KR20120040124A (ko) 기판 가열 장치 및 기판 가열 방법
JP7630645B2 (ja) 基板処理装置、温度測定方法および温度制御方法
JP4558031B2 (ja) 熱処理装置および熱処理方法
KR101179865B1 (ko) 기판 가열 장치 및 기판 가열 방법
JP2002110556A (ja) 熱処理装置
JP2024517889A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN204303776U (zh) 快速降温热处理系统
JP4533732B2 (ja) 製膜装置及びその製造方法
JP2010157776A (ja) 静電チャック
KR20090035788A (ko) 기판처리장치의 냉각시스템 및 이를 이용한 냉각방법