SU1108384A1 - Фототермопластический материал дл записи информации - Google Patents
Фототермопластический материал дл записи информации Download PDFInfo
- Publication number
- SU1108384A1 SU1108384A1 SU813321174A SU3321174A SU1108384A1 SU 1108384 A1 SU1108384 A1 SU 1108384A1 SU 813321174 A SU813321174 A SU 813321174A SU 3321174 A SU3321174 A SU 3321174A SU 1108384 A1 SU1108384 A1 SU 1108384A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- photothermoplastic
- layer
- amorphous selenium
- increase
- diffraction efficiency
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 20
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims abstract 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims abstract 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 abstract 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229920000134 Metallised film Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
ФОТОТЕРМОШ1АСТИЧЕСКИЙ МАТЕР1Ш1 ДЛЯ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ, состо щий из полимерной подложки, электропровод щего подсло , инжекционного сло из селена с теллуром и фототермопластического сло из поли-Ы-винилкарбазола и термопластического св зующего, отличающийс тем, что, с целью увеличени дифракционной эффективности, материал дополнительно содержит слой аморфного селена ТОЛ1ЦИНОЙ 0,03-0,05 мкм, расположенный между инжекдионный и фототермопластическим сло ми. (Л с
Description
о х
9 X)
1
Изобретение относитс к фототермопластическим материалам и может быть использовано дл регистрации информации как в обычной, так и в голографической форме.
Известен фототермопластический материал, содержащий псшимерную подложку , электропровод щий слой, ин жекционный слой из аморфного селена и фототермопластический слой 1П.
Указанный фототермопластический материал обладает высокой электрофотографической чувствительностью в синей зоне спектра (120 М -Дж) и практически не обладает электрофотографической чувствительностью в красной зоне спектра (0,01 М.
Наиболее близким к изобретению вл етс фототермопластический материал , содержащий металлизированную никелем полиэтилентерефтапатную подложку, на которой последовательно расположены ишкекционный слой из аморфного селена с добавками теллура 7%, мьпиь ка 2%, сурьмы 1% (общее содержание добавок 10%) и фототермопластический слой, представл ющий собой композицию из поли-Н-винилкарбазола и термопластического полимера 21.
Известный фототермопластический материал обладает высокой электрофотографической чувствительностью как в синей (400 ), так и в красной зоне спектра (8 ). Однако величина дифракционной эффективности записанного изображени на данном материале ниже, чем на других фототермопластических материалах.
Особенно низкое значение дифракционной эффективности имеет указанный фототермопластический материал при длине волны АОО нм, именно при этой длине волны фототермопластический материал обладает максимальной электрофотографической чувствительностью . Низкое значение дифракционной эффективности не позвол ет реализовать на практике высокую электрофотографическую чувствительность материала.
Одним из важнейщих параметров, характеризующих качество голографического изображени на фототермоппастическом материале, вл етс дифракционна эффективность плоской фазовой голограммы, котора может иметь максимальное значение, равное 33,9%. Спедовательно, повышение
83842
дифракционной эффективности нар ду с повышением электрофотографической чувствительности вл етс важнейшей задачей при широком использовании 5 фототермопластических материалов дл различных технических нужд. Цель изобретени - повышение дифракционной эффективности.
Цель достигаетс тем, что фото10 термопластический материал дополнительно содержит слой аморфного селена толщиной 0,03 - 0,05 мкм, расположенный между инжекционным и фототермопластическим сло ми.
15Полученный материал обладает высокой дифракционной эффективностью при длинах волн лазерного излучени 633 и 441 нм, а также высокой электрографической чувствительностью.
20Пример I. На металлизированную никелем полиэтилентерефталатную основу напыл ют в вакууме инжекционный слой толщиной 0,15 мкм из аморфного селена с добавками,%:
25 теллур 7; мышь к 2 и сурьма 1. Добавки не превышают 10%. Затем методом купающего ролика из раствора в толуоле нанос т фототермопластическую композицию из поли-К-винил3Q карбазола и сополимера стирола с бутадиеном в соотношении 1:1. Толщана полимерного покрыти после сушки составл ет 2 мкм.
Величина дифракционной эффективности при длинах волны 441 и 633 .нм дл оптимальной частоты 200 мм приведены в таблице. В таблице приведены также электрофотографическа чувствительность по критерую спада начального потенциала на 0,1.
Пример 2. На металлизированную никелем полиэтилентерефталатную основу напыл ют в вакууме последовательно инжекционный слой из аморфного селена с добавкой 10% теллура толщиной 0,15 мкм, слой аморфного селена толщиной 0,03 мкм. Затем методом купающего ролика из раствора в толуоле нанос т фототермопластическую композицию, содержащую по0 ли-К-винилкарбазол и сополимер стирола с бутадиеном в соотношении 1:1, толщиной 2 мкм.
Сенситометрические характеристики приведены в таблице.
5Пример 3. Фототермопластический материал приготавливают аналогично примеру 2, но толщина сло аморфного селена составл ет 0,05 мкм.
Сенситометрические характеристики приведены в таблице.
Пример 4. Фототермопластический материал приготавливают аналогично примеру 2, но толщина сло аморфного селена составл ет 0,02 мкм
Сенситометрические характеристики приведены в таблице.
Пример 5. Фототермопластический материал приготавливают аналогично примеру 2, но толщина сло аморфного селена составл ет 0,10 мкм
Сенситометрические характеристики приведены в таблице.
Из приведенных данных следует, что предлагаемый фототермопластический материал толщиной сло аморфного селена 0,03 - 0,05 мкм (примеры 2 и 3) превосходит по дифракционной эффективности при длине волны лазерного излучени 633 нм прототип на 18 - 22%, при длине волны 441 нм более чем на 200%. При этом электрофотографическа чувствительность практически остаетс на уровне прототипа.
410
29
32
420
30
33
405
18
28
200
20
32
Claims (1)
- ФОТОТЕРМОШ1АСТИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ, состоящий из полимерной подложки, электропроводящего подслоя, инжекционного слоя из селена с теллуром и фототермопластического слоя из поли-N-винилкарбазола и термопластического связующего, отличающийся тем, что, с целью увеличения дифракционной эффективности, материал дополнительно содержит слой аморфного селена толщиной 0,03—0,05 мкм, расположенный между инжекционный и фототермопластическим слоями.I 108384
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU813321174A SU1108384A1 (ru) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | Фототермопластический материал дл записи информации |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU813321174A SU1108384A1 (ru) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | Фототермопластический материал дл записи информации |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1108384A1 true SU1108384A1 (ru) | 1984-08-15 |
Family
ID=20970501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU813321174A SU1108384A1 (ru) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | Фототермопластический материал дл записи информации |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1108384A1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD313Z (ru) * | 2009-07-08 | 2011-08-31 | Государственный Университет Молд0 | Фотопластический носитель для записи оптической информации |
| MD4237C1 (ru) * | 2012-04-24 | 2014-01-31 | Государственный Университет Молд0 | Фототермопластический носитель для регистрации оптической информации |
-
1981
- 1981-07-10 SU SU813321174A patent/SU1108384A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Авторское свидетельство СССР № 336638, кл. G 03 G 5/08, 1970. 2. Р1едужий С.А. и др. Регистрирующие среды дл изобразительной голографии и киногологра4 1и. Л., Наука, 1979, с. 149 (прототип). * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD313Z (ru) * | 2009-07-08 | 2011-08-31 | Государственный Университет Молд0 | Фотопластический носитель для записи оптической информации |
| MD4237C1 (ru) * | 2012-04-24 | 2014-01-31 | Государственный Университет Молд0 | Фототермопластический носитель для регистрации оптической информации |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE68927280T2 (de) | Verfahren zur Informationsaufzeichnung und -wiedergabe, Vorrichtung dazu und Aufzeichnungsmedium | |
| US5731116A (en) | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method | |
| US3837851A (en) | Photoconductor overcoated with triarylpyrazoline charge transport layer | |
| US3791826A (en) | Electrophotographic plate | |
| CA1087438A (en) | Photoconductive composition containing a p type organic photoconductor and a charge transfer complex | |
| CA1339152C (en) | Electrostatic information recording medium and electrostatic informationrecording and reproducing method | |
| SU1108384A1 (ru) | Фототермопластический материал дл записи информации | |
| JP2521702B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| US20020094405A1 (en) | Optical data storage media with enhanced contrast | |
| DE3249395C2 (ru) | ||
| US5232800A (en) | Method for improving charge mobility in electrophotographic photoreceptors | |
| US4282295A (en) | Element for thermoplastic recording | |
| GB2109947A (en) | Electrophotographic elements | |
| SU1108383A1 (ru) | Фототермопластический материал дл записи информации | |
| EP0422238A1 (en) | Photosensitive member and electrostatic data recording method | |
| JPS61188543A (ja) | 電子写真感光体 | |
| SU1444698A1 (ru) | Фототермопластический материал | |
| JPH05201143A (ja) | 被覆された材料及びその用途 | |
| SU896591A1 (ru) | Фототермопластический материал | |
| JPS60146250A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US4619877A (en) | Low field electrophotographic process | |
| SU1768044A3 (ru) | Фототермопластический материал | |
| SU1004952A1 (ru) | Фототермопластический носитель информации | |
| SU1205121A1 (ru) | Электрофотографический материал | |
| SU1651266A1 (ru) | Электрофотографический носитель информации |