SU1114237A2 - Запоминающа электронно-лучева трубка - Google Patents

Запоминающа электронно-лучева трубка Download PDF

Info

Publication number
SU1114237A2
SU1114237A2 SU833574314A SU3574314A SU1114237A2 SU 1114237 A2 SU1114237 A2 SU 1114237A2 SU 833574314 A SU833574314 A SU 833574314A SU 3574314 A SU3574314 A SU 3574314A SU 1114237 A2 SU1114237 A2 SU 1114237A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
mcp
channels
time
zelt
dielectric layer
Prior art date
Application number
SU833574314A
Other languages
English (en)
Inventor
С.И. Павлов
В.Н. Панин
Е.Н. Саратовский
В.К. Архипов
Original Assignee
Предприятие П/Я А-3904
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-3904 filed Critical Предприятие П/Я А-3904
Priority to SU833574314A priority Critical patent/SU1114237A2/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1114237A2 publication Critical patent/SU1114237A2/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

ЗАПОМИНАЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВАЯ ТРУБКА по авт.св. № 695417, отличающа с  тем, что, с целью повьвпени  достоверности информации при проведении физичecкиk измерений, она дополнительно содержит слой диэлектрика, расположенный на . вьс одных участках каналов микроканальной пластины со стороны, обращенной к сигнальному электроду, при чем толщина & диэлектрического сло  удовлетвор ет условию - о 3 диаметр канала микроканальгде ной пластины.

Description

/
t Э
э Изобретение относитс  к электрон ной технике, а именно к скоростныъ запоминающим электронно-лучевым тру кам (ЗЭЛТ), предназначенным дл  масштабно-временного преобразовани  (МВП) однократных электрических, сигналов, содержащим усилительную м роканальную пластину (МКП). По основному авт. ев; К 695417 известна запоминающа  электроннолучева  трубка l, ЗЭЛТ содержит электронные прожекторы-записи и считывани , усилительную МКП и сигнальный электрод. Электронные прожекторы записи и счи тывани  расположены по одну сторону МКП, по другую сторону МПК по ходу электронных потоков расположен сигн ный электрод. Усилительна  ШП одновременно  вл етс  запоминающим элементом. Запись регистрируемого сигнала осуществл ют на микроканальной пластин в режиме, при котором величина тока записывающего луча соответствует ре жиму насьицени  каналов МПК. При записи сигнала под лучом в МКП созд етс  зар дный рельеф в виде поверхностных положительных зар дов на стенках каналов МКП, соответствующий изображению входного сигнала. Затем МКП облучают электронным считываю1цим лучом, развернутьм в раст, с той же стороны, с какой производ  запись, при величине тока, соответствующей режиму насыщени  каналов МКП. При считыванииэлектронный луч считывающего прожектора сканирует входную поверхность МКП со скорость считывани  много меньшей скорости записи. Выходной ток МКП, регистрируемый сигнальным электродом, при этом оказываетс  промодулированным зар дным рельефом, образованным на стенках каналов МКП при записи. Выходные считанные сигналы получают за счет разницы выходного тока с участков МКП, на которых была про изведена предварительна  запись, и участков, где запись отсутствовала Общее врем  считывани  (врем  кадровой развертки при раствором считы пании) определ ют из соотношени  СЧИТ - 0,1. с зоссТ - - С.ЧИт общее врем  считывани  лучом, разве нутым в раст, отсчитанное от момент записи, восст врем  восстановлен МКП от состо ни  насьщени  до исход 7. 2, ного. Достоинством известной ЗЭЛТ  вл етс  высока  разрешающа  способность . Недостатком известной ЗЭЛТ  вл етс  невысока  достоверность информации из-за малого коэффициента масштабновременного преобразовани  информации . Коэффициент МВП информации Крр определ етс  как отношение времени считывани  Т fi,j, к длительнос-р . I/ ти развертки записи пр -адп Мала  величина К обусловлена низкой эффективностью МКП как запоминающего (накопительного) элемента. Это объ сн етс  следую1цим. При записи наибольший поверхностный положительный зар д, формирующий зар дный рельеф, соответствующий изображению исследуемого сигнала, образуетс  вблизи выходньк участков каналов МКП-, так как по мере приближени  электронного луча записи к выходньи участкам каналов МКП все большее количество вторичных электронов уходит со стенок каналов. Это обусловлено распределением коэффициента усилени  Ку, вдоль канала .., kg j K,,.:fc;-k где k усиление на единицу длины канала, -i - 1, 2 . . . . В силу того, что входна  и выходна  плоскости МКП металлизированы, так как они  вл ютс  составной частью электрического контакта дл  подачи на МКП необходимого напр жени  питани , оказываютс  металлизированными и примыкающие к ним внутренние выходные участки каналов МКП, что обусловлено технологией нанесени  металлизированного провод щего покрыти  на МКП. Т.е. вблизи выходных участков каналов МКП существуют области с повышенной проводимостью дл  электрических зар дов. Кроме того , существуют токи утечки по поверхности каналов МКП из-за конечной проводимости поверхностного сло  канала. Все это приводит к уменьшению времени хранени  зар дного рельефа на стенках каналов МКП, особенно на их выходных участках, а такЖе уменьшает эффективную величину зар дного рельефа, т.е. МКП как запоминающий элемент обладает низкой эффективностью. Врем  хранени  зар дного рельефа в МКП, т.е. врем   осстановлени  МКП от состо ни  насыще ни  до исходного, составл ет нескол ко миллисекунд. Малое врем  восстановлени  ограничивает врем  считывани , так как Ссчит 0 1 9оссг- Пр длительности развертки записи 10 НС и времени считывани  коэффициент масштабновременного преобразовани  равен Кроме того, низка  эффективность МКП как запоминающего элемента приводит к ограничению максимальной скорости записи в ЗЭЛТ. Целью изобретени   вл етс  повышение достоверности информации при проведении физических измерений за счет увеличени  коэффициента мас штабно-временного преобразовани  ин формации. Указанна  цель достигаетс  тем, что запоминающа  электронно-лучева  трубка по авт.св. № 695417 дополнительно содержит слой диэлектрика, расположенный на выходных участках ка налов микроканальной пластины.со стороны обращенной к сигнальному электро ду , причем толщина Д диэлектрического сло  удовлетвор ет условию 10 т , где j - диаметр канала МКП. На фиг. 1 приведена предлагаема  ЗЭЛТ, общий вид; на фиг. 2 - увеличенное изображение запоминающего элементаJ на фиг. 3 - график измене ни  величины выходного считанного сигнала от времени считывани . ЗЭЛТ согласно данному изобретени содержит стекл нную оболочку 1; электронный прожектор записи 2, электронный прожектор считьшани  3, микроканальную пластину 4 с каналами 5, слой диэлектрика 6, сигнальный электрод 7, люминесцентный экран 8. Электронные прожекторы записи 2 и считьгоани  3 расположены по одну сторону МКП 4, по другую сторону которой по ходу электронных потоков расположен сигнальньш эле15трод 7, в качестве которого использовано апюминированное покрытие люминесцент ного экрана 8 трубки. Слой диэлектрика 6 нанесен на выходные участки каналов МКП 4 со стороны, обращенной к сигнальному электроду 7. МКП 4 с нанесенным на ее выходную поверхность слоем диэлектрика 6  вл етс  одновременно усилительным и запоминающим элементом. В качестве диэлектрика использованы высокоомные диэлектрики с большими значени ми удельного сопротивлени  ( ,см) диэлектрической посто нной и высоким коэффициентом вторичной электронной эмиссии, например, окись магни , хлористый калий и т.д. Слой диэлектрика 6 не перекрывает каналы 5 МКП 4, но находитс  в непосредственном контакте с внутренней поверхностью выходных участков каналов 5 МКП 4, котора , как и плоскости МКП, металлизирована . В отличие от известной ЗЭЛТ согласно данному изобретению запоминающий элемент представл ет собой двухслойную систему, состо щую из МКП 4 и расположенного на выходных участках каналов 5 МКП 4 сло  диэлектрика 6. ЗЭЛТ работает следующим образом. На запоминающем элементе устанавлиэают посто нное положительное напр жение ( кВ. Дл  упрощени  работы ЗЭЛТ на входе запоминающего элемента (плоскости МКП 4, обращенной к электронным прожекторам) устанавливают нулевой потенциал. На сигнальный электрод подают посто нный положительный потенциал (. (пор дка 2-3 кВ) дл  создани  необходимого электрического пол  между выходом запоминающего элемента и сигнальным электродом 7, после чего осуществл ют запись исследуемого сигнала. Во врем  записи луч 13ап записывающего прожектора 2 облучает входную плоскость МКП 4 по закону исследуемого сигнала. При этом электронный луч записи, проход  через МКП 4, усиливаетс . Усиленный электронный поток электрическим полем (lli(J«) О отводитс  на сигнальный электрод 7. При записи исследуемого сигнала на стенках каналов МКП 4 и дополнительном слое диэлектрика 6 за счет ухода с этих поверхностей вторичных электронов образуютс  поверхностные положительные зар ды. В снлу того, что коэффициент усилени  Кус МКП 4 увеличиваетс  с увеличением длины канала (1Су(. ПК, где 1 1, 2.. С , (С- коэффициент усилени  на единицу длины канала МКП), максимальное количество вторичных электронов уходит с поверхности вькодных участков каналов 5 МКП 4, наход щихс  в непосредственном контакте со слоем диэлектрика 6 (см. фиг. 2 а). В резул тате здесь образуетс  максимальное число поверхностных положительных зар дов. Такимобразом при записи на выходных участках запоминающего элемента создаетс  зар дный рельеф, соответствующий изображению исследу емого сигнала. Наличие диэлектричес кого сло  6 на выходных участках каналов 5 МКП 4 приводит к тому, чт вблизи выходных участков каналов 5 МКП 4 возникает обедненный электрическими носител ми слой, обладающий повышенным сопротивлением дл  тока проводимости, что преп тст вует выравниванию (стиранию) зар дного рель€;фа. В результате увеличиваетс  врем , в течение которого сохран етс  зар дный рельеф, а значит и врем  считывани . При толцц1не Д (фиг. 2б) сло  диэлектрика 6, удовлетвор ющей условию 10 где А - диаметр канала 5 МКП 4, врем  хранени  записанной информации в сравнении с известной ЗЭЛТ увеличиваетс  на 2 пор дка. Верхний предел -4- U 10 выбираетс  из усУюви  сохранени  необходимой прозрачности каналов 5 МКП 4 дл  потока электронов. При большей толщине диэлектрического сло  6 канал 5 перекрываетс  диэлектриком. ГТРи указанном соотношении потер  прозрачности каналов 5 за счет сло  диэлектрика 6 не превышает 1%, что практически не вли ет на работу ЗЭЛТ. Нижний предел толщины сло  т 10 выбираетс  из успови  .обеспечени  необходимой вторичноэлектронной эмиссии со стенок кана лов 5. Считывание производитс  с той же стороны МКП 4, что и запись , со скоростью, много меньшей скорости записи. Считывающий электронный луч, развернутьй в раст, сканирует входную плоскость МКП 4. При прохождении считывающего луча через те участки МКП 4, где запись отсутствовала, происходит его усиление. При этом на выходе запоминающего элемента ток 1 максимален . Этот ток отводитс  электри ческим полем ( О 2 - U, ) О на сигнальный электрод 7. При прохождении считьгеающего луча через те участки запоминак цего элемента, где быпа произведена запись, происходит модул ци  записанным зар дным рельефом, привод ща  к снижению величины выходного тока с этих участков до значени  i г i Т° отводитс  на сигнальный электрод 7. Выходной считанный сигнал igj,,,, , снимаемый с сопротивлени  нагрузки, включенного в цепь сигнального электрода 7, получают за счет разницы токов Эффективность запоминающего э лемента иллюстрируетс  графиком, представленным на фиг. 3. Сплошной линией обозначено напр жение выходных считанньк сигналов, снимаемое с сопротивлени  нагрузки, включенного в цепь сигнального электрода 7, согласно данной ЗЭЛТ, пунктиром - дл  известной ЗЭЛТ. Характер изменени  величины выходных считанных сигналов и записанного зар дного рельефа идентичны. В известной ЗЭЛТ зар дный рельеф уменьшаетс  во времени вследствие наличи  токов утечки, возникающих из-за конечной проводимости поверхностного сло  каналов МКП и наличи  вблизи выходных участков каналов МКП областей с повьш енной проводимостью дл  электрических зар дов , из-з.а металлизации-плоскостей МКП. Врем  хранени  зар дного рельефа , записанного на стенках каналов МКП, мало. В ЗЭЛТ согл-асно данному изобретению введение дополнительного сло  диэлектрика 6 приводит к уме-ньшению проводимости вблизи выходных участков каналов 5 МКП 4, вследствие чего зар дный рельеф сохран етс  дольше, т.е. эффективность МКП как запоминающего элемента увеличиваетс . Так как выходной сигнал зависит от величины записанного зар дного рельефа (большему зар дному рельефу соответствует больша  величина выходного считанного сигнала), то при считывании растром, состо щим из п строк (и - 1 ,... N ) кажда  последующа  строка растра считывает зар дный рельеф, величина которого уменьшаетс  в направлении считывающего растра.. При одинаковом времени считывани  величина выходного сигнала в известной ЗЭЛТ меньше, чем в ЗЭЛТ согласно данному изобретению. В известной ЗЭЛТ при увеличении времени считьшани  выходной сигнал становитс  неразличимьм на фоне шумов. В ЗЭЛТ согласно данному изобретению
7
за счет увеличени  времени хранени  зар дного рельефа, т.е. времени восстановлени  МКП от состо ни  насьщени  до выходного, увеличиваетс  врем  считывани  (т.к., что приводит к увеличению коэффициента масштабно-временного преобразовани . Кроме того, в ЗЭЛТ согласно данному изобретению увеличена максимальна  скорость записи исследуемого сигнала.. Это объ сн етс  следующим. Чем больше скорость записи , тем меньшее количество вторичных электронов выбираетс  записывающим лучом, тем меньше величина записанного на стенках каналов МКП зар дного рельефа и тем быстрее он убывает. В ЗЭЛТ согласно данному изобретению при прочих равных услови х величина зар дного рельефа
378
больше и он хранитс  дольше. Поэтому максимальна  скорость записи может быть увеличена, т.е. длительность развертки записи -jan уменьшена. А это, в свою очередь, также приводит к увеличению коэффициента масштабно-временного преобразовани  информации . Таким образом, в ЗЭЛТ согласно данному изобретению в отличие от известной ЗЭЛТ за счет введени  дополнительного сло  диэлектрика увеличена эффективность МКП как запоминающего элемента, следствием чего  вл етс  увеличение времени считы-вани  информации. Получено увеличение времени хранени  записанной информации в сравнении с известной ЗЭЛТ на 2 пор дка, что соответствует увеличению времени считьшани  во
столько же раз.
Jan
1сц
4trw/ 
Фиг.З

Claims (1)

  1. ЗАПОМИНАЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВАЯ ТРУБКА по авт.св. № 695417, отличающаяся тем, что^ с целью повьвпения достоверности информации при проведении физический измерений, она дополнительно содержит слой диэлектрика, расположенный на \ выгодных участках каналов микроканальной пластины со стороны, обращенной к сигнальному электроду, причём толщина & диэлектрического слоя удовлетворяет условию диаметр канала микроканальной пластины.
    ί
    11 14237
SU833574314A 1983-04-08 1983-04-08 Запоминающа электронно-лучева трубка SU1114237A2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833574314A SU1114237A2 (ru) 1983-04-08 1983-04-08 Запоминающа электронно-лучева трубка

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833574314A SU1114237A2 (ru) 1983-04-08 1983-04-08 Запоминающа электронно-лучева трубка

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU695417 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1114237A2 true SU1114237A2 (ru) 1985-06-30

Family

ID=21057345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833574314A SU1114237A2 (ru) 1983-04-08 1983-04-08 Запоминающа электронно-лучева трубка

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1114237A2 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент GB № 1424279, кл. Н 1 D, опублик. 24.07.76. 2. Авторское свидетельство СССР 695417, кп. Н 01 J 31/58, за вл. 1977 (прототип). . *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4568853A (en) Electron multiplier structure
US2657378A (en) Pulse translation apparatus
US3935493A (en) Radiation detector using double amplification
SU1114237A2 (ru) Запоминающа электронно-лучева трубка
US3555345A (en) Radiation pickup device incorporating electron multiplication
US3247493A (en) Electron beam recording and readout on thermoplastic film
US3234561A (en) Electrostatic writing tube
GB1061986A (en) Image storage system
US3401299A (en) Video storage tube
US2998541A (en) Transmission storage tube
JPH03505388A (ja) 電子スチル撮像管
US3318997A (en) Video recording and reproducing system with photoconductive switching of transducing elements
US3624623A (en) Thermoremanent magnetic memory system
US2988736A (en) Apparatus for reproducing magnetic information
US3181125A (en) Signal readout system for thermoplastic recordings
US3100845A (en) Image intensification tube system
US4086515A (en) Non-destructive read-out device
US2757233A (en) Electron discharge tube arrangements
US2597363A (en) Cathode-ray storage tube
US3360784A (en) High frequency recording using enhanced sensitivity thermoplastic media
Camras Experiments with electron scanning for magnetic recording and playback of video
GB904500A (en) Improvements in or relating to storage cathode ray tubes
US2140695A (en) Charge storage dissector
JPH0229269B2 (ru)
US3333254A (en) Electron beam readout system with beam control circuit