SU1202019A1

SU1202019A1 - Двухтактный усилитель мощности

Info

Publication number: SU1202019A1
Application number: SU833668316A
Authority: SU
Inventors: Эдуард Павлович Тарасов; Юрий Александрович Никифоров; Елена Николаевна Костюченкова
Original assignee: Предприятие П/Я Р-6947
Priority date: 1983-11-28
Filing date: 1983-11-28
Publication date: 1985-12-30

Abstract

ДВУХТАКТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩ-. нести, содержащий первый и второй транзисторы п-р-п-структуры,третий и четвертый транзисторы р-п-р-структуры , первый и второй диоды, источник смещени , который включен между базами первого и третьего транзисторов , коллекторы которых подключены к соответствующим шинам источников питани , а между эмиттерами включён резистивный делитель, средн точка которого вл етс выходом двухтактного усилител мощности, эмиттеры первого и третьего транзисторов подключены . соответственно к эмиттерам четвертого и второго транзисторов к базам которых подключены первыми выводами соответственно первый и второй резисторы, о т л и ч а ю щ и и с тем, что, с целью повышени надежности путем снижени тока короткого замыкани , в него введены третий, четвертый и п тый резисторы, вторые выводы первого и второго резисторов соединены соответственно с коллекторами второго и четвертого транзисторов, которые подключе .ны к базам первого и третьего транзисторов , третий и четвертьй резистоi ры подключены параллельно переходам база - коллектор второго и четверСЛ того транзисторов, анод первого диода соединен с «базой второго транзистора ,а катод - с анодом второго диода, катод которого соединен с базой четвертого транзистора,причем точка со-, единени диодов через п тый резистор подключена к-общей шине.

Description

Изобретение относитс к радиоэлектронике и может быть использовано, например в усилител х мопрюсти низг кой частоты.

Целью изобретени вл етс повышение надежности путем снижени тока короткого замыкани .

На чертеже представлена принципиальна электрическа схема двухтактного усилител мощности.

Двухтактный усилитель мощности содержит первьй транзистор 1, второй транзистор 2, третий транзистор 3, четвертый транзистор 4, первый диод 5, второй диод 6, источник 7 смещени , источники 8 и 9 питани , резистивный делитель 10, первый резистор 11, второй резистор 12, третий резистор 13, четвертый резистор 14 и п тьй резистор 15.

Двухтактный усилитель мощности работает следующим образом.

При нулевом входном сигнале через первый и третий транзисторы 1 и 3 протекает ток поко , определ емый напр жением источника 7 смещени и . При этом напр жени на эмитерных переходах первого и третьего транзисторов 1 и 3 практически равны между собой, т.е. равны ирщ/2. Ток поко относительно мал, поэтому падением напр жени на резистивном делителе 10 можно пренебречь. Таким образом, потенциалы эмиттеров всех, транзисторов близки к нулю. Напр жени на эмиттерных переходах второго и четвертого транзисторов 2 и 4 выбираютс несколько ниже порога их отпирани за счет соответствующего выбора сопротивлений первого, второго, третьего и четвертого резисторов 11, 12, 13 и 14.

При по влении входного сигнала, например положительной пол рности, ток первого транзистора 1 протекает в нагрузку через соответствующий резистор резистивного делител 10, создава на нем определенное падение напр жени . Третий транзистор 3 при этом закрьшаетс , так как напр жение источника 7 смещени , определ емое соответствующими цеп ми стабилизации тока поко , остаетс посто нным , а падение напр жени на эмиттерном переходе первого транзистора 1 и соответствующем резисторе резистивного делител 10 возрастает. Потенциал эмиттера второго транзистора 2

практически равен выходному потенци- i алу, а потенциал его базы определ етс вторым и третьим резисторами 12 и 13 и током через первый диод 5 и п тый резистор 15 напр жение на п том резисторе 15 близко к напр жению на нагрузке). Сопротивление п того резистора 15 выбираетс таким образом , чтобы в отсутствие перегрузки или короткого замыкани на выходе . второй транзистор 2 оставалс в закрытом состо нии при любом входном допустимом напр жении, т.е. чтобы приращение напр жени на эмиттерном переходе первого транзистора 1 и соответствующем резисторе резистивного делител 10 компенсировалось соответствующим приращением напр жени на третьем резисторе 13 за счет .

тока, протекающего через п тьй резистор 15. При этом четвертый транзистор 4 также остаетс закрытым, поскольку напр жение на его эмиттерном переходе измен етс незначительно

(и в направлении дальнейшего его запирани ) . Второй диод 6 также заперт Напр жение на коллекторном переходе четвертого транзистора 4, как и в режиме поко , обратное, поэтому чет

вертый транзистор 4 в отсутствие перегрузок не вли ет на работу усили- , тел .

В режиме перегрузки (из-за уменьшени сопротивлени нагрузки) или в случае короткого замьпсани на выходе (при входном сигнале положительной пол рности).повьшенное падение напр жени на соответствующем резисторе резистивного делител 10 приводит к отпиранию второго транзистора 2 и шунтированию базовой цепи первого

транзистора 1. I

При большом входном сигнале выходной ток ограничиваетс на более высоком уровне, чем при малом. Така зависимость достигаетс благодар введению п того резистора 15 и позвол ет значительно снизить ток короткого замыкани , не ограничива максимальный выходной ток двухтактного усилител мощности при максимальном входном сигнале. По существу, осу- .

ществл етс защита по некоторому предельно допустимому уровню мощности , рассеиваемой на первом транзис торе 1.

Аналогично двухтактный усилитель мощности работает и при входных сигналах отрицательной пол рности.

Подключение эмиттеров второго и четвертого транзисторов 2 и 4 к соответствующим вьшодам рёзистивного делител 10 делает схему чувствительной к сквозньи токам через первый и третий транзисторы I и 3. Если сквозиой ток превьппает некий допустимьш уровень (при переходньк процессах , например, при включении и выключении источников 8 и 9 питани ), то второй и четвертый транзисторы 2 и 4 открываютс , предотвраща выход из стро двухтактного усилител мощности .

За счет подключени базовых цепей второго и четвертого транзисторов 2

и 4 к базовьм цеп м первого и третьего транзисторов возможно несколько снизить сопротивление рёзистивного делител 10 (или даже исключить его) и таким образом повысить коэффициент использовани напр жени источников 8 и 9 питани .

Повьппение надежности двухтактного усилител мощности достигаетс также за счет определенной температурной зависимости порога срабатьшани защиты, св занной с те шературной зависимостью напр жени на пр мосмещенных переходах.

В качестве первого и третьего транзисторов I и 3 могут использоватьс составные транзисторы.

Claims

ДВУХТАКТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ М0Щ-. НОСТИ, содержащий первый и второй транзисторы п-р-п-структуры,третий и четвертый транзисторы р-п-р-структуры, первый и второй диоды, источник смещения, который включен между базами первого и третьего транзисторов, коллекторы которых подключены к соответствующим шинам источников питания, а между эмиттерами включён резистивный делитель, средняя точка которого является выходом двухтактного усилителя мощности, эмиттеры первого и третьего транзисторов под ключены. соответственно к эмиттерам четвертого и второго транзисторов к базам которых подключены первыми выводами соответственно первый и второй резисторы, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности путем снижения тока короткого.замыкания, в него введены третий, четвертый и пятый резисторы, вторые выводы первого и второго резисторов соединены соответственно с коллекторами второго и четвертого транзисторов, которые подключе. ны к базам первого и третьего транзисторов, третий и четвертый резисторы подключены параллельно переходам § база — коллектор второго и четвертого транзисторов, анод первого диода соединен с «базой второго транзистора,^ катод - с анодом второго диода, катод которого соединен с базой четвертого транзистора,причем точка со-. ¹единения диодов через пятый резистор· подключена к.общей шине.