SU1283627A1 - Способ определени вли ни диффузии газов на скорость растворени полимерных материалов - Google Patents
Способ определени вли ни диффузии газов на скорость растворени полимерных материалов Download PDFInfo
- Publication number
- SU1283627A1 SU1283627A1 SU853948273A SU3948273A SU1283627A1 SU 1283627 A1 SU1283627 A1 SU 1283627A1 SU 853948273 A SU853948273 A SU 853948273A SU 3948273 A SU3948273 A SU 3948273A SU 1283627 A1 SU1283627 A1 SU 1283627A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- film
- gases
- substrate
- diffusion
- dissolution rate
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 title abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 2
- 102000010410 Nogo Proteins Human genes 0.000 claims 1
- 108010077641 Nogo Proteins Proteins 0.000 claims 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- -1 polysiloxanes Polymers 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012685 gas phase polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к электронной промышленности, а именно к способам формировани изображени в полимерных материалах путем их растворени . Целью изобретени вл етс упрощение, расширение области применени и повышение точности определени вли ни диффузии газов на скорость растворени полимерных материалов . Способ основан на том, что формирование полимерной пленки на прозрачной подложке и последующее облучение ее через подложку привод т к образованию под действием излучени в слое, примыкающем к подложке,смеси газов, диффузи которых направлена от подложки сквозь необлученный слой полимера, что приводит к увеличению скорости растворени этого сло под действием только диффузии газов. § (Л
Description
to
сх
00 О)
IND
- 112
Изобретение относитс к электронной промьшшенности, а именно к способам формировани изображени в полимерных материалах путем их растворени , и может быть использовано в процессах фото-, рентгено- и электронной литографии дл оценки изменени скоростей растворени полимеро при диффузии сквозь них различных газов.
Целью изобретени вл етс упрощение , расширение области применени и повышение точности.
Способ осущес.твл ют следующим образом .
На прозрачную подложку (например, дл света с длинами волн j 105 нм прозрачным материалом вл етс фтористый литий, дл света с Л 120нм- фтористый магний, дл света с /( 143 нм - сапфир, дл света с /t 60 нм - кварц) нанос т слой полимерного материала (например, полиоле фины, полисульфоны, ПММА, сополимеры метилметакрилата и метакриловой кислоты , полисилоксаны и др.) толщиной h методами центрифугировани , полимеризации из газовой фазы, поливом и др. Затем пленку на воздухе или
в вакууме (давление : 10 мм рт.ст облучают через прозрачную подложку электромагнитным излучением (например , вакуумным УФ- или УФ-излучени- ем) , поглощающимс в слое h Ч 2/с, где Ы. - дес тичный коэффициент по- глощени полимера дл данной длины волны. Например, дл света 147 нм в полиэтилене ot 10 см в поли- изобутилене ,3-10 см, в IttiMA « dt. 7,710 см , а дл света 123,6н в полиэтилене ,с 10 , в поли- изобутилене с 1,9-10 см, в ПММА с 1, Причем облучение можно проводить источниками различной интенсивности и в различное врем , регулиру таким образом интенсивность потока диффундирующих газов и интегральный поток продиффундиро- вавших газов. Контроль потока газов можно осуществл ть с помощью масс- спектрометра или рассчитыва , исход из интенсивности источника излучени ,- времени облучени и известных значений выходов газообразных продуктов под действием используе- мого излучени . Кроме того, провод предварительное облучение быстрыми электронами, 1Г-лучами, рентгеновски
.
0
5
ми лучами или светом, поглощающимс по всей толщине полимерного сло , можно измен ть степень деструкции полимера одинаково по всей толщине и далее исследовать роль диффузии газов в полимерах с различной степенью деструкции.
Пример 1. Формирование пленки полимера толщиной h 2 мкм на подложке из сапфира осуществл ют методом центрифугировани . Облучение провод т в вакууме (10 мм рт.ст.) монохроматическим светом 147 нм ксе- ноновой резонансной лампой КСР -2П через сапфировую подложку (коэффициент пропускани подложки дл света 147 нм 0,2) в течение 30 мин. Затем раствор ют слой полимера толщиной hjj 1 мкм в смеси изопропило- вого спирта и метилэтилкетоиа.Уменьшение толщины пленки за известное врем определ ют с помощью микроинтерферометра МИИ-4. Получают следующие увеличени скорости растворени полимерных материалов при интегральном потоке диффундируюпщх газообразных продуктов (vIO молекул/см : ПММА 0,3 - до50нм/мин, электронный резист позитивный и составл ет 0,2 - 40 нм/мин.
Пример 2. Формирование Пленки полимера толщиной h 2 мкм на подложке из сапфира осуществл ют методом центрифугировани .Облучение провод т в вакууме ( 10 мм рт.ст.) сначала светом с длиной волны Я 90 нм водородной лампы ЛД(Д)-400 в течение 10 мин дл проведени деструкции полимера одинаковой по всей толщине полимерного образца, а затем облучают монохроматическим светом 147 нм ксеноновой резонансной лампы типа КСР-2П через сапфировую подложку (коэффициент пропускани подложки дл света 147 нм 0,2) в те чение 30 мин. Затем раствор ют слой полимера толщиной hj 1 мкм в смеси изопропилового спирта и метил- этилкетона. Уменьшение толщины пленки за известное врем определ ют с помощью микроинтерферометра 1 1ИИ-4. Получают следующие увеличени скорости растворени полимерных материалов при интегральном потоке диффундирующих г азообразных продуктов 10 молекул/см : ПММА 180-330 нм/мин; электронный резист позитивный и составл ет 160-200 нм/мин.
ормула изобрете
1283627 н и
те ре то ри ро ре ма в с но но че
Способ определени вли ни диффузии г-азов на скорость растворени полимерных материалов, включающий нанесение пленки полимерного мате- на подложку, облучение пленки, растворение части пленки и определение вли ни диффузии газов по изменению скорости растворени пленки по сравнению с 1еоблученным полимерньо материалом, отличающийс
тем, что, с целью упрощени , расширени области применени и повышени точности, пленку полимерного материала нанос т на прозрачную дл электромагнитного излучени подложку, рез которую облучают пленку электромагнитным излучением, поглощак цимс в слое пленки толщиной h i2/t, где с - коэффициент поглощени полимерного материала при основании дес тичного логарифма, а раствор ют необлу- ченную часть пленки.
Claims (1)
- Формула изобретенияСпособ определения влияния диффузии газов на скорость растворения полимерных материалов, включающий нанесение пленки полимерного материала на подложку, облучение пленки, растворение части пленки и определение влияния диффузии газов по изменению скорости растворения пленки по сравнению с .необлученным полимерным материалом, отличающийся тем, что, с целью упрощения, расширения области применения и повышения точности, пленку полимерного материала наносят на прозрачную для элект -5 ромагнитного излучения подложку, че4рез которую облучают пленку электромагнитным излучением, поглощающимся в слое пленки толщиной h -2/d, где с& - коэффициент поглощения полимер10 ного материала при основании десятичного логарифма, а растворяют необлученную часть пленки.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU853948273A SU1283627A1 (ru) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | Способ определени вли ни диффузии газов на скорость растворени полимерных материалов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU853948273A SU1283627A1 (ru) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | Способ определени вли ни диффузии газов на скорость растворени полимерных материалов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1283627A1 true SU1283627A1 (ru) | 1987-01-15 |
Family
ID=21195579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU853948273A SU1283627A1 (ru) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | Способ определени вли ни диффузии газов на скорость растворени полимерных материалов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1283627A1 (ru) |
-
1985
- 1985-05-24 SU SU853948273A patent/SU1283627A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Опапо А.С. А Study on the deso- lution rate of irradiated polimetylmatacrylat, Polimer Eng. Sci, 1978, vol. 18, № 4, c. 311. Там же, с. 308. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4568632A (en) | Patterning of polyimide films with far ultraviolet light | |
| US4417948A (en) | Self developing, photoetching of polyesters by far UV radiation | |
| US4834834A (en) | Laser photochemical etching using surface halogenation | |
| KR0161690B1 (ko) | 콘택트렌즈의 레이저 경화 방법 | |
| US5139925A (en) | Surface barrier silylation of novolak film without photoactive additive patterned with 193 nm excimer laser | |
| EP0108189B1 (en) | A method for etching polyimides | |
| JPH0626208B2 (ja) | ドライエツチング方法 | |
| Cefalas et al. | Absorbance and outgasing of photoresist polymeric materials for UV lithography below 193 nm including 157 nm lithography | |
| SU1283627A1 (ru) | Способ определени вли ни диффузии газов на скорость растворени полимерных материалов | |
| Molokanova et al. | Effect of ultraviolet radiation on polyethylene naphthalate films irradiated with high-energy heavy ions | |
| Hansen et al. | Cleaning of optical surfaces with photogenerated reactants | |
| Pawloski et al. | Evaluation of the standard addition method to determine rate constants for acid generation in chemically amplified photoresist at 157 nm | |
| JPH0655846B2 (ja) | 高分子成形品のエッチング加工方法 | |
| Bulgakova et al. | Effect of polymer matrix and photoacid generator on the lithographic properties of chemically amplified photoresist | |
| JP4000231B2 (ja) | 耐光性を改良したリソグラフィー用ペリクル | |
| JPS5819479A (ja) | エツチング方法およびその装置 | |
| JP2823246B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| RU2029979C1 (ru) | Способ сухого получения позитивного изображения в фотолитографии | |
| JPS5886726A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| Partlo et al. | Transmission measurements of pellicles for deep-UV lithography | |
| Sarantopoulou et al. | Photoresist materials for 157-nm photolithography | |
| JPH0290169A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH057064B2 (ru) | ||
| JP3125004B2 (ja) | 基材の表面加工方法 | |
| SU1084711A1 (ru) | Способ изготовлени тонкопленочных фильтров |