SU1668043A1 - Process for preparing semiconductor devices from oxide powders - Google Patents
Process for preparing semiconductor devices from oxide powders Download PDFInfo
- Publication number
- SU1668043A1 SU1668043A1 SU894657523A SU4657523A SU1668043A1 SU 1668043 A1 SU1668043 A1 SU 1668043A1 SU 894657523 A SU894657523 A SU 894657523A SU 4657523 A SU4657523 A SU 4657523A SU 1668043 A1 SU1668043 A1 SU 1668043A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- heat treatment
- stability
- oxide powders
- semiconductor devices
- hydrogen
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Mn+2] PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к металлургии, в частности к процессам изготовлени полупроводниковых приборов, терморезисторов и позисторов из оксидных порошков. Цель - удешевление процесса, улучшение качества и стабильности параметров изделий. В способе, включающем спекание порошковых материалов и формирование поверхностного контактного сло , формирование последнего осуществл ют термообработкой в среде водорода при 650 - 670°С в течение 8 - 10 мин с последующим охлаждением с печью до 100 - 80°С и далее на воздухе. Получающиес пластины разрезают на готовые издели . За счет лучшей адгезии и повышени надежности омического контакта улучшаетс стабильность электрических параметров. При использовании предлагаемого способа отклонение от номинала не превышает 10% и подгонки не требуетс , в то врем как в известном способе - 30 - 60%, что требует последующей подгонки термообработкой.The invention relates to metallurgy, in particular, to processes for the manufacture of semiconductor devices, thermistors and posistors from oxide powders. The goal is to make the process cheaper, to improve the quality and stability of the product parameters. In the method involving sintering powder materials and forming a surface contact layer, the latter is formed by heat treatment in hydrogen at 650–670 ° C for 8–10 min, followed by cooling with an oven to 100–80 ° C and then in air. The resulting plates are cut into finished products. Due to better adhesion and increased reliability of the ohmic contact, the stability of the electrical parameters is improved. When using the proposed method, the deviation from the nominal value does not exceed 10% and adjustment is not required, while in the known method it is 30 - 60%, which requires subsequent adjustment by heat treatment.
Description
Изобретение относитс к металлургии , в частности к процессам изготовлени полупроводниковых приборов, терморезисторов и позисторов от оксидных порошков.The invention relates to metallurgy, in particular, to processes for the manufacture of semiconductor devices, thermistors and posistors for oxide powders.
Целью изобретени вл етс удешевление процесса, улучшение качества и стабильности параметров изделий.The aim of the invention is to make the process cheaper, to improve the quality and stability of the parameters of the products.
В предлагаемом способе, включающем спекание порошковых материалов и формирование поверхностного контактного сло , последнее осуществл ют путем термообработки в среде водорода при 650 - 670°С течение 8-10 мин, последующего охлаждени с печью до 100 - 80°С и далее на воздухе , после чего пластины разрезают на готовые издели .In the proposed method, which includes sintering powder materials and forming a surface contact layer, the latter is carried out by heat treatment in hydrogen at 650–670 ° C for 8–10 min, followed by cooling with an oven to 100–80 ° C and then in air, after which plates are cut into finished products.
Удешевление технологического процесса вл етс , во-первых, следствием того, что вместо дорогосто щих наплавок иЭ драгоценных металлов в качестве контактных слоев изделий используетс слой металла, восстанавливаемый на поверхности из составл ющих полупроводниковых окислов. Замена в технологии вжигани наплавок термообработкой также приводит к упрощению , а следовательно, удешевлению процессаThe cheaper process is, firstly, a consequence of the fact that instead of expensive surfacing and precious metals, a layer of metal recovered on the surface of the constituent oxides is used as the contact layers of the products. Replacing the technology in the weld-on weld deposition by heat treatment also leads to simplification and, consequently, cheaper process
При получении в качестве поверхностного сло металла с достаточно высоким потенциалом окислени , например, никел , эффект выпр млени и варисторный эффект , обусловленный нелинейностью конОWhen producing as the surface layer of a metal with a sufficiently high oxidation potential, for example, nickel, the straightening effect and the varistor effect due to the cono nonlinearity
ОABOUT
со оwith about
JbJb
0000
тактного переходного сопротивлени , не наблюдаютс . Восстановление никел из окислов за счет термобработки в восстанавливающей среде водорода позвол ет создать поверхностный провод щий слой с высокой механической прочностью и достаточной омичностью контактов. При этом вы- сокоомные переходные слои на границе металл-полупроводник не образуютс , за счет чего улучшаетс качество и стабильность параметров изделий.tact transition resistance is not observed. The reduction of nickel from oxides by heat treatment in a reducing medium of hydrogen makes it possible to create a surface conductive layer with high mechanical strength and sufficient contact resistance. In this case, high impedance transition layers do not form at the metal – semiconductor interface, thereby improving the quality and stability of the product parameters.
Способ осуществл ют следующим образом .The method is carried out as follows.
Спеченные пластины помещают в печь с восстановительной средой водорода, нагревают до 650 - 670°С и выдерживают в течение ,8 - 10 мин, охлаждают с печью до 80 - 100°С во избежание короблени и растрескивани и далее на воздухе. После этого пластину разрезают на готовые издели .The sintered plates are placed in a furnace with a reducing medium of hydrogen, heated to 650–670 ° C and held for 8–10 minutes, cooled with a furnace to 80–100 ° C to avoid distortion and cracking, and then in air. After that, the plate is cut into finished products.
Пример. Спеченные образцы из окислов никел , кобальта и марганца в виде длинной пластины помещают в горизонтально расположенную кварцевую трубку, наход щуюс в печи, через которую пропу екают очищенный водород под давлением 1,05 атм. Образцы выдерживают в течение 10 мин при 670°С, затем охлаждают с печью до 100°С и далее на воздухе. Анализ показывает , что на поверхности пластины по вл етс металлический контактный слой из никел и кобальта толщиной пор дка 100 мкм, необходимый дл припаивани выводов , с, высокой механической св зью с внутренним полупроводниковым слоем. Далее пластину разрезают на части и к металлизированным плоскост м припаивают проволочные выводы.Example. Sintered samples of nickel, cobalt and manganese oxides in the form of a long plate are placed into a horizontal quartz tube in the furnace, through which purified hydrogen is passed under a pressure of 1.05 atm. Samples incubated for 10 min at 670 ° C, then cooled with a furnace to 100 ° C and then in air. The analysis shows that a metallic nickel and cobalt contact layer with a thickness of about 100 microns is required on the plate surface to solder the leads, with a high mechanical bond to the inner semiconductor layer. Next, the plate is cut into pieces and wire leads are soldered to the metallized planes.
- -
Аналогичные опыты провод т при температурах выдержки 650 и 660°С с сохранением других параметров термообработки . Выдержка при 650 660°С в тече5 ние 8 мин приводит к по влению контактного сло толщиной 90 - 95 мкм, который также позвол ет осуществл ть качественную пайку выводов.Similar experiments were carried out at holding temperatures of 650 and 660 ° C, while maintaining other heat treatment parameters. A holding at 650–660 ° С for 8 min leads to the appearance of a contact layer 90–95 µm thick, which also allows high-quality soldering of leads.
Отклонение от номинала в 1 кОм послеDeviation from nominal 1 kΩ after
10 обработки при 670°С в среде водорода в течение 10 мин и по режиму 650°С в течение 8 мин составл ет в обоих случа х менее 10%. в то врем как при вжигании серебр ной пасты по существующей технологии от15 клонение достигает 30 - 60%.10 treatment at 670 ° C in a hydrogen environment for 10 minutes and in the 650 ° C mode for 8 minutes is in both cases less than 10%. While burning in silver paste using the existing technology, 15 the deviation reaches 30–60%.
По сравнению с известным предлагаемый способ обеспечивает снижение себестоимости производства терморезисторов, улучшение их качества и стабильности параметров за счет сбережени дорогосто щих материалов и использовани в качестве покрыти металла с высоким потенциалом окислени , восстанавливаемого из полупроводника .Compared with the known method, the proposed method reduces the cost of production of thermistors, improves their quality and stability of parameters by saving expensive materials and using a metal with high oxidation potential recovered from a semiconductor as a coating.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894657523A SU1668043A1 (en) | 1989-01-02 | 1989-01-02 | Process for preparing semiconductor devices from oxide powders |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894657523A SU1668043A1 (en) | 1989-01-02 | 1989-01-02 | Process for preparing semiconductor devices from oxide powders |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1668043A1 true SU1668043A1 (en) | 1991-08-07 |
Family
ID=21431916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU894657523A SU1668043A1 (en) | 1989-01-02 | 1989-01-02 | Process for preparing semiconductor devices from oxide powders |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1668043A1 (en) |
-
1989
- 1989-01-02 SU SU894657523A patent/SU1668043A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Шефтель И.Т Термосопротивление М . Физматгиз, 1958. Шефтель И.Т. Терморезисторы. М: Наука, 1973, с. 268. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0539566A (en) | Sputtering target and method for producing the same | |
| CN1043341C (en) | Method for producing a gas-tight welding device and use of the method for producing components with vacuum-tight housings | |
| US3001269A (en) | Composite material, brazing alloys and process of manufacture | |
| CN108621754A (en) | Window glass for vehicle with the electric connector welded by lead-free solder | |
| CN114093698A (en) | Silver tin oxide electric contact material and preparation method thereof | |
| US4049475A (en) | SECo5 -Permanent magnet joined to at least one iron mass and method of fabricating such a permanent magnet | |
| CN114231917A (en) | Preparation method of high-purity rare earth and alloy target material | |
| US20140356646A1 (en) | Method for producing a semifinished product for electrical contacts and contact piece | |
| WO2026082140A1 (en) | Thermal-electric coupled sintering apparatus for binder jetting 3d-printed metal powder green bodies, and sintering method therefor | |
| CN106222478A (en) | A kind of ternary-alloy sealing material and preparation method thereof | |
| CN110114326A (en) | The structural detail of method for making ferrite ceramics metallize and the ferrite ceramics with metallization | |
| JPH09506461A (en) | Method and contact base for joining a contact base made of silver-metal oxide material to a metal contact carrier | |
| CN112059470A (en) | Active brazing filler metal for brazing titanate microwave dielectric ceramic and metal and preparation method thereof | |
| US6723280B2 (en) | Method of suppressing the oxidation characteristics of nickel | |
| US2819961A (en) | Process for connecting a tantalum electrode pin to an electrode body | |
| JP2696603B2 (en) | Manufacturing method of tantalum solid electrolytic capacitor | |
| JP3106598B2 (en) | Manufacturing method of electrode material | |
| JPH05140613A (en) | Method for manufacturing tungsten sintered body | |
| JP4250397B2 (en) | Ceramic parts for magnetron | |
| KR900008579B1 (en) | Manufacturing Method of TIG Welding Tungsten Electrode | |
| JP3471467B2 (en) | Manufacturing method of grain boundary layer type semiconductor ceramic capacitor | |
| JP3061090B2 (en) | Manufacturing method of electrical contact material | |
| JP2684066B2 (en) | High temperature thermistor | |
| JPS6333282B2 (en) | ||
| CN118993770A (en) | Metallized ceramic for relay and preparation method thereof |