SU1668043A1 - Способ получени полупроводниковых изделий из оксидных порошков - Google Patents
Способ получени полупроводниковых изделий из оксидных порошков Download PDFInfo
- Publication number
- SU1668043A1 SU1668043A1 SU894657523A SU4657523A SU1668043A1 SU 1668043 A1 SU1668043 A1 SU 1668043A1 SU 894657523 A SU894657523 A SU 894657523A SU 4657523 A SU4657523 A SU 4657523A SU 1668043 A1 SU1668043 A1 SU 1668043A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- heat treatment
- stability
- oxide powders
- semiconductor devices
- hydrogen
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Mn+2] PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к металлургии, в частности к процессам изготовлени полупроводниковых приборов, терморезисторов и позисторов из оксидных порошков. Цель - удешевление процесса, улучшение качества и стабильности параметров изделий. В способе, включающем спекание порошковых материалов и формирование поверхностного контактного сло , формирование последнего осуществл ют термообработкой в среде водорода при 650 - 670°С в течение 8 - 10 мин с последующим охлаждением с печью до 100 - 80°С и далее на воздухе. Получающиес пластины разрезают на готовые издели . За счет лучшей адгезии и повышени надежности омического контакта улучшаетс стабильность электрических параметров. При использовании предлагаемого способа отклонение от номинала не превышает 10% и подгонки не требуетс , в то врем как в известном способе - 30 - 60%, что требует последующей подгонки термообработкой.
Description
Изобретение относитс к металлургии , в частности к процессам изготовлени полупроводниковых приборов, терморезисторов и позисторов от оксидных порошков.
Целью изобретени вл етс удешевление процесса, улучшение качества и стабильности параметров изделий.
В предлагаемом способе, включающем спекание порошковых материалов и формирование поверхностного контактного сло , последнее осуществл ют путем термообработки в среде водорода при 650 - 670°С течение 8-10 мин, последующего охлаждени с печью до 100 - 80°С и далее на воздухе , после чего пластины разрезают на готовые издели .
Удешевление технологического процесса вл етс , во-первых, следствием того, что вместо дорогосто щих наплавок иЭ драгоценных металлов в качестве контактных слоев изделий используетс слой металла, восстанавливаемый на поверхности из составл ющих полупроводниковых окислов. Замена в технологии вжигани наплавок термообработкой также приводит к упрощению , а следовательно, удешевлению процесса
При получении в качестве поверхностного сло металла с достаточно высоким потенциалом окислени , например, никел , эффект выпр млени и варисторный эффект , обусловленный нелинейностью конО
О
со о
Jb
00
тактного переходного сопротивлени , не наблюдаютс . Восстановление никел из окислов за счет термобработки в восстанавливающей среде водорода позвол ет создать поверхностный провод щий слой с высокой механической прочностью и достаточной омичностью контактов. При этом вы- сокоомные переходные слои на границе металл-полупроводник не образуютс , за счет чего улучшаетс качество и стабильность параметров изделий.
Способ осуществл ют следующим образом .
Спеченные пластины помещают в печь с восстановительной средой водорода, нагревают до 650 - 670°С и выдерживают в течение ,8 - 10 мин, охлаждают с печью до 80 - 100°С во избежание короблени и растрескивани и далее на воздухе. После этого пластину разрезают на готовые издели .
Пример. Спеченные образцы из окислов никел , кобальта и марганца в виде длинной пластины помещают в горизонтально расположенную кварцевую трубку, наход щуюс в печи, через которую пропу екают очищенный водород под давлением 1,05 атм. Образцы выдерживают в течение 10 мин при 670°С, затем охлаждают с печью до 100°С и далее на воздухе. Анализ показывает , что на поверхности пластины по вл етс металлический контактный слой из никел и кобальта толщиной пор дка 100 мкм, необходимый дл припаивани выводов , с, высокой механической св зью с внутренним полупроводниковым слоем. Далее пластину разрезают на части и к металлизированным плоскост м припаивают проволочные выводы.
-
Аналогичные опыты провод т при температурах выдержки 650 и 660°С с сохранением других параметров термообработки . Выдержка при 650 660°С в тече5 ние 8 мин приводит к по влению контактного сло толщиной 90 - 95 мкм, который также позвол ет осуществл ть качественную пайку выводов.
Отклонение от номинала в 1 кОм после
10 обработки при 670°С в среде водорода в течение 10 мин и по режиму 650°С в течение 8 мин составл ет в обоих случа х менее 10%. в то врем как при вжигании серебр ной пасты по существующей технологии от15 клонение достигает 30 - 60%.
По сравнению с известным предлагаемый способ обеспечивает снижение себестоимости производства терморезисторов, улучшение их качества и стабильности параметров за счет сбережени дорогосто щих материалов и использовани в качестве покрыти металла с высоким потенциалом окислени , восстанавливаемого из полупроводника .
Claims (1)
- Формула изобретени Способ получени полупроводниковых изделий из оксидных порошков, включающий спекание и формирование поверхностного контактного сло , отличающийс тем. что, с целью удешевлени процесса, улучшени качества и стабильности параметров изделий, формирование поверхностного контактного сло осуществл ют 35 термообработкой в среде водорода при 650 - 670°С в течение 8-10 мин с последующим охлаждением с печью до 100 - 80°С и далее на воздухе.202530
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894657523A SU1668043A1 (ru) | 1989-01-02 | 1989-01-02 | Способ получени полупроводниковых изделий из оксидных порошков |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894657523A SU1668043A1 (ru) | 1989-01-02 | 1989-01-02 | Способ получени полупроводниковых изделий из оксидных порошков |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1668043A1 true SU1668043A1 (ru) | 1991-08-07 |
Family
ID=21431916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU894657523A SU1668043A1 (ru) | 1989-01-02 | 1989-01-02 | Способ получени полупроводниковых изделий из оксидных порошков |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1668043A1 (ru) |
-
1989
- 1989-01-02 SU SU894657523A patent/SU1668043A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Шефтель И.Т Термосопротивление М . Физматгиз, 1958. Шефтель И.Т. Терморезисторы. М: Наука, 1973, с. 268. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1043341C (zh) | 制造气密焊接装置的方法和此方法在制造带有真空密封外壳的构件上的应用 | |
| US3001269A (en) | Composite material, brazing alloys and process of manufacture | |
| CN108621754A (zh) | 具有通过无铅焊料焊接的电连接器的车辆用窗玻璃 | |
| CN114093698A (zh) | 一种银氧化锡电接触材料及其制备方法 | |
| US4049475A (en) | SECo5 -Permanent magnet joined to at least one iron mass and method of fabricating such a permanent magnet | |
| CN114231917A (zh) | 一种高纯稀土及合金靶材的制备方法 | |
| SU1668043A1 (ru) | Способ получени полупроводниковых изделий из оксидных порошков | |
| WO2026082140A1 (zh) | 一种粘结剂喷射3d打印成形金属粉末生坯的热-电耦合烧结装置及其烧结方法 | |
| CN106222478A (zh) | 一种三元合金封接材料及其制备方法 | |
| CN110114326A (zh) | 用于使铁氧体陶瓷金属化的方法以及具有金属化的铁氧体陶瓷的结构元件 | |
| JPH09506461A (ja) | 銀‐金属酸化物材料からなる接点ベースを金属製接点担体に接合する方法及び接点ベース | |
| CN112059470A (zh) | 钛酸盐微波介质陶瓷与金属钎焊用活性钎料及其制备方法 | |
| US6723280B2 (en) | Method of suppressing the oxidation characteristics of nickel | |
| CN114628179B (zh) | 一种铜钨合金与铜合金的连接方法 | |
| US2819961A (en) | Process for connecting a tantalum electrode pin to an electrode body | |
| JP2696603B2 (ja) | タンタル固体電解コンデンサの製法 | |
| JP3106598B2 (ja) | 電極材料の製造方法 | |
| JPS58181806A (ja) | 銀・銅基二層焼結接点の製造方法 | |
| JPH05140613A (ja) | タングステン焼結体の製造方法 | |
| JPS62293702A (ja) | セラミツク質の酸化亜鉛バリスタ材料の製法 | |
| SU1100065A1 (ru) | Способ диффузионной сварки разнородных материалов через промежуточную пористую прокладку | |
| JP4250397B2 (ja) | マグネトロン用セラミックス部品 | |
| KR900008579B1 (ko) | 티그(tig)용접 텅스텐 전극의 제조방법 | |
| JP3471467B2 (ja) | 粒界層型半導体セラミックコンデンサーの製造方法 | |
| JP3061090B2 (ja) | 電気接点材料の製造方法 |