SU1831966A3 - Интегральный биполярный транзистор - Google Patents

Интегральный биполярный транзистор

Info

Publication number
SU1831966A3
SU1831966A3 SU4692526/25A SU4692526A SU1831966A3 SU 1831966 A3 SU1831966 A3 SU 1831966A3 SU 4692526/25 A SU4692526/25 A SU 4692526/25A SU 4692526 A SU4692526 A SU 4692526A SU 1831966 A3 SU1831966 A3 SU 1831966A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
region
bipolar transistor
contacts
integrated bipolar
symmetry
Prior art date
Application number
SU4692526/25A
Other languages
English (en)
Inventor
О.В. Дворников
Е.М. Любый
Original Assignee
О.В. Дворников
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by О.В. Дворников filed Critical О.В. Дворников
Priority to SU4692526/25A priority Critical patent/SU1831966A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1831966A3 publication Critical patent/SU1831966A3/ru

Links

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

Использование: проектирование аналоговых и аналого-цифровых базовых матричных кристаллов на основе биполярных транзисторов, обеспечивающих программируемость параметров для аналоговых схем. Сущность изобретения: по каждому из радиальных направлений расположены по одной эмиттерной области симметрично относительно центрально расположенной области. Между контактами к эмиттерным областям расположены по одному контакту к базовой области. По периферии коллекторной области симметрично расположены контакты к коллекторной области на определенном расстоянии друг от друга и от базовой области. 1 з.п.-флы, 2 ил., 2 табл.
SU4692526/25A 1989-05-16 1989-05-16 Интегральный биполярный транзистор SU1831966A3 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4692526/25A SU1831966A3 (ru) 1989-05-16 1989-05-16 Интегральный биполярный транзистор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4692526/25A SU1831966A3 (ru) 1989-05-16 1989-05-16 Интегральный биполярный транзистор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1831966A3 true SU1831966A3 (ru) 1995-05-10

Family

ID=60537371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4692526/25A SU1831966A3 (ru) 1989-05-16 1989-05-16 Интегральный биполярный транзистор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1831966A3 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2492546C1 (ru) * 2012-04-05 2013-09-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" Способ изготовления самосовмещенного высоковольтного интегрального транзистора
RU2492551C1 (ru) * 2012-04-05 2013-09-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" Самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2492546C1 (ru) * 2012-04-05 2013-09-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" Способ изготовления самосовмещенного высоковольтного интегрального транзистора
RU2492551C1 (ru) * 2012-04-05 2013-09-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" Самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE500618T1 (de) Bipolare mosfet-anordnung
DE69128364D1 (de) Lateraler Bipolartransistor
SE8703269D0 (sv) Forbettrad konstruktion hos sos-transistor
JPS56131955A (en) Semiconductor device
KR890004466B1 (en) Semiconductor device
JPS5515299A (en) Large power transistor
EP0322041A3 (en) Integrated high-voltage bipolar power transistor and low voltage mos power transistor structure in the emitter switching configuration and relative manufacturing process
EP0386413A3 (en) Complementary transistor structure and method for manufacture
GB1397086A (en) Semiconductor device having darlington circuit
GB1153497A (en) Improvements in and relating to Semiconductor Devices
EP0310047A3 (en) Double-diffused mos fet
MY104983A (en) Vertical bipolar transistor.
SU1831966A3 (ru) Интегральный биполярный транзистор
MY104863A (en) Semiconductor device
JPS57162365A (en) Semiconductor device
KR890017793A (ko) 반도체 장치
EP0231740A3 (en) A polysilicon self-aligned bipolar device and process of manufacturing same
GB1529216A (en) Lateral bipolar transistor
MY110261A (en) Bipolar bump transistor and method of manufacturing the same.
TW257883B (en) Process of bipolar junction transistor
JPS5615068A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
SU1482479A1 (ru) Полевой вертикальный транзистор
JPS54104779A (en) Semiconductor device
SE8304013D0 (sv) Multipel transistor
GB1523517A (en) Method of manufacturing a monolithic